BJT Dan Jfet
BJT Dan Jfet
BJT Dan Jfet
OLEH :
PUTU RUSDI ARIAWAN (0804405050)
2.1 Tujuan
a. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET
(channel P atau channel N).
(a) (b)
Gambar 2.2.1 Transistor BJT (a) tipe pnp (b) tipe npn
a. Dengan Multimeter.
Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan
mengukur besar arus
1. karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran
2. karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE
3. karakteristik hfe terhadap IC
b. Dengan Osiloskop
Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE
untuk berbagai nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk
mengamati besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC.
PNP
NPN
IE= (1 + ) IB IC
IC = IB
Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB
yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas
bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias
pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap.
Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point)
Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif), beberapa
syarat berikut harus dipenuhi:
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
Daerah kerja transistor (cut-off, aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias
yang diberikan pada masing-masing junction :
1. Daerah aktif/daerah linear
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
2. Daerah saturasi
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias maju (forward bias)
3. Daerah cut-off
- Fixed Bias
Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.
Dan
VBE = VB - VE
b. Loop collector-emitter
VCE = VCC ICRC
VCE = VC - VE
Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi di
bias mundur
VCE = 0 V
ICsat = VCC/RC
JFET
No Keterangan
Kanal n Kanal p
1. Simbol
2. Kurva Karakteristik
3. Rumus ID
4. Kurva Tracer
- JFET
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu
jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam
FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan
depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana
daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah
perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk
mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut.
JFET (Junction FET) terdapat isolasi oleh sambungan pn (junction).
Dalam hal ini akan dibahas mengenai bangun JFET saluran n. Ada 2 jenis JFET,
sambungan kolektor. Karena daerah basis sangat tipis, hampir semua elektron
yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan
rekombinasi dengan lubang yang disediakan dengan pemasangan baterai
(a) (b)
Gambar 2.2.11 Pengoperasian transistor jenis NPN a). kondisi panjar b).
distribusi potensial
2.2.4 Karakteristik DC
Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran
pembawa muatan melewati sambungan dan ke basis. Dengan sambungan
emitor berpanjar maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut
operasi normal, pengoperasian di daerah aktif).
yang benar namun biasanya lebih sering ditulis sebagai I O . Fuge factor ( )
untuk transistor biasanya tidak diperlukan. Tanda negatif hanya untuk memenuhi
perjanjian konvensional, tidak perlu terlalu dirisaukan. Harga arus iE sangat
tergantung pada tegangan v EB .
Sebagian besar elektron mencapai kolektor atau
iC iE
dimana = 1. Arus lain sebesar
iE iE iE 1
terlihat sebagai arus basis
iB iE 1
1
iC
yaitu
iC .iB
disebut penguatan arus (current gain ), dimana harganya akan sangat
bervariasi dari satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe
yang sama, dapat berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000,
namun biasanya berharga sekitar 100-200.
cukup kecil. Dengan vCB berharga positif dan emitor hubung terbuka, i E = 0 volt
negatif akan membuat sambungan kolektor - basis berpanjar maju dan akan
mengalir iC berharga negatif). Untuk i E = 0, iC I CBO (lihat gambar 2.2.13-c),
1
dan kita dapat mencatat besarnya arus cutoff kolektor sebagai
I CBO
1 I CBO I CEO
1
Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam
bentuk arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah
iC iB I CEO
(a) (b)
Gambar 2.2.15 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi emitter bersama
a) karakteristik basis, b) karakteristik kolektor
hampir konstan pada harga I CEO . Setiap ada kenaikan arus i B , akan diikuti
vCE tertentu. Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran.
Kemiringan dari kurva yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga
dari hubungan :
iC iB
2
vGS
iD I DSS 1
VP
VP tegangan pinch-off
Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada
perubahan beban RL, maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang
Transistor Darlington
Nilai penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali
atau lebih. Dari luar transistor Darlington nampak seperti transistor biasa dengan
3 buah kutub: B (basis), C (Kolektor), dan E (Emitter). Dari segi tegangan
listriknya, voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar, dan secara umum
merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya, seperti
nampak dalam rumus berikut: VBE = VBE1 + VBE2
Digital
2 BC557 PNP Analog
Digital
Tabel 2.2 Resistansi channel JFET
FET AVO Hambatan Keterangan keadaan Keterangan
Meter
No Seri Type Drain Source Gate Source Baik Buruk
Digital
2. Karakteristik JFET
Buat rangkaian seperti pada gambar 2.2
Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.4
catat besar ID pada tabel 2.4
4 2.5
5
Besarnya arus kolektor dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan
vertikal dengan nilai tahanan RC
Gambar hasilnya pada kertas milimeter block, untuk harga IB 30, 50, dan
75 mA
2. Karakteristik JFET
Buat rangkaian seperti pada gambar 2.4.
Gunakan osiloskop dua channel. Input horisontal (X/CH1) hubungkan
dengan DS (drain JFET hubungkan dengan ground osiloskop) dan input
Vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan RD (Drain sebagai ground ).
Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan
positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif
Besarnya arus drain dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan
vertikal dengan nilai tahanan RD.
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.6
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.7
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID, IG,
VDS, dan VGS.
Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.9
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID, IG,
VDS, dan VGS.
Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.11
Agama : Hindu
Email : [email protected]
www.facebook.com/turusdi