PROGRAMMAZIONE DI UNO STRUMENTO VIRTUALE PER LO STUDIO SPERIMENTALE DI AFFIDABILITÀ A LUNGO TERMINE DI CIRCUITI E DISPOSITIVI DI POTENZA A SEMICONDUTTORE

Alma Mater Studiorum - Università di Bologna
Campus di Cesena
Dipartimento di
Ingegneria dell’Energia Elettrica e dell’Informazione
"Guglielmo Marconi"
Corso di Laurea in
Ingegneria elettronica per l’energia e l’informazione
PROGRAMMAZIONE DI UNO STRUMENTO

VIRTUALE PER LO STUDIO SPERIMENTALE
DI AFFIDABILITÀ A LUNGO TERMINE
DI CIRCUITI E DISPOSITIVI
DI POTENZA A SEMICONDUTTORE
Elaborato in
Laboratorio di Dispositivi e Impianti Fotovoltaici
Relatore:
Prof. MAURO ZANUCCOLI Presentata da:
MORENA FABOZZI
Correlatore:
Dott. GIUSEPPE CAPASSO
Anno Accademico 2020/2021

Sommario
Negli ultimi anni, il campo dell’elettronica di potenza si sta focalizzando sullo

studio di materiali alternativi, come i semiconduttori wide band-gap, che con-
sentono migliori prestazioni rispetto al più comune silicio. Tuttavia, allo stato
dell’arte non è ancora disponibile una trattazione completa e definitiva riguar-
do l’affidabilità a lungo termine di tali materiali, fattore chiave per l’elettronica
di potenza.
Scopo di questa tesi è fornire un contributo allo studio sperimentale dell’af-
fidabilità a lungo termine di transistori al nitruro di gallio (GaN) attraverso
una caratterizzazione in-situ, stressando i dispositivi attraverso un circuito di
conversione DC-DC di tipo Buck. In particolare, l’elaborato si concentra sulla
realizzazione di un sistema automatico di caratterizzazione, implementato da
uno strumento virtuale programmato in LabVIEW, in grado di gestire il siste-
ma di acquisizione e di garantire un’accurata sincronizzazione degli strumenti
utilizzati per la realizzazione del setup sperimentale.
Il sistema deve eseguire prove in condizioni di degrado accelerato consenten-
do l’acquisizione sperimentale di caratteristiche DC ai terminali dei transistori
dopo determinati periodi di funzionamento da convertitore, garantendo una
corretta gestione e monitoraggio delle condizioni di potenziale guasto al fi-
ne di permettere lo svolgimento dello studio in sicurezza. Per la validazione
dello strumento sono state effettuate delle misure preliminari di efficienza del
convertitore e di caratterizzazione dei dispositivi e confrontate con le carat-
teristiche fornite dai costruttori. Dai risultati ottenuti si può affermare che
tale strumento facilita il processo automatico di acquisizione in presenza di un
banco di misura di significativa complessità, garantendo ripetibilità ed accu-
ratezza in termini temporali, affidabilità di gestione complessiva e possibilità
di monitoraggio di un numero elevato di parametri elettrici.
Indice
1 Introduzione 1
1.1 Caso di studio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2 Automatic Test Equipment 9

2.1 Setup di misura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1.1 Monitoraggio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.2 Caratterizzazione statica . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2 Matrice di relè . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
3 Strumento Virtuale 21
3.1 Diagramma di flusso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.2 Ambiente di sviluppo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.3 Descrizione del software . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.3.1 Main . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.3.2 Init . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.3.3 Startup/Shutdown . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.3.4 DC-DC Converter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.3.5 Caratterizzazione I-V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
4 Validazione e Risultati 47
4.1 Efficienza e Temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.2 Caratterizzazione DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5 Conclusioni 57
III
Capitolo 1
Introduzione
L’elettronica di potenza si occupa della conversione e del controllo del flusso di

energia elettrica, fornendo tensioni e correnti adattabili alle esigenze del carico.
Dalla sua nascita, fatta risalire all’invenzione del raddrizzatore controlla-
to al silicio (SCR, Silicon Controlled Rectifier ) nel 1956, questo settore è in
continua evoluzione. Grazie ai miglioramenti nel campo della microelettroni-
ca e ai progressi nella tecnologia di fabbricazione dei componenti di potenza
a semiconduttore, sono stati sviluppati molti dispositivi elettronici per sod-
disfare efficientemente le richieste di mercato, sia in termini di prestazioni in
potenza, sia di frequenza di commutazione [1]. Tale sviluppo permette di far
fronte alle esigenze di gestione e conversione dell’energia elettrica richieste nei
sistemi moderni per l’implementazione di funzioni sempre più complesse. Per
tale motivo, oggigiorno l’elettronica di potenza svolge un ruolo centrale nel
mercato sempre più vasto dell’energia, essendo presente nella maggior parte
delle applicazioni in cui viene impiegata tale forma di energia.
Negli ultimi anni, si può osservare un aumento della richiesta di energia
elettrica come conseguenza dello sviluppo tecnologico. Si stima che la domanda
mondiale di elettricità è destinata a crescere di quasi il 5 % nel 2021 e del 4 %
nel 2022 [2].
Tra le cause di questa tendenza globale, si possono sottolineare lo sviluppo
di moderne tecnologie quali l’Internet of Things (IoT), il processo di moder-
nizzazione e digitalizzazione legata all’industria 4.0 e l’incremento della fabbri-
cazione di auto elettriche. Questo andamento ha portato, nell’ultimo periodo,
a concentrarsi su due temi molto urgenti in ambito energetico finalizzati alla
1
CAPITOLO 1. INTRODUZIONE
Figura 1.1: Cambiamenti globali nella domanda di elettricità, 2015-2022 [2].
riduzione delle emissioni di CO2 in atmosfera: lo sviluppo di fonti di energia

rinnovabile e l’aumento dell’efficienza di conversione dell’energia [3].
Si possono illustrare brevemente diversi circuiti di potenza che svolgono un
ruolo fondamentale negli ambiti sopracitati:
• Convertitore: termine generale per definire un circuito elettronico di po-

tenza, costituito da dispositivi di potenza a semiconduttore con la funzio-
ne di interruttori, impiegato per la gestione e la conversione dell’energia
elettrica. I convertitori possono essere classificati in quattro categorie
secondo il tipo di potenza di ingresso e di uscita, ognuna con le pro-
prie applicazioni, se ne citano alcune come esempio: convertitori DC-
DC, utilizzati per l’isolamento elettronico, per la correzione del fattore
di potenza, per mantenere la tensione d’uscita fissa a un certo livello;
convertitori AC-DC, utilizzati per il trasferimento di energia quando un
dispositivo elettronico è collegato alla rete elettrica; convertitori AC-AC,
utilizzati per modificare sia il livello di tensione sia la frequenza nelle reti
di distribuzione della potenza.
2
• Inverter: un convertitore DC-AC che trasferisce potenza da una sorgente
DC ad un carico alimentato in AC, controllando l’ampiezza, la frequen-
za e il tipo di forma d’onda in uscita. In base al tipo di sorgente (di
tensione o di corrente), si classificano rispettivamente in invertitori di
tensione, o a tensione impressa, e invertitori di corrente, o a corrente
impressa. Gli invertitori hanno molteplici applicazioni, molte delle quali
inerenti ai temi affrontati precedentemente. Vengono, infatti, utilizzati
nella trasmissione di energia elettrica - convertendo l’energia in DC tra-
sferita negli elettrodotti per essere immessa nella rete in AC -, nei motori
elettrici per la variazione di velocità, nell’utilizzo di pannelli fotovoltai-
ci - trasformando la tensione continua ricavata in tensione alternata da
utilizzare per uso domestico o da immettere sulla rete di distribuzione -
o per altri impianti di produzione di energia da fonti rinnovabili.
• Azionamento elettrico: un sistema che produce, in maniera automatica,

il moto desiderato di un carico meccanico attraverso la conversione di
energia da elettrica (ingresso) a meccanica (uscita). Ogni azionamento
elettrico è composto da un motore elettrico, un convertitore statico e un
dispositivo di controllo. In generale, il movimento desiderato viene co-
municato al circuito di controllo in modo da essere confrontato - tramite
un ramo di retroazione - con l’informazione restituita dal motore elettri-
co. Se i due segnali differiscono, il controllore elabora un’adeguata azione
di controllo tale da ottenere il comportamento desiderato. Il convertito-
re riceve in ingresso il segnale di controllo ed alimenta opportunamente
il motore elettrico. Questo tipo di dispositivo può essere utilizzato in
diversi campi, quali i trasporti (aerei, automobili elettriche ed ibride, na-
vi, treni, ecc.), la robotica, i macchinari industriali ma anche macchine
comuni ad uso domestico quali gli elettrodomestici.
Conseguentemente risulta fondamentale la ricerca e lo sviluppo di nuo-

ve tecnologie o topologie dei circuiti elettronici di potenza illustrati tali da
ottenere una maggiore efficienza e affidabilità. A tal proposito, si ritiene par-
ticolarmente importante, date le richieste del mercato, sviluppare convertitori
di potenza DC-DC (corrente continua) avanzati di minimo ingombro e peso
contraddistinti da elevata efficienza, velocità di commutazione e densità di po-
tenza. Da una parte il silicio - storicamente più utilizzato per la realizzazione
3
di dispositivi a semiconduttore per applicazioni di potenza - è un materiale

le cui proprietà di affidabilità a lungo termine sono note, dall’altra i disposi-
tivi realizzati con semiconduttori wide band-gap (es. Nitruro di Gallio GaN,
Carburo di Silicio SiC) offrono prestazioni estremamente interessanti rispetto
al silicio, ma dal punto di vista dell’affidabilità a lungo termine - fattore fon-
damentale per l’elettronica di potenza e per la penetrazione nel mercato degli
stessi dispositivi - ad oggi è presente un’oggettiva carenza di informazioni.
101
Si Limit
100
SiC Limit
RON ( Ω mm2)
10-1
GaN Limit
10-2
10-3
10-4
101 102 103 104
Breakdown Voltage (V)
Figura 1.2: Resistenza RON teorica in funzione della tensione di breakdown
per GaN, Si e SiC [4].
I dispositivi al SiC e al GaN sono caratterizzati da un band-gap più ampio

di energia tra la banda di valenza e la banda di conduzione che permette loro
di lavorare anche a temperature maggiori senza avere danneggiamenti. Con
alti valori di campi critici di breakdown, alta frequenza di commutazione, alta
conducibilità termica e resistenza di valore relativamente più basso rispetto a
MOSFET di potenza in silicio, questi dispositivi riescono a sostenere tensio-
ni più elevate e maggiore densità di potenza elettrica con dimensioni ridotte
rispetto a quelli basati sul silicio (vedi Figura 1.2 e Tabella 1.1). Dati i van-
taggi di queste nuove tecnologie, assume un ruolo fondamentale lo studio di
affidabilità nel momento in cui questi dispositivi iniziano a fare la comparsa o
comunque si prevede di utilizzarli nell’ambito dei circuiti di potenza. Questo
elaborato si concentrerà, a meno di una breve introduzione sul dispositivo di
4
1.1. CASO DI STUDIO
Tabella 1.1: Confronto caratteristiche GaN, Si e SiC [4]
Proprietà GaN Si SiC

