EXERCICES SUR LES PRINCIPES

EXERCICES D’ELECTRONIQUE
FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR

I. TRANSISTOR BIPOLAIRE 1. Un transistor bipolaire a un gain en

courant continu 𝛽 = 200, un relais de 4 mA
I.1. PRINCIPES FONDAMENTAUX connecté dans le circuit collecteur doit être
entraîné par le transistor comme le montre
Les symboles de transistor bipolaire sont : la Figure 2. Calculez le courant de base 𝐼𝐵
requis pour commuter le relais dans le

Figure 2

Figure 1
circuit collecteur.

Les courants du transistor bipolaire sont Solution n° 1

✓ Le courant de base 𝐼𝐵 Le courant de base se calcule à partir de

✓ Le courant collecteur 𝐼𝐶 l’équation 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 et on tire
✓ Le courant émetteur 𝐼𝐸
𝐼𝐶 4 𝑥 10−3 0,004
𝐼𝐵 = = =
Les relations fondamentales entre les trois 𝛽 200 200
courants sont :
𝐼𝐵 = 𝑂, 00002 𝐴 = 20 𝜇𝐴
→ Le courant d’émetteur est 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
2. Un transistor bipolaire a le courant
→ Le courant collecteur 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 +
d’émetteur de 250 mA lorsque son courant
𝐼𝐶𝐵𝑂 ≅ 𝛽. 𝐼𝐵 de base est de 5 mA. Quelle est la valeur du
→ Le facteur d’amplification ou gain en courant collecteur et son gain de courant
𝐼𝐶 continu.
courant continu 𝛽 =
𝐼𝐵
→ le rapport entre 𝐼𝐶 et 𝐼𝐸 donne le Solution n° 2
𝐼
facteur α ; α = 𝐼𝐶 Le courant collecteur s’obtient à partir
𝐸
→ le rapport entre α et β est de la relation 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 , d’où nous
tirons
𝛽 𝛼
𝛼 = 1+ 𝛽 et 𝛽 = 1− 𝛼
𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 + 𝐼𝐵 = 250 𝑚𝐴 − 5 𝑚𝐴
Le courant de saturation 𝐼𝐶𝐵𝑂 est très faible 𝐼𝐶 = 245 𝑚𝐴
et négligeable. Dans la pratique on prend
Le gain de courant continu est
𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 𝛽=
𝐼𝐵 𝐼𝐶 245
𝛽= = = 49
𝐼𝐵 5 𝑚𝐴
3. Un transistor monté à base commune a le 5. Dans une configuration Emetteur
courant d’émetteur 𝐼𝐸 = 6,28 𝑚𝐴 et le Commun, le courant d’émetteur est 10 mA
courant collecteur 𝐼𝐶 = 6,20 𝑚𝐴. et le courant collecteur est 9,8 mA. Quelle
est la valeur du courant de base 𝐼𝐵 et du gain
Déterminez le courant de base 𝐼𝐵 et les
en courant 𝛽.
gains de courant 𝛼 et 𝛽 .
Solution
Solution
𝐼𝐸 = 10 𝑚𝐴 𝐼𝐶 = 9,8 𝑚𝐴
Données : 𝐼𝐸 = 6,28 𝑚𝐴 et 𝐼𝐶 = 6,20 𝑚𝐴.
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶 = 10 𝑚𝐴 – 9,8 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶 = 6,28 𝑚𝐴 – 6,20 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 0,2 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 0,08 𝑚𝐴 = 80µ𝐴
𝐼𝐶 9,8 𝑚𝐴
𝐼𝐶 6,20 𝑚𝐴 𝛽= = = 49
𝛽= = = 77,5 𝐼𝐵 0,2 𝑚𝐴
𝐼𝐵 0,08 𝑚𝐴
6. Un transistor a 𝐼𝐸 = 12 𝑚𝐴 et 𝛼 = 0,99.
𝛽 77,5 77,5
𝛼= = = = 0,987 Déterminez la valeur de 𝛽, 𝐼𝐶 et 𝐼𝐵 .
𝛽 + 1 77,5 + 1 78,5
Solution
𝐼𝐶 6,20 𝑚𝐴
𝑜𝑢 𝑒𝑛𝑐𝑜𝑟𝑒 𝛼 = = = 0,987
𝐼𝐸 6,28 𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 12 𝑚𝐴 𝛼 = 0,99

𝛼 0,99 0,99
𝛽= = = = 99
1 − 𝛼 1 − 0,99 0,01
4. Le gain en courant continu en base
commune 𝛼 = 0,967. Si le courant 𝐼𝐶
𝛼= 𝑑’𝑜ù 𝑛𝑜𝑢𝑠 𝑡𝑖𝑟𝑜𝑛𝑠 𝐼𝐶 = 𝛼. 𝐼𝐸
d’émetteur est 10 mA, quelle est la valeur 𝐼𝐸
du gain β, du courant collecteur 𝐼𝐶 , du
𝛼 = 0(, 99)(12 𝑚𝐴) = 11,88 𝑚𝐴
courant de base 𝐼𝐵
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶 = 12 𝑚𝐴 – 11,88 𝑚𝐴
𝛼 = 0,967 𝐼𝐸 = 10 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 0,12 𝑚𝐴 = 120 µ𝐴
𝛼 0,967 0,967
𝛽= = = = 29,3
1 − 𝛼 1 − 0,967 0,033
𝐼
𝛼 = 𝐼𝐶 d’où nous tirons 𝐼𝐶 = 𝛼. 𝐼𝐸 7. a) Pour un transistor, on donne 𝛼 = 0,97.
𝐸
Déterminez la valeur de β.
𝐼𝐶 = (0,967)(10 𝑚𝐴) = 9,67 𝑚𝐴
b) si 𝛽 = 200, trouvez la valeur de α.
𝐼𝐶 9,67 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 0,33 𝑚𝐴 Solution
𝛽 29,3
𝛼 0,97 0,97
ou alternativement 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶 𝑎) 𝛽 = = = = 32,3
1 − 𝛼 1 − 0,97 0,03

𝐼𝐵 = 10 𝑚𝐴 – 9,67 𝑚𝐴 = 0,33 𝑚𝐴 𝛽 200 200

𝑏) 𝛼 = = = = 0,995
𝛽 + 1 200 + 1 201
8. Un transistor a 𝛽 = 100. Si le courant 11. Déterminez la valeur des courants 𝐼𝐵 et
collecteur 𝐼𝐶 est 40 mA, trouvez la valeur du 𝐼𝐸 pour un transistor ayant 𝐼𝐶 = 80 𝑚𝐴 et
courant d’émetteur 𝐼𝐸 . 𝛽 = 170.

