V. Etude d'un montage 1 transistor.

. (montage charge rpartie avec dcouplage d'metteur) Pour toute la suite, on utilisera comme exemple le schma suivant appel montage charge rpartie avec dcouplage d'metteur (Charge rpartie, car il y a une rsistance dans le collecteur et dans l'metteur. Dcouplage d'metteur en rapport avec le condensareur en parallle sur la rsistance d'metteur).
+Vcc

R1

R5 C3 R3 T1 Vs

Pour l'exercice on prendra Vcc=10V, R1=22k, R2=10k, R3=10k, R4=1k, R5=2,2k. On choisira C1, C2, C3 de valeur suffisante pour avoir un amplificateur ayant un courbe de rponse plate dans la bande de 50Hz 20kHz.

C1

Ve

R2 R4

C2

GND

Sparation du rgime statique et du rgime dynamique. L'tude du rgime statique a un triple but: - lors de la conception (le choix du montage et de la polarisation rduit les inconvnients dus aux carts trs importants sur les transistors; ex: bta de 125 900 pour un BC 108). - lors de l'tude en dynamique (il est indispensable de connatre le courant de repos pour calculer h11 (voir schma quivalent du transistor en dynamique). - Pour la maintenance (les tensions de repos sont souvent indiques sur les schmas, elles permettent dja de dceler un grand nombre de pannes par simple mesure l'aide d'un multimtre). 1) le rgime statique Prdtermination des tensions et courants de repos. On utilise alors un schma simplifi en sachant qu'en continu tous les condensateurs sont enlevs. Il suffit: a) Soit d'crire les lois des mailles (d'entre ou de sortie) en utilisant les outils mathmatiques courants (thorme de Thvenin ou de Norton, tho. de superposition ou de Millman) puis en utilisant les valeurs et quations connues du transistor (Vbecond=0,7V ; Ic= . Ib ; Ic+Ib=Ie etc). On dtermine alors tous les courants (Ib, Ic et Ie), puis toutes les tensions (Vpo, Vbo, Veo et Vco). b) Soit d'utiliser les courbes relles du transistor par construction graphique de la droite d'attaque et de la droite de charge.On dtermine de mme l'ensemble des tensions et courants de repos. (Rem: cette methode est plus prcise, si les tras sont fait avec prcision, car on tient compte de la non linarit des caractristiques ( et Vbe), alors que la mthode mathmatique suppose la connaissance de Vbe et de comme des constantes).

Le transistor bipolaire.

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Tranlin

schma simplifi en statique

+Vcc

R5 R1 R3 Vpo Vbo R2 Veo R4 T1 Vco

Ex: En supposant Vbe 0,7V et 180 (voir caractristiques du transistor 2N2222) on peut crire: Vcc.R2/(R1+R2)= Ib.[R4.( +1) +R3 +R1.R2/(R1+R2) ] +Vbe d'ou Ib= (Vcc.R2/(R1+R2) -Vbe ) / [R4.( +1) +R3 +R1.R2/(R1+R2) ] soit Ib=12A Veo = R4.( +1).Ib = 2,2V Ic = 2,2mA Vco = Vcc - R5.c = 5,2V

GND

Rem: La simulation en analyse DC avec PSPICE donne Ib=15A, Veo=2,21V et Vco=5,16V 20C. 2) le rgime dynamique. (schma petits signaux). On remplace le transistor par son schma quivalent simplifi soit en BF soit en HF, et on reprsente le schma quivalent en dynamique de l'ensemble (On passive les gnrateurs continus. on court-circuite les gnrateurs de tension continue, et les condensateurs de liaison et de dcouplage. On enlve les ventuels gnrateurs de courants continus). Attention: certains circuits RC jouent un rle de filtrage ou de compensation en frquence, il faudra alors comparer leur frquence de coupure avec la frquence des signaux d'entre avant d'apporter toute simplification (circuit ouvert ou court-circuit). Rappel des principaux schmas quivalents du transistor. Schma quivalent en du transistor en metteur commun (Giacoletto). Attention: Pour le montage base commune, on adopte plutt un schma quivalent appel en T (qui n'est valable qu'en HF).
Schma simplifi de Giacoletto (montage metteur commun) ib rbb' Cb'c C B C B'

Schma simplifi en BF B ib ic

ib' h11 ve h21.ib E ie vs ve rb'e= h11 E 1/h22 Cb'e h21.ib' vs

Rem: B' est appele base interne. On simplifie souvent (rbb' 0 (rbb' 100 ), rb'e=h11, h22 0 ). On ne prend en compte que les capacits Cb'e et Cb'c que l'on confond souvent respectivement avec Ceb (capacit d'entre en base commune) et Cob (capacit de sortie en base commune). Attention le terme 1/h22 n'est pas toujours ngligeable (de l'ordre de 10k 100k).

