Capitolo 4: Sistemi di adattamento

4.7 Il trasformatore 4

Il trasformatore 4 è un semplice e utile circuito di adattamento per una impedenza

di carico reale ad una linea di trasmissione. Un aspetto ulteriore del trasformatore 4 è che
esso può essere esteso a progetti multisezione in maniera metodica per ottenere larghezze di
banda maggiori. Se è richiesto solo un adattamento di impedenza a banda stretta, può essere
sufficiente un trasformatore a singola sezione. Ma, come vedremo nei paragrafi successivi, i
progetti di trasformatori 4 possono essere sintetizzati in maniera tale da dar luogo a
caratteristiche di adattamento ottime su una banda di frequenza desiderata.
Vedremo nel capitolo 7 che tali reti sono strettamente legate ai filtri passabanda.
Un inconveniente del trasformatore 4 è che esso può adattare solo una impedenza
di carico reale.
Un’impedenza di carico complessa, invece, può sempre essere trasformata in
un’impedenza reale usando una appropriata lunghezza di linea di trasmissione tra il carico e
il trasformatore o un appropriato stub reattivo in serie o in derivazione. Queste tecniche
altereranno la dipendenza in frequenza del carico equivalente, il che ha spesso l’effetto di
ridurre la larghezza di banda dell’adattatore.
Sarà analizzato il funzionamento del trasformatore 4 da un punto di vista
dell’impedenza e dal punto di vista delle riflessioni multiple.
Qui ci concentreremo sulle prestazioni in termini di larghezza di banda del
trasformatore in funzione del disadattamento di carico; questa discussione servirà come
preludio al caso più generale dei trasformatori multisezione descritti nelle sezioni che
seguono.
Il circuito trasformatore a 4 a singola sezione è mostrato in fig. 4.6

Fig. 4.6: Un trasformatore 4 a singola sezione. l= o 4 alla frequenza di progetto f o .

L’impedenza caratteristica della sezione di adattamento è

Z1  Z 0 Z L (4.31)

Alla frequenza di progetto, f 0 , la lunghezza elettrica della sezione di adattamento è 0 /4

ma ad altre frequenze la lunghezza è differente per cui non si ottiene più un adattamento

197
 Appunti di microonde

ottimale. Deriveremo un’espressione approssimata per il disadattamento in funzione della

frequenza.
L’impedenza di ingresso vista guardando nella sezione di adattamento è :

Z L  jZ1t
Z in  Z1 (4.32)
Z1  jZ L t

dove t = tan = tanβ l e  l     / 2 alla frequenza di progetto f 0 .

Il coefficiente di riferimento è allora:

Z in  Z 0 Z1  Z L  Z 0   jt  Z1  Z 0 Z L 
2

  (4.33)
Z in  Z 0 Z1  Z L  Z 0   jt  Z12  Z 0 Z L 

Poiché Z12  Z 0 Z L la (4.33) si riduce a

Z L  Z0
 (4.34)
Z L  Z 0  j 2t Z L Z 0

L’ampiezza di  è

Z L  Z0 1
 1
 1

 Z L  Z 0   4t Z 0 Z L 
2 2
 Z L  Z 0   4t Z 0 Z L  
2 2 2 2
     
Z  Z 0    Z L  Z 0 2  
 L 
1 1
 1
 1

 4Z 0 Z L 4t Z 0 Z L 
2 2  4Z 0 Z L  2

2 
1   2  1  1  t 2 
  Z L  Z 0   Z L  Z 0     Z L  Z 0 
2


1
 1
(4.35)
 4Z 0 Z L 2
1  sec 2
  
  Z L  Z 0 
2


198
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

poiché 1  t 2  1  tan 2  sec 2

Se assumiamo che la frequenza è vicina alla frequenza di progetto f 0 , allora
l  o / 4 e    / 2 allora sec 2  1 e la (4.35) si semplifica in:

Z L  Z0
  cos per  vicino a π 2 (4.36)
2 Z L Z0

Questo risultato fornisce il disadattamento approssimato del trasformatore  / 4

vicino alla frequenza desiderata come rappresentato in fig.4.7.

Fig. 4.7: L’andamento approssimato della ampiezza del coefficiente di riflessione per un
trasformatore 4 a sezione singola che lavora nelle vicinanze della frequenza di lavoro.