Solution Solution
𝐼𝐶 40 𝑚𝐴 𝐼𝐶 80 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 0,4 𝑚𝐴 = 400µ𝐴 𝐼𝐵 = = = 0,47 𝑚𝐴
𝛽 100 𝛽 170
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 40 𝑚𝐴 + 0,4 𝑚𝐴 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0,47 𝑚𝐴 + 80 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 40,4 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 80,47 𝑚𝐴

9. Pour un transistor 𝛽 = 150. Trouvez le

courant de base et le courant collecteur si le 12. Déterminez les valeurs des courants 𝐼𝐶
courant d’émetteur est 𝐼𝐸 = 10 𝑚𝐴. et 𝐼𝐵 pour un transistor si 𝐼𝐸 = 12 𝑚𝐴 et
𝛽 = 100.
Solution
𝐼𝐸 12 𝑚𝐴 2 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 𝑜𝑟 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 𝐼𝐵 = = =1
𝛽 + 1 100 + 1 101
𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 𝑜𝑛 𝑎 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽. 𝐼𝐵 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝐼𝐵 = 0,1188 𝑚𝐴
𝐼𝐸 10 𝑚𝐴
De là, on tire 𝐼𝐵 = = 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 12 𝑚𝐴 – 0,1188 𝑚𝐴
𝛽 + 1 150 + 1
10 𝑚𝐴 𝐼𝐶 = 11,8812 𝑚𝐴.
𝐼𝐵 = = 0,066 𝑚𝐴
151 𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 10 𝑚𝐴 – 0,066 𝑚𝐴
13. Un transistor a 𝐼𝐵 = 100 µ𝐴 et
𝐼𝐶 = 9,934 𝑚𝐴 𝐼𝐶 = 2 𝑚𝐴. Trouvez :

a) β du transistor, b) α du transistor, c) le
10. Déterminez la valeur de 𝐼𝐶 et 𝐼𝐸 pour un courant d’émetteur, d) Si 𝐼𝐵 change de +25 µ𝐴
circuit à transistor de 𝛽 = 200 et 𝐼𝐵 = et 𝐼𝐶 change de +0,6 𝑚𝐴. Trouvez la nouvelle
0,125 𝑚𝐴. valeur de 𝛽

Solution Solution

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (200)(0,125 𝑚𝐴) = 25 𝑚𝐴 𝐼𝐵 = 100 µ𝐴 = 100 x10−6 𝐴

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0,125 𝑚𝐴 + 25 𝑚𝐴 𝐼𝐶 = 2 𝑚𝐴 = 2 x 10−3 𝐴
𝐼𝐸 = 25,125 𝑚𝐴 𝐼𝐶 2 𝑥 10−3 𝐴
𝑎) 𝛽 = =
Ou encore alternativement 𝐼𝐵 100 𝑥10−6 𝐴

𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 = (200 + 1)(0,125 𝑚𝐴) 2 x 10−3 x106 2 x 103

𝛽= =
100 100
𝐼𝐸 = 25,125 𝑚𝐴
2x1000 2000
𝛽= = = 20
100 100
 𝛽 20 20 15. Un transistor fonctionne avec le courant
𝑏) 𝛼 = = = = 0,95238
𝛽 + 1 20 + 1 21 de collecteur de 2,5 A et le courant de base
de 125 µA. Déterminez la valeur du courant
𝑐) 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 100 x10−6 + 2 x 10−3 de l’émetteur et gain de courant statique 𝛽.

= 102 x10−6 + 2x 10−3 Solution

= 10−4 + 2x10−3 = 0,0001 + 0,002 𝐼𝐵 = 125 𝑚𝐴 = 125x10−3 𝐴 = 0,125 𝐴

𝐼𝐸 = 0,0021 𝐴 = 2,1 𝑚𝐴 𝐼𝐶 = 2,5 𝐴

d) nouvelle valeur de β si 𝛥𝐼𝐵 = 25µ𝐴 et 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0,125 𝐴 + 2,5 𝐴

𝛥𝐼𝐶 = 0,6 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 2,625 𝐴
𝐼𝐵 ’ = 𝐼𝐵 + 𝛥𝐼𝐵 = 100 µ𝐴 + 25 µ𝐴
𝐼𝐶 2,5
𝐼𝐵 ’ = 125 µ𝐴 = 125 𝑥 10 −6
𝐴 𝛽= = = 20
𝐼𝐵 0,125

𝐼𝐶 ’ = 𝐼𝐶 + 𝛥𝐼𝐶 = 2 𝑚𝐴 + 0,6 𝑚𝐴

𝐼𝐶 ’ = 2,6 𝑚𝐴 = 2,6 𝑥 10−3 𝐴 16. Un transistor fonctionne avec un

courant de collecteur de 98 mA et un
𝐼𝐶 ’ 2,6 𝑥 10−3 𝐴 courant d’émetteur de 103 mA. Déterminez
𝛽’ = =
𝐼𝐵 ’ 125 𝑥 10−6 𝐴 la valeur du courant de base et la valeur du
gain de courant statique en émetteur
2,6 𝑥 10−3 𝑥106 2,6𝑥103
𝛽’ = = commun.
125 125
Solution
2,6 𝑥 1000 2600
𝛽’ = = = 20,8
125 125 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶 = 103 𝑚𝐴 – 98 𝑚𝐴 = 5𝑚𝐴

𝐼𝐶 98 𝑚𝐴
𝛽= = = 19,6
14. Déterminez 𝐼𝐶 , 𝐼𝐸 et 𝛼 pour un transistor 𝐼𝐵 5 𝑚𝐴
ayant 𝐼𝐵 = 15 µ𝐴 et 𝛽 = 150
17. Un transistor bipolaire doit être utilisé
Solution dans un circuit de commande (pilotage). Si
le charge nécessite un courant de 200 mA et
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = 150 15µ𝐴 = 2250 µ𝐴 le courant de base est 12 mA alors
déterminez la valeur minimale de gain de
𝐼𝐶 = 2,25 𝑚𝐴 courant en émetteur commun requis.

