Cours Electronique Generale I
Cours Electronique Generale I
Cours Electronique Generale I
Ce travail est un recueil de cours de base enseigné dans toutes les écoles supérieures
Congolaises, il s’adresse essentiellement aux étudiants de la première année
Electronique et Electrotechnique de la filière génie électrique.
A cette fin, nous nous sommes fixés essentiellement deux objectifs : le premier
consiste à fournir aux étudiants un exposé utile pour faire connaissance des concepts
généraux sur les réseaux électriques, les semi-conducteurs allant de la jonction PN
jusqu’à l’amplificateur opérationnel. Le second objectif est de leur permettre d’avoir
une base pouvant les guider pour l’acquisition d’autre connaissance dans le cadre
d’études plus approfondies.
Le cours se divise en cinq chapitres:
1. En premier lieu sera présentée des généralités sur les applications des lois d’Ohm et
de Kirchhoff, et les méthodes d’analyse des réseaux en courant continu.
2. En second chapitre sera présentée une étude des réseaux électriques sous forme de
quadripôle, suivi par une étude sur les filtres passifs.
3. Dans le troisième chapitre un rappel sur les semi-conducteurs comme introduction
pour la jonction PN et la diode à jonction ainsi qu’une étude de quelques circuits se
basant sur les diodes.
4. Le quatrième chapitre est consacré à l’étude en régime statique et dynamique des
transistors bipolaires avec ces différents montages tell que : émetteur commun, base
commune et collecteur commun.
5. Le dernier chapitre traite le fonctionnement d’un circuit intégré le plus populaire et
le plus utilisé : l’amplificateur opérationnel.
Chapitre I :
RESEAUX ELECTRIQUES
I.1. INTRODUCTION
Ce chapitre consiste à donner quelques notions fondamentales nécessaires pour l’analyse des
réseaux électriques à savoir la loi d’ohm, l’association des dipôles (série et parallèle), les lois
de Kirchhoff et les règles de division de courant et de tension. Ces notions sont exploitées
dans les méthodes et les théorèmes utilisées pour analyser les circuits électriques.
I.1 Dipôle :
Le dipôle est défini comme étant un élément de circuit doté de deux bornes utilisées pour le
relier avec les autres éléments du circuit. On spécifie deux catégories : les dipôles passifs
comme les résistances et les dipôles actifs comme les générateurs.
Pour déterminer la tension aux bornes d’un dipôle il faut choisir d’abord la convention, soit la
convention “récepteur”, soit la convention “générateur” :
Convention générateur : les flèches du courant et de la tension sont dans le même sens.
Convention récepteur : les flèches du courant et de la tension sont en sens inverse ;
L’énergie électrique produit par le passage d’un courant I dans une résistance est convertie en
chaleur par effet Joule, elle est exprimée par la relation :
On dit les dipôles sont en séries, ils sont parcourus par la même intensité de courant
électrique. Et ils sont en parallèles, ils ont une même différence de potentiel à leurs bornes.
I.4.1 Association en série des résistances :
Soit n résistances branchées en série et parcourues par le même courant I (figure I.2).
En appliquant la loi d‟Ohm à chacune de ces résistances nous pouvons écrire les relations
suivantes :
La d.d.p entre les extrémités A et N du circuit est égale à la somme des d.d.p UAB entre A et
B, UBC entre B et C, UCD entre C et D, …etUYN entre Y et N.
Donc tout se passe comme si une seule résistance R était branchée entre A et N, et égale à :
Mettons entre deux points N et M plusieurs résistances (par exemple quatre résistances,
figure I.3). Le courant I dans le circuit créé plusieurs courants dérivés, dont son intensité est
égale à la somme des intensités de ces courants dérivés, figure I.3.
La loi d‟Ohm appliquée à chacune des résistances R1, R2, R3, R4, nous donne les relations
suivantes :
1
L‟inverse de la résistance est connu sous le nom : la conductance G (G= )
R
La règle générale des résistances en dérivées est la suivante :
La conductance d’un ensemble de résistance en dérivation est égale à la somme des
conductances de ces résistances.
Une maille (M) est un ensemble de branches toute en partant d‟un nœud pour y revenir sans
passer deux fois par la même branche.