Supponendo che Γ m sia il massimo del modulo del coefficiente di riflessione che
può essere tollerato, allora possiamo definire la larghezza di banda del trasformatore di
adattamento come

 
  2   m  (4.37)
2 
poiché la risposta della (4.35) è simmetrica rispetto a    / 2 e Γ = Γ m in   m
e in     m .
Eguagliando Γ m all’espressione esatta dell’ampiezza del coefficiente di riflessione
in (4.35) possiamo ottenere m

199
 Appunti di microonde

2
1  2 Z0 Z L 
1  secm 
m 2  Z L  Z0 
 
o
m 2 Z0 Z L
cosm  (4.38)
1  m2 Z L  Z0

Se avessimo linee TEM allora

2 f v p f
 l 
v p 4 f0 2 f0

e quindi la frequenza dell’estremo inferiore della banda a   m è:

2m f 0
fm 

e la larghezza di banda normalizzata ad fo, è usando la (4.38),

f  f  f m   2  2 f m  2  4 m  2  4 cos 1   m 2 Z 0 Z L
2 0

 (4.39)
f0 f0 f0    1   2 Z L  Z0 
 m 

La larghezza di banda f / f 0 è usualmente espressa come percentuale

100  f / f 0  % . Notiamo che la larghezza di banda del trasformatore aumenta con
l’approssimarsi di ZL a Z0 (un carico meno disadattato).
I risultati precedenti sono strettamente validi solo per linee TEM. Quando si usano
linee non TEM (come le guide d’onda) l’impedenza d’onda sarà dipendente dalla
frequenza. Questi fattori servono a complicare il comportamento generale dei trasformatori
 / 4 per linee non TEM ma, in pratica, la larghezza di banda del trasformatore è spesso
piccola abbastanza che queste complicazioni sostanzialmente non inficiano il risultato. Un
altro fattore ignorato nell’analisi precedente è l’effetto della reattanza associato con
discontinuità quando c’è una variazione a gradino nella dimensione della linea di
trasmissione. Questo può essere spesso compensato facendo un piccolo assestamento nella
lunghezza della sezione di adattamento.

200
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

La fig. 4.8 mostra un grafico dell’ampiezza di Γ in funzione della frequenza di

normalizzazione per diversi carichi disadattati. Notiamo l’andamento della larghezza di
banda che aumenta per disadattamenti di carico più piccoli.

Fig. 4.8: L’ampiezza del coefficiente di riflessione in funzione della frequenza per un trasformatore
4 a sezione singola con vari disadattamenti di carico.

4.8 Teoria delle riflessioni multiple (o delle piccole riflessioni)

Il trasformatore  / 4 fornisce un semplice metodo per adattare una qualsiasi

impedenza di carico reale ad una linea di impedenza. Per applicazioni che richiedono più
larghezza di banda di quella che una singola sezione  / 4 può fornire, si possono usare
trasformatori multisezione. Il progetto di tali trasformatori è l’argomento dei due prossimi
paragrafi. Adesso deriviamo alcuni risultati approssimati per il coefficiente di riflessione
totale causato da riflessioni parziali per diverse piccole discontinuità.
Questo argomento è generalmente indicato come teoria delle piccole riflessioni.
Considereremo il trasformatore a singola sezione mostrato in fig. 4.9: deriveremo una
espressione approssimata per il coefficiente di riflessione complessivo Γ .

201
 Appunti di microonde

Fig. 4.9: Riflessioni e trasmissioni parziali in un adattatore a singola sezione

4.8.1 Trasformatore a singola sezione

I coefficienti di riflessione e trasmissione parziali sono

Z 2  Z1
1  (4.40)
Z 2  Z1

 2  1 (4.41)

ZL  Z2
3  (4.42)
ZL  Z2

2Z 2
T21  1  1  (4.43)
Z1  Z 2

2Z1
T12  1   2  (4.44)
Z1  Z 2

202
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

Possiamo calcolare il coefficiente di riflessione totale Γ visto dalla linea di

alimentazione col metodo dell’impedenza o con il metodo delle riflessioni multiple come
precedentemente discusso. Per il nostro scopo è preferibile l’uso di quest’ultima tecnica,
sicché noi possiamo esprimere il coefficiente di riflessione totale come una somma infinita
di riflessioni e trasmissioni parziali:


  1  T12T21 3e 2 j  T12T21 32  2 e 4 j   
   T T  e  2 j 
  n
 n
e  2 j n 


1 1 2 2 1 3 2 3
n  0

 1  T12T213e 2 j   2 n 3n e 2 jn (4.45)

n 0

Usando la serie geometrica:


1
x
n 0
n

1 x
per x  1

la (4.45) può essere espressa in forma chiusa come

T12T21 3e 2 j
  1  (4.46)
1   2  3e 2 j

Dalla (4.41), (4.43) e (4.44) poniamo Γ 2 = -Γ1 , T12 = 1+ Γ1 , T21 = 1 - Γ1 e si ha:

1  3e 2 j
 (4.47)
1  13e 2 j

Ora se le discontinuità tra le impedenze Z1 , Z 2 e Z 2 , Z L sono piccole, sarà quindi

Γ  Γ1 + Γ 3 e-2j (4.48)

Questo risultato dà l’idea che il coefficiente di riflessione totale è dominato dalle

riflessioni delle discontinuità iniziali tra Z1 e Z 2  Γ1  , e la prima riflessione della
discontinuità tra Z 2 e Z L  Γ3 e-2j  . Il termine e 2 j tiene conto del ritardo di fase tra l’onda
incidente che viaggia verso l’alto e verso il basso all’interno della linea.

4.8.2 Trasformatori multisezione

Consideriamo il trasformatore multisezione mostrato in fig. 4.10. Questo

trasformatore consiste di N sezioni di linee di trasmissione di ugual lunghezza.
Descriveremo una espressione approssimata per il coefficiente di riflessione totale Γ .

203
 Appunti di microonde

Fig. 4.10: Riflessioni parziali per un adattatore a multisezione

I coefficienti di riflessione parziale a ciascuna sezione possono essere definiti

Z1  Z 0
0  (4.49a)
Z1  Z 0

Z n 1  Z n
n  (4.49b)
Z n 1  Z n

ZL  ZN
N  (4.49c)
ZL  ZN

Supponiamo che tutte le Z n aumentano o diminuiscono con andamento monotono

lungo il trasformatore a Z L reale. Questo implica che tutti i Γ m saranno reali e dello stesso
segno  Γ n > 0 se Z L > Z 0 ; Γ n < 0 se Z L < Z 0  .
Allora usando i risultati del paragrafo precedente il coefficiente di riflessione
complessivo può essere approssimato come

     0  1e 2 j   2 e 4 j     N e 2 jN (4.50)

Assumiamo che il trasformatore sia simmetrico, sicché  0   N , 1   N 1 ,

 2   N  2 ecc… (Notiamo che questo non implica che le Z n siano simmetriche).
Allora la (4.50) può essere scritta come

 
    e  jN  0 e jN  e  jN   1  e j  N  2  e  j  N  2    (4.51)

204
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

Se N è dispari, l’ultimo termine è Γ  N -1  e j + e -j  , mentre se N è pari, l’ultimo

2

termine è Γ N .
2
L’equazione (4.51) è nella forma della serie finita coseno di Fourier in  e può
essere scritta come

 1 
    2e  jN   0 cosN  1cos  N  2      n cos  N  2n      N 
 2 2
(4.52a)
valida per N pari e

 
    2e  jN   0 cosN  1cos  N  2      n cos  N  2n      N 1 cos   
 2 
(4.52b)

valida, invece, per N dispari.

L’importanza di questi risultati sta nel fatto che noi possiamo sintetizzare una
qualsiasi risposta del coefficiente di riflessione in funzione di  scegliendo
opportunamente i Γ n ed usando sufficienti sezioni N. Questo dovrebbe essere chiaro dal
fatto che una serie di Fourier può rappresentare una funzione arbitraria piatta se viene usato
un numero sufficiente di termini.
Nei successivi due paragrafi mostreremo come usare questa teoria per progettare
trasformatori multisezione per due delle risposte passabanda più comunemente usate: la
risposta binomiale (massimamente piatta) e la risposta di Chebyshev (a ugual ripple).

4.9 Adattatore multisezione binomiale

La risposta passabanda di un trasformatore di adattamento binomiale è ottima nel

senso che, per un dato numero di sezioni, la risposta è quanto più piatta possibile vicino alla
frequenza di progetto.
Pertanto un tale trasformatore è anche noto come trasformatore massimamente
piatto. Questo tipo di risposta è progettato, per un trasformatore a N-sezioni, ponendo le
prime N-1 derivate di Γ   a zero, alla frequenza centrale f 0 . Si può ottenere tale
risposta ponendo:

    A 1  e 2 j 
N
(4.53)

205
 Appunti di microonde

Allora l’ampiezza    è

    A e  j
N N N
e j  e  j  2 N A cos (4.54)

d n   
Notiamo che Γ   = 0 per    / 2 e che  0 in    / 2 per n=1,2,…..,N –1
d n
(    / 2 corrisponde alla frequenza centrale f0 per cui l = λ/4 e  = β l = π/2 )
Possiamo ora determinare la costante A , ponendo f  0 .
Allora    l  0 e la (4.54) si riduce a