Band Gap EG (eV) 3.4 1.12 3.2
Campo Elettrico Critico EBR (MV cm−1 ) 3.3 0.3 3.5
Velocità di Saturazione VSAT (1 × 107 cm s−1 ) 2.5 1.0 2.0
Mobilità Elettronica µ (cm2 V−1 s−1 ) 2000 1500 650
Conducibilità Termica k (W cm−2 K−1 ) 1.5 4.5 1.3
interesse, sullo studio sperimentale di affidabilità a lungo termine di tali di-

spositivi e, in particolare, sull’automatizzazione del banco di misura utilizzato
per la caratterizzazione.
1.1 Caso di studio

Il circuito elettronico di potenza individuato, tra le applicazioni più comuni
del mercato in particolare in ambito automotive, è un convertitore DC-DC
di tipo buck sincrono con le seguenti caratteristiche: tensione di ingresso di
48 V, tensione di uscita di 12 V, potenza di uscita di 50 W - 100 W e frequen-
za di commutazione di 100 kHz - 1 MHz. Tale applicazione, in ambito auto-
motive, permette un’elettrificazione del veicolo in modo efficiente, riducendo
l’ingombro e il peso dei cablaggi.
In generale, i convertitori DC-DC a commutazione sono impiegati per tra-
sformare la tensione continua d’ingresso in una tensione continua d’uscita re-
golata al livello desiderato, più basso del livello in ingresso per il tipo buck.
Il circuito impiega due transistori, opportunamente comandati da un segnale
modulato tramite larghezza di impulso (PWM, Pulse Width Modulation), in
modo da passare ciclicamente da uno stato off a uno stato on a bassissima
resistenza.
Uno degli aspetti critici del circuito, tralasciando le induttanze parassite e
tutte le altre problematiche di progettazione del layout in quanto non oggetto
di questo elaborato, riguarda il comportamento dei transistori di potenza. Lo
scopo del progetto, da cui discende quest’attività di tesi, mira allo studio di
affidabilità di dispositivi di potenza realizzati con materiali semiconduttori
innovativi. In questo caso di studio, i dispositivi di interesse sono dispositivi
5
commerciali al nitruro di gallio (GaN) ad alta mobilità elettronica (HEMT,

High Electron Mobility Transistor ).
I dispositivi GaN sono soggetti in questa tipologia di circuito a diverse sol-
lecitazioni le quali causano un graduale degrado delle prestazioni elettriche di
questi componenti fino alla rottura. I transistori di potenza utilizzati in que-
ste applicazioni, infatti, lavorano in condizioni particolarmente stressanti, con
velocità di commutazione elevate e sottoposti a continue variazioni di tensione
e di corrente tra uno stato e l’altro.
Sono stati condotti numerosi studi sulla caratterizzazione dell’affidabilità
di questi dispositivi nei quali sono state simulate possibili situazioni di stress
termico ed elettrico attraverso la caratterizzazione dei singoli dispositivi ancora
su wafer (quindi senza package ed isolati da qualunque rete elettrica). Sono
esempi i lavori [5, 6] in cui i singoli dispositivi sono stati stimolati con segnali
elettrici (esempio impulsi controllati sul gate a determinate tensioni di off)
condotti in condizioni di stress accelerato (temperatura relativamente più alta
di quella ambiente per favorire la formazione di stati trappola e difetti nei
materiali). Si ritiene che, nonostante le tecniche utilizzate siano innovative e
avanzate, questa trattazione possa essere potenzialmente limitante in quanto
il funzionamento in un circuito di potenza reale può portare, in alcuni casi, a
fenomeni imprevisti che, invece, devono essere considerati.
A tal proposito, si è deciso di procedere con una caratterizzazione in-situ,
ovvero una misura delle grandezze d’interesse - e il loro relativo degrado - quan-
do i dispositivi d’interesse sono collocati e operano all’interno di un circuito
reale. In tal caso i dispositivi sono infatti soggetti a di/dt, tensioni di off ed
intensità di correnti tipiche dei circuiti reali - in particolar modo nel caso dei
circuiti di tipo hard-switching come il buck converter - che difficilmente po-
trebbero essere riprodotte nel caso di caratterizzazione con singolo dispositivo
isolato su probe station. Questa metodologia permette di valutare l’affidabi-
lità a lungo termine in maniera più accurata, testando il comportamento dei
dispositivi di potenza in condizioni operative reali e ottenendo maggiori in-
formazioni relativamente ai fenomeni che possano incidere sul loro tempo di
vita.
Dopo aver inquadrato l’ambito e il circuito a semiconduttore di potenza,
si prosegue verso lo studio di affidabilità tramite la caratterizzazione speri-
6
1.1. CASO DI STUDIO
mentale sopra descritta. In particolare, l’obiettivo di questa tesi è quello di

sviluppare uno strumento virtuale mediante LabVIEW per implementare un
banco automatico di misura in grado di acquisire le caratteristiche elettriche
I-V di transistori di potenza e monitorare, durante il funzionamento da con-
vertitore, tutte le grandezze tipiche di questa tipologia di circuito: efficienza,
tensioni, correnti e temperature d’interesse. Infatti, negli studi di affidabilità
con condizioni di degrado accelerato in laboratorio, è fondamentale esegui-
re prove ripetute nel tempo a cadenze temporali ben precise e rispettando
determinate sequenze di attivazione dei vari segnali elettrici. Solo un banco
automatico di misura - in luogo con un operatore umano - è in grado di gestire
in modo efficace e rigoroso tutto il processo di acquisizione e caratterizzazione.
Nel capitolo 2 si illustra il sistema di collaudo automatico (ATE, Automatic
Test Equipment), ovvero tutti quei sistemi e strumenti - nonché il cablaggio -
utilizzati nel setup sperimentale di misura per collaudare il circuito. Nel ca-
pitolo 3 si descrive lo strumento virtuale, partendo dall’algoritmo che delinea
le varie fasi di lavoro. Nel capitolo 4 si presentano e si discutono i risultati
ottenuti dallo strumento virtuale. L’elaborato si conclude con le conclusioni.
7
Capitolo 2
Automatic Test Equipment
In questo capitolo viene discusso il progetto del sistema di misura che si occupa
del monitoraggio delle figure di merito del convertitore e dell’acquisizione delle
caratteristiche ai terminali dei transistori di potenza. Il setup di misura deve
includere un blocco che permetta di cambiare la modalità di funzionamento
del circuito, ovvero avere la possibilità di passare da una fase di operatività
(modalità convertitore di potenza) ad una fase di caratterizzazione dei com-
ponenti analizzati, isolandoli dalla rete principale per il solo tempo necessario
alla caratterizzazione. In generale è preferibile non interrompere la fase ope-
rativa per un tempo più lungo di quello necessario onde evitare il recupero di
difetti a breve termine, cioè dovuti a trappole elettroniche nei materiali che
hanno tempi di rilassamento relativamente brevi, fermo restando - per com-
pletezza e chiarezza - che lo studio di affidabilità ha come obiettivo in realtà lo
studio del degrado a lungo termine (tempi di recupero importanti) o non più
recuperabile.
Nel seguito viene pertanto descritto il banco di misura completo, gli stru-
menti utilizzati e la matrice di relé che si occupa della commutazione tra una
fase di lavoro ed un’altra.
2.1 Setup di misura

L’apparato sperimentale allestito in laboratorio è mostrato schematicamente
in Figura 2.1. In seguito si descriveranno inizialmente i blocchi principali
e indispensabili per il test: il circuito da analizzare, l’alimentatore, il carico
9
CAPITOLO 2. AUTOMATIC TEST EQUIPMENT
elettronico e il generatore di forme d’onda. Si illustreranno nella fase successiva

successivamente gli strumenti che permettono di effettuare i due diversi tipi
di misura: i multimetri per il monitoraggio di tensioni e correnti e le Source
Measure Unit (SMU) per la caratterizzazione dei transistori.
PROBES
SWITCH
CIRCUIT
HS L
PSU DMMs INPUT OUTPUT DMMs EL
SWITCH SWITCH
switching
node
GATE
SMUs SWITCH
CIRCUIT LS C
PWM
GENERATOR
Figura 2.1: Schema a blocchi del setup di misura.
Il convertitore buck sincrono viene rappresentato sinteticamente da un

blocco composto da due transistor GaN (High Side, Low Side) usati come
interruttori, un induttore L ed un condensatore C impiegati come filtro di
uscita.
Lo strumento utilizzato per l’alimentazione è l’ITECH IT6516C, una Power
Supply Unit (PSU) da 1800 W, in grado di erogare in uscita una corrente e
una tensione massima rispettivamente di 15 A e 750 V [7]. L’alimentatore viene
configurato in modo da lavorare in modalità tensione costante (CV, Constant
Voltage) imponendo una tensione di 48 V in ingresso al circuito. Possono essere
abilitati e impostati ulteriori limiti interni, tramite i sistemi di protezione da
sovratensione (OVP, Over Voltage Protection) e sovracorrente (OCP, Over
Current Protection), per salvaguardare la sicurezza del circuito a valle.
Come carico elettronico è stato utilizzato l’ITECH IT8902E che presenta
una potenza da 2000 W e un ampia gamma di valori di tensione e corren-
te rispettivamente di 150 V e 200 A [8]. Il dispositivo si comporta come una
resistenza di carico, applicata a valle del convertitore, che permette di im-
postare la corrente desiderata. Si procede poi con la configurazione: viene
selezionata la modalità corrente costante (CC, Constant Current); si imposta-
no i parametri base, se necessario (gamma di valori, valore massimo e minimo
10
2.1. SETUP DI MISURA
di tensione); viene abilitato e impostato l’OCP e, infine, settato il valore di

corrente desiderato.
Il generatore di funzioni scelto è il FLUKE PM5139, strumento in grado di
generare segnali di diversa forma, andando ad agire su alcuni parametri quali
la frequenza, il duty-cycle, l’ampiezza, ecc. [9] Viene utilizzato per creare la
forma d’onda che comanda i driver dei gate dei due transistori. Il segnale
desiderato è un’onda quadra con dinamica [0, 5] V che permette l’accensione
del GaN high side e lo spegnimento del GaN low side durante il periodo di
tempo in cui il segnale è uguale a 5 V, detto TON , e il contrario nel restante
periodo di tempo T − TON , detto TOF F . Si prende un duty-cycle del 25 % in
modo da avere, dato un convertitore che funziona in modo continuo, la tensione
di uscita pari a quella desiderata:
VOU T = VIN · D = 12 V
2.1.1 Monitoraggio
In Figura 2.2 vengono evidenziate le interconnessioni dei quattro multimetri
nella configurazione sia di amperometro che di voltmetro.
A A
PSU V GaN
Driver V EL
Figura 2.2: Schema di collegamento dei DMM.
È stato scelto il FLUKE 45, un Digital MultiMeter (DMM) a 5 cifre con

due display, dei quali se ne utilizza solo uno [10]. Dopo essere stato opportu-
namente configurato impostando la gamma di valori (range) e tasso di letture
(rate), si seleziona il tipo di misura e si attiva la lettura. Per questa attività
devono essere effettuate delle misure DC di tensione e di corrente. I DMM
misurano la tensione e la corrente d’ingresso e di uscita e, di conseguenza, mo-
nitorano l’efficienza lungo il tempo di funzionamento in modalità convertitore.
11
In seguito, si può effettuare un ulteriore controllo sulle correnti, valutando se

superano una certa soglia critica che potrebbe portare a dei danneggiamenti.
La temperatura è, invece, monitorata in modo indiretto attraverso il termi-
store TDK NTCG103JX103DT1S posizionato nel circuito tra i due transistori
[11]. Un termistore è un resistore il cui valore di resistenza dipende dalla tem-
peratura, in particolare - per la tipologia NTC - decresce con l’aumentare della
temperatura secondo la seguente equazione:
B
T2 = (2.1)
B/T1 + ln(R2 /R1 )
dove le temperature sono in kelvin, R1 è la resistenza alla temperatura T1