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 15 µ𝐴 + 2250 µ𝐴 Solution

𝐼𝐸 = 2265 µ𝐴 = 2,265 𝑚𝐴 𝐼𝐵 = 12 𝑚𝐴 𝐼𝐶ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒 = 𝐼𝐶 = 200 𝑚𝐴

𝛽 150 150 𝐼𝐶ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒 𝐼𝐶 200 𝑚𝐴

𝛼= = = = 0,9934 𝛽𝑚𝑖𝑛 = = = = 16,67
𝛽 + 1 150 + 1 151 𝐼𝐵 𝐼𝐵 12 𝑚𝐴
18. Un transistor fonctionne avec un courant collecteur de 1,5 A doit être
courant collecteur de 97 mA et un courant contrôlé par un courant de base de 50 mA.
d’émetteur de 98 mA. Déterminez la valeur
du courant de base et du gain de courant. a) quelle est la valeur du gain de courant
nécessaire ?
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶 = 98 𝑚𝐴 – 97 𝑚𝐴 = 1 𝑚𝐴
b) Quelle est la valeur de la puissance
𝐼𝐶 97 𝑚𝐴
𝛽= = = 97 dissipée si 𝑉𝐶𝐸 = 6𝑉
𝐼𝐵 1 𝑚𝐴
Puissance dissipée dans un transistor Solution

La puissance dissipée par un 𝐼𝐵 = 50 𝑚𝐴 = 50x10−3 𝐴 𝐼𝐶 = 1,5 𝐴

transistor bipolaire est déterminée par la 𝐼𝐶 1,5 𝐴 1,5x103
somme de la puissance consommée par le 𝑎) 𝛽 = = =
𝐼𝐵 50x10−3 𝐴 50
circuit base-émetteur et celle consommée
1,5x1000 1500
par le circuit collecteur comme : 𝛽= = = 20
50 50
𝑃 = 𝑉𝐵𝐸 . 𝐼𝐵 + 𝑉𝐶𝐸 . 𝐼𝐶 𝑏) 𝑃 = 𝑉𝐶𝐸 . 𝐼𝐶 = 6𝑉 𝑥 1,5 𝑉 = 9 𝑉

Or la tension base-émetteur est 0,6 V Le transistor 2N3055 est appropriée pour

à 0,7 V pour le transistor au silicium et le cette application car il peut supporter 𝐼𝐶 =
courant de base 𝐼𝐵 est trop faible. On 1,5 𝐴 et la puissance max de 115 W
néglige souvent la puissance consommée
20. Un transistor est utilisé dans un
par le circuit base-émetteur 𝑉𝐵𝐸 . 𝐼𝐵 et la
amplificateur linéaire. Le transistor a un gain
puissance dissipée peut être approchée par
de courant statique de 200 et le gain de courant
𝑃 ≅ 𝑉𝐶𝐸 . 𝐼𝐶 dynamique est 175. La polarisation est conçue
de telle sorte que le courant collecteur est de 10
Les constructeurs de transistor mA. Déterminez la valeur du courant de
indiquent la valeur maximale de la polarisation de base et la variation du courant
puissance à ne pas dépasser. Au-delà le collecteur qui résulterait d’un changement de
transistor est détruit par claquage. Cette courant de base de 10 µA.
puissance max est notée Pmax et donc la
puissance dissipée doit toujours être Solution
inférieur à cette valeur dans le
𝛽𝐷𝐶 = 200 𝛽𝐴𝐶 = 175 𝐼𝐶 = 10 𝑚𝐴
fonctionnement du transistor.
𝛥𝐼𝐵 = 10 µ𝐴
𝑉𝐶𝐸 . 𝐼𝐶 ≤ 𝑃𝑚𝑎𝑥
𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝛽𝐷𝐶 = 𝑑’𝑜ù 𝑛𝑜𝑢𝑠 𝑎𝑣𝑜𝑛𝑠 𝐼𝐵 =
Cette formule 𝐼𝐵 𝛽𝐷𝐶
donne une courbe 10 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = 0,05 𝑚𝐴 = 50 µ𝐴
hyperbolique qui décrit 200
les zones de claquage 𝛥𝐼𝐶
sur les caractéristiques 𝛽𝐴𝐶 = 𝑑𝑒 𝑙à, 𝑛𝑜𝑢𝑠 𝑜𝑏𝑡𝑒𝑛𝑜𝑛𝑠
𝛥𝐼𝐵
du transistor
𝛥𝐼𝐶 = 𝛽𝐴𝐶 . 𝛥𝐼𝐵 = 175𝑥10µ𝐴 = 1750 µ𝐴
19. Un transistor NPN doit être utilisé dans 𝛥𝐼𝐶 = 1,75 𝑚𝐴
un régulateur de tension dans lequel un
I.2. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

Il existe plusieurs types de polarisation de transistor :

✓ la polarisation par la base

✓ la polarisation par la base stabilisée par la résistance d’émetteur
✓ la polarisation par rétroaction au collecteur
✓ la polarisation par l’émetteur
✓ la polarisation par pont diviseur de tension

Polarisation par la base Formules

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶

Polarisation stabilisée par la résistance d’émetteur RE Formules

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

Résistance d’émetteur vue

en entrée est

𝑅𝑖𝑛 = (𝛽 + 1)𝑅𝐸
Polarisation par rétroaction au collecteur Formules

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝛽(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

Polarisation par pont diviseur de tension Formules

𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2
𝑉𝐵 =
𝑅1 + 𝑅2

𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 =
𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

𝑆𝑡𝑎𝑏𝑙𝑒 𝑠𝑖 𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅𝐸

Polarisation par rétroaction au collecteur Formules

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

Résistance d’émetteur vue en

entrée est

𝑅𝑖𝑛 = (𝛽 + 1)𝑅𝐸

Polarisation par l’émetteur Formules

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸

− 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
EXERCICES SUR LA POLARISATION DES TRANSISTORS
1. Pour la polarisation fixe de la Figure 3, déterminez les
paramètres requis :

a) Les valeurs au point de fonctionnement : 𝐼𝐵𝑄 , 𝐼𝐶𝑄 et 𝑉𝐶𝐸𝑄

b) 𝑉𝐵 et 𝑉𝐶
Figure 3
Solution

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 𝑉 – 0,7 𝑉 11,3 𝑉

(𝑎) 𝐼𝐵𝑄 = = = = 0,000024 𝐴 = 24 µ𝐴
𝑅𝐵 470 𝐾Ω 470000 Ω

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (75)( 0,000024 𝐴) = 0,0018 𝐴 = 1,8 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 – 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 12– (1,8 𝑚𝐴)(2,2 Ω𝐾) = 12 𝑉 − 3,96 𝑉 = 8,04 𝑉

(b) Du circuit, nous avons

VE = 0 V Emetteur est directement à la masse. Et par définition de tensions composées nous avons

𝑉𝐸 = 0,7 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 → 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 0 = 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉

𝑉𝐶𝐸 = 8,04 𝑉, 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 → 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 + 0 =

𝑉𝐶𝐸 = 8,04 𝑉

Rappelons que (volt)=(ohm)(ampère) et (volt)=(milliampère)(kiloohms)

Figure 4
2. Pour la configuration à polarisation fixe de la Figure 4,

(a) si 𝛽 = 100, déterminer le point de fonctionnement.