Z L  Z0
  0  2N A 
Z L  Z0

poiché per f  0 tutte le sezioni hanno lunghezza elettrica nulla. Allora la costante A può
essere scritta come

Z L  Z0
A  2 N (4.55)
Z L  Z0

Espandendo    nella (4.53) in accordo alla espressione binomiale

N
    A 1  e 2 j   A Cn N e 2 jn
N
(4.56)
n0

dove

N!
Cn N  (4.57)
 N  n  !n !
sono i coefficienti binomiali. Notiamo che Cn N  CNN n , C0 N  1 e C1N  N  CnN1 .
Il passo importante è ora eguagliare la risposta passabanda desiderata, data dalla
(4.56) alla risposta reale data dalla (4.50).

N
    A Cn N e 2 jn   0  1e 2 j   2 e 4 j     N e2 jN
n 0

206
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

Questo dimostra che Γ n deve essere scelto come

 n  ACn N (4.58)

A questo punto, le impedenze caratteristiche possono essere calcolate tramite la

(4.49) ma si può ottenere una soluzione più semplice usando la seguente approssimazione.
Avendo assunto Γ n piccoli, possiamo scrivere

Z n 1  Z n 1 Z n 1
n   ln
Z n 1  Z n 2 Z n

poiché lnx  2  x  1 /  x  1 . Pertanto usando la (4.58) e la (4.55) si ha

Z n 1 Z  Z0 N Z
ln  2 n  2 ACn N  2  2 N  L Cn  2 N Cn N ln L (4.59)
Zn Z L  Z0 Z0

che può essere usata per calcolare Z n 1 , partendo con n  0 . Questa tecnica ha il vantaggio
di assicurare l’auto-consistenza, in quanto Z n 1 calcolata dalla (4.59) sarà uguale a
Z L come dovrebbe.
Si possono derivare risultati esatti, che includono l’effetto delle riflessioni multiple
in ciascuna sezione, usando le equazioni delle linee di trasmissione per ciascuna sezione e
calcolando numericamente le impedenze caratteristiche. I risultati di tali calcoli sono
riportati nella tab. 4.1 che dà le impedenze di linea esatte per N  2,3, 4,5, 6 sezioni di
adattamento binomiale per diversi rapporti tra impedenza di carico Z L e impedenze delle
linee di alimentazione Z 0 .
La tabella dà i risultati solo per Z L / Z 0  1 . Nel caso Z L / Z 0  1 devono essere usati
i risultati per Z 0 / Z L , con Z1 che parte dal carico. Ciò è dovuto al fatto che la soluzione è
simmetrica intorno a Z L / Z 0  1 . Lo stesso trasformatore che adatta Z L a Z 0 può essere
‘invertito’ e usato per calcolare Z 0 e ZL .

207
 Appunti di microonde

Tab. 4.1: Progetto di un trasformatore binomiale.

La larghezza di banda di un trasformatore binomiale può essere valutata come segue.

Come in sezione 4.10, sia Γ m il valore massimo del coefficiente di riflessione che può
essere tollerato sulla banda passante.
Allora dalla (4.54)

 m  2 N A cos N m

dove m   / 2 è l’estremo inferiore della banda passante come mostrato in fig. 4.7. Allora

 1

1    N
m  cos    
1  m
(4.60)
2 A 
  

e usando la (4.39) si ha la larghezza di banda normalizzata ad f0:

 1

f
2
 f0  fm  2
4m 4
 2  cos  

1  1  m
 N

 (4.61)
f0 f0   2  A  
 

208
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

4.10 Trasformatore di adattamento multisezione di Chebyshev

A differenza dell’adattatore binomiale, il trasformatore di Chebyshev ottimizza la

larghezza di banda a spese di un’ondulazione in banda passante. Se può essere tollerata una
tale caratteristica in banda passante, la larghezza di banda del trasformatore di Chebyshev
sarà sostanzialmente migliore di quella del trasformatore binomiale, per un dato numero di
sezioni. Il trasformatore di Chebyshev è progettato uguagliando    a un polinomio di
Chebyshev che ha le caratteristiche necessarie per questo tipo di trasformatore. Pertanto noi
prima discuteremo le proprietà dei polinomi di Chebyshev e quindi discuteremo una
procedura di progetto per i trasformatori di Chebyshev usando la teoria delle piccole
riflessioni del paragrafo 4.8.

