« Modèle:Palette Semi-conducteur » : différence entre les versions
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{{Méta palette de navigation |
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| modèle = Palette Semi-conducteur |
| modèle = Palette Semi-conducteur |
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| titre = Semi-conducteur |
| titre = [[Semi-conducteur]] |
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| groupe1 = Par semi-conducteur |
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{{Méta palette de navigation sous-groupe |
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* [[Gallium]] |
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}} |
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* [[semi-conducteur III-V|composés III-V]] — |
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** [[phosphure]] : |
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*** [[phosphure d'indium|InP]] |
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* [[semi-conducteur II-VI|composés II-VI]] — |
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** [[carbure]] : |
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** [[nitrure]] : |
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*** [[nitrure d'aluminium|AlN]] |
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*** [[nitrure de gallium|GaN]] |
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** [[séléniure]] : |
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*** [[séléniure de cadmium|CdSe]] |
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** [[sulfure]] : |
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*** [[sulfure de cadmium|CdS]] |
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** [[tellurure]] : |
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*** [[tellurure de cadmium|CdTe]] |
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* [[semi-conducteur IV-VI|composés IV-VI]] — |
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** [[séléniure]] : |
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*** [[séléniure de plomb|PbSe]] |
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** [[sulfure]] : |
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*** [[sulfure de plomb(II)|PbS]] ([[galène]]) |
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** [[tellurure]] : |
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*** [[tellurure de plomb(II)|PbTe]] |
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| groupe3 = |
| groupe3 = Alliage ternaire |
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| liste3 = {{Liste horizontale| |
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| liste3 = {{Liste horizontale|Enzymatic Field Effect Transistor (ENFET) • [[https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_%C3%A0_effet_de_champ#OFET|Organic Field Effect Transistor]] ''{{abréviation|OFET|Organic Field Effect Transistor}}'') |
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}} |
}} |
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| groupe4 = [[Hétérojonction]] |
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}} |
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| liste4 = {{Liste horizontale| |
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* [[alliage silicium-germanium|SiGe]]/[[Germanium|Ge]] |
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* [[nitrure d'aluminium-gallium|AlGaN]]/[[nitrure d'indium-gallium|InGaN]] |
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<!-- | groupe2 = Éléments zzz |
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* {{abréviation|AlInAs|arséniure d'aluminium-indium}}/[[arséniure de gallium-indium|GaInAs]] |
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| liste2 = {{Méta palette de navigation sous-groupe |
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* [[arséniure de gallium-indium|GaInAs]]/[[arséniure d'aluminium-gallium|AlGaAs]] |
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| groupe1 = Éléments simples |
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* [[arséniure d'aluminium-gallium|AlGaAs]]/{{abréviation|AlGa|alliage aluminium-gallium}} |
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| liste3 = {{Liste horizontale| [[Germanium]] • [[Silicium]] • [[hétérojonction de type I]] |
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* [[arséniure d'aluminium-gallium|AlGaAs]]/[[arséniure de gallium|GaAs]] |
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}} |
}} |
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| groupe5 = Éléments organiques{{break}}[[semi-conducteur organique]] |
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}} |
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| liste5 = {{Liste horizontale| |
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* [[Transistor à effet de champ#ENFET|''Enzymatic Field Effect Transistor'']] (''ENFET'') |
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| groupe3 = Éléments organiques |
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* [[Transistor à effet de champ#OFET|''Organic Field Effect Transistor'']] (''OFET'') |
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| liste3 = '{{Méta palette de navigation sous-groupe |
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| groupe1 = Éléments simples |
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| liste2 = {{Liste horizontale|[[Germanium]] • [[Silicium]] • [[hétérojonction de type I]] |
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}} |
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}} |
}} |
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}} |
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| groupe2 = Terminologie{{break}}{{petit|(par ordre alphabétique)}} |
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| groupe2 = Par zzz2 |
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{{Méta palette de navigation sous-groupe |
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| groupe1 = Éléments simples |
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| liste1 = {{Liste horizontale| |
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* [[Germanium]] |
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* [[Silicium]] |
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* [[hétérojonction de type I]] |
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* }} |
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| groupe3 = Par zzz3 |
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{{Méta palette de navigation sous-groupe |
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| groupe1 = Éléments simples |
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| liste1 = {{Liste horizontale| |
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* [[Germanium]] |
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* [[Silicium]] |
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* [[hétérojonction de type I]] |
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* }} |