(misurate prima di effettuare la prova di caratterizzazione) e B è un parametro
specifico per ogni modello. È possibile, in questo modo, tramite una misura
di resistenza R2 stimare la temperatura T2 e, di conseguenza, attraverso un
modello elettrico equivalente del sistema termico stimare la temperatura di
giunzione dei transistori.
Lo strumento scelto è il KEITHLEY 2601, una Source Measure Unit a un
canale [12]. La SMU viene configurata in modo da effettuare una misura di
resistenza a quattro fili, garantendo una precisione maggiore dato il piccolo
valore di resistenza che si può rilevare ad elevate temperature.
2.1.2 Caratterizzazione statica

La caratterizzazione DC consente di ottenere le caratteristiche statiche I-V
dei transistori di potenza in esame e di valutarne lo stato di vita attraverso
l’estrazione dei suoi parametri tipici (corrente di drain, corrente di perdita
attraverso il gate, tensione di soglia, ecc.). Viene effettuata utilizzando il
sistema schematizzato in Figura 2.3, di seguito descritto.
Lo strumento utilizzato è il KEITHLEY 2612B, una Source Measure Unit
a due canali in grado di acquisire automaticamente le caratteristiche corrente-
tensione del dispositivo da analizzare. La SMU, a differenza del DMM, è uno
strumento in grado di ottenere famiglie di curve I-V, riuscendo a combinare
la funzione di generazione con quella di misura in un singolo canale. Nello
specifico, può simultaneamente impostare un segnale di tensione (corrente) e
valutarne l’effetto leggendo il corrispondente segnale di corrente (tensione).
12
2.1. SETUP DI MISURA
SMU
Drain
SMU
Gate
Figura 2.3: Schema di collegamento delle SMU per caratteristica I-V.
È facile immaginare che al gate sarà collegata una SMU per generare (force)
la tensione VGS e misurare (sense) la corrente IG , mentre al drain sarà collegata
un’altra SMU (o un altro canale) per generare la tensione VDS e misurare la
corrente ID . Da sottolineare la tecnica di misurazione: per il drain, dato il
valore di RD ON
del transistore (dal datasheet: RD ON
= 13.5 mΩ (MAX), VDS =
100 V valutata per VGS = 5 V, ID = 11 A), occorre una misura a quattro fili
per evitare che le resistenze di linea e di connessione perturbino la misurazione;
per il gate viene usata una semplice misura a due fili in quanto la corrente -
in assenza di perdite - ha un valore molto basso, non rendendo significative le
possibili cadute di tensione dovute alle piste.
Grazie alla matrice di relè, che commuta opportunamente le piste di col-
legamento del circuito, la SMU a disposizione viene utilizzata per entrambi i
transistori (HS, LS) e i suoi due canali sono collegati nel seguente modo: il
canale A al gate e il canale B al drain. Con tale configurazione si ottengono
quattro caratteristiche, due per transistore:
• ID -VGS a VDS fissata, per valutare il corretto funzionamento del disposi-

tivo;
• IG -VGS a VDS fissata, per monitorare una possibile rottura, contrasse-

gnata da un alto valore di corrente di perdita del gate.
La SMU è connessa al circuito tramite dei cavi triax, garantendo una mag-
giore protezione dalle interferenze. Sul pannello posteriore viene collegato un
connettore triax (compatibile con il modello scelto) su cui insistono i tre ca-
vi attraverso cui circola il segnale. Sulla scheda, che presenta dei terminali
13
coassiali, sono presenti dei connettori BNC per effettuare la conversione da

triassiale a coassiale. I segnali che viaggiano nella scheda sono, quindi, quello
dell’anima e della calza esterna e convergono in specifici punti per poter ef-
fettuare la misura a quattro fili. In Figura 2.4 sono specificati i segnali che
circolano nei tre strati dei tre cavi.
Figura 2.4: Schematico connettore triax SMU [13].
Tutte le apparecchiature di laboratorio appena descritte possono essere re-

golate sia manualmente che in remoto tramite LabVIEW driver. Dati i nostri
obiettivi viene scelta la seconda opzione. Gli strumenti possono, quindi, es-
sere connessi tramite un cavo GP-IB ad un PC dove uno strumento virtuale,
programmato in LabVIEW, è in grado di pilotarli. Lo standard IEEE-488 per-
mette ai dispositivi (massimo quindici, nell’attività ne vengono usati nove) di
condividere un singolo bus, associando a ciascuno di essi un indirizzo univoco.
Con questa soluzione possono essere collegati strumenti diversi utilizzando un
14
2.2. MATRICE DI RELÈ
unico protocollo, ovvero stesse specifiche elettriche, meccaniche e funzionali.

L’implementazione viene descritta in dettaglio nel capitolo 3.
2.2 Matrice di relè

La matrice di switching è composta da relè a due stati SPST (Single Pole Single
Throw, cioè singolo polo e singolo contatto), SPDT (Single Pole Double Throw,
cioè singolo polo e doppio contatto) e DPST (Double Pole Single Throw, cioè
doppio polo e singolo contatto). I relè sono componenti elettromeccanici che
permettono sia il passaggio da uno stato all’altro, sia l’isolamento galvanico
tra i segnali, salvaguardando il sistema di misura da eventuali danni che si
potrebbero avere senza il disaccoppiamento tra ingresso e uscita. Come già
affermato, sono stati utilizzati tre tipi di relè che si comportano rispettiva-
mente come interruttore on-off, deviatore tra due piste e doppio interruttore
controllato da un singolo meccanismo. Tutti i relè vengono pilotati dalla porta
DIGITAL I/O della SMU utilizzata per la misura di resistenza attraverso un
comando di scrittura sull’uscita digitale TTL - eseguibile anche tramite Lab-
VIEW - in modo da configurare le interconnessioni del circuito nelle quattro
modalità di funzionamento desiderate: off, convertitore buck on, caratterizza-
zione transistore HS e caratterizzazione transistore LS. Lo schema utilizzato è
mostrato in Figura 2.5.
La matrice è stata costruita facendo le seguenti considerazioni. Per la carat-
terizzazione dei transistori occorre inizialmente un isolamento del convertitore
dalla rete a valle e a monte, pertanto sono stati integrati degli interruttori in
ingresso e uscita (R17, R16). Successivamente, è necessario interrompere le
piste di connessione al circuito dei relativi terminali di gate, source e drain,
collegandole ai terminali della SMU per la misura. A tal fine, sono stati inseriti
altri dodici relè. In aggiunta, si è osservato sperimentalmente che il filtro d’u-
scita e il gruppo di sei condensatori d’ingresso alterano in maniera significativa
la misura durante la fase di caratterizzazione. I condensatori possono essere
divisi in due raggruppamenti da tre: il primo con capacità circa di 100 nF
vicino al transistore e il secondo con capacità circa di 4.7 µF vicino alla rete,
quello che interferisce maggiormente dato il valore di capacità più elevato a
causa delle relativamente più alte correnti di perdita (leakage). Questa scel-
15
SENSE_H
SMU_DRAIN
FORCE_H
R13 SMU_DRAIN
R14
R12
R15
V_OUT
V_IN
Rx1 GaN HS
L
Rx2 R16
R17 GaN LS Rx3
C_IN1 C_IN2 C_OUT
FORCE_L
SMU_DRAIN
R10 R9 R11 R5 R4
R6
SENSE_L
R1 SMU_DRAIN
Driver_HS Driver_LS R7
FORCE_H FORCE_L
SMU_GATE R2 R8 SMU_GATE
Figura 2.5: Schema circuitale semplificato con relè.
ta di posizionamento a livello di layout è dovuta al fatto che i condensatori a

minore capacità rispondono più velocemente alle variazioni di carica più repen-
tine (è possibile questo anche perché le loro resistenze serie sono relativamente
basse o trascurabili). Le richieste di carica più importanti (ma anche più lente
e pertanto meno critiche in termini di degrado di segnale per la presenza di
elementi parassiti induttivi associati alla pista) vengono pertanto gestite dai
condensatori di capacità più elevata, posti a monte. Data tale configurazione,
si è deciso di inserire due ulteriori relè Rx1 e Rx2 collocati rispettivamente
tra i due sottogruppi di condensatori e tra il GaN low side e prima del filtro
d’uscita, in modo da ridurre le interferenze. Infine, si può aggiungere un terzo
relè per collegare il nodo di switching - che nella fase di caratterizzazione HS
rappresenta il riferimento della SMU - al piano di massa così da uniformare il
riferimento tra la SMU del drain e quello del circuito ed evitare errate appli-
cazioni della tensione VDS . Lo svantaggio di queste modifiche impreviste ma
necessarie è stato il calo dell’efficienza di circa mezzo punto percentuale, do-
vuto per lo più a collegamenti esterni al circuito stampato. Nonostante questo
calo e la criticità del layout per il tipo di setup da realizzare, come si vedrà in
seguito, l’efficienza del convertitore si assesta su valori confrontabili a quelli di
16
mercato non compromettendo il tipo di studio da effettuare.

Una nota riguardo le scelte di progetto: i relè - eccetto quelli in serie ai
percorsi più critici per i quali occorre prevedere la minimizzazione di indut-
tanza parassita (segnale di source del transistore high side, segnali di gate) -
sono posizionati nella scheda esterna al circuito da testare. Infatti lo studio di
affidabilità deve essere svolto in condizioni di stress accelerato come può essere
l’aumento della temperatura di esercizio del convertitore grazie all’ausilio, ad
esempio, di un forno. Questo pone seri problemi nell’individuazione di relè che
riescono a sopportare tali temperature. Pertanto, tutto ciò che non è indispen-
sabile da posizionare in vicinanza della parte di potenza è stato spostato in
una scheda esterna che opera a temperatura ambiente.
Vengono di seguito descritte le configurazioni degli interruttori per i quattro
tipi di funzionamento:
• Off, in Figura 2.6a:
– apertura di tutti gli interruttori a singolo contatto (Rx1, Rx2, R4,