4.10.1 Polinomi di Chebyshev

Il polinomio di Chebyshev di grado n è un polinomio di grado n ed è denotato con

Tn  t  . I primi quattro polinomi di Chebyshev sono

T1  x   x (4.62a)
T2  x   2 x 2  1 (4.62b)
T3  x   4 x  3x
3
(4.62c)
T4  x   8 x 4  8 x 2  1 (4.62d)

I polinomi di ordine superiore possono essere calcolati usando la formula ricorsiva seguente

Tn  x   2 xTn 1  x   Tn  2  x  (4.63)

Fig. 4.11: I primi quattro polinomi di Chebyshev, Tn (x) .

209
 Appunti di microonde

I primi quattro polinomi sono rappresentati in fig.4.11 da cui possono essere derivate le
seguenti proprietà molto utili dei polinomi di Chebyshev:

 Per 1  x  1 , Tn  x   1 . In questo intervallo i polinomi di Chebyshev

oscillano tra 1 . Questa è la proprietà di ugual ripple e questa regione sarà la
banda passante del trasformatore.
 Per x  1, Tn  x   1 . Questa regione rappresenta il l'intervallo di frequenza
esterno alla banda passante del trasformatore.
 Per x  1, Tn  x  aumenta velocemente con x, all’aumentare di n.
Sia ora x  cos per x  1 . Si può dimostrare che i polinomi di Chebyshev
possono essere espressi da:
c
o
s

Tn     cosn

o più generalmente come:

Tn  x   cos  ncos 1 x  per x  1 (4.64a)

Tn  x   cosh  ncosh 1  x   per x  1 (4.64b)

Per avere uguale ripple nella banda passante del trasformatore, sarà necessario
rappresentare m in x  1 e   m in x  1 , dove m e  -m sono le estremità inferiore
e superiore della banda passante, come mostrato in fig. 4.7.
Ciò può essere ottenuto sostituendo cos nella (4.64a) con cos / cosm :

 cos   1  cos 
Tn    Tn  secm cos   cosn cos   (4.65)
 cos m    cosm  

Allora sec m  cos    1 per m      m ,pertanto Tn  secm cos   1 su

questo stesso intervallo.
Poiché cos n può essere espanso in una serie di termini della forma cos  n  2m   ,
i polinomi di Chebyshev della (4.62) possono essere riscritti nella forma utile seguente

T1  secm cos   secm cos (4.66a)

210
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

T2  secm cos   sec 2m 1  cos 2   1 (4.66b)

T3  secm cos   sec3m  cos3  3cos   3secm cos (4.66c)
T4  secm cos   sec m  cos 4  4cos 2  3  4sec m  cos 2  1  1 (4.66d)
4 2

I risultati precedenti possono essere usati per progettare trasformatori di adattamento

con quattro sezioni di adattamento.

4.10.2 Progetto di trasformatori di Chebyshev

Possiamo, ora, sintetizzare un trasformatore passa banda ad ugual-ripple di

Chebyshev, prendendo    proporzionale a TN  secm cos  dove N è il numero di
sezioni nel trasformatore. Allora usando la (4.52):

    2e  jN  0 cosN  1cos  N  2      N cos  N  2    

 Ae  jN TN  secm cos  (4.67)

dove l’ultimo termine nella serie della (4.67) è

1
 N , per N pari, e  N-1 cos , per N dispari.
2 2 2

Come nel caso del trasformatore binomiale, noi possiamo trovare la costante A
ponendo   0 , corrispondente a frequenza zero. Allora

Z L  Z0
  0   ATN  secm 
Z L  Z0

Così risulta

Z L  Z0 1
A  (4.68)
Z L  Z 0 TN  secJ m 

Ora se l’ampiezza del coefficiente di riflessione massima possibile nella banda

passante è  m , allora dalla (4.67) otteniamo  m  A poiché il valore massimo di
Tn  secm cos  nella banda passante è unitario.

211
 Appunti di microonde

Allora dalla (4.68) e per le approssimazioni introdotte nel precedente paragrafo, m

è determinato come:

1 Z L  Z0 1 Z
TN  secm    ln L
 m Z L  Z 0 2 m Z 0

o usando la (4.64b):

1  1 Z L  Z0  1  ln  Z L / Z 0  
secm  cosh  cosh 1  1
   cosh  cosh    (4.69)
 N  m Z L  Z0    N  2 m  

Una volta noto m , la larghezza di banda riferita a f 0 può essere calcolata dalla
(4.39) come:

f 4
2 m (4.70)
f0 

Dalla (4.67), i  m possono essere determinati usando i risultati della (4.66) per
espandere TN  secm cos  eguagliando i termini simili della forma cos  N  2n   .
Le impedenze caratteristiche Z n possono essere trovate dalla (4.49) sebbene come
nel caso del trasformatore binomiale, l’accuratezza può essere migliorata e si può
raggiungere l’auto-consistenza usando l’approssimazione:

1 Z 
 n  ln  n+1 
2  Zn 

I precedenti risultati sono approssimati ma sono abbastanza generali per progettare

trasformatori con un livello di ripple arbitrario  m .
La tab. 4.2 dà i risultati esatti per alcuni valori specifici di
Γ m per N = 2,3 e 4 sezioni.