Le transistor bipolaire.

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schma simplifi du montage en dynamique ie Rg ve eg h21.ib R1//R2 h11 R5 vs R3

ib

is

On calcule alors l'amplification vide: Av=vs/ve La rsistance d'entre: Re=ve/ie et la rsistance de sortie: Rs=vs/is quand le gnrateur d'attaque eg est 0 (il faut laisser sa rsistance de sortie Rg).

Rappel: h21 =

ic ib

(a verifier sur la courbe Ic=f(Ib)) `

KT q

h11 =

h21.Ut Ic

h21 40.Ic (Ut =

25mV a 25C) `

Ici h11=2k.

Amplification en tension vide: Av. Elle permet d'obtenir le gain en db de la fonction de transfert g = 20.log(vs/ve). vs= -R5 . h21 . ib et ib= ve / (h11 + R3) donc Av = vs/ve= -R5 . h21 / (h11+R3)= - 2,2k . 180 / (2k+10k) = 33 gv=20.log(Av) = 30db. Rsistance d'entre: Re Re= ve/ie= R1 // R2 // (R3+h11) = 4,3k Rsistance de sortie: Rs Rs = vs/is (avec eg=0) = R5=2,2k car ib=0 VI) Association de montages transistors (impdance d'entre et de sortie) a) Impdance d'entre: Ze. Elle correspond ve/ie (elle se calcule partir du schma simplifi en dynamique). b) Impdance de sortie: Zs. Elle correspond vs/is (elle se calcule aussi partir du schma simplifi en dynamique mais: il faut remplacer le gnrateur d'attaque (Ve) par sa rsistance interne. c) Amplification vide ou en charge (influence des impdances d'entre et de sortie)
ie Ze Ve Vs Eth Quadriple actif Ve Zs ie Ze1 Vs E1 Zs1 Ze2

Le gain vide est donn par Av=Vs/Ve = Eth/Ve. Le gain en charge (cas de l'association de 2 cellules) se trouve modifi (voir schma ci dessus) Ac= Vs/Ve = (Eth/Ve) . Ze2 / (Ze2+Zs1) Le transistor bipolaire. Page N8 Tranlin

VII) Calcul des condensateurs de liaison ou de dcouplage.

+Vcc

R1

R5 C3 R3 T1 Vs

On veut calculer C1 C3 pour obtenir une frquence de coupure basse infrieure 50Hz. Pour le calcul de C3 on reliera la charge Ru (utilisation) en sortie (On prendra Ru = 4,7k ).
C2

C1

Ve

R2 R4

Le calcul de C2 sera fait en ngligeant l'impdance de C1 et

GND

a) Calcul de C1. Le schma quivalent en dynamique du montage fig1 ie correspond au quadripole reprsent ci-contre (fig1). Nous avons calcul prcdemment Rg Re=4.3k , Rs=2.2k et Av=33. Il suffit d'ajouter C1 et d'crire la nouvelle foncve tion de transfert vs/ve. eg Le schma correspond alors la figure 2. Quadripole is

Re

Rs Av.ve

vs

vs/ve=(vs/v1).(v1/ve)= Av. Re/(Re+1/jC1w) Soit vs/ve = Av . j.Re.C1.w / (1+j.Re.C1.w) Nous avons donc un dispositif de type passe haut, dont la frquence de coupure basse est f1=1/2.. Re.C1

fig2 ie Rg
C1

Quadripole

is

ve v1 eg

Re

Rs Av.v1

vs

Si on dsire f1=50Hz (Attention il faudrait prendre f1<50Hz car chaque condensateur C1 C3 apportera -3dB la frquence de coupure, soit -9db au total ). C1=1/2.. Re.f1=0,74.10-6. C1>740nF pour avoir f1<50Hz b) Calcul de C3 En ajoutant C3 et la charge Ru, la fonction de transfert devient: vs/ve=Av. Ru/(Rs +Ru+1/j.C3.w) Ou aprs mise en facteur: vs = Ac. j(Rs+Ru)C3w ve (1+j(Rs+Ru)C3w) . avec Ac=Av. Ru (Rs+Ru) Ac est appel amplification en charge. Le transistor bipolaire. fig3 Rg ve eg ie Quadripole
C3