R5, R6, R8, R9, R10, R11, R12, R15, R16);
– chiusura di R1 e R2 verso massa per disalimentare il circuito;
– commutazione di R17 verso il drain del transistore high side;
• Convertitore buck on, in Figura 2.6b:
– chiusura degli interruttori Rx1, Rx2, R4, R9, R11, R16 e R17 verso
il drain del transistore high side per collegare il convertitore alla rete,
sia in ingresso che in uscita e per connettere il gate dei transistori
ai rispettivi driver;
– apertura di tutti gli altri interruttori a singolo contatto e com-
mutazione di R1 verso massa per evitare qualsiasi influenza della
SMU;
• Caratterizzazione del transistore high side, in Figura 2.6c:
– apertura degli interruttori Rx1, Rx2, R4, R9, R11, R16 e R17 com-
mutato verso massa, situazione opposta al caso precedente, per
isolare il circuito dalla rete e dai segnali di pilotaggio esterni;
17
– chiusura di R12 per connettere i pin FORCE_H e SENSE_H e

chiusura di R15 e commutazione di R13 e R14 verso i pin FORCE_L
e SENSE_L per collegare i terminali dell’SMU rispettivamente al
drain e al source del GaN HS in modo da effettuare la misura a
quattro fili;
– chiusura di R10 e R8 e commutazione R1 e R7 verso i connettori
dell’SMU per collegare lo strumento al gate e al source del GaN HS
per la misura a due fili;
– apertura di R6 e chiusura di R5 e di R2 verso massa per garantire,
attraverso l’indirizzamento del proprio gate verso GND, lo stato di
spegnimento del GaN LS, che non deve interferire;
• Caratterizzazione del transistore low side, in Figura 2.6d:
– apertura degli interruttori Rx1, Rx2, R4, R9, R11, R16 e R17
commutato verso massa per le stesse considerazioni fatte nel caso
precedente;
– chiusura di R15 e commutazione di R13 e R14 verso i pin FOR-
CE_H e SENSE_H e chiusura di R6 per connettere i pin FOR-
CE_L e SENSE_L per collegare, in questo caso, i terminali del-
l’SMU rispettivamente al drain e al source del GaN LS in modo da
effettuare la misura a quattro fili;
– chiusura di R5 e R8 e commutazione di R2 e R7 verso i connettori
dell’SMU per collegare lo strumento al gate e al source del GaN LS
per la misura a due fili;
– apertura di R12 e chiusura di R10 e di R1 verso massa per garantire,
attraverso l’indirizzamento del proprio gate verso GND, lo stato di
spegnimento del GaN HS.
18
SENSE_H SENSE_H
SMU DRAIN SMU DRAIN
FORCE_H FORCE_H
SMU DRAIN SMU DRAIN
R13 R13
R14 R14
V_OUT V_OUT
R12
R15
R12
R15
V_IN V_IN
Rx1 GaN HS Rx2 R16 Rx1 GaN HS Rx2 R16
GaN LS L GaN LS L
R17 C_IN1 C_IN2 Rx3 C_OUT R17 C_IN1 C_IN2 Rx3 C_OUT
R10 R9 R11 R5 R4 FORCE_L R10 R9 R11 R5 R4 FORCE_L

SMU DRAIN SMU DRAIN
R6 R6
SENSE_L SENSE_L
SMU DRAIN SMU DRAIN
R1 R1
Driver_HS Driver_LS R7 Driver_HS Driver_LS R7
R8 R8
FORCE_H FORCE_L FORCE_H FORCE_L
SMU_GATE SMU_GATE SMU_GATE SMU_GATE
R2 R2
(a) Off (b) Convertitore buck on

SENSE_H SENSE_H
SMU DRAIN SMU DRAIN
FORCE_H FORCE_H
SMU DRAIN SMU DRAIN
R13 R13
R14 R14
V_OUT V_OUT
R12
R15
R12
R15
V_IN V_IN

Rx1 GaN HS Rx2 R16 Rx1 GaN HS Rx2 R16
GaN LS L GaN LS L
R17 C_IN1 C_IN2 Rx3 C_OUT R17 C_IN1 C_IN2 Rx3 C_OUT
R10 R9 R11 R5 R4 FORCE_L R10 R9 R11 R5 R4 FORCE_L

SMU DRAIN SMU DRAIN
R6 R6
SENSE_L SENSE_L
SMU DRAIN SMU DRAIN
R1 R1
Driver_HS Driver_LS R7 Driver_HS Driver_LS R7
R8 R8
FORCE_H FORCE_L FORCE_H FORCE_L
SMU_GATE SMU_GATE SMU_GATE SMU_GATE
R2 R2
(c) Caratterizzazione del transistore high side (d) Caratterizzazione del transistore low side
Figura 2.6: Configurazioni della matrice di relè.

19
Figura 2.7: Apparato sperimentale allestito in laboratorio.
20
Capitolo 3
Strumento Virtuale
3.1 Diagramma di flusso

Prima di descrivere lo strumento virtuale è utile rappresentare l’algoritmo me-
diante un diagramma di flusso, mostrato in Figura 3.1 nella pagina seguente.
Lo schema presenta tutti i passaggi da seguire per compiere una corretta carat-
terizzazione in-situ dei dispositivi al GaN d’interesse. La descrizione dell’algo-
ritmo viene suddivisa in due fasi: una prima parte contenente una descrizione
più generale del procedimento scelto e una seconda parte riguardante una
descrizione più dettagliata dei blocchi.
Si consideri preliminarmente il circuito in modalità di funzionamento "off",
scollegato sia dall’alimentatore che dal carico. Dopo una prima parte di inizia-
lizzazione degli strumenti, si passa allo stato on e, prima di applicare le tensioni
e le correnti desiderate, si impone una tensione d’ingresso e d’uscita nulla per
scaricare le capacità d’ingresso e d’uscita del circuito. Successivamente, si av-
via il convertitore attraverso uno soft start, ossia un avviamento graduale: si
applica una rampa di corrente - al carico - e di tensione - all’alimentatore -
in modo da evitare eventuali condizioni stressanti, come picchi di corrente al-
l’avvio, che si possono verificare in caso di applicazioni di un gradino da zero
al valore finale. Arrivato al punto di lavoro desiderato, lo strumento inizia il
monitoraggio delle figure di merito. A meno di potenziali problemi - come il
rilevamento del superamento delle soglie critiche delle correnti e dell’efficienza
- che portano ad uno spegnimento di emergenza, si prosegue, per determinati
istanti di tempo scelti dall’utente, verso la fase di caratterizzazione dei due
21
CAPITOLO 3. STRUMENTO VIRTUALE
Figura 3.1: Diagramma di flusso.
22
3.1. DIAGRAMMA DI FLUSSO
transistori (HS, LS). Dopo un certo numero di passaggi - stabiliti dall’utente

in modo arbitrario prima di avviare lo strumento - tra fase di conversione e
la fase di caratterizzazione, l’algoritmo termina con lo spegnimento del cir-
cuito mediante le operazioni di disabilitazione degli strumenti coinvolti. Le
grandezze d’interesse vengono memorizzate su opportuni file di testo su disco.
Inizialmente, per poter procedere con l’inizializzazione degli strumenti,
l’utente deve impostare i seguenti parametri:
• numero di prove consecutive Ntest da effettuare;
• tensione d’ingresso VIN applicata dall’alimentatore e corrente d’uscita

IOU T desiderata dal carico;
• frequenza di commutazione del buck converter (frequenza di switching)

fSW e duty cycle D dell’onda quadra prodotta dal generatore di funzioni
che incide sui driver dei gate dei transistori;
• parametri della rampa di salita e di discesa di tensione e di corrente,

come la durata temporale TSU /TSD e il numero di step N ;
• valore di soglia della corrente d’ingresso IIN

TH
, d’uscita IOU
TH
T e dell’effi-
cienza Ef f T H da confrontare con i valori misurati;
• tempo di funzionamento da convertitore Tbuck ;
• percorso dei file creati durante la fase di monitoraggio e di caratterizza-

zione;
• altre specifiche e operazioni preliminari per predisporre gli strumen-

ti per una corretta caratterizzazione, completando la configurazione e
impostando i sistemi di protezione interni.
A seguire, inizia il ciclo di operazioni da ripetere per ogni istante di carat-

terizzazione impostato. Come già descritto precedentemente, il primo blocco
è quello di Startup con la rampa di avvio caratterizzata da tre fasi: prima il
carico applica un piccolo gradino di corrente, poi la PSU eroga gradualmente
la tensione fino ad arrivare al valore nominale e infine si raggiunge con una
seconda rampa in corrente il valore nominale IOU T . In questo modo, si cerca
di ridurre al minimo il rischio di una corrente all’avvio troppo elevata - che
23
porterebbe a dei danni circuitali - tenendo sotto controllo, allo stesso tempo,
la corrente che assorbe il carico. I valori usati e i passaggi verranno spiegati
più nel dettaglio nella sezione 3.3.
Dopo le procedure di accensione, è presente un ciclo caratterizzato dal
blocco di conversione Buck Converter ON e Monitoraggio. Il circuito lavora in
modalità convertitore e misura, dopo ogni intervallo di tempo scelto in input,
la tensione e la corrente d’ingresso e di uscita e la resistenza del termistore.
Con questi dati, è immediato il calcolo della potenza e dell’efficienza. Per
effettuare un ulteriore controllo sullo stato del circuito, tutte queste grandezze
vengono memorizzate in unico file accompagnate da un valore temporale che
indica quando è stato effettuato il rilevamento. Date le criticità che si possono
avere nel caso in cui la corrente che circola nel circuito abbia un valore più
elevato di quello nominale, si effettua una continua comparazione con le soglie
impostate e, se viene individuato un superamento, si esegue immediatamente
una procedura di arresto di emergenza per ridurre al minimo eventuali danni.
In caso contrario, con un funzionamento regolare, il ciclo si ripete fino a quando
il tempo trascorso dall’inizio del processo non è uguale a uno dei tempi di
caratterizzazione.
Per la caratterizzazione il circuito deve essere riportato allo stato off: si pro-
cede in modo analogo all’avvio con un blocco di Shutdown costituito da una
rampa speculare di discesa. I dispositivi possono, quindi, essere caratterizzati
in base alle modalità scelte, partendo dal transistore high side e proseguen-
do con il low side. Come nella fase di monitoraggio, anche in questo caso
le grandezze misurate vengono riportate in un file per effettuare una verifica
più precisa dei valori rilevati. Le caratteristiche di nostro interesse, che com-
prendono le curve ID -VGS e IG -VGS a VDS fissata, vengono opportunamente
ottenute dalla SMU 2612B. Infatti, attraverso la modalità sweep, lo strumento
può applicare una rampa di tensione o corrente - in base alla sorgente scelta -
quindi passare da un valore iniziale a un valore finale in maniera lineare. Nel
caso in esame, si utilizza questa modalità per VGS , la variabile indipendente di
entrambe le curve, in modo da misurare la corrente associata ai diversi valori
che assume VGS ed ottenere così la curva richiesta.
Tali operazioni vengono ripetute ciclicamente fin quando il tempo trascorso
da inizio misura non è uguale all’ultimo tempo di caratterizzazione impostato.
24
3.2. AMBIENTE DI SVILUPPO
Appena questa condizione risulta verificata, vengono chiusi tutti i processi

attivi sugli strumenti e il circuito viene riportato nello stato off.
3.2 Ambiente di sviluppo