(b) Dans le même problème 14, si le transistor est remplacé par un

autre ayant 𝛽 = 150, quel est le nouveau point de fonctionnement
du nouveau transistor ?
Solution

(a) pour 𝛽 = 100, nous avons :

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 16 𝑉 – 0,7 𝑉 15,3 𝑉

𝐼𝐵𝑄 = = = = 0,00003255 𝐴 = 32,55 µ𝐴
𝑅𝐵 470 𝐾Ω 470000 Ω

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (100)( 0,00003255 𝐴) = 0,003255 𝐴 = 3,255 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 – 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 16 𝑉– (3,255 𝑚𝐴)(2,7 𝐾Ω) = 16 𝑉 − 8,7885 = 7,2115 ≅ 7,2 𝑉

(b) pour 𝛽 = 150, nous aurons 𝐼𝐵𝑄 = 0,00003255 𝐴 = 32,55 𝜇𝐴

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (150)( 0,00003255 𝐴) = 0,0048825 𝐴 = 4,8825 𝑚𝐴 ≅ 4,9 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 – 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 16 𝑉– (4,9 𝑚𝐴)(2,7 Ω𝐾) = 16 𝑉 − 13,23 𝑉 = 2,77 𝑉

Figure 5
3. Pour la configuration à polarisation fixe de la Figure 5, si
𝛽 = 100, alors déterminez les valeurs de 𝑅𝐵 , 𝑅𝐶 et 𝐼𝐶 .

Solution

De la formule de 𝐼𝐵 , nous pouvons tirer la résistance de base

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵𝑄 =
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 𝑉 − 0,7 𝑉 11,3 𝑉 11,3 𝑉x 106 11,3 𝑉 𝑥 100000 113𝑂𝑂𝑂𝑂𝑂

𝑅𝐵 = = = = = =
𝐼𝐵𝑄 40 x 10−6 40 x 10−6 40 40 40

𝑅𝐵 = 282500 Ω = 282,5 𝐾Ω normalisée 270 KΩ

La résistance de collecteur est tirée de l’équation de la maille de sortie

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 – 𝐼𝐶 𝑅𝐶 et 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6 𝑉 sur la Figure

𝐸𝑡 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (100)(40 𝜇𝐴) = 4000 µ𝐴 = 4 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 12 𝑉 − 6 𝑉 6𝑉
𝑒𝑛𝑠𝑢𝑖𝑡𝑒 𝑅𝐶 = = = = 1,5 𝐾Ω
𝐼𝐶𝑄 4 𝑚𝐴 4 𝑚𝐴

4. Pour la configuration à polarisation fixe de la Figure 6, Figure 6

déterminer les valeurs de 𝛽, 𝑉𝐶𝐶 et 𝑅𝐵 .

Solution

Pour la Figure 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = 4 𝑚𝐴, 𝑅𝐶 = 2,2 𝐾Ω ; 𝑉𝐶𝐸 = 7,2 𝑉 et

𝐼𝐵 = 20 µ𝐴

(𝑎) 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 7,2 𝑉 + (4 𝑚𝐴)(2,2 𝐾Ω)

𝑉𝐶𝐶 = 7,2 𝑉 + 8,8 𝑉 = 16 𝑉

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 16 𝑉 − 0,7 𝑉 15,3 𝑉 15,3 𝑉𝑥 106 15,3 𝑉 𝑥 100000

(𝑏) 𝑅𝐵 = = = = =
𝐼𝐵𝑄 20 𝑥 10−6 20 𝑥 10−6 20 20

153𝑂𝑂𝑂𝑂𝑂
𝑅𝐵 = = 765000Ω = 765 𝐾Ω et la valeur normalisée est 750 𝐾Ω
20
(c) Calcul de β

𝐼𝐶 4 𝑚𝐴 4 𝑥10−3 𝐴 4 𝑥10−3 𝑥 106 4 𝑥103 4000

𝛽= = = = = = = 200
𝐼𝐵 20 𝜇𝐴 20 𝑥 10−6 𝐴 20 20 20

5. Soit la polarisation stabilisée par la résistance d’émetteur de la Figure 7. Si l’alimentation 𝑉𝐶𝐶 est
10 V, 𝛽 = 50, 𝑅𝐶 = 2.2 𝐾Ω, 𝑅𝐵 = 470 𝐾Ω et 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉 déterminez : Figure 7

(a) le point de fonctionnement (point Q, et

(b) la tension de base 𝑉𝐵 .

Solution
(a)

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 10 V − 0,7 V

𝐼𝐵𝑄 = =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 470 𝐾Ω + (50 + 1)1𝐾Ω
11,3 𝑉 11,3 𝑉 V
= = = 0,0217
470 𝐾Ω + 51 𝐾Ω 521 𝐾Ω KΩ

𝐼𝐵𝑄 = 0,0217 𝑚𝐴 = 21,7 𝜇𝐴

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (50)(0,0217 𝑚𝐴) = 1,085 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 10 𝑉 − (1,085 𝑚𝐴)(2,2 𝐾Ω + 1𝐾Ω) = 10 𝑉 − (1,085𝑚𝐴)(3,3 𝐾Ω)

𝑉𝐶𝐸 = 10 𝑉 − 3,58 𝑉 = 6,42 𝑉

(b) la tension de base est

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 𝑒𝑡 𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = (1,085 𝑚𝐴)(1 𝐾Ω) = 1,085 𝑉

𝑉𝐵 = 0,7 𝑉 + 1,085 𝑉 = 1,785 𝑉

Figure 8
6. (a) Pour le réseau de polarisation pont diviseur de tension
illustré à la Figure 8, déterminez le point de fonctionnement

(b) Dans le problème, si le transistor est remplacé par un autre

ayant 𝛽 = 150, quel est le nouveau point de fonctionnement ?

Solution

Vérifions d’abord la stabilité

𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅𝐸 𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅𝐸 𝑑𝑜𝑛𝑐 (80)(0,68 𝐾Ω

≥ 10(9,1 𝐾Ω)

54,4 𝐾Ω ≥ 91 𝐾Ω non satisfait, donc la méthode introduit beaucoup d’erreur

 𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2 (16 𝑉)(9,1 𝐾Ω) 145,6
𝑉𝐵 = = = = 2,0478 V ≅ 2,05 V
𝑅1 + 𝑅2 62 𝐾Ω + 9,1 𝐾Ω 71,1

𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 2,05 𝑉 − 0,7 𝑉 1,35 𝑉

𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 = = = = 1,985 mA
𝑅𝐸 0,68 𝐾Ω 0,68 𝐾Ω

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 16 𝑉 − (1,985 𝑚𝐴)(3,9 𝐾Ω + 0,68 𝐾Ω) = 16 𝑉 − (1,98 𝑚𝐴)( 4,58 𝐾Ω)

𝑉𝐶𝐸 = 16 𝑉 − 9,07 𝑉 = 6,93 𝑉

Figure 9
7. Une configuration Polarisation avec un circuit diviseur de
potentiel pour un transistor bipolaire est illustré sur la Figure 9.
Déterminer pour le circuit :

(a) le point de fonctionnement (point Q), et

(c) la tension de base 𝑉𝐵 .