is Ru vs

Re

Rs Av.ve

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Tranlin

On calcule alors Ac = 33 . 4,7k / (2,2k+4,7k) = 22 La pulsation de coupure basse correspond : w3 = 1/(Rs+Ru).C3 d'ou la frquence de coupure basse = f3 = 1/2..(Rs+Ru).C3 . Si on dsire avoir f3= 50Hz (Rappel: il faudrait prendre plus bas car les trois condensateur apporterons chacun 3db d'attenuation pour leur frquence de coupure). C3 = 1/2..(Rs+Ru).f3 = 0,46 . 10-6 = 0,46F C3>460nF pour avoir f3<50Hz c) Calcul de C2. Si on tiend compte uniquement de C2, le schma quivalent en dynamique devient celui de la figure 4 (Ce=C2, Re=R4). On appellera Ze, l'impdance quivalente Re et Ce en parallle. Il faut alors calculer la nouvelle fonction de transfert vs/ve.
fig4

ie ve

R3 R1//R2
Ze

is
ib h11
Re

Rg

h21.ib R5 vs

eg

Ce

Av = vs/ve (avec is=0)= -h21.R5 .ib / (Ze.(h21+1) +h11 +R3).ib

h 21 . Z 5 h 21 .R 5 e Av = = (h 11 +R 3 ) Ze.(h 21 + 1) + h 11 + R 3 (h 21 + 1) + Ze
R

Or

1 Ze

(1+jR e C e w) Re

Donc Av =

h 21. R 5 .(1+j.R e .C e .w)

(1+j.R e .Ce .w) R e. (h 21 +1)+(h 11 +R 3 ). Re

h 21. R 5 .(1+j.R e .C e .w) R e. (h 21 +1) (h 11 +R 3 ). (h +R ) +1+j.R e .C e .w 11 3 w

w (1+j. w ) w2

Av =

h 21. R 5 (h 11 +R 3 )

(1+j.R e .C e .w)
R e. (h 21 +1) (h 11 +R 3 )

j.R e .C e .w +1. 1+ R (h +1) e. 21 +1 (h 11 +R 3 )

= Av (sans C2 ) . w1 . (1+j. w1 ) 2

R e. (h 21 +1)

Av = Av (sans C 2) . .

w w 1 (1+j. w 1 ) w 2 (1+j. w ) w2

Avec w 1 =

1 R e .C e

et w2 =

(h 11 +R 3 )

+1

R e .C e

Comme w2 > w1 on obtient le diagramme de Bode fig5. Pour une pulsation > w2 la fonction de transfert est alors quivalente Av (sans C2). Il faut donc avoir f2 < 50Hz . (Rappel: Mme remarque que pour les autres condensateurs C1 et C3, il faudrait prendre f2<<50Hz ). Le transistor bipolaire. Page N10 Tranlin

Courbe de gain en db
Courbe de Bode
g=20.Log(vs/ve) g=20.Log(Av) sans C2

20db/dcade w w1 w2

Application numrique: Ce
1+
10 3.181 2.10 3+10.10 3 2..50.10 3

= 51.10 6 F 50F

Ce=C2>50F pour avoir f2<50Hz

Rsultats de simulation avec PSPICE:

*tran_cr2 Date/Time run: 11/19/94 11:32:10 50 Temperature: 27.0

(4.0195K,26.464) (51.090,17.430)

(143.301K,23.433)

La simulation avec PSPICE donne -9db pour une frquence de 51Hz. De plus le gain est de 26,5db par la simulation. Or Ac= Av.Ru/(Rs+Ru)= 33.4,7k/(2,2k+4,7k)=22,5 soit g=20Log(Ac)=27db

0 -9db pour 51Hz

-50

Courbe de gain

-100 1.0h 10h Vdb(VS)- Vdb(VE) Frequency C1 = C2 = dif= 3.9811K, 51.090, 3.9300K, 26.464 17.430 9.0343 100h 1.0Kh 10Kh 100Kh 1.0Mh

Conclusion: Malgr les approximations de calcul, les rsultats peuvent tre trs proche de la simulation ou de la pratique. Il faut toutefois porter une attention particulire aux valeurs de et de h21 . Le transistor bipolaire. Page N11 Tranlin