I.6 Règles de connexions des éléments :
Les règles de connexions des éléments sont basées sur deux lois principales connues sous le
nom des lois de Kirchhoff :
Première loi : Loi des courants (ou des nœuds) : La somme des courants sortants égale
à celle entrants dans un nœud : ∑ ± I k ± = 0
k
(𝐼. 14)
Deuxième loi : Loi des tensions (ou des mailles) : La somme des tensions dans une
maille égale à zéro : : ∑ ± v k = 0
k
(𝐼. 15)
I.7 Règles de diviseurs :
a) Règle de diviseur de tension : Elle est appliquée pour les éléments (Ri) en série,
traversés par le même courant
b) Règle de diviseur de courant : Elle est appliquée pour les éléments (Gj)en parallèle
soumis à la même tension V (Gj : est la conductance).
Les lois de Kirchhoff sont employées pour déterminer les intensités de courants et les
différences de potentiels (d.d.p) aux bornes de chaque branche du réseau électrique.
Cette opération est appelée analyse du circuit ou du réseau électrique.
Tous les éléments constitutifs du réseau étant connus, le calcul complet nécessite autant
d‟équations que des branches. L‟analyse se trouve simplifiée par l‟application de lois
associatives et de théorèmes appropriés.
Exemple :
R
Fig I.6 Méthode de maille, exemple : montage à pont de résistance.
La méthode de Cramer :
Exemple :
Soit le circuit de la figure I.8.Déterminer les intensités des courants dans lestrois branches par
la méthode de superposition ?
Solution :
Fig I.9 Circuit initial est équivalents à la superposition de deux états (a) et (b).
Les intensités réelles I1, I2 et I3 sont données par les relations suivantes à partir des deux
circuits (a) et (b) :
Fig I.10 Schéma équivalent de Thevenin d‟un réseau quelconque.
UAB est la d.d.pdéterminée en absence de toute charge entre A et B,c.à.d.qu‟il faut débrancher
la résistance R.
RAB est la résistance équivalente au réseau, vue par les points A et B lorsque toute les f.é.m
sont supprimées et avant que la résistance R ne soit connectée.
Pour la résistance R tous se passe comme si le réseau auquel elle est connectée, est un
générateur de f.é.m E=UAB, de résistance interne = RAB.
Exemple :
Trouver les caractéristiques du générateur de Thévenin :
Exemple :
Déterminer le générateur de Norton vue à gauche de N et M.
2ème
étape : calcul de RN
Tout générateur de Thévenin peut être transformé en générateur de Norton (et inversement).
Cette méthode permet de réaliser des transformations de schémas électriques pour pouvoir les
simplifier: association de résistances en série; association de résistances en parallèle;
association de sources de tensions en série; association de sources de courant en dérivation.
On peut alors établir l‟équivalence suivante:
Soit :
Pour déterminer la différence de potentiel aux bornes de plusieurs branches en parallèle (EAB)
souvent qu‟on applique ce théorème à cause de sa simplicité.
Fig I.15 Schéma équivalent d‟un circuit simple par Millman.
EAB est donnée par l‟expression suivante :
Les paramètres de chaque transformation sont déterminés par les formules suivantes :
Références Chapitre I
[1] Tahar Neffati, Electricité générale -Analyse et synthèse des circuits- 2
Edition, Dunod,
2008.
ème
[2] G. Chagnon, Cours de Génie Electrique, Uninersité Paris VI. Jussieu, 2003/2004.
[3] Michel Piou, Electricité (Analyse des signaux et des circuits électriques), 2005.
[4] Jonathan Ferreira, Cours d’Electrostatique-électrocinétique, Université Joseph Fourier,
2001/2002.
[5] L. Ait-Gougam, M.Bendaoud, N. Doulache, F. mékidèche, Cours D’électricité (Licence de
Physique), Alger 2012.
Chapitre II
Quadripôles et filtres électriques
II.1. INTRODUCTION
Le chapitre II contient deux parties : La première sur les quadripôles, leurs définitions
et leurs matrices représentatives ainsi que leurs paramètres fondamentaux comme les
impédances d’entrée, de sortie, les gains en tension et en courant. La deuxième partie
représente les filtres, et leurs différents types. Une étude détaillée de chaque type sera
discutée.
II.1 Définition des quadripôles :
Un quadripôle est un circuit électrique constitué d’un certain nombre d’éléments passifs et
actifs muni de quatre bornes d’où son appellation. Il comporte deux bornes d'entrée et deux
bornes de sortie :
Le quadripôle est caractérisé par quatre paramètres électriques: tension et courant d'entrée Vet
Ie, et tension et courant de sortie Vs et Is.