Solution

Vérifions d’abord la stabilité

𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅𝐸 𝑑𝑜𝑛𝑐 (100)(1,5 𝐾Ω ≥ 10(3,9 𝐾Ω)

150 𝐾Ω ≥ 39 𝐾Ω non satisfait, donc la méthode introduit beaucoup d’erreur

𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2 (25 𝑉)(3,9 𝐾Ω) 97,5

𝑉𝐵 = = = = 2,27 V
𝑅1 + 𝑅2 39 𝐾Ω + 3,9 𝐾Ω 42,9

𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 2,27 𝑉 − 0,7 𝑉 1,57 𝑉

𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 = = = = 1,0466 mA ≅ 1,05 mA
𝑅𝐸 1,5 𝐾Ω 1,5 𝐾Ω

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 25 𝑉 − (1,05 𝑚𝐴)(5 𝐾Ω + 1,5 𝐾Ω) = 25 𝑉 − (1,05 𝑚𝐴)( 6,5 𝐾Ω)

𝑉𝐶𝐸 = 25 𝑉 − 6,825 𝑉 = 18,175 𝑉

Exemple de conception 1
La configuration polarisation par la base de la Figure 4.61. Déterminez 𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐶 , et 𝑅𝐵 .

Solution :
De la droite de charge 𝑉𝐶𝐶 = 20 𝑉, 𝐼𝐵𝑄 = 40 µ𝐴 et 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 8 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 20 𝑉
𝑂𝑟 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑒𝑡 𝑅𝐶 = = = 2,5 𝐾Ω 𝑙𝑎 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑢𝑟 𝑛𝑜𝑟𝑚𝑎𝑙𝑖𝑠é𝑒 𝑒𝑠𝑡 𝑅𝐶 = 2,4 𝐾Ω
𝑅𝐶 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 8 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
De la maille d’entrée, nous avons 𝐼𝐵𝑄 = , nous pouvons tirer
𝑅𝐵

VCC − VBE 20 V − 0,7 V 19,3 V

𝑅𝐵 = = = = 0,4825 MΩ = 482,5 KΩ normalisée à 470 KΩ
IBQ 40 μA 40 μA

EXEMPLE DE CONCEPTION 1
Objectif : Concevoir un circuit avec une résistance à base unique pour répondre à un ensemble de
spécifications.
Spécifications : La configuration du circuit à concevoir est illustrée à la figure 5.55(b). Le circuit doit
être réglé avec 𝑉𝐶𝐶 = +12 𝑉. Les valeurs de repos des transistors doivent être 𝐼𝐶𝑄 = 1 𝑚𝐴 et
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6 𝑉.
Choix : Le transistor utilisé dans la conception a des valeurs nominales de 𝛽 = 100 et 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛) =
0,7 𝑉, mais le gain de courant pour ce type de transistor est supposé être compris entre 50 ≤ 𝛽 ≤
150 en raison d'une tolérance assez large. Nous supposerons, dans cet exemple, que les valeurs de
résistance conçues sont disponibles.
Solution : La résistance du collecteur se trouve à partir de

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 12 𝑉 − 6 𝑉 6𝑉
𝑅𝐶 = = = = 6 𝐾𝛺
𝐼𝐶𝑄 1 𝑚𝐴 1 𝑚𝐴

Le courant de base est

𝐼𝐶𝑄 1 𝑚𝐴
𝐼𝐵𝑄 = = = 0,01 𝑚𝐴 = 10 µ𝐴
𝛽 100

et la résistance de base est déterminée comme étant

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 𝐸 12 𝑉 − 0,7 𝑉
𝑅𝐵 = = ≅ 1,13 𝑀𝛺
𝐼𝐵𝑄 10 µ𝐴

Les caractéristiques du transistor, la ligne de charge et le point Q pour cet ensemble de conditions
sont illustrés à la figure 5.56(a)
EXERCICE DE CONCEPTION 2
La configuration émetteur-polarisation de la figure 4.61 présente les spécifications suivantes : 𝐼𝐶𝑄 =
1
𝐼 ,𝐼 = 8 𝑚𝐴, 𝑉𝐶 = 18 𝑉 et 𝛽 = 110. Déterminez 𝑅𝐶 , 𝑅𝐸 et 𝑅𝐵 .
2 𝐶𝑠𝑎𝑡 𝐶𝑠𝑎𝑡

Solution :
1 8 𝑚𝐴
𝐼𝐶𝑄 = 2 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = 4 𝑚𝐴
2

𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 28 𝑉 − 18 𝑉
𝑅𝐶 = = = = 2.5 𝐾𝛺
𝐼𝐶𝑄 𝐼𝐶𝑄 4 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐶 28 𝑉
𝑒𝑡 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = = = 3.5 𝐾𝛺
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 8 𝑚𝐴

𝑅𝐸 = 3.5 𝐾𝛺 − 𝑅𝐶 = 3,5 𝐾Ω − 2,5𝐾Ω = 1 𝐾𝛺

𝐼𝐶𝑄 4 𝑚𝐴
𝐼𝐵𝑄 = = = 36.36 𝜇𝐴
𝛽 110

𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 28 𝑉 − 18 𝑉

𝑅𝐵 = = = = 2,5 𝐾𝛺
𝐼𝐵 𝐼𝐶𝑄 4 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐸𝑡 𝑝𝑎𝑟 𝑙𝑎 𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 𝑑 ′ 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸

𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 = et 𝑅𝐵 = − (𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝐼𝐵 𝐼𝐵

28 𝑉 − 0,7 𝑉 27,3 𝑉
𝑅𝐵 = − (110 + 1)(1 KΩ) = − 111 KΩ = 0,7508 MΩ + 111 KΩ
36,36 µ𝐴 36,36 µ𝐴

𝑅𝐵 = 750,8 KΩ − 111 KΩ = 639,8 KΩ

Les valeurs normalisées sont : 𝑅𝐵 = 620 KΩ,

𝑅𝐶 = 2,4 𝐾Ω et 𝑅𝐸 = 1 KΩ
I.3. MARQUAGE DES TRANSISTORS ET DES COMPOSANTS
ELECTRONIQUES

Sur un transistor, on marque une série d’information suivant la norme

1 La norme Américaine JEDEC

Chiffre+Lettre → Numéro de série → Suffixe]

✓ Le premier chiffre indique le nombre inférieur au nombre de jonction PN du composant. On

donne 1N aux diodes, 2N aux transistors, thyristors et triacs
✓ Le numéro de la série va de 100 à 9999 indiquant sa date de développement.
✓ Le suffixe (facultatif) indique le gain de courant du transistor (ℎ𝑓𝑒 )
A : faible de courant gain
B : gain de courant moyen
C : gain de courant élevé
Pas de suffixe : non groupé (tout gain de courant)