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| groupe2 = [[Aéronautique|Aérien]] |
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| liste2 = {{Liste horizontale| |
| liste2 = {{Liste horizontale| |
||
* [[anion]] |
|||
* [[Drone]] (''{{abbr|UAV|Unmanned aircraft vehicle}}'') |
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* [[anode]] |
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* [[Drone de combat]] (''{{abréviation|UCAV|Unmanned combat air vehicle}}'') |
|||
* [[théorie des bandes|bande de conduction]] |
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}} |
|||
* [[théorie des bandes|bande de valence]] |
|||
* [[Transistor bipolaire#Types et symboles|base]] |
|||
* [[base commune]] |
|||
* [[cathode]] |
|||
* [[cation]] |
|||
* [[champ électrique]] ([[transistor à effet de champ|FET]]) |
|||
* [[circuit intégré]] |
|||
* [[Complementary metal oxide semi-conductor|CMOS]] |
|||
* [[Collecteur et émetteur|collecteur]] |
|||
* [[collecteur commun]] |
|||
* [[composant semi-conducteur|composant]] |
|||
* [[épitaxie|dépôt épitaxial]] |
|||
* [[diode]] |
|||
* [[diode électroluminescente]] |
|||
* [[Diode#Fabrication|diode à jonction p-n]] |
|||
* [[diode laser]] |
|||
* [[diode Schottky]] |
|||
* [[dioxyde de silicium]] |
|||
* [[Dopage (semi-conducteur)|dopage]] |
|||
* [[Drain et source|drain]] |
|||
* [[drain commun]] |
|||
* [[électrode]] |
|||
* [[électron]] |
|||
* [[Modèle de l'électron libre|électron libre]] |
|||
* [[Collecteur et émetteur|émetteur]] |
|||
* [[émetteur commun]] |
|||
* [[fréquence de transition]] |
|||
* [[grille commune]] |
|||
* [[hétérojonction]] |
|||
* [[HOMO et LUMO|HOMO]] |
|||
* [[ion]] |
|||
* [[Junction Field Effect Transistor|JFET]] |
|||
* [[jonction p-n organiques]] ([[ionoélastomère]]s, [[polymère ionique|polymère]] [[polycation]]ique, [[polymère ionique|polymère]] [[polyanion]]ique) |
|||
* [[jonction p-n]] |
|||
* [[loi d'Ohm thermique]] |
|||
* [[liaison π]] |
|||
* [[HOMO et LUMO|LUMO]] |
|||
* [[Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde|MOSFET]] |
|||
* [[niveau d'énergie]] |
|||
* [[niveau de Fermi]] |
|||
* [[NMOS]] |
|||
* [[Transistor_bipolaire#Types_et_symboles|NPN]] |
|||
* [[photolithographie]] |
|||
* [[Transistor_bipolaire#Types_et_symboles|PNP]] |
|||
* [[Tension de polarisation|polarisation]] |
|||
* [[porteur de charge]] |
|||
* [[circuit intégré|puce]] |
|||
* [[résistance thermique]] |
|||
* [[semi-conducteur]] |
|||
* [[Drain et source|source]] |
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* [[source commune]] |
|||
* [[thyristor]] |
|||
* [[transconductance]] |
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* [[transistor]] |
|||
* [[transistor à effet de champ]] |
|||
* [[transistor bipolaire]] |
|||
* [[Transistor_bipolaire#Types_et_symboles|transistor NPN]] |
|||
* [[Transistor_bipolaire#Types_et_symboles|transistor PNP]] |
|||
* [[trou d'électron|trou]] |
|||
* [[tube électronique]] |
|||
* [[zone de déplétion]] |
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}} |
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| groupe3 = Scientifiques{{break}}{{petit|(par ordre alphabétique)}} |
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| groupe3 = [[Véhicule terrestre|Terrestre]] |
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| liste3 = {{Liste horizontale| |
| liste3 = {{Liste horizontale| |
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}} |
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* [[Véhicule à guidage automatique]] (VGA ou ''{{abbr|AGV|Automatic guided vehicle}}'') |
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}}<noinclude>{{Documentation palette}} |
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* [[Véhicule autonome]] |
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[[Catégorie:Palette Science|Semi-conducteur]] |
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* [[Train autonome]] (''{{abréviation|ATO|Automatic Train Operation}}'') |
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}} |
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| groupe4 = [[Véhicule amphibie|Amphibie]] |
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| liste4 = {{Liste horizontale| |
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}} |
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| groupe5 = [[Embarcation|Surface]] |
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| liste5 = {{Liste horizontale| |
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* [[Drone de surface naval]] (''{{abréviation|USV|Unmanned surface vehicle}}'', ''{{abréviation|USV|unmanned surface vessel}}'') |
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}} |
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| groupe6 = [[Sous-marin]] |
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| liste6 = {{Liste horizontale| |
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* [[Robot sous-marin autonome]] (''{{abréviation|AUV|Autonomous underwater vehicle}}'', ''{{abréviation|UUV|Unmanned underwater vehicle}}'') |
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* [[Véhicule sous-marin téléopéré]] (''{{abréviation|ROV / ROUV|Remotely operated – underwater – vehicle}}'') |
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* [[Intervention AUV|Véhicule sous-marin d'intervention]] (''{{abréviation|I-AUV|Intervention AUV – Intervention autonomous underwater vehicle}}'') |
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* [[Planeur sous-marin]] (''underwater glider'', ''{{abréviation|glider AUV|Glider autonomous underwater vehicle}}'') |
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}} |
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| groupe7 = Autre |
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| liste7 = {{Liste horizontale| |
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}} |
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}}<noinclude> |
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{{Documentation palette}} |
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[[Catégorie:Palette Aéronautique]] |
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</noinclude> |
</noinclude> |
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Dernière version du 13 septembre 2024 à 21:22
Ceci est la documentation du modèle {{Palette Semi-conducteur}}.
Syntaxe
L’utilisation de cette palette se fait par l’ajout, en fin de page, avant les portails, du code {{Palette|Semi-conducteur}}, ou en l’ajoutant à une ou des palettes existantes sous la forme {{Palette|nom-palette-1|Semi-conducteur}}.
Il est déconseillé d’utiliser la forme {{Palette Semi-conducteur}}, qui ne permet pas, contrairement au modèle {{Palette}}, de séparer correctement la ou les palettes du texte qui précède par de l’espace vide.
La documentation de ce modèle est générée par le modèle {{Documentation palette}}.
Les éditeurs peuvent travailler dans le bac à sable (créer) et la page de test (créer).
Voir les statistiques d'utilisation du modèle sur l'outil wstat.