Deux de ces variables sont indépendantes. Les autres y sont liées par les paramètres
duquadripôle.
Dans les conditions normales d’utilisation, le quadripôle (Q) est attaqué en entrée par
unesource de tension e et son impédance interne Zg et fermé en sortie sur une
charged’impédance Zu.
Elle est exprimée par la relation : Zs=Vs/Is. C’est l’impédance vue à la sotie quand l’entrée
est fermée par une impédance Zg, qui est l’impédance du générateur.
Un calcul analogue au cas précédent donne :
Or,
Paramètres ‘‘impédances’’ :
Le schéma équivalent comporte des impédances et des générateurs de tension
Les filtres se caractérisent par un paramètre très important pour décrire leurs comportements,
c’est la fonction de transfert. C’est une fonction mathématique qui décrit le comportement en
fréquence d’un filtre (en régime sinusoïdal).
Le module de la fonction de transfert correspond à l’amplification en tension :
Ces deux paramètres : le module et l’argument qui sont représentés par des courbes, sont
utilisés pour obtenir des données permettent de prévoir la réponse du système étudié dans
n’importe quelles conditions d’excitation.
Le diagramme de Bode est adopté pour représenter graphiquement la variation de T() en
fonction de la pulsation (ou la fréquence). A cause de la grande étendue des valeurs du
module de T, on choisit de représenter la fonction : 𝐺 = 20𝐿𝑜𝑔10 (𝜔)en fonction de la
pulsation. G s’appelle le gain de la fonction de transfert T et s’exprime en décibels (dB).
Ces deux paramètres : le module et l’argument qui sont représentés par des courbes, sont
utilisés pour obtenir des données permettent de prévoir la réponse du système étudié dans
n’importe quelles conditions d’excitation.
Le diagramme de Bode est adopté pour représenter graphiquement la variation de T() en
fonction de la pulsation (ou la fréquence). A cause de la grande étendue des valeurs du
module de T, on choisit de représenter la fonction : 𝐺 = 20𝐿𝑜𝑔10 (𝜔)en fonction de la
pulsation. G s’appelle le gain de la fonction de transfert T et s’exprime en décibels (dB).
II.6.4 Filtre passe-bas du premier ordre :
a) Fonction de transfert
c) Pulsation de coupure à –3 dB
Vu que la capacité se comporte un circuit ouvert aux basses fréquences, aucun courant ne
circule dans la résistance. Par contre aux hautes fréquences c’est l’inductance qui se comporte
comme un circuit ouvert et par conséquent la résistance n’est traversée par aucun courant.
Donc le transfert de l’énergie depuis l’entrée à la sortie se fait entre les hautes et basses
fréquences. A une certaine fréquence, l'impédance de la capacité(qui est négative) annule
l'impédance de l'inductance, l'amplitude de la fonction de transfert est réelle, et la tension de
la sortie est la même que celle de l'entrée.
a) La fonction de transfert :
b) Le module et la phase de T :
On reprend le même circuit RLC série du filtre précédent mais la sortie cette fois est prise
aux bornes de l'inductance et la capacité en série.
Principe de fonctionnement :
b) Amplitude et le déphasage :
La réponse d'un filtre coupe-bande ainsi que l’argument sont représentées par la figure II.18
II. CONCLUSION
III.1. INTRODUCTION
Pour mieux comprendre la notion de bandes d’énergie dans un solide, commençant par sa
représentation simple, qui n’est autre que l’atome. Si on considère un seul atome séparé des
autres, ses électrons occupent des niveaux d’énergie E séparés les uns des autres, comme le
montre la figure III.1.
Dans un cristal, du fait d’un grand nombre d’atomes, il y aura des interactions, et les niveaux
d’énergie discrets deviennent des bandes d’énergie occupées par les électronsappelées :
bande de conduction et bande de valence,et des bandes interdites. La figure III.2 schématise
ces bandes d’énergie.
Fig III.2 Le modèle quantique des bandes d’énergie dans les isolants, conducteurs et les
semiconducteurs.
Bande de condition : désignée par BC, elle regroupe les niveaux d’énergie qui peuvent être
occupés par les électrons qui arrivent de la bande de valence, dite les électrons de conduction
et qui sont responsables de la conduction d’électricité.