Exemple : 2N2222A, 2N3055, 2N3906, 2N104

2. Le modèle Japonais et asiatique (JIS)

Pour ce modèle

✓ le premier chiffre désigne le composant transistor est 2,

✓ les lettres qui suivent ce chiffre indiquent le domaine d’utilisation du transistor suivant le code
suivant :

SA : Transistor PNP haute fréquence

SB : Transistor PNP basse fréquence
SC : Transistor NPN haute fréquence
SD : Transistor NPN basse fréquence
SE : Diode
SF : Thyristor
SG : Diode Gunn
SH : Transistor Unijonction (UJT)
SJ : MOSFET à canal P
SK : MOSFET à canal N
SM : triac
SQ : LED
SR : Redresseur
SS : Diode de signal
ST : Diode à avalanche
SV : Diode Varicap
SZ : Diode Zener
 ✓ Le numéro de série va de 10 à 9999

Exemple : 2SA2222, 2SB719, 2SC583, 2SC435, C435

3. Modèle de Proelectron (référence sur http://proelectronic.rs)

Ce modèle est le modèle Européen de désignation des composants actifs dont les semi-
conducteurs. On l’appelle aussi modèle « EECA (European Electronic Component
Manufacturers) » ou en français « Association Européenne des composants électronique) ».

Ce modèle utilise deux lettres suivies d’un numéro de série

✓ La première lettre désigne le matériau semi-conducteur utilisé pour fabriquer le

composant

A : Germanium (Ge)
B : Silicium (Si)
C : Arséniure de Gallium
R : Matériaux composés
Le type le plus utilisé, le plus courant est la lettre B, c’est-à-dire le silicium

✓ La deuxième lettre indique l’application ou l’utilisation du composant

A : diode Radiofréquence (RF)

B : Diode Varicap
C : Transistor, basse fréquence, petit signal
D : Transistor, basse fréquence de puissance
E : Diode Tunnel
F : Transistor HF (Haute Fréquence), petit signal
K : Dispositif à effet hall
L : Transistor HF (Haute Fréquence) de puissance
N : Optocoupleur
P : Appareil sensible aux radiations
Q : Autre appareil produisant des radiations
R : Thyristor, faible puissance
U : Transistor de puissance de commutation
Y : Redresseur
Z : Diode Zener ou régulateur de tension
NB : Le troisième lettre, si elle est utilisée, est généralement un W, X, Y ou Z et indique une
utilisation non commerciale.

✓ Le numéro de série va de 100 à 9999

Exemple : BC204A, BAW45, BF299, BFY62

EXERCICES SUR LE MARQUAGE DES
COMPOSANTS
1. Identifiez le types des composants
suivants et donnez leur utilisation

a) 2N1711 d) 2N3773 g)
2N4401
b) 2N2905 e) 2N3904 h)
2N5551
c) 2N3055 f) 2N3906 i)
2N2955

2. Soit le numéro des composants

électronique suivant. Identifiez le
transistor, les diodes, les thyristors et les
triacs parmi eux.

a) 2SK2750 e) BFY51
i) BZX55C6V2
b) TYN640 RG f) EC103D
j) BC300
c) BT151 g) BD131
k)
d) 1N4148 h) BC548
 LE TRANSISTOR A EFFET inverse, donc le courant qui circule à la
grille est négligeable (𝐼𝐺 = 0𝐴).
DE CHAMP EN JONCTION ➢ la source : c’est la borne qui pompe les
(JFET) électrons (JFET à canal N) ou les trous
(JFET à canal P). Ces électrons ou
Les transistors à effet de champ se regroupe en trous sont dirigés de la source vers le
deux catégories : drain et donne le courant de source 𝐼𝑆 .
➢ le drain : qui constitue le chemin qui
✓ le JFET (Junction Field Effect
attire les charges de la source pour
Transistor),
produire le courant de drain 𝐼𝐷 .
✓ le MOSFET (Metal Oxyde
Semiconductor Field Effect Transistor. b) Relation entre les courants du JFET

II.1. JFET Les trois courants du JFET ; le courant de grille

𝐼𝐺 , le courant de drain 𝐼𝐷 et le courant de source
a) Introduction 𝐼𝑆 sont reliés par les formules suivants :

Le transistor à effet de champ en jonction

(JTEC en français ou JFET en Anglais) est
symbolisé par les figures ci-dessous : c) Les tension du JFET
Comme pour les transistors bipolaires, le JFET
a également trois chutes de tension internes :

➢ la tension grille-source 𝑉𝐺𝑆

➢ la tension drain-source 𝑉𝐷𝑆
➢ la tension grille-drain 𝑉𝐺𝐷 qu’on ignore
souvent

d) Relation de Shockley
La relation de Shockley est celle qui relie le
Figure 1. Symboles des JFET ancien modèle
courant de drain 𝐼𝐷 à la tension grille-source
𝑉𝐺𝑆 . C’est l’équation de transfert du JFET
donnée par :

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
𝑉𝑃

𝐼𝐷 : courant de drain

𝐼𝐷𝑆𝑆 : courant drain-source

Figure 2. Symboles des JFET nouveau modèle
𝑉𝐺𝑆 : tension grille-source
Les trois électrodes sont appelées :
𝑉𝑃 = 𝑉𝐺𝑆 (𝑜𝑓𝑓) : Tension de pincement
➢ la grille : c’est la borne de commande
l’état de fonctionnement du JFET. La
jonction grille-source est polarisée en
e) La tension de saturation 𝑽𝑫𝑺 (𝒔𝒂𝒕) EXERCICES SUR L’EQUATION DE
SCHOCKLEY
la tension de saturation du JFET se détermine
à partir de l’équation 1. Calculez le courant ID et la tension de
saturation Vds pour un JFET à canal N ayant
𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃
pour courant de saturation IDSS=2 mA et la
f) Caractéristiques du JFET tension de pincement VP=-3,5 V lorsque :
Le JFET a trois caractéristiques :
a) 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉
✓ la caractéristique d’entrée 𝐼𝐺 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 )
b) 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃/2 𝑉
✓ la caractéristique de transfert
𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 ) c) 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃/4
✓ la caractéristique de sortie 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷𝑆 ) Solution
1°) Caractéristique d’entrée du JFET a) 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 dans l’équation de Schockley
Comme la jonction grille-source est polarisée donne
en inverse, 𝐼𝐺 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 ) est celle d’une diode
𝑉𝐺𝑆 2
polarisée en inverse. Sur toute la 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
𝑉𝑃
caractéristique 𝐼𝐺 = 0 𝐴 mais en augmentant 2
0
exagérément 𝑉𝐺𝑆 , on arrive au point de = 2 𝑚𝐴 [1 − ]
−3,5 𝑉
claquage.
𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴[1 − 0]2 = 2 𝑚𝐴
2°) Caractéristique de transfert
La tension de saturation est
C’est la caractéristique qui représente le
courant de drain 𝐼𝐺 en fonction de la tension 𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 = 0 𝑉 − (−3,5 𝑉)
grille-source 𝑉𝐺𝑆 . C’est la relation de 𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 3,5 𝑉
Schockley qui représente cette caractéristique.
𝑉𝑃⁄ −3,5⁄ = −1,75 𝑉 dans
b) 𝑉𝐺𝑆 = 2=
𝑉𝐺𝑆 2 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] l’équation de Shockley donne
𝑉𝑃
On sait que 𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
𝑉𝑃
si 𝑉𝐺𝑆 = 𝑂, on a 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆
−1,75 𝑉 2
si 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 /2, on a 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 /4 = 2 𝑚𝐴 [1 − ( )]
−3,5 𝑉
si 𝑉𝐺𝑆 = 𝑂, 3 𝑉𝑃 , on a 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 /2 12
= 2 𝑚𝐴 [1 − ]
2
C’est une parabole qui est représentée sur la
1 2 1
Figure suivante = 2 𝑚𝐴 ( ) = 2 𝑚𝐴 ( )
2 4