212
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

Tab. 4.2: Progetto del trasformatore di Chebyshev.

4.11 Linee rastremate

Nei precedenti paragrafi abbiamo discusso come una impedenza di carico reale
arbitraria possa essere adattata alla linea su una desiderata larghezza di banda, usando un
trasformatore di adattamento multisezione. All’aumentare del numero N di sezioni, le
variazioni dello step nell’impedenza caratteristica tra le sezioni diventano sempre più
piccole. Allora al limite di un numero infinito di sezioni, si ottiene una linea rastremata
continua.
In pratica, un trasformatore per adattamento deve avere una lunghezza finita, spesso
non deve essere lungo più di alcune sezioni. Anziché essere a sezioni discrete, la linea può
essere rastremata in maniera continua come mostrato in fig.4.12a.

213
 Appunti di microonde

Fig. 4.12: Sezione di un adattatore a linea di trasmissione rastremata e modelloequivalente per una
lunghezza incrementale di una linea rastremata. a) Sezione della linea rastremata di adattamento. b)
Modello per un cambiamento a gradino di impedenza per una linea rastremata.

Variando il tipo di rastremazione si possono definire differenti caratteristiche

passabanda. In questo paragrafo sarà descritta una teoria approssimata, basata sulla teoria
delle piccole riflessioni, che predice la risposta del coefficiente di riflessione in funzione
della rastremazione dell’impedenza Z(z). Applicheremo quindi questi risultati ad alcuni
comunissimi tipi di rastremazione.
Studieremo la linea rastremata continua di fig. 4.12a costituita da un certo numero di
sezioni incrementali di lunghezza Z con una impedenza di carico Z  z  tra una sezione
e la successiva come mostrato in fig. 4.12b. Allora il coefficiente di riflessione
incrementale dello step in z è dato da

 Z  Z   Z Z
   (4.71)
 Z  Z   Z 2Z

Al limite z  0 abbiamo un differenziale esatto

dZ 1 d  ln  Z z / Z 0  
d   dz (4.72)
2Z 2 dz
poiché
d 1 d
ln  f  z     f  z
dz f dz

Usando la teoria delle piccole riflessioni, il coefficiente di riflessione totale in z  0 può

essere calcolato sommando tutti i coefficienti di riflessione parziali con le loro rispettive
deviazioni di fase

d  Z 
L
1
     e 2 j  z ln   dz (4.73)
2 z 0 dz  Z 0 

214
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

dove   2  L . Pertanto, se è noto Z  z  , si può calcolare    in funzione della

frequenza. Alternativamente se è specificato    , allora in linea di principio può essere
calcolato Z  z  . Quest’ultima procedura è difficile ed è generalmente evitata nella pratica.
Consideriamo ora tre casi speciali di rastremazioni di impedenze Z  z  e valutiamo
le risposte risultanti.

4.11.1 Taper esponenziale

Consideriamo prima una rastremazione esponenziale dove

Z  z   Z 0 e z per 0  z  L (4.74)

come mostrato in fig. 4.13a.

Fig. 4.13: Sezione di adattamento con una rastremazione esponenziale. a) Variazione di impedenza.
b) Risposta dell’ampiezza del coefficiente di riflessione.

In z  0, Z  0   Z 0 come desiderato. In z  L , deve essere Z L  Z 0 e L che

determina la costante  come

1  ZL 
 ln   (4.75)
L  Z0 

Calcoliamo    introducendo la (4.74) e (4.75) nella (4.73):

Z  Z 
ln  L  L ln  L 
sin  L
L
1 2 j  z d Z Z
 lne z  d z   0   e 2 j  z d z   0  e  j  L
2 0
 e
dz 2L 0 2  L
(4.76)

215
 Appunti di microonde

Osserviamo che questa derivazione assume che  , la costante di propagazione della

linea rastremata non è funzione di z, una ipotesi che è generalmente valida solo per linee
TEM.
L’ampiezza del coefficiente di riflessione nella (4.76) è rappresentata in fig.4.13b:
notiamo che i picchi in  decrescono all’aumentare della lunghezza, come ci si aspetta, e
che la lunghezza dovrebbe essere maggiore di  / 2  L    per minimizzare il
disadattamento a frequenze basse.