Bande de valence : désignée par BV, c’est l’ensemble des niveaux d’énergie qui peuvent
être occupés par les électrons de valence. Ces derniers fournissent les liaisons de covalence
entre les différents atomes d’un solide.
Bande Interdite : BI, elle regroupe l’ensemble des états non permis.
D’après la figure 2, on peut constater trois types de matériaux, se distinguent entre eux par la
largeur de la bande interdite :
Par définition un semi-conducteur est souvent connu comme étant un matériau dont la
conductivité (ou la résistivité) dépend de la température de la manière suivante :
- Si la température T croit, la conductivité croit (la résistivité décroit).
- Si la température T décroit, la conductivité décroit (la résistivité croit).
Donc les semi-conducteurs sont également des isolants pour les basses températures et de
conducteurs pour les hautes températures.
La génération des pairs électron-trou est compensée par un autre phénomène appelé
recombinaison où les électrons libres vont être capturés par les trous. A l’équilibre entre ces
deux phénomènes, le nombre d’électrons sera égal à ce des trous.
Soit n la concentration des électrons libres dans la bande de conduction par unité de volume
(cm3), et p la concentration des trous libres dans la bande de valence par unité de volume
(cm3), ces concentrations sont égale à ni la concentration intrinsèque. :
III.3.3.1Dopage de type N :
On fait pénétrer dans le réseau cristallin du germanium des atomes étranges pentavalentstel
que l’antimoine Sb. Chaque atome d’antimoine engage un électron de valence excédentaire.
Cet électron est faiblementattaché au noyau et passe facilement dans la bande de conduction.
Ce qui fait augmenter la conductivité. Les atomes d’antimoine appelés donneurs etdeviennent
des ions positifs quand ils libèrent le cinquième électron.Dans ce cas les électrons sont des
porteurs majoritaires alors que les trous sont des porteurs minoritaires.
Fig III.5 Dopage de type N.
Il est assuré par les impuretés trivalentes tell que l’indium In, ces impuretés manquent d’un
électron pour que la structure soit stable, et par conséquent cet électron du germanium sera
capté par l’impureté en créant un trou. Les trous deviennent des porteurs majoritaires par ce
que ils sont plus nombreux.
𝜇𝑛 et𝜇𝑝 sont les mobilités des électrons et trous respectivement, (𝜇𝑝 < ).
Exemple :
III.3.3.4 Courant dû à un champ électrique :
La force électrostatique F=q E crée par le champ électrique fait mouvoir les porteurs de
charge où les électrons se déplacent dans le sens contraire du champ, par contre les trous se
déplacent dans le même sens que ce champ.
mdV
D’après la loi fondamentale de la dynamique : 𝐹 = , nous déduisons les expressions de la
dt
densité de courant pour les électrons et les trous :
Une jonction est définie comme étant l’assemblage de deux parties de semi-conducteurs N et
P ayant une frontière commune appelé plan de jonction.
En réalité on ne colle pas deux semi-conducteurs N et P, mais on diffuse dans une plaque de
silicium dopée N une zone dopée P.
Les bandes d’énergie pour la jonction PN sont toujours continues mais il va y avoir des
courbatures au niveau de l’interface parce que le passage des porteurs de la région N à la
région P se fait graduellement.
En appliquant une tension V tell qu’il est montré par la figure III.9, la tension Vj au borne de
la jonction: Vj=VD-V, sera inférieur à VD.
Donc la barrière que doit surmonter les porteurs pour passer d’une région à l’autre est
maintenant plus petite, ils vont être plus nombreux à passer et par suite le courant de porteurs
majoritaires va augmenter.
Dans cecas, la tension appliquée V 0, donc Vj plus grand que VD et la barrière de potentiel
sera supérieure à la tension de seuil et s’oppose à tout passage des porteurs majoritaires.
Seul un courant de minoritaires est possible à travers la jonction. C’est le courant inverse ou
courant de fuite.
La valeur de cette résistance peut aussi être déterminée graphiquement. Le circuit de la figure
III.14 nous permet d’exprimer I en fonction de V.