𝐼𝐷 = 0,5 𝑚𝐴

La tension de saturation est

𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃

= −1,75 𝑉 − (−3,5 𝑉)
= 1,75 𝑉
Figure 3. Caractéristique de transfert d’un JFET : (a)
JFET à canal N et (b) JFET à canal P
 𝑉𝑃⁄ −3,5⁄ = −0,875 𝑉 dans
c) 𝑉𝐺𝑆 = 4= 4
l’équation de Schockley donne 3. Les valeurs typiques du JFET 2N5457
sont : 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 3 𝑚𝐴, 𝑉𝑃 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) =
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] −6 𝑉. Quelle est la valeur de ID lorsque
𝑉𝑃
𝑉𝐺𝑆 = −4𝑉
−0,875 2
= 2 𝑚𝐴 [1 − ( )]
−3,5 𝑉 Solution
12
= 2 𝑚𝐴 [1 − ] IDSS=3 mA VP=VGS(off)=-6 V
4
4−1 2 VGS=-4 V
= 2 𝑚𝐴 ( )
4
𝑉𝐺𝑆 2
3 2 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
= 2 𝑚𝐴 ( ) 𝑉𝑃
4
−4 𝑉 2
9 = 3 𝑚𝐴 [1 − ( )]
−6 𝑉
𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴 ( ) = 1,125 𝑚𝐴
16 = 3 𝑚𝐴[1 − 0,67]2
= 3 𝑚𝐴(0,33)2
La tension de saturation est
𝐼𝐷 = 0,3267 𝑚𝐴 = 326,7 𝜇𝐴
𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃
= −0,875 𝑉 − (−3,5 𝑉) 4. Un JFET à canal N a pour ID=12 mA et
= 2,625 𝑉 VGS(off)=VP=-8 V. Pour quelle valeur de
VGS, 𝐼𝐷 = 0,75 𝑚𝐴

Solution
2. Les paramètres du JFET à canal N sont
IDSS=12 mA et 𝑉𝑝 = −4,5 𝑉. Déterminez 𝐼𝐷 = 12 𝑚𝐴 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝑃 =
𝑉𝐷𝑆(𝑠𝑎𝑡) pour 𝑉𝐺𝑆 = 1,2 𝑉 et calculez ID −8 𝑉 𝐼𝐷 = 0,75 𝑚𝐴
pour 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐷𝑆(𝑠𝑎𝑡)
𝑉𝐺𝑆 2
Solution 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
𝑉𝑃

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 12 𝑚𝐴 𝑉𝑃 = −4,5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 2

𝑉𝐺𝑆 = −1,2 𝑉 0,75 𝑚𝐴 = 12 𝑚𝐴 [1 − ]
−8 𝑉
𝑎)𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 Mettons au même dénominateur
= −1,2 𝑉 − (−4,5 𝑉)
= −1,2 𝑉 + 4,5 𝑉 = 3,3 𝑉 −8 − 𝑉𝐺𝑆 2
0,75 𝑚𝐴 = 12 𝑚𝐴 [ ]
−8 𝑉
𝑉𝐺𝑆 2
𝑏)𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] éliminons le carré
𝑉𝑃
−1,2 2
= 2 𝑚𝐴 [1 − ( )] (−8 − 𝑉𝐺𝑆 )2
−4,5 𝑉 0,75 𝑚𝐴 = 12 𝑚𝐴 [ ]
= 2 𝑚𝐴[1 − 0,267]2 (−8 𝑉)2
= 2 𝑚𝐴(0,733)2
(−8 − 𝑉𝐺𝑆 )2 est de la forme (𝑎 − 𝑏)2 =
𝐼𝐷 ≅ 6,45 𝑚𝐴 𝑎2 − 2𝑎𝑏 + 𝑏 2 avec a=-8 et b=VGS
(−8 − 𝑉𝐺𝑆 )2 = (−8)2 − 2(−8)(𝑉𝐺𝑆 ) 3°) Transconductance 𝑔𝑚
+ 𝑉𝐺𝑆 2
La transconductance 𝑔𝑚 est le rapport entre la
= 64 + 16𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐺𝑆 2
variation du courant de drain 𝛥𝐼𝐷 et la variation
Finalement on a de la tension grille-source 𝛥𝑉𝐺𝑆 .

64 + 16𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐺𝑆 2 𝛥𝐼𝐷

0,75 𝑚𝐴 = 12 𝑚𝐴 [ ] 𝑔𝑚 =
64 𝛥𝑉𝐺𝑆

Le produit des moyens donne le produit des Or la relation liant ID à VGS est la relation de
extrêmes Schockley donnée par :

(0,75 𝑥 64) = 12(64 + 16𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐺𝑆 2 ) 𝑉𝐺𝑆 2

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
𝑉𝑃
48 = 768 + 192𝑉𝐺𝑆 + 12𝑉𝐺𝑆 2
La transconductance s’obtient en dérivant ID
En organisant cette équation, nous avons : par rapport à VGS qui donne