Per l’implementazione del sistema appena descritto, si è scelto di utilizzare
l’ambiente di sviluppo software LabVIEW sviluppato da National Instrumen-
ts. Si tratta di un linguaggio di programmazione grafica, detto linguaggio G,
che utilizza diagrammi a blocchi (collegamenti tra vari oggetti grafici) al posto
di linee di testo sulle quali si basa un classico linguaggio di programmazione.
Viene compilato e non interpretato, risulta quindi molto vantaggioso per il
controllo di strumentazione data la sua facilità di utilizzo e i brevi tempi di
esecuzione. Per tale motivo, viene spesso impiegato per l’automazione indu-
striale - per esempio per l’acquisizione e l’analisi di dati, il controllo di processi,
ecc. - dove è fondamentale un breve tempo di risposta al programma.
Un altro punto di forza di questo linguaggio è la modularità: un program-
ma - detto Virtual Instrument (VI) - può contenere al suo interno diversi
sottoprogrammi - detti subVI. In questo modo, ogni blocco (modulo) può es-
sere costruito in maniera indipendente, testato singolarmente e poi inserito nel
progetto completo fino a creare una struttura gerarchia di VI e subVI.
I VI sono composti da due schermate principali:
• Pannello di controllo (Front Panel ), che rappresenta l’interfaccia utente

del programma e che permette di inserire le grandezze in input tramite
i terminali d’ingresso - detti controlli - e di visualizzare le grandezze in
output tramite i terminali d’uscita - dette indicatori;
• Diagramma a blocchi (Block Diagram) non visibile dall’utente, che rap-

presenta il codice sorgente in formato grafico; esso può interagire con i
terminali del pannello di controllo attraverso funzioni, strutture, costanti,
subVI e altri blocchi per descrivere l’applicazione desiderata.
È stato scelto LabVIEW perché è pienamente compatibile con tutti i mo-

delli di strumenti programmabili utilizzati in questo progetto, nonché con il
protocollo di comunicazione utilizzato per il collegamento tra le apparecchia-
ture e il PC. In questo modo, è possibile avere un controllo completo degli
25
apparati tramite i driver resi disponibili dai costruttori. In particolare, oltre a

riuscire a definire in modo ampiamente flessibile tutti i parametri di funziona-
mento degli strumenti, è possibile sincronizzarli in modo accurato. La sincro-
nizzazione, come già discusso, è una caratteristica fondamentale del sistema di
acquisizione oggetto di questo elaborato.
3.3 Descrizione del software

Lo strumento virtuale presenta la struttura gerarchica di Figura 3.18 a pa-
gina 46 e comprende sia i VI appartenenti alle librerie degli strumenti sia i
VI creati o modificati per questa attività. Di seguito verranno descritti i VI
realizzati.
3.3.1 Main
Il programma principale presenta il Front Panel di Figura 3.2 a fronte.
È il VI con cui l’utente può interagire, dedicato alla configurazione dei
parametri che regolano il funzionamento del banco di misura. Si illustrano
brevemente i controlli e gli indicatori presenti nella schermata, racchiusi nelle
cinque sezioni evidenziate:
• Sezione 1: il controllo VISA resource name identifica univocamente una

sessione I/O dello strumento, trasmettendo tutte le informazioni di con-
figurazione necessarie per l’esecuzione. Tramite il cluster, è possibi-
le selezionare i rispettivi indirizzi degli strumenti attraverso i menù a
tendina.
• Sezione 2: sono presenti i controlli dei subVI startup.vi/shutdown.vi,

ovvero il numero di prove consecutive da effettuare, i parametri della
rampa di tensione e corrente, dell’onda quadra che controlla i gate e i
valori di tensione e corrente desiderati. I due subVI sono simmetrici,
quindi la durata temporale e il numero di step della rampa sono gli stessi
sia per quella di avvio che per quella di spegnimento.
• Sezione 3: l’utente può inserire manualmente il vettore dei tempi di

funzionamento in modalità convertitore, indicando nel selettore Measure
26
3.3. DESCRIZIONE DEL SOFTWARE
Visa resource name I-V Characterization
PSU DMM V_in

File I-V HS N_char
GPIB0::16: GPIB0::6:
C:\m1HS.txt 3
EL DMM I_in
1
File I-V LS Enable HS Enable LS
:INSTR :INSTR
PWM DMM V_out C:\m1LS.txt
SMU setting
SMU SW DMM I_out
GPIB0::27: GPIB0::4: 1A 1B
Output Enable
SMU I-V ON ON
GPIB0::26:
:INSTR Sense 1A Sense 1B
4 Wires
2 Wires
Startup
N_test Npoint Delay NPlots Parameter SMU
100 100 1 MAX. 6
1 Parameters Square Wave
Voltage Value Current Value f_sw (Hz) D(%)

Array
4
0 0 1E+6 0 Sweep SMU A Sweep SMU B
48 6 25 1 0
48 4 25 Init Value Init Value
0
0 0.001
48 4 25
1A Low 1B Low 0
48 4 25
0 0.001
48 4 25
1A High 1B High
2
Different Different Different 5 0.001
Value Vin Value Iout Value D
Node 1 - Source A Node 1 - Source B
Voltage Voltage
OFF/ON OFF/ON
Ts_V (s) Ts_I (s) N_V N_I Current Current
0 0 OFF/ON OFF/ON
0 0 5 48 20
10
10 5 48 20
10 5 48 20 FILTER SETTINGS SPEED SETTINGS

Filter
10 5 48 20 NPLC
Type
48 20 Filter
On FILTER_MOVING 2
10 5
OFF/ON
Off Filter
Parameters Ramp Voltage and Current FILTER_REPEAT
Count
OFF/ON
1
Buck Converter On
and Monitoring Different Measure
Value T_on Unit
File "I, V, P, Efficiency"
sec
C:\test.txt
Repetition
T1 R1 T_buck
Measure (ms)
25 10000
0 2000 0 60
2000 10
2000 10
2000 10
2000 10
I_in TH I_out TH Efficiency TH (%)

8 0 8
3
3 8 80 Threshold
3 8 80
I_in I_out Eff
3 8 80
3 8 80
Error DMM
3 8 80
Level Current Limit Voltage

0 8
2E-6 0.1
Different
2E-6 0.1
Parameters
2E-6 0.1
2E-6 0.1
2E-6 0.1
Parameters SMU SW Source
Figura 3.2: Front Panel di main.vi.
27
Unit l’unità di misura scelta (secondi, minuti o ore), oppure può scegliere
un asse dei tempi logaritmico automatico sempre attraverso il selettore
(item: log). In questa sezione sono presenti i controlli e gli indicatori del
subVI DC/DC.vi, ovvero i valori delle soglie critiche, i LED che mostrano
la causa di un eventuale spegnimento di emergenza, il tempo che inter-
corre tra due misure consecutive nella fase di monitoraggio, le misure di
resistenza e di temperatura effettuate prima della prova (circuito nello
stato off) e il percorso del file su cui vengono salvati tutti i valori misurati
e calcolati. Per la misura di resistenza si possono configurare opportu-
namente i parametri della SMU Level Current (intensità di corrente) e
Limit Voltage (limite di tensione). Il valore minimo che può assumere
la variabile Repetition - che indica il tempo (in ms) che intercorre tra
due misure - per garantire il tempo necessario al DMM per effettuare
correttamente la lettura è di 2 s.
• Sezione 4: sono presenti i parametri che si occupano della fase di ca-

ratterizzazione, ovvero i controlli del subVI characterization.vi. É
possibile abilitare o disabilitare separatamente la caratterizzazione dei
due transistori e inserire il percorso dei due file destinati al salvataggio
dei punti delle caratteristiche I-V, il numero di caratterizzazioni conse-
cutive da eseguire e le impostazioni della SMU. Il cluster corrispondente
(SMU setting) è suddiviso in 4 riquadri che, dall’alto verso il basso, han-
no i seguenti scopi: abilitazione o disabilitazione delle uscite dei canali
della SMU e selezione della modalità a 2 o 4 fili per le misure effettua-
te; selezione del numero di punti, del ritardo di tempo tra due misure
consecutive, del numero di grafici (massimo sei) e del numero di caratte-
ristiche consecutive; selezione del tipo di sorgente (tensione o corrente)
e dei parametri di sweep (valore iniziale e intervallo); configurazione del
filtro.
Molti controlli sono presenti nel formato vettore in modo da personalizzare

ogni tipo di test, abilitando il relativo pulsante Different Value e impostando il
valore desiderato ad ogni prova. Nel caso in cui Different Value sia disabilitato,
la variabile assume in ogni prova il valore impostato nella prima cella. Per i
vettori che non presentano il corrispondente pulsante Different Value (es. T_V
e a N_V ), è possibile personalizzare la prova - in modo analogo a quanto sopra
28
True
N_V
Voltage Value
Level Current
Different
Tsu_V (s)
Value Vin
Different
Parameters
Limit Voltage
Different Value D Efficiency TH (%)
Tsu_I (s)
Current Value I_out TH
File I-V HS
Different N_I
I_in TH File I-V LS
Value Iout
N_test
File "I, V, P, Efficiency" SMU setting
Sei sicuro di voler

procedere con il test? False False
Visa resource name I_in
Sì
No I_out False

init_All.vi
Eff
init_All2.vi
0 startup.vi Error DMM
error in
error out error in DC-DC.vi
error out error in
shutdown.vi
Characterization error out
.vi error in (no error) Characterization
error out .vi
error in
error in
error out
error out
D(%)
Enable LS
T1
0, Default
Different
N_char
Value D f_sw (Hz) T_buck R1
Enable HS
Different Repetition
Value T_on Measure (msec)
N_test
Different Value T_on

Measure
Unit
Figura 3.2: Block Diagram di main.vi.

29
affermato - abilitando il pulsante relativo alle grandezze da cui dipendono. Per

esempio, i parametri della rampa di tensione dipendono dal livello di tensione
d’ingresso selezionato. Di conseguenza, per controllare i vettori T_V e N_V
può essere abilitato o disabilitano il pulsante Different Value Vin. Si possono
fare considerazioni analoghe per i parametri della rampa di corrente (T_I e
N_I ) che dipendono dall’intesità di corrente d’uscita, per le soglie (I_in TH,
I_out TH e Efficiency TH) che dipendono dal punto di lavoro e per il tempo
che intercorre tra due misure consecutive (Repetition Measure) che dipende
dal tempo di funzionamento da convertitore.
Il Block Diagram è caratterizzato da una struttura di tipo Flat Sequence
costituita da tre frame, vedi Figura 3.2 nella pagina precedente. Il primo frame
si occupa della caratterizzazione iniziale necessaria per valutare il degrado
attraverso un confronto con le caratteristiche successive ricavate in condizioni
di stress; il secondo frame contiene la prima parte della fase di inizializzazione
degli strumenti; il terzo frame è il fulcro del programma, contenente il ciclo di
caratterizzazione in-situ e i relativi blocchi. Quest’ultimo è costituito da una
struttura For Loop esterna con un terminale condizionale, all’interno della
quale si sviluppa una seconda Flat Sequence composta da cinque frame.
Il ciclo esterno quindi si ripete N_test volte salvo che non si verifica la
condizione che incide sul terminale di arresto Stop if True. Si può notare dallo
schema che i casi True delle Case Structure determinano una procedura di
spegnimento di emergenza che salta eventualmente la fase da convertitore e di
caratterizzazione e che comunica True al terminale condizionale per uscire dal
ciclo e terminare il test.
La Flat Sequence interna ripercorre i passaggi descritti nel diagramma
di flusso illustrato precedentemente. Da sinistra verso destra sono presen-
ti i seguenti subVI: init_All2.vi, startup.vi, DC-DC.vi, shutdown.vi/
shutdown_emergency.vi e characterization.vi, ciascuno racchiuso nel pro-
prio frame e con i rispettivi controlli e indicatori collegati.
Operation Mode
Come precedentemente affermato, per poter passare da una fase ad un’altra

occorre una commutazione della matrice di relè. A tal fine, è stato creato il
subVI SMU_DigitIO_Port.vi, che presenta il Block Diagram di Figura 3.4.
30
True True
True
shutdown_emer
gency.vi
Figura 3.3: Focus sulla procedura di spegnimento di emergenza.
All’interno del programma il blocco viene sempre accompagnato, nel frame

successivo a quello in cui viene inserito, da un ritardo di 50 ms per permettere
ai relè di commutare.
"0", Default
Operation Mode
0
VISA resource name
error in (no error)
Figura 3.4: Block Diagram di SMU_DigitIO_Port.vi.
Lo schema è costituito da una semplice sequenza standard (inizializzazione,