KT
𝑈𝑇 = est la tension thermique qui prend une valeur de l’ordre de 0,026 V à T=300 °C.
e
La résistance dynamique peut être donnée par la relation :
III.5.5 Redressement :
III.5.5.1 Redressement simple alternance :
Le redressement est une fonction primordiale en électronique qui consiste à convertir un
signal bipolaire en un signal unipolaire. C’est également la transformation de l’alternatif en
continu.Il peut avoir deux cas possibles : l’obtention d’un signal continu positif ou d’un
signal continu négatif à partir d’un signal alternatif.
a) Conversion de l’alternatif en continu positif :
Le circuit utilisé dans cette conversion permet de supprimer la partie négative du signal
alternatif et garder la partie positive. La figure IV.16 montre un circuit simple qui permet de
passer d’un signal sinusoïdal à un signal continu positif.
Pour étudier le fonctionnement du circuit de la figure IV.20, on prend une tension à redresser
e(t) sinusoïdale. Le transformateur est pris telle que la tension V1 est en phase avec e(t).
La diode D1 est remplacée par un court-circuit (CC) alors que D2 est remplacée par un circuit
ouvert (CO) (figure IV.21).
𝑝𝑜𝑢𝑟
T
2
< 𝑡 < 𝑇⇒ 𝑒 ()¿0 ⇒ { V 2<0 ⇒ D 1 Bloquée
V 1> 0⇒ D 1 passante
La diode D1 est bloquée, elle est remplacée par un circuit ouvert (CO) alors que D2 est
passante, elle est remplacée par un court-circuit (CC) (figure IV.22). Le courant i1 étant nul à
cause du blocage de D1, alors le courant dans la charge R est égal à i2.
Nous constatons que les deux diodes travaillent d’une façon alternée. Pendant chacune des
deux alternances, une seule diode est montée en série avec la charge R.
Dans ce type de redressement (figure IV.24), on n’a pas besoin d’un transformateur, ce qui
minimise l’encombrement et le coût du dispositif.
Principe de fonctionnement :
T
𝑝𝑜𝑢𝑟 0 < 𝑡 < ⇒ 𝑒 (𝑡) > 0 ⇒ Un courant positif sort par la borne a et entre par la
2
borne b. Ce qui provoque le blocage de D3 et D4 et la conduction de D1 et D2.Le
circuit correspond à cet état se ramène au circuit présenté par la figure IV. 25.
Fig IV.25 Les diodes D1 et D2 sont passantes et D3 et D4 sont remplacées par des CO.
T
𝑝𝑜𝑢𝑟 < 𝑡 < 𝑇⇒ (𝑡) < 0 ⇒ Un courant positif sort par la borne b et entre par la borne a.
2
Les diodes D1 et D2 sont bloquées par contre les diodes D3 et D4 sont passantes. Le circuit
correspond à cet état est présenté par la figure IV.26.
Fig IV.26 Les diodes D3 et D4 sont passantes et D1 et D2 sont remplacées par des CO.
Remarque :il est conseillé d’éviter l’utilisation de ce type de montage pour le redressement
des signaux à faibles amplitudes, notamment inférieurs au double du seuil d’une diode car la
la charge R est montée en série avec deux diodes.
III.6Les différents types de diode ou diodes spéciales :
III.6.1 Diode Zener :
Avant d’étudier la diode Zener, on va définir deux effets importants :
a) Effet Zener :
La polarisationinverse d’une jonction PN, fait augmenter le champ électrique interne. A une
certaine valeur, ce champ sera capable de briser les liaisons et libérer des paires électron-trou,
ce phénomène est connu sous le nom d’effet Zener.
b) Effet d’avalanche :
Suite à la grande intensité du champ électrique interne à cause de la polarisation inverse, les
électrons dont l’énergie cinétique est assez élevée vont être accélérées et entrent en collusion
aves les autres atomes en arrachant des électrons et créant à leurs tours des paires
électrontrou,c’est l’effet d’avalanche.
A partir de la figure IV. 27, on constate qu’en direct la diode Zener se comporte comme une
diode ordinaire. Par contre dans le sens inverse et tant que le courant est compris entre IZmax
et IZmin la tension VZappliquée entre cathode et anode de la diode sera maintenu constante
d’où sa fonction principale.
La diode Zener est caractérisée par sa tension inverse fixe. En effet elle peut être exploitée
comme élément essentiel dans les circuits d’écrêtage et pour la protection des circuits, par la
mise en parallèle avec la charge. De cette façon la tension aux bornes de la charge ne dépasse
pas un seuil correspondant à la tension Zener de la diode.