2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
12𝑉𝐺𝑆 2 + 192𝑉𝐺𝑆 + 720 = 0 𝑔𝑚 = [1 − ]
|𝑉𝑃 | 𝑉𝑃
C’est l’équation du second degré de la forme
𝐴𝑋 2 + 𝐵𝑋 + 𝐶 = 0 avec 𝐴 = 12, 𝐵 = on préfère mettre cette équation sous forme
192 ; 𝐶 = 720 et 𝑋 = 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − ]
𝑉𝑃
Δ = 𝐵 − 4𝐴𝐶 = (192)2 − 4(12)(720)
= 36864 − 34560 = 2304 2𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑔𝑚𝑜 =
|𝑉𝑃 |
−𝐵 + √Δ −192 + √2304
𝑉𝐺𝑆1 = 𝑋1 = =
2𝐴 2(12) EXERCICES SUR LA
−192 + 48 −144 TRANSCONDUCTANCE 𝒈𝒎
= =
24 24
= −6 𝑉 1. La fiche technique du JFET 2N5457
indique les valeurs typiques 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 3 𝑚𝐴
−𝐵 − √Δ −192 − √2304 (maximum), 𝑉𝑃 = −6 𝑉 (maximum),
𝑉𝐺𝑆2 = 𝑋2 = = 𝑔𝑚𝑜 = 5000 µ𝑆. Trouvez la
2𝐴 2(12)
−192 − 48 −240 transconductance gm et le courant ID
= = lorsque 𝑉𝐺𝑆 = −4𝑉
24 24
= −10 𝑉
Solution
Dans la pratique le module de 𝑉𝐺𝑆 ne dépasse
pas le module de 𝑉𝑃 a) le calcul de ID est déjà réalisé dans
l’exercice n° 4 de l’application de relation de
|𝑉𝐺𝑆 | ≦ |𝑉𝑃 |. Raison pour laquelle 𝑉𝐺𝑆 = Schockley
−10 𝑉 est à rejeter
𝐼𝐷 = 0,3267 𝑚𝐴 = 326,7 µ𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −6 𝑉
 𝑉𝐺𝑆 b) pour 𝑉𝐺𝑆 = 𝑂𝑉, nous avons
b) 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − ] = 5000 µ𝑆 [1 −
𝑉𝑃
−4 𝑉 2
(−6 𝑉)] = 5000 µ𝑆 (1 − 3) = 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 9 𝑚𝐴 et 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 = 4,5 𝑚𝑆
1
5000 µ𝑆 (3) = 1666,67𝜇𝑆 c) pour 𝑉𝐺𝑆 = −1𝑉

2. Les caractéristiques d’un JFET sont 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 2

➢ 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] = 9 𝑚𝐴 [1 −
12 𝑚𝐴, 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −5 𝑉 et 𝑔𝑚𝑜 = 𝑉𝑃
−1 2
3000 µ𝑆. Trouvez gm lorsque 𝑉𝐺𝑆 = −2 𝑉. (−8 𝑉)] = 9 𝑚𝐴[1 − 0,125]2 =
9 𝑚𝐴(0,875)2
Solution

𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷 = 6,89 𝑚𝐴
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − ]
𝑉𝑃 𝑉𝐺𝑆
−2 𝑉 ➢ 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − ] = 4,5 𝑚𝑆 [1 −
𝑉𝑃
= 3000 µ𝑆 [1 − ( )] −1 1
−5 𝑉 (−8 𝑉)] = 4,5 𝑚𝑆 (1 − 8) =
2
= 5000 µ𝑆 (1 − ) 4,5 𝑚𝑆(1 − 0,125)
5
5−2
= 5000 µ𝑆 ( ) 𝑔𝑚 = 4,5 𝑚(0,875) = 3,9375 𝑚𝑆
5
≅ 3,94 𝑚𝑆
3
𝑔𝑚 = 5000 µ𝑆 ( ) = 1800 µ𝑆 d) pour VGS=-‘V
5
𝑉𝐺𝑆 2
➢ 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] = 9 𝑚𝐴 [1 −
𝑉𝑃
−4 2
3. La fiche technique partielle du JFET (−8 𝑉)] = 9 𝑚𝐴[1 − 0,5]2 =
2N5459 indique les valeurs typiques : 𝐼𝐷𝑆𝑆 =
9 𝑚𝐴(0,75)2
9 𝑚𝐴 (maximum), 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝑃 = −8 𝑉.
𝐼𝐷 = 2,25 𝑚𝐴
a) Déterminez la valeur de 𝑔𝑚𝑜.
𝑉𝐺𝑆
b) Trouvez également ID et 𝑔𝑚 lorsque 𝑉𝐺𝑆 = ➢ 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − ] = 4,5 𝑚𝑆 [1 −
𝑉𝑃
0𝑉 −4
(−8 𝑉)] = 4,5 𝑚𝑆(1 − 0,5) =

c) Trouvez également ID et 𝑔𝑚 lorsque 𝑉𝐺𝑆 = 4,5 𝑚𝑆(0,5)

−1𝑉
𝑔𝑚 = 2,25 𝑚𝑆
d) Trouvez également ID et 𝑔𝑚 lorsque 𝑉𝐺𝑆 =
−4 𝑉
g) Polarisation des JFET

Solution

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 9 mA 𝑉𝑃 = −8 𝑉

2𝐼𝐷𝑆𝑆 2(9 𝑚𝐴) 18 𝑚𝐴

𝑎) 𝑔𝑚𝑜 = = =
|𝑉𝑃 | |−8 𝑉| 8𝑉
= 4,5 𝑚𝐴⁄𝑉 = 4,5 𝑚𝑆
EXERCICES SUR LA POLARISATION
DES JFET

II.2. LE MOSFET

II.2.1. Introduction

Il existe deux types de MOSFET :

✓ Le MOSFET à appauvrissement ou
MOSFET à déplétion (D-MOSFET)
✓ Le MOSFET à enrichissement (E-
MOSFET)

Les symboles de MOSFET sont :

MOSFET à déplétion
MOSFET à enrichissement

La
 TABLE DES MATIERES EXERCICES SUR LA
TRANSCONDUCTANCE𝒈𝒎 ............. 20
I. TRANSISTOR BIPOLAIRE ................... 1 TABLE DES MATIERES ......................... 23
I.1. PRINCIPES FONDAMENTAUX....... 1
EXERCICES SUR LES PRINCIPES
FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR
................................................................1
Puissance dissipée dans un transistor .....5
I.2. POLARISATION DES
TRANSISTORS BIPOLAIRES ................. 6
EXERCICES SUR LA POLARISATION
DES TRANSISTORS ............................8
Exemple de conception 1 .....................11
EXEMPLE DE CONCEPTION 1........12
EXERCICE DE CONCEPTION 2 ......13
I.3. MARQUAGE DES TRANSISTORS
ET DES COMPOSANTS
ELECTRONIQUES ................................. 14
1 La norme Américaine JEDEC...........14
2. Le modèle Japonais et asiatique (JIS)
..............................................................14
3. Modèle de Proelectron (référence sur
http://proelectronic.rs) ..........................15
EXERCICES SUR LE MARQUAGE
DES COMPOSANTS ..........................16
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
EN JONCTION (JFET)............................. 17
II.1. JFET ................................................. 17
a) Introduction ......................................17
b) Relation entre les courants du JFET 17
c) Les tension du JFET.........................17
d) Relation de Shockley .......................17
e) La tension de saturation 𝑽𝑫𝑺(𝒔𝒂𝒕) .18
f) Caractéristiques du JFET..................18
EXERCICES SUR L’EQUATION DE
SCHOCKLEY......................................18