Chapitre 2

UAS-ESIET: Ecole Supérieure privée d’Ingénieures et des Etudes Technologiques
Enseignante : Mme. Dhekra ESSAIDANI ASSAKRA

Electronique 1 - 1ère Ingénieur
Chapitre 2
La Diode à Jonction
I. Introduction
Une diode est un dipôle polarisé non commandé composé de 2 couches de matériaux semi-
conducteur dopé (Silicium ou germanium).
Elle permet la circulation d'un courant électrique dans un seul sens.
La diode est représentée de la façon suivante :
Définition :
Les semi-conducteurs sont des matériaux qui présentent une conductivité électrique
intermédiaire entre les conducteurs et les isolants. Il se rapproche de l’isolant, mais qui peut
sous certaines conditions permettre une conduction de l’électricité mais avec une moins
grande conductivité.
II. La jonction PN
Une jonction PN est la mise en contact entre un semi-conducteur type N et un semi-conducteur
type P issus d'un même cristal.
Figure 1 Jonction PN
Le dopage d’un cristal intrinsèque consiste à substituer des atomes de semi-conducteurs du
réseau par des atomes étrangers :
1
Dopage de type P : Dopage de type N :
Au niveau de la jonction P-N :

 Les électrons libres de la zone N diffusent vers les trous disponibles de la zone P
⇒ Chargement positif de la zone N
 Les trous libres de la zone P diffusent vers la zone N et piègent les électrons
disponibles. => Chargement négatif de la zone P
Cette diffusion des électrons et des trous donne naissance à :
 Une « zone de charge d’espace » ou « zone de déplétion » qui est la zone très étroite
vidée de ses porteurs majoritaires et pleine d’ions P+ et B-, immobiles. Il en résulte la
création d’une différence de potentiel 𝑉0 dit potentiel de jonction ou barrière de
potentiel qui vient freiner puis stopper le mouvement de fuite des porteurs
majoritaires.
 Un courant de majoritaires 𝐼𝑀 appelé courant de diffusion :
𝑒𝑉0
𝐼𝑀 = 𝐼0 𝑒 − 𝐾𝑇
Avec :
 𝑒 : la charge de l’électron 𝑒 = −1.6 10−19 𝐶
 𝐾 : constante de Boltzmann = 1.38 10 -23 J/K à 𝑇 = 25°𝐶.
 T : température absolue, en Kelvin (K= °C+273)
 𝑉0: barrière de potentiel
 𝐼0 : Courant qui circule sur la barrière de potentiel
 Un champ interne ⃗⃗⃗⃗
𝐸𝑑 qui s’oppose à la diffusion des électrons de la zone N vers la
zone P
Figure 2 Equilibre au niveau de la jonction

2
⟹ Ce phénomène va s’arrêter quand le champ électrique Ed, sera suffisant pour s’opposer au
mouvement des porteurs majoritaires. Celle-ci maintient les porteurs majoritaires dans leurs
zones respectives, sauf pour ceux qui possèdent une énergie 𝑊0 = 𝑒𝑉0 nécessaire pour franchir
la barrière.
III. Jonction PN polarisée

III. 1 Polarisation directe
Elle consiste à appliquer une tension positive entre les zones P et N. Cela revient à superposer
au champ interne Ed, un champ externe E, le champ résultant a pour effet de diminuer la hauteur
de la barrière de potentiel et par conséquent, le nombre de porteurs majoritaires capables de
franchir la jonction augmente.
Figure 3 Jonction P-N polarisée en direct

A partir d’un certain seuil de tension V0 (de l’ordre de 0,7 V pour le Silicium et 0.2 pour le
Germanium), les porteurs de charge peuvent franchir librement la jonction P-N, celle-ci devient
passante et un courant direct s’établit.
III. 2 Polarisation inverse

Elle consiste à applique une tension négative entre les zones P et N (UPN < 0). Le champ
résultant a pour effet d’empêcher la circulation des porteurs majoritaires. La jonction est
bloquée. Le courant inverse est pratiquement nul.
Figure 4 Jonction P-N polarisée en inverse
IV. Polarisation de la diode

IV. 1 Polarisation direct
Elle consiste à alimenter la diode par une source de tension externe liée à l’anode.
3
Ceci permet de circuler un courant appelé courant direct, donné par :

𝑉𝐷 𝑉𝐷
𝑒 𝑈𝑇
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 [ 𝑒 𝑈𝑇 − 1] = 𝐼𝑆 𝑒
𝐼𝑆 : désigne le courant inverse de saturation de la diode.