operazione e chiusura) di blocchi appartenenti alla libreria della SMU che tra-
duce il comando di scrittura sulla porta DIGITAL I/O digio.writeport(data).
Attraverso il selettore Operation Mode, si distinguono quattro casi nei quali
vengono pilotati i diversi valori dell’attributo data ricavati dalla conversione da
binario a decimale della sequenza di bit comunicata sulla porta che comanda
i relè (0: interruttore aperto; 1: interruttore chiuso). In base alle configura-
zioni della matrice e al collegamento tra le linee della porta DIGITAL I/O
e i relè, data deve assumere i seguenti valori: 64 per modalità "off" (caso 0
della Case Structure), 252 per modalità "Buck Converter" (caso 1), 15681 per
31
modalità "HS Characterization" (caso 2, caratterizzazione del transistore high

side) e 3778 per modalità "LS Characterization" (caso 3, caratterizzazione del
transistore low side).
Si prosegue con la descrizione dei subVI sopracitati.
3.3.2 Init
I subVI relativi alla fase di inizializzazione sono init_All.vi e init_All2.vi
e si occupano, in sequenza, della selezione della modalità di funzionamento
"off" e dell’inizializzazione degli otto strumenti (eccetto il carico) attraverso i
relativi blocchi.
Operation Mode: OFF
error in
50
0
Off
ff
SMU SW
VISA resource name DMM V_in DMM V_in
VISA resource name out
DMM I_in DMM I_in
DMM V_out DMM V_out
DMM I_out DMM I_out
error out
(a)
Serial Configuration
9600
9600
None Volt Protect
0
Voltage Value 50
8
8 0.02
1.0 Volt(0)
2
10
None
error in 0
VISA resource name Current Value Init Volt Value

1
0.01
D (%) Curr(0)
error out
PSU 1 Curr Protect f (Hz) VISA resource name out
0
100 PSU
PWM
PWM
5
D (%)
(b)
Figura 3.5: Block Diagram di init_All.vi e init_All2.vi.
La sequenza presente in initPSU.vi esegue i seguenti comandi: abilita il

controllo remoto; attiva e imposta il limite interno di tensione e di corrente
(OVP e OCP); configura il valore di tensione iniziale da applicare e, infine,
abilita l’uscita dell’alimentatore. Per il blocco in esame sono state associate le
32
seguenti costanti ai controlli: tensione iniziale di 0.01 V (tensione minima che lo

strumento permette di impostare); parametri di default per la configurazione
seriale; limite di corrente e di tensione derivante dal punto di lavoro scelto.
Prima di abilitare l’uscita, viene applicato un ritardo di 600 ms in quanto si
è notato sperimentalmente che lo strumento necessita di tale tempo di attesa
per una corretta configurazione e abilitazione dell’uscita.
Setting Enable
Curr Protect
Enable 2
Curr(0)
Volt Protect
Enable
Volt(0)
Serial Configuration Volt Delay(0)
VISA resource name VISA resource name out
error in (no error) error out
600
Init Volt Value
Figura 3.6: Block Diagram di initPSU.vi.
Il subVI init_4DMM.vi è costituito da quattro blocchi initDMM.vi - uno

per ogni multimetro utilizzato - configurati in modo da averne due che effet-
tuano una misura di tensione continua (DC Volts) e due che ne eseguono una
di corrente continua (DC Current). È stata selezionata la modalità Autorange
con un tasso di 20 letture/s (valore:Fast).
La configurazione della forma d’onda pilotata dal generatore di funzioni
avviene attraverso il subVI initPWM.vi, impostando il tipo di onda, l’ampiez-
za, la frequenza e il duty cycle. Per avere una dinamica di [0, 5] V occorre
selezionare un DC Offset di 2.5 V e un ampiezza (picco-picco) di 5 V.
3.3.3 Startup/Shutdown
Il subVI startup.vi presenta il Block Diagram di Figura 3.10 a pagina 37.
33
Display (8:AC+DC Vrms)

Setting
Trigger Mode (0:Internal)
Range (0:Auto)
Rate (2:Fast)
VISA resource name out
VISA resource name
error out
error in (no error)
None
0
9600
5
Figura 3.7: Block Diagram di initDMM.vi.
VISA session f (Hz) D (%)

Square dup VISA session
2.5
5
error in
5 error out
Figura 3.8: Block Diagram di initPWM.vi.
Nel primo frame della Flat Sequence si ha l’inizializzazione del carico, sele-
zionando la modalità di funzionamento a tensione costante per poter applicare
inizialmente una tensione di 0 V ai capi del condensatore di uscita.
Successivamente, si seleziona la modalità di funzionamento "Buck Conver-
ter" e, attraverso una serie di step, si genera la rampa di salita usando i blocchi
delle librerie del carico e dell’alimentatore. Inizialmente, si impone una ten-
sione d’ingresso e d’uscita di 0 V per i motivi precedentemente discussi, poi si
applica un gradino di corrente d’uscita di 1 A, la rampa di tensione e, infine,
la rampa di corrente - entrambe fino al valore nominale. Tra i frame sono stati
posti dei blocchi di ritardo (in ms) per permettere al dispositivo di reagire
opportunamente ai comandi. Il tempo totale impiegato per svolgere il blocco
di avvio è di (TISU + TVSU + 1.25)s, dove 1 s viene impiegato nel passaggio da
modalità di funzionamento tensione costante a corrente costante per chiudere
opportunamente la sessione aperta del carico.
La sequenza presente in initEL.vi ripercorre le operazioni da effettuare
per configurare il carico elettronico: scelta della modalità di funzionamento;
impostazione del range, valore massimo e minimo di tensione; abilitazione e
34
settaggio del limite interno di corrente (OCP); configurazione del valore di

corrente iniziale desiderato e, infine, abilitazione dell’ingresso del carico. I
valori associati alle costanti collegate ai terminali in ingresso sono i seguenti:
corrente iniziale di 0 A; range di 20 A, tensione massima di 20 V e tensione
minima di 0 V; limite di corrente di 10 A.
Setting
Model
Init VOLT Value
Function 0.1
VISA resource name VISA resource name out
error in (no error) error out
Figura 3.9: Block Diagram di initEL.vi.
La rampa di tensione/corrente viene creata attraverso un ciclo For Loop di

N_V step scelti dall’utente. Ad ogni iterazione, che avviene ogni T ime/NV se-
condi, lo Shift Register incrementa o decrementa il valore di tensione/corrente
in base alla differenza tra il valore iniziale e il valore finale.
Dopo aver ultimato la fase di inizializzazione, sono presenti le Case Struc-
ture che hanno il ruolo di interrompere la rampa di salita e di comunicare
True all’indicatore Stop del subVI nel caso in cui l’utente abbia premuto il
pulsante Stop Startup. Il VI generale procede verso la fase di spegnimento
senza eseguire la fase di funzionamento da convertitore.
Il Block Diagram del subVI shutdown.vi è speculare a quello appena de-
scritto (eccezion fatta per le Case Structure), imponendo delle rampe di disce-
sa, la commutazione della modalità di funzionamento da "Buck Converter" a
"off" e la chiusura delle sessioni attive del carico, della PSU e del generatore
di funzioni. Il tempo totale impiegato per svolgere il blocco di spegnimento è
di (TISD + TVSD + 1.65)s con considerazioni analoghe a quelle fatte per il blocco
di avvio. Si riporta il diagramma in Figura 3.11 a pagina 38.
Nel caso del subVI shutdown_emergency.vi il valore di tensione e di cor-
rente di partenza vengono misurati rispettivamente dalla PSU e dal carico. Il
tempo totale di arresto, determinato dalla rampa di tensione e di corrente e
i tempi di attesa applicati per un corretto funzionamento, è di 2.2 s così da
reagire tempestivamente ad una eventuale situazione potenzialmente dannosa.
35
36

Operation Mode: Vin=0V, Vout=0V Iout=0A Iout=1A
Buck Converter ON
0.1
0.1 Stop Startup

Visa resource name PSU False False
EL Setting
SMU SW FIXed
0 1
Setting CURRent Init CURR Value
Stop Startup
FIXed 0 0
0.1
Stop Startup Buck Converterr 20
VOLTage
0
2 CURR status
Reinit To Default
20
status
0.01
50 50
CURR Protection
error in
10
0.02
50 5000
(a)
Voltage Value Current Value
N_V N_I
Tsu_V Tsu_I
Ramp Vin, Iout=1A Ramp Iout, Vin=48V

False
0 False Visa resource name out

PSU
EL
Stop Startup
Stop Startup

Stop
status
error out
Stop Startup
status
1000
Stop Startup
1000
50 50
(b)
Figura 3.10: Block Diagram di startup.vi.

37
Voltage Value
Tsd I
Tsd V
N_I
Current Value N_ V
50
error in (no error)
0.01
PSU 1
Visa resource name
EL
rampPSU.vi
SMU SW
PWM
rampEL.vi
Vin=48V, Iout=4A Ramp Iout, Vin=48V Ramp Vin, Iout=1A
(a)
50 300 100 100
Off
50
Operation Mode:
Iout=0A OFF
error out
(b)
Figura 3.11: Block Diagram di shutdown.vi.
3.3.4 DC-DC Converter

Il subVI DC-DC.vi presenta il Block Diagram di Figura 3.13 a pagina 40.
Il diagramma è costituito da una Flat Sequence di quattro frame in cui
il secondo e il terzo si occupano rispettivamente della fase di apertura e di
chiusura della SMU 2601. Il frame interno è composto da un ciclo For Loop
che si occupa sia della misura delle grandezze d’interesse attraverso l’utilizzo
dei blocchi della libreria del multimetro, sia della creazione del file che riporta
38
le suddette letture. Il file, salvato sul percorso inserito dall’utente, è suddiviso

in righe composte dai seguenti valori: data e ora della misura effettuata, VIN ,
IIN , VOU T , IOU T , PIN , POU T , efficienza, resistenza e temperatura. Il ciclo, con
ritmo delle iterazioni scandito dalla variabile Repetition, dura T_buck secondi
a meno di problemi rilevati o di un’interruzione applicata dall’utente tramite
la pressione del pulsante Stop Converter.
Monitoraggio
Il subVI measure.vi effettua le letture di tensione e corrente d’ingresso e

d’uscita, da cui ricava i rispettivi valori di potenza ed efficienza (espressa in
percentuale) e la misura di resistenza del termistore. Tutte queste grandezze
vengono raggruppate, per semplicità, in unico cluster.
Il subVI conv_R-T.vi converte la lettura di resistenza in un valore di
temperatura attraverso la formula (2.1) e i parametri presenti nel datasheet.
Attraverso un ciclo While Loop si applica l’equazione utilizzando il valore
della costante B corrispondente al range di temperatura a cui appartiene la
temperatura finale.
B
0 3380
3422
3435
3453
T1 [°C]
T2 [°C]
273.15
R2 273.15
R1
T Range
0 323.15
348.15
358.15 3
373.15
Figura 3.12: Block Diagram di conv_R-T.vi.
Il subVI check_TH.vi estrapola dal cluster solo i valori di corrente ed

efficienza e li confronta con le soglie limite impostate.
39
40

R1
T_on(i) T1
10000
Repetition
R_T
Conv_R-T.vi
DMM V_in DMM V_in
Visa resource name DMM I_in Visa resource name out
DMM I_in
DMM V_out DMM V_out
DMM I_out DMM I_out
SMU SW Measure.vi
Level error in (no error) error out
Check_TH.vi I_in
error out
Limit status I_in TH I_out
File
error in Eff
I_out TH
V_IN
open or createe I_IN
Efficiency TH Error DMM
Stop Converter V_OUT
I_OUT
0 Reinit To Default P_IN Stop Converter
P_OUT
I_in
Efficiency Fail?
Reinit To Default R_T
end
d
Eff
status
Reinit To Default
=
I_out
Reinit To Default
Fail?
\n
Reinit To Default
Error DMM
Reinit To Default
Figura 3.13: Block Diagram di DC-DC.vi.

error out
VISA resource name out V_in
VISA resource name V_in

VISA resource name out V_out
0
VISA resource name V_out 0
0
0
VISA resource name I_in VISA resource name out I_in
0
0

V_IN
V_OUT 0
VISA resource name I_out VISA resource name out I_out
I_IN 0
I_OUT
R_T Cluster
Resistancee P_IN
P_OUT
VISA resource name R_t
Efficiency
Channel A
1000
error in (no error) VISA resource name out R_t
Figura 3.14: Block Diagram di measure.vi.