4.11.2 Taper triangolare

d  Z 
Consideriamo ora una rastremazione triangolare per ln   , cioè:
dz  Z 0 

 Z e 2 z / L  ln Z L / Z0 
2

 0 per 0  z  L/2
Z z   (4.77)
 4 z / L  2 z 2 / L2 1 ln Z L / Z0 
 Z0 e per L 2  z  L

Allora

 4 z / L2  ln  Z L / Z 0  per 0  z  L/2
d  lnZ / Z 0  
  4 4 z   Z  L (4.78)
dz   2  ln  
L
per zL
 L L   0 Z 2

Z  z  è diagrammato in fig.4.14a.

Fig. 4.14: Sezione di adattamento con rastremazione triangolare per d  lnZ Z o  dz . a) Variazione
dell’impedenza. b) Risposta dell’ampiezza del coefficiente di riflessione risultante.

216
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

Valutando  della (4.73) si ha

2
1  Z   sin   L / 2  
    e j  L ln  L    (4.79)
2  Z 0     L / 2  
L’ampiezza di  è mostrata in fig. 4.14b. Notiamo che per  L  2 i picchi della
rastremazione triangolare sono più bassi dei corrispondenti picchi del caso esponenziale.
Ma il primo zero per la rastremazione triangolare si ha per  L  2 , mentre per la
rastremazione esponenziale si ha per  L   .

4.11.3 Taper di Klopfenstein

Consideriamo il fatto che c’è un numero infinito di possibilità per scegliere una
rastremazione di adattamento di impedenza ed è logico chiedersi se esiste un progetto che si
possa dire ‘migliore’. Per una data lunghezza di rastremazione (maggiore di un certo valore
critico) la rastremazione di impedenza di Klopfenstein si è rivelato ottimale, nel senso che il
coefficiente di riflessione è minimo nella banda passante. Alternativamente, per uno
specificato coefficiente di riflessione massimo nella banda passante, la rastremazione di
Klopfenstein dà la sezione di adattamento più corta.
La rastremazione di Klopfenstein deriva da un trasformatore di Chebyshev a step al
tendere del numero di sezioni all’infinito ed è analogo alla distribuzione di Taylor della
teoria delle schiere di antenna. In questa sede non saranno derivati i dettagli della
derivazione che possono essere trovati in letteratura. Saranno riportati di seguito i risultati
necessari per il progetto delle rastremazioni di Klopfenstein.
Il logaritmo della variazione di impedenza caratteristica per la rastremazione di
Klopfenstein è dato da

1 0  2z 
lnZ  z   ln  Z 0 Z L   A2    1, A  per 0  z  L (4.80)
2 coshA  L 

dove la funzione   x, A  è definita come:

  x, A      x, A   
x

I1 A 1  y 2  dy per x  1 (4.81)
0 A 1  y2

dove I1  x  è la funzione di Bessel modificata. Questa funzione assume i seguenti valori speciali:

  0, A   0

217
 Appunti di microonde

x
  x,0  
2
cosh  A   1
 1, A  
A2
ma in altri punti deve essere valutata numericamente.
Il coefficiente di riflessione risultante è dato da

  L
2
cos  A2
     0 e  j L
per  L  A (4.82)
coshA

  L  A2 diventa cosh A2    L  . In (4.80) e

2 2
Se  L  A , il termine cos
(4.82), Γ0 è il coefficiente di riflessione alla frequenza zero dato da

Z L  Z0 1  Z L 
0   ln   (4.83)
Z L  Z0 2  Z0 

La banda passante è definita per  L  A e quindi il ripple massimo in banda passante è

0
m  (4.84)
coshA
poiché    oscilla tra   0 / coshA, per  L  A.
E’ interessante notare che la rastremazione di impedenza della (4.80) ha due gradini
in z  0 e L , le estremità della sezione rastremata, e quindi non congiunge dolcemente
impedenza di carico e sorgente.