III.6.2Diode électroluminescente ou LED :
Le principe de la diode électroluminescente (LED) consiste à convertir l’énergie électrique en
énergie lumineuse. Elle émet donc un rayonnement lumineux lorsqu’elle est traversée par un
courant dans le sensdirect. Dans ces diodes, le passage d’électrons de la bande de valence à la
bande de conduction nécessite l’apport d’une certaine énergie et le changement d’état inverse
s’accompagne évidemment de la restitution de la même énergie. Celle-ci apparait sous la
forme d’un rayonnement lumineux.
Les diodes LED offrent la possibilité de moduler l’intensité du rayonnement en agissant sur
l’intensité du courant et aussiutilisées comme témoins lumineux.
III.6.3 Photodiode :
Une photodiode est un semi-conducteur formé par une simple jonction P-N qui peut être
éclairée.
Lorsque les photons qui possèdent une énergie suffisante pénètrent dans le semi-conducteur,
peuvent créer des photo-porteurs en excès dans les matériaux. Ces photo-porteurs sont des
paires d'électrons-trous. Chaque paire crée se traduit par la circulation dans le circuit extérieur
d'une charge élémentaire. On observe ainsi une augmentation du courant. Vu que les
photocourants créés sont très faible, il faut que la jonction soit polariser en inverse, d'une part
pour éviter le courant en direct de la photodiode qui est beaucoup plus important que le
photocourant et d'autre part pour augmenter son rendement.
Où C0 et VS (tension de seuil de la diode) sont des constantes. Les diodes varicap sont
utilisées beaucoup dans les circuits électroniques et surtout en modulation FM.
III.7. CONCLUSION
Chapitre IV
Transistor Bipolaire
IV.1. INTRODUCTION
Le transistor est l’élément de base de tous les composants électroniques allant d’un
petit amplificateur jusqu’aux circuits intégrés. C’est la réunion de deux diodes, l’une est
polarisée en directe et l’autre en inverse pour assurer le fonctionnement normal du transistor.
Il est dit bipolaire parce que la conduction électrique est réalisée par les deux types de
porteurs de charge : les électrons et les trous. Une étude statiqueest faite pour déterminer le
type de fonctionnement du transistor à partir de la position du point de repos. L’étude
dynamique est caractérisée par quatre paramètres : l’impédance d’entée et de sortie et le gain
de tension et de courant. Les valeurs de ces grandeurs déterminent les caractéristiques du
transistor et par suite son application.
IV.1 Définition :
Un transistor est formé de trois morceaux de semi-conducteurs alternativement dopées "N"
ou "P". En conséquence on peut trouver deux types de transistors :
Les électrons parvenus sur l'émetteur se recombinant avec les trous présents tandis qu'autant
d'électrons sont fournis à la base par la pile reliée entre cette base et l'émetteur.
Au même temps, la même pile attire un nombre égal d'électrons de l'émetteur dans lequel il se
forme de nouveaux trous remplaçant ceux qui ont disparu à cause de la recombinaison.
Alors que la jonction collecteur-base étant polarisée en inverse, elle empêche les porteurs
majoritaires d’avancer et favorise le passage des porteurs minoritaires, ainsi les trous
parvenus sur la base se trouvent forcés de traverser la jonction collecteur-base et rejoignent
ainsi le collecteur.
En réalité, tous les trous provenant de l'émetteur n'atteignent pas le collecteur car une petite
partie d'entre eux se recombinants avec les électrons présents dans la base. Cela participe à
former le courant de base désigné par IB.
Plusieurs conditions sont prises pour rendre le courant de collecteur égal le plus possible au
courant d'émetteur: il faut réduire le phénomène de recombinaison au niveau de la base en
rétrécissant la base et en le dopant faiblement. Ainsi, le nombre d'électrons libres présents
dans la base se trouve réduit.
Fig IV.7 (a) Polarisation par résistance de base avec RE, (b) lorsque VBB=VCC=E.
Donc
Dans le cas de la figure IV .7 (b), VCC et VBB seront remplacées dans les équations IV.10 et
IV.11 par une seule tension d’alimentation E.
Fig IV.9 (a) Polarisation par pont de base, (b) circuit équivalent par Thévenin.
Avec
Les différentes grandeurs électriques sont données par les expressions suivantes :
Avec VBE, IB, VCE et IC : Composantes continues, et Vbe, ib, Vce et ic : Composantes
alternatives.