𝐾𝑇
𝑈𝑇 = 𝑒 = 26𝑚𝑉 à 𝑇 = 300 𝐾 désigne le potentiel thermodynamique
On note que :
 Il faudra un seuil 𝑉𝐷 soit atteint aux bornes de la diode pour que la diode soit passante
 Si le seuil de 𝑉𝐷 n'est pas atteint, la diode reste bloquée et le courant nul
IV. 2 Polarisation en inverse
Elle consiste à alimenter la diode par une source de tension externe liée à la cathode.
Ceci permet d’empêcher le passage des électrons libres de la zone N à la zone P et

inversement ce que augmente la barrière de potentiel pour atteindre 𝑉0 + 𝑉𝐷 . Ceci bloque la
circulation du courant direct dans le circuit. On dit alors que la diode est bloquée.
Réellement, il circule dans la diode (de N vers P) un courant dit inverse Ii qui est dû aux
porteurs minoritaires et donné par :
𝑉𝐷
𝑒 𝑈𝑇
𝐼𝑖 = 𝐼𝑆 [1 − 𝑒 ] = 𝐼𝑆
4
V. Caractéristiques électriques
III. 1 Caractéristique courant - tension
La représentation de la caractéristique de la diode dans le sens direct et dans le sens inverse est :
 Pour 𝑉 < 0: Le courant électrique est dû aux porteurs minoritaires. Le courant est
très faible et ne varie pas avec la tension. On peut dire que la diode bloque le courant.
 Pour 0 < 𝑉 < 𝑉0 : le courant est faible et est dû aux porteurs majoritaires et croît
exponentiellement avec la tension.
 Pour 𝑉0 < 𝑉 : le courant le courant direct croit très rapidement avec 𝑉𝐷 .
Le courant doit être limité par la résistance des contacts de la diode et le régime est
donc dite ohmique et la diode passante.
III. 2 Résistance différentielle (ou dynamique)

La résistance dynamique étant l’inverse de la pente en un point de fonctionnement de la
caractéristique de la diode. C’est la résistance dynamique au point de fonctionnement (𝑉𝐷 , 𝐼𝐷 ).
5
𝑑𝑣 𝐾𝑇 𝑉𝑈𝐷
𝑟= = 𝑒 𝑇
𝑑𝑖 𝑒 𝐼𝑆
VI. Schéma équivalent

IV. 1 Diode idéale
Dans ce cas, on néglige la tension de seuil et la résistance interne de la diode. La
caractéristique est alors :
IV. 2 Diode avec seuil

On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode. La
caractéristique devient :
Ce schéma est le plus utilisé pour les calculs :
 Si la diode est polarisée en directe : 𝑉 = 𝑉0

 Si la diode est polarisée en inverse : 𝑉 < 𝑉0 : 𝑖 = 0.
IV. 3 Diode réelle

Ici, on prend en compte de la résistance de la diode. Ceci peut être utile si on utilise la diode
en petits signaux alternatifs et qu’on a besoin de sa résistance dynamique.
Remarque : Dans ce cas, on considère que la résistance dynamique est constante. Ce qui
n’est vrai que si la variation du signal alternatif est très petite autour du point de polarisation
en continu.
6
VII. Point de fonctionnement

Le point de fonctionnement peut être déterminé graphiquement en traçant sur un même
graphique la caractéristique 𝐼 = 𝑓 𝑒𝑡 la droite de charge statique définit par l’équation :
𝐸−𝑉
𝐼=
𝑅
Le point de fonctionnement de la diode, définit par (𝐼𝑀 , 𝑉𝑀 ) est l’intersection des deux
courbes :
Si la caractéristique de la diode est linéaire, le point de fonctionnement peut être déterminé

analytiquement. Les coordonnées du point de fonctionnement (𝐼𝑀 , 𝑉𝑀 ) seront déterminées, dans
ce cas, comme suit :
D’une part on a 𝑉𝑀 = 𝑉0 + 𝑟𝐼𝑀 (caractéristique de la diode) et d’autre part 𝑉𝑀 = 𝐸 − 𝑅 𝐼𝑀
(loi des mailles), d’où :
𝐸 − 𝑉0 𝐸 × 𝑟 + 𝑉0 𝑅
𝐼𝑀 = 𝑒𝑡 𝑉𝑀 =
𝑅+𝑟 𝑅+𝑟

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Dopage de type P : Dopage de type N :

Au niveau de la jonction P-N :

Figure 2 Equilibre au niveau de la jonction

III. Jonction PN polarisée

Figure 3 Jonction P-N polarisée en direct

III. 2 Polarisation inverse

Figure 4 Jonction P-N polarisée en inverse

IV. Polarisation de la diode

Ceci permet de circuler un courant appelé courant direct, donné par :

𝐼𝑆 : désigne le courant inverse de saturation de la diode.

IV. 2 Polarisation en inverse

Ceci permet d’empêcher le passage des électrons libres de la zone N à la zone P et

III. 2 Résistance différentielle (ou dynamique)

VI. Schéma équivalent

IV. 2 Diode avec seuil

Ce schéma est le plus utilisé pour les calculs :

 Si la diode est polarisée en directe : 𝑉 = 𝑉0

IV. 3 Diode réelle

VII. Point de fonctionnement

Si la caractéristique de la diode est linéaire, le point de fonctionnement peut être déterminé

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