41
3.3.5 Caratterizzazione I-V

Il subVI Characterization.vi presenta il Block Diagram di Figura 3.15 nella
pagina successiva.
Per entrambe le caratterizzazioni (high side e low side) racchiuse in due
frame consecutivi, si imposta prima la modalità di funzionamento corrispon-
dente e poi si effettua il tracciamento del numero di caratteristiche consecutive
desiderate N_char.
Il diagramma è costituito da un ciclo For Loop all’interno del quale si
innesta una Flat Sequence di quattro frame. Ad ogni iterazione, si crea il file
d’uscita corrispondente all’i-esimo grafico da generare (0 ≤ i < NP lots ) e si
imposta opportunamente, attraverso due Case Structure, il tipo di sorgente
dei due canali della SMU.
Il primo frame si occupa della fase di inizializzazione tramite l’utilizzo del
subVI init.vi. La sequenza è composta dalle seguenti operazioni, effettuate
per entrambi i canali: reset dei nodi per riportare il sistema alle condizioni di
funzionamento iniziali; selezione della modalità sorgente di tensione; settaggio
del filtro; beeper per ricevere i feedback sugli input; abilitazione dell’uscita;
impostazione del valore iniziale da applicare al source e configurazione dei
parametri di misura.
Il secondo frame si occupa della fase di caratterizzazione tramite l’utilizzo
del subVI measurement.vi. Esternamente è presente un ciclo For Loop -
comandato dal numero di punti N_points - allo scopo di applicare la modalità
sweep: preso l’intervallo 1xHigh − 1xLow (dove x = {a, b} rappresenta il
canale) e diviso per N_points, si ottiene l’incremento i-esimo della rampa della
variabile indipendente che viene sommato ad ogni iterazione al valore minimo
1xLow. Nella Flat Sequence interna viene effettuata la misura e le grandezze
ricavate vengono salvate sul file. Dalle seguenti letture verranno poi create le
curve visibili sugli indicatori del Front Panel.
Gli ultimi due frame si occupano della fase di chiusura, ricevendo un
riscontro dei comandi effettuati tramite il beeper.
42
File I-V HS File I-V LS
NPlots
Npoint
Delay
Array
Sense 1A
Sense 1B
Init Value Init Val 1B
1B Low
1B High
SMU setting
Node 1 - Source B
Filter Count
NPLC
Filter Type
Filter
Node 1 - Source A
1A High
1A Low
Init Value Init Val 1A
1B
1A
N_char True True

Operation Mode: Operation Mode:
HS Characterization LS Characterization
Enable HS
HS Characterization LS Characterization
error in error out

Off
50
50 SMU_2channels SMU_2channels
_characterizatio _characterizatio
n.vi n.vi
Visa resource name

SMU SW
SMU I-V
Enable LS
N_test
Figura 3.15: Block Diagram di characterization.vi.

43
44

NPlots
PLOTTING WAVEFORMS 1B force/sense

Out File
.txt Output File Generation 1B force 1A sense

Array open or create
end
d
1A force/sense
1B High
1B Low 1A force log1B sense 2
1A High
1A force 1B sense
1A Low
VISA resource name
Node 1 - Source B
"Voltage"
v
i NPLC
a
Init Value Init Val 1A 1
50
1B
KE26xx_beeper.vi
1A
b
Node 1 - Source A Sense 1A
"Voltage"
v Filter Count init.vi
measurement.v
i
i
Filter
Filter Type
1 - v1A
2 - v1B
Sense 1B
3 - i1A
4 - i1B
Init Value Init Val 1B
Delay
Npoint
N_test
Figura 3.16: Block Diagram di SMU_2channels_characterization.vi.

Out_1A
Read_1A
Npoints
Meas Type 1A 2
VISA resource name
.
Source Type 1A 2
smuXsource.vi , 0
Out Val 1A 2
1A high Channel A 4
1
a
1A Low
= refnum out
Source Type 1B 2
1B high

1B Low . \n
smuXsource.vi
, 0
Channel B
1 4
b
Out Val 1B 2
Delay
Meas Type 1B 2 Read_1B Out_1B refnum out 2
N_test
Figura 3.17: Block Diagram di measurement.vi.

45
46

main.vi *
DC-DC.vi close_All.vi Characterization.vi init_All.vi * shutdown.vi startup.vi
Conv_R-T.vi Elapsed Time Check_TH.vi Measure.vi closePWM.vi SMU_2channels_characterization.vi SMU_DigitIO_Port.vi closeEL.vi initPSU.vi pm5139 Initialize.vi init_4DMM.vi rampPSU.vi rampEL.vi initEL.vi setPWM.vi initEL_V.vi
closePSU.vi
Figura 3.18: Struttura gerarchica del VI.

Capitolo 4
Validazione e Risultati
Il banco di misura automatico precedentemente descritto è stato collaudato

utilizzando il circuito di potenza d’interesse al fine di garantire un corretto
studio sperimentale di affidabilità a lungo termine. Lo strumento virtuale per-
mette di effettuare più test in cascata - scegliendo eventualmente diversi punti
di lavoro - e di creare, grazie all’acquisizione dati, un database contenente i
valori misurati e calcolati sia durante la fase di funzionamento da convertitore
sia durante la caratterizzazione DC. Da tali misurazioni, è possibile ricavare al-
cuni parametri caratteristici del dispositivo e confrontarli con i dati comunicati
dal costruttore [14] in modo da poter verificare il funzionamento del sistema
di misura implementato. Nello specifico, il convertitore è stato sottoposto a
due tipi di prove:
• monitoraggio dell’efficienza e della temperatura al variare del punto di

lavoro - tramite variazione di corrente - nella sola modalità di funziona-
mento da convertitore (caratterizzazione disabilitata);
• caratterizzazione ai terminali dei dispositivi di potenza effettuata durante

il normale funzionamento da convertitore dopo determinati intervalli di
tempo.
Vengono di seguito descritte le condizioni e i parametri impostati per le

due tipologie di misure e presentati i dati ottenuti ed elaborati mediante script
MATLAB.
47
CAPITOLO 4. VALIDAZIONE E RISULTATI
4.1 Efficienza e Temperatura

I test sono stati eseguiti imponendo una tensione di ingresso VIN fissa di 48 V
e una corrente di uscita IOU T variabile da 1 A a 7 A con passo di 1 A. Sono
stati impostati i seguenti parametri delle rampe: rampa di tensione di 10 s e
48 step; rampa di corrente di 5 s e 20 step per IOU T ≤ 5 A o di 8 s e 40 step per
IOU T > 5 A. Il tempo di lavoro scelto è di 1 min così da riuscire a valutare la
temperatura a regime e la lettura si effettua ogni 2 s in modo da avere in totale
30 misure di efficienza e di temperatura per ogni valore di corrente. Il dato
rappresentato nel grafico è il risultato della media di tali misure. Inoltre, per
avere una corretta misura di resistenza per ogni valore di corrente settato, è
stato necessario impostare due diversi valori di intensità di corrente della SMU:
1 µA per IOU T ≤ 4 A e 2 µA per IOU T > 4 A. La prova è stata effettuata con
una di frequenza di commutazione del buck converter di 300 kHz e di 500 kHz
per valutare anche la sua influenza sulle grandezze di studio.
I grafici vengono riportati in Figura 4.1 e 4.2. I dati rappresentati sono il
risultato della medie di 30 misure
Efficiency [%]
Figura 4.1: Misure di efficienza.
Il convertitore realizzato con dispositivi GaN presenta buone prestazioni

per i regimi di potenza considerati, registrando un picco del 95.6 % in cor-
rispondenza della frequenza pari a 300 kHz e della corrente pari a 4 A. È
possibile osservare dei contributi di perdita crescenti dovuti alle perdite du-
rante la commutazione dei transitori dell’half-bridge del convertitore. Questo
48
4.1. EFFICIENZA E TEMPERATURA
effetto è ampiamente atteso. I risultati sono in linea con quanto teorizzato,

considerando gli errori sistematici dovuti ai limiti di accuracy strumentali (in
particolare per le misure DC di corrente) e alle aggiunte applicate alla matrice
di relè discusse nel capitolo 2. In particolare è ragionevole ottenere efficienze
di conversione inferiori rispetto ad altre realizzazioni presenti in letteratura
- per le quali sono stati dichiarati efficienze prossime al 98% [15]. Infatti,
come già discusso nei capitoli precedenti, il circuito di test presenta compo-
nenti aggiuntivi in dei percorsi critici del convertitore rispetto alle realizzazioni
convenzionali di buck converter sincroni, comportando inevitabili induttanze
parassite. Il mancato raggiungimento di prestazioni dichiarate in letteratura
o presenti sul mercato è una conseguenza del fatto che lo scopo del progetto
è stressare i transistori al nitruro di gallio attraverso un convertitore ad alta
efficienza e non la realizzazione di un convertitore.
Temperature [°C]
Figura 4.2: Misure di temperatura.
La temperatura aumenta in funzione della corrente secondo un andamen-

to parabolico in quanto aumenta complessivamente la potenza dissipata. La
temperatura, a parità di potenza in uscita, è sensibilmente superiore nel ca-
so di frequenza di commutazione pari a 500 kHz se confrontata con il caso di
frequenze di commutazione inferiori, a dimostrazione del fatto che aumenta-
no le perdite dovute alla commutazione dei transistori. In generale, i valori
di temperatura raggiunti (max 46 °C) si possono considerare accettabili e non
degradanti per il dispositivo. Secondo i calcoli effettuati in fase di progetto del
49
circuito e del sistema di estrazione del calore, la temperatura raggiunta dalla

giunzione dei transistori è di circa 55°C per l’high side e 50°C per il low side,
entrambe nettamente inferiori a quella massima dichiarata dal costruttore (150
°C).
4.2 Caratterizzazione DC
E’ ben noto che i dispositivi di potenza a semiconduttore, in particolare di
tipo wide band-gap, sono soggetti a fenomeni di degrado temporaneo. Lo stress
elettrico può attivare difetti che rappresentano centri di intrappolamento della
carica con tempi di rilascio relativamente brevi (da poche frazioni di secondo
a qualche secondo). L’intrappolamento di carica, anche se temporaneo, si
manifesta inevitabilmente con una variazione delle caratteristiche nominali ai
terminali dei dispositivi. Lo scopo del presente studio è rilevare i fenomeni di
degrado a lungo termine o non recuperabili. Per ovviare a misurazioni non
significativi ai fini dello studio, si effettuano tre caratterizzazioni consecutive
per ogni transistore, considerando valida solo la terza.
70
25ºC
60 125ºC
VDS = 3 V
50
ID – Drain Current (A)
40
30
20
10
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
VGS – Drain-to-Source Voltage (V)
Figura 4.3: Caratteristica corrente di drain (ID ) in funzione della tensione ap-
plicata tra gate e source (VGS ) con VDS = 3 V in scala lineare dei transistori
GaN secondo quanto riportato dal costruttore EPC. Sono presenti le caratte-
ristiche a temperature di 25 °C e di 125 °C.
A seguire è mostrato un esempio completo di utilizzo dello strumento vir-