Les résultants de la somme des grandeurs continues et alternatives sont liés entre eux :
¿
Avec
D’après l’équation (IV.22) et (IV.23), nous pouvons déduire le schéma équivalent d’un
transistor pour les petits signaux en étudiant les caractéristiques d’entrée et de sortie.
a) Caractéristiques d’entrée :
L’équation (IV.22) donne l’entrée, elle est équivalente à un circuit à un seul maille contient
une résistance h11 parcourut par le courant ib et h12vCE comme source de tension contrôlée.
h12représente le coefficient de réaction interne du transistor (h12 0). De ce fait le circuit vu
entre base et émetteur le transistor est le suivant :
b) Caractéristiques de sortie:
Le circuit de la sortie vu entre collecteur et émetteur du transistor est déduit de l’équation
(IV.23), il comporte un seul nœud avec deux branches ayant ic comme courant total, h−1 22
résistance d’entrée d’une branche aux bornes de laquelle on a la tension vce et la deuxième
branche est une source de courant contrôlée h21ib. h21 représente le gain en courant du
transistor en émetteur commun (h21 est généralement très grand) :
Par conséquent, l’association des deux circuits (entrée et sortie) nous donne le schéma global
suivant :
Fig IV.13 Schéma équivalent global du transistor bipolaire.
Le circuit précédent peut être simplifié en négligeant h12 (valeur très petite), on obtient :
Nous supposons que l’étude statique est déjà faite. Pour l’étude dynamique, il faut suivre les
étapes suivantes :
- Court-circuiter la source de tension continue (E=0) et laisser l’excitation alternative
e(t) ;
- Les condensateurs de liaison (tels que C1 et C2) et de découplage (tel que CE) seront
remplacés, en alternatif, par des court-circuits ;
- Remplacer te transistor par son schéma équivalent en alternatif.
Le circuit de l’amplificateur en alternatifdevient celui de la figure IV. 16 :
b) Gain en courant :
Le gain en courant est donné par :
Et on obtient
c) Impédance d’entrée :
C’est le rapport entre la tension d’entrée et le courant d’entrée :
Par conséquent :
d) Impédance de sortie :
C’est le rapport entre la tension de sortie et le courant de sortie avec l’entrée court-circuitée,
et RL débranchée (figure IV.18) :
La résistance RL est débranchée parce que c’est elle qui voit son circuit d’attaque réduit à un
circuit de Thévenin (source de tension d’impédance ZS) ou de Norton (source de courant
d’impédance ZS).
a) Gain en tension
s
Le gain en tension est donné par : =
e
b) Gain en courant :
Le gain en courant est donné par :
c) Impédance d’entrée :
C’est le rapport entre la tension d’entrée et le courant d’entrée :
d) Impédance de sortie :
C’est le rapport entre la tension de sortie et le courant de sortie avec l’entrée court-circuitée et
RL débranchée:
a) Gain en tension
Le gain en tension est donné par :
S
𝐴𝑉 =
e
b) Gain en courant :
Le gain en courant est donné par :
is
𝐴𝑖 =
ie
d) Impédance de sortie :
C’est le rapport entre la tension de sortie et le courant de sortie avec l’entrée court-circuitée et
RL débranchée:
Avec ces conditions le circuit sera remplacé par celui de la figure suivante :
Comme h11 représente la résistance dynamique d’une diode passante (résistance à petite
valeur) et le gain en courant statique (généralement très grand) l’impédance de sortie Zs est
dans la plupart des cas approxime par :
a) Gain en tension
Le gain en tension est donné par :
b) Gain en courant :
Le gain en courant est donné par :
c) Impédance d’entrée :
C’est le rapport entre la tension d’entrée et le courant d’entrée :
Dans l’expression de ie en fonction de e(t), en divisant à gauche et à droite par e(t), on tire
l’expression de Ze:
d) Impédance de sortie :
C’est le rapport entre la tension de sortie et le courant de sortie avec l’entrée court-circuitée et
RL débranchée:
Avec ces conditions le circuit sera remplacé par celui de la figure suivante :
L’impédance d’entrée de l’ensemble est celle du premier étage et l’impédance de sortie est
celle du dernier.
Il existe différentes manières de liaisons des étages entre eux dans l’amplificateur : liaison par
condensateur de couplage, liaison par transformateur ou liaison directe comme le montage
Darlington.