4.12 Il criterio di Bode-Fano

In questo capitolo sono state discusse diverse tecniche per adattare un carico
arbitrario a una singola frequenza, usando elementi concentrati, stub e trasformatori  / 4 a
singola sezione.
Sono stati quindi presentati i trasformatori/adattatori multisezione e linee rastremate
come un mezzo per ottenere larghezze di banda maggiori con differenti caratteristiche in
banda passante. Chiuderemo ora il nostro studio sull’adattamento di impedenze con una
discussione qualitativa sui limiti teorici che inficiano le prestazioni di una rete di
adattamento di impedenze. Limitiamo la nostra discussione al circuito in fig. 4.15 in cui una
rete senza perdite è utilizzata per adattare un carico complesso arbitrario, generalmente su
una larghezza di banda diversa da zero.

218
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

Fig. 4.15: Rete senza perdite usata per adattare un carico complesso.

Da un punto di vista generale ci possiamo chiedere:

 Può essere raggiunto un adattamento perfetto (riflessione zero) su una specifica
larghezza di banda?
 Se no, come si può fare al meglio? Qual è il compromesso tra  m , massimo
coefficiente di riflessione ammesso in banda passante, e la larghezza di banda?
 Quanto complessa può essere una rete di adattamento per una data specifica?
A queste domande si può rispondere con il criterio di Bode-Fano che dà per certi tipi
canonici di impedenze di carico, un limite teorico alla ampiezza del coefficiente di
riflessione minimo che può essere ottenuto con una rete di adattamento arbitraria. Il criterio
di Bode-Fano, allora, rappresenta il risultato ottimale che può essere idealmente raggiunto,
anche se tale risultato in pratica potrà essere solo approssimato. Tali risultati ottimi sono
comunque sempre importanti poiché danno il limite superiore delle prestazioni e forniscono
un termine di paragone con cui si può confrontare il progetto pratico.

Fig. 4.16: I limiti del metodo di Bode-Fano per carichi RC e RL adattati a reti passive e priva di
perdite ( ωo è la frequenza centrale della larghezza di banda di adattamento). a) RC parallelo. b) RC
serie. c) RL parallelo. d) RL serie.

219
 Appunti di microonde

La fig. 4.16a mostra una rete senza perdita usata per adattare una impedenza di
carico RC parallelo.
Il criterio di Bode-Fano stabilisce che

1 
 ln    d  RC
0
(4.85)

dove    è il coefficiente di riflessione visto guardando nella rete di adattamento senza

perdite arbitraria.
Supponiamo di voler sintetizzare una rete di adattamento con una risposta del
coefficiente di riflessione come mostrata in fig. 4.17a.

Fig. 4.17: Illustrazione del criterio di Bode-Fano. a) Possibile risposta del coefficiente di riflessione.
b) Risposta non realizzabile e realizzabile del coefficiente di riflessione.

Applicando la (4.85) a questa funzione si ha


1 1 1 
 ln  d   ln 
0  m
d   ln 
 m RC
(4.86)

che porta alle seguenti conclusioni

220
 Capitolo 4: Sistemi di adattamento

 Per un dato carico (prodotto fisso RC) può essere ottenuta una larghezza di banda
maggiore, solo a spese di un coefficiente di riflessione più alto nella banda
passante   m  .
 Il coefficiente di riflessione nella banda passante non può essere zero a meno che
  0 . Allora può essere raggiunto un perfetto adattamento solo in un numero
finito di frequenze come illustrato in fig. 4.17b.
 All’aumentare di R e/o di C, la qualità dell’adattamento   e/o 1/ m  deve
diminuire. Allora, circuiti a Q-elevato sono intrinsecamente più difficili da
adattare di circuiti a Q-inferiori.
Poiché ln 1/   è proporzionale al Return Loss (in dB) all’ingresso della rete di
adattamento, la (4.85) può essere interpretata come condizione per cui l’area tra la curva del
Return Loss e l’asse   1  Return Loss  0 dB  deve essere minore o uguale a una
costante, il che implica che la curva del Return Loss deve essere aggiustata in maniera che
   m sulla banda passante e   1 in ogni altro punto, come mostrato in fig. 4.17a. In
questa maniera non c’è area sotto la curva del Return Loss all’esterno della banda passante
o perduta nelle regioni entro la banda passante per cui    m . La risposta a forma
quadrata di fig. 4.17a è allora la risposta ottima che non può essere realizzata in pratica
poiché essa richiederà un numero infinito di elementi nella rete di adattamento. Essa può
essere approssimata comunque con un numero ragionevolmente piccolo di elementi.
Infine notiamo che il trasformatore di adattamento di Chebyshev può essere
considerato come un’approssimazione molto vicina alla banda passante ideale di fig. 4.17a
quando il ripple della risposta di Chebyshev è uguale a  m . La fig. 4.16 elenca i limiti di
Bode-Fano per altri tipi di carichi RC e RL.

221