Montage Darlington :
C’est la connexion de deux transistors (collecteur commun), il permet d’obtenir une
impédance d’entrée élevée :
Les deux transistors seront traités comme un seul transistor ayant un gain très élevé. Ils sont
montés dans un même boitier d’où sortent trois broches : E, B et C.
IV.5. CONCLUSION
Chapitre V
Amplificateur opérationnel
V.1. INTRODUCTION
V. 1.Amplificateur différentiel :
L’amplificateur différentiel est utilisé pour amplifier la différence entre deux signaux V1 et
V2. Il consiste à une paire symétrique de deux transistors identiques couplé par les émetteurs.
Son signal de sortie peut être considéré comme la somme de deux tensions dont l’une est
effectivement proportionnelle à la différence (V1-V2) et l’autre proportionnelle à la moyenne
V 1+V 2
des signaux d’entrée ( ) :
2
2
Les facteurs Ad et Acsont appelés respectivement amplification différentielle du montage et
amplification en mode commun.
Le rapport entre le gain en mode différentiel et le mode commun est appelé : taux de réjection
en mode commun (Common mode rejection rate):
Et quand la tension de sortie est prise entre un collecteur et la masse et généralement c’est le
collecteur C2qui est choisi, la sortie est dite à référence de potentiel ou sortie référencée.
V.2.Amplificateur opérationnel(AO) : Définition
L’amplificateur opérationnel ayant une très grande importance pratique, utilisé surtout dans
les calculateurs analogiques. C’est un circuit intégré sous forme d’un boîtier qui contient plus
d’un amplificateur opérationnel, comme le fameux amplificateur opérationnel du type
A741. L’amplificateur opérationnel dispose de deux entrées : l’une dite inverseuse, notée E
,
lorsque on applique une tension à cette entrée, la sortie obtenue est de signe opposé et l’autre
dite non inverseuse, notée E
-
, la tension appliquée à cette entrée fournit une tension de sortie
de même signe.
+
V. 3. Symbole :
Le symbole le plus utilisé pour la représentation de l’AO est donné par la figure V.2.
𝑅2
R2
Donc c’est le rapport de la boucle de retour qui fixe le gain d’un montage à AO.
R1
V.8. Montages amplificateurs de base :
V.8.1 Amplificateur inverseur :
Vs R2
Le montage est celui de la figure V.3. Nous avons obtenu : =- =∆ V
V }¿ ¿ R 1
Si R2R1, le gain en tension AV est supérieur à 1, on a un fonctionnement en amplificateur
Dans le cas contraire on a un atténuateur. L’amplificateur est dit « inverseur » car le gain en
tension AV est négatif.
Dans ce cas, le gain en tension est toujours supérieur à 1. L’amplificateur est dit « non
inverseur » parce que le gain en tension AV est positif.
Par suite :
Or :
On considère le montage de la figure V.7. R1et R2 sont parcouru par un même courant
puisque il n’y pas de courant prélevé par l’entrée non inverseuse, son expression est :
En remplaçant l’expression de I :
De même on a :
En pratique on ajoute une résistance en parallèle avec le condensateur pour obtenir une
intégration satisfaisante. En effet dans le montage de la figure V.8, il existe déjà un faible
courant de l’amplificateur, résultant une chute de tension aux bornes de R qui va être
également intégrer, par suite la sortie de l’amplificateur se sature puisque le condensateur
reste chargé. La résistance déposée en parallèle permet la décharge du condensateur.Cette
résistance doit être assez grande (R’˜10R) pour ne pas perturber l’intégrateur.
V.8.6. Montage dérivateur:
Fig V.9 Montage dérivateur.
En haute fréquence la sortie du montage ne sera pas stable, il y aura des oscillations. Pour
résoudre ce problème, on ajoute une résistance en série avec le condensateur, en pratique sa
valeur doit être inférieure à R/10 qui limitera le gain aux fréquences élevées ainsi que les
possibilités d’oscillation.
D’où :
La figure V.12représente un montage d’un filtre passe bas du premier ordre utilisant un AO :
La fonction de transfert ou le gain :
V.9. CONCLUSION
Edition, 2008.
ème
[6] Albert Paul Malvino, Principes d’électronique, 6
ème
Edition, Dunod, 2002.
[7] A.Benayad et D. Guendouz, Electronique générale, Office des Publications
Universitaires, 3
ème
Edition, 2011.