tuale di misura automatico per la rilevazioni di fenomeni di intrappolamento
50
4.2. CARATTERIZZAZIONE DC
di carica. Il test è stato eseguito ad un punto operativo del convertitore di 48 V

per la tensione di ingresso e 4 A per la corrente di uscita. Prima di procedere in
modalità convertitore è stata effettuato una caratterizzazione iniziale dei due
transistori - riportata in Figura 4.4 e 4.7 - in modo da avere un riferimento
dei dispositivi prima di applicare lo stress, in quanto le caratteristiche fornite
dal costruttore hanno valori che vanno oltre il fondo scala degli strumenti a
disposizione e per questo non possono essere presi in considerazione.
(a)
(b)
Figura 4.4: Caratteristica corrente di drain (ID ) in funzione della tensione

applicata tra gate e source (VGS ) con VDS = 1 mV dei due transistori GaN
(high side e low side) in scala lineare (a) e in scala logaritmica (asse corrente)
(b).
La parte caratterizzazione dei due transistori di potenza è stata eseguita

dopo un tempo di lavoro di 7 h a temperatura ambiente applicando una rampa
di VGS da 0 V a 5 V con incremento di 50 mV e VDS fissata a 0.001 V.
51
Vengono riportate le caratteristiche DC ID -VGS e ID -VGS a VDS fissata.
(a)
(b)
plicata tra gate e source (VGS ) con VDS = 1 mV del transistore GaN high side
in scala lineare (a) e in scala logaritmica (asse corrente) (b). Sono presenti le
caratteristiche misurate prima e dopo il periodo di funzionamento da conver-
titore di 7 h con tensione d’ingresso di 48 V e corrente d’uscita di 4 A.
Si osserva in Figura 4.4 un andamento della curva assimilabile a quello

teorico, con un valore di tensione di soglia Vth estrapolato paragonabile con
quanto specificato dal costruttore (da datasheet: MIN 0.8 V, TYP 1.4 V, MAX
2.5 V). Il valore di corrente ID non può essere confrontato in quanto viene
applicato un diverso valore di tensione VDS .
La caratterizzazione post stress si discosta leggermente da quella pre stress
per entrambi i transistori: si riscontra un aumento della tensione di soglia di
52
circa 0.2 V e una diminuzione della corrente ID di circa 10 mA. Questo effetto
è con tutta probabilità dovuto ad intrappolamento con tempi di rilascio più
lunghi rispetto a quelli intercorrenti tra caratterizzazioni consecutive. Si tratta
comunque di fenomeni rilevabili anche con misura manuale effettuata con le
SMU e quindi ancora una volta non attribuibili al banco automatico di misura.
I risultati mostrano comunque un normale comportamento dei dispositivi, non
evidenziando alcuna rottura o perdite anomale.
(a)
(b)
plicata tra gate e source (VGS ) con VDS = 1 mV del transistore GaN low side
in scala lineare (a) e in scala logaritmica (asse corrente) (b). Sono presenti le
caratteristiche misurate prima e dopo il periodo di funzionamento da conver-
titore di 7 h con tensione d’ingresso di 48 V e corrente d’uscita di 4 A.
Riguardo la caratteristica IG -VGS , le correnti di perdita del gate dei due
53
transistori non raggiungono valori elevati in nessuna situazione, restando al

di sotto dei µA. In particolare, si possono osservare inizialmente migliori pre-
stazioni del transistore high side - data la corrente più piccola in certi pun-
ti di quasi un ordine di grandezza - che variano leggermente dopo il tempo
di funzionamento da convertitore. Il transistor low side evidenzia invece un
comportamento molto stabile (curve pre e post stress quasi sovrapponibili).
Mediamente i valori possono essere considerati in entrambi i casi validi. In
generale, un aumento importante di intensità di corrente di gate (nell’ordine
del mA anziché dei µA) denota rottura irreversibile del dispositivo.
Figura 4.7: Caratteristica corrente di gate (IG ) in funzione della tensione ap-
plicata tra gate e source (VGS ) con VDS = 1 mV dei due transistori GaN (high
side e low side) in scala logaritmica (asse corrente)
In conclusione, lo scopo delle prove effettuate - ovvero la validazione dello

strumento e la conferma di un corretto ed efficiente comportamento del banco
di misura automatico implementato - si può ritenere raggiunto sia in termini
qualitativi che di specifiche soddisfatte. La caratterizzazione è stata eseguita
correttamente, garantendo ripetibilità e precisione nella determinazione degli
istanti di tempo in cui vengono effettuate le caratterizzazioni, senza provocare
danni ai transistori e agli altri componenti del circuito.
54
(a)
(b)
Figura 4.8: Caratteristica corrente di gate (IG ) in funzione della tensione ap-
plicata tra gate e source (VGS ) con VDS = 1 mV dei transistori GaN (high side
e low side) in scala logaritmica (asse corrente). Sono presenti le caratteristiche
misurate prima e dopo il periodo di funzionamento da convertitore di 7 h con
tensione d’ingresso di 48 V e corrente d’uscita di 4 A.
55
Capitolo 5
Conclusioni
In questo elaborato di tesi è stato sviluppato uno strumento virtuale per rende-
re ripetibile ed automatico il processo di caratterizzazione in-situ di dispositivi
di potenza, consentendo la gestione e la sincronizzazione di un banco di mi-
sura complesso in modo completamente automatico. Il sistema implementato
permette di gestire simultaneamente tutti gli strumenti da banco necessari per
lo studio di affidabilità a lungo termine, consentendo una completa caratteriz-
zazione senza la necessità di dover riprogrammare le apparecchiature durante
il processo. Il programma prevede in aggiunta un sistema di monitoraggio e
gestione di situazioni di pericolo per l’operatore e di danneggiamento per il
circuito di potenza. Attraverso i sistemi interni di protezione degli strumenti
e la continua supervisione delle grandezze d’interesse, è possibile controllare
sia l’intensità di corrente che le tensioni ai capi del circuito in modo da evi-
tare che superino certe soglie stabilite. In particolare, lo strumento virtuale è
stato predisposto per reagire opportunamente a tali problematiche, attuando
una procedura di spegnimento di emergenza (attivabile anche manualmente
per volontà dell’utente tramite apposito pulsante) che permetta una corretta
e tempestiva chiusura delle sessioni aperte degli strumenti. In questo modo, è
possibile prevenire eventuali danneggiamenti o rotture sia dei componenti del
circuito di potenza, sia degli strumenti del banco di misura.
Lo strumento virtuale può essere adattato a diverse tipologie di prove me-
diante una configurazione opportuna dei parametri. È possibile effettuare uno
studio sperimentale composto da più fasi di lavoro - potendo scegliere per ogni
test variabili quali il punto di lavoro e il tempo di funzionamento - in cui si
57
CAPITOLO 5. CONCLUSIONI
possono valutare diverse figure di merito in base alle impostazioni scelte. La

visualizzazione in tempo reale delle misure e del loro storico facilita inoltre il
confronto fra diverse condizioni di stress applicate e diverse configurazioni del
circuito di potenza.
Il sistema è stato poi validato su un convertitore di tipo buck sincrono co-
stituito da transistori al GaN di tipo HEMT effettuando differenti tipologie di
prove e confrontando le prestazioni rilevate con i valori attesi da valutazioni
teoriche e le specifiche comunicate dal costruttore del dispositivo di potenza. I
dati di simulazione confermano il corretto funzionamento del sistema, in parti-
colare è stato valutato in prima battuta la corretta applicazione dei parametri
impostati (configurazione degli strumenti, raggiungimento del valore deside-
rato di corrente e tensione, corretta temporizzazione tra i comandi per non
incorrere in errori, ecc.) e successivamente l’acquisizione di caratteristiche DC
e valori di efficienza attendibili.
Per quanto riguarda l’affidabilità a lungo termine, le prove effettuate rap-
presentano comunque un importante contributo per uno studio sperimentale
più accurato sugli effetti di degradazione. Grazie alle potenzialità dello stru-
mento, si prevede di effettuare delle prove in cui i dispositivi di potenza ven-
gono sottoposti a condizioni di stress accelerato in laboratorio, consentendo,
similarmente a quanto avviene per le caratterizzazioni su wafer dei dispositivi,
di ricavare importanti informazioni relative a processi di fabbricazione, scelte
progettuali ed opzioni tecnologiche dei dispositivi di potenza.
58
Bibliografia
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59
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nual. url: https://dam- assets.fluke.com/s3fs- public/PM5139_
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Datasheet. 2021. url: https://download.tek.com/datasheet/1KW-
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nual. Rev. A. 2005. url: https://download.tek.com/datasheet/PA-
916(A-Jun2005)(Model2600)1_1.pdf.
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url: https : / / epc - co . com / epc / Portals / 0 / epc / documents /
datasheets/EPC2052_datasheet.pdf.
60

PROGRAMMAZIONE DI UNO STRUMENTO VIRTUALE PER LO STUDIO SPERIMENTALE DI AFFIDABILITÀ A LUNGO TERMINE DI CIRCUITI E DISPOSITIVI DI POTENZA A SEMICONDUTTORE

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Alma Mater Studiorum - Università di Bologna

PROGRAMMAZIONE DI UNO STRUMENTO

Anno Accademico 2020/2021

Negli ultimi anni, il campo dell’elettronica di potenza si sta focalizzando sullo

2 Automatic Test Equipment 9

L’elettronica di potenza si occupa della conversione e del controllo del flusso di

Figura 1.1: Cambiamenti globali nella domanda di elettricità, 2015-2022 [2].

riduzione delle emissioni di CO2 in atmosfera: lo sviluppo di fonti di energia

• Convertitore: termine generale per definire un circuito elettronico di po-

• Azionamento elettrico: un sistema che produce, in maniera automatica,

Conseguentemente risulta fondamentale la ricerca e lo sviluppo di nuo-

di dispositivi a semiconduttore per applicazioni di potenza - è un materiale

I dispositivi al SiC e al GaN sono caratterizzati da un band-gap più ampio

Tabella 1.1: Confronto caratteristiche GaN, Si e SiC [4]

Proprietà GaN Si SiC

interesse, sullo studio sperimentale di affidabilità a lungo termine di tali di-

1.1 Caso di studio

commerciali al nitruro di gallio (GaN) ad alta mobilità elettronica (HEMT,

mentale sopra descritta. In particolare, l’obiettivo di questa tesi è quello di

Automatic Test Equipment

2.1 Setup di misura

elettronico e il generatore di forme d’onda. Si illustreranno nella fase successiva

Figura 2.1: Schema a blocchi del setup di misura.

Il convertitore buck sincrono viene rappresentato sinteticamente da un

di tensione); viene abilitato e impostato l’OCP e, infine, settato il valore di

Figura 2.2: Schema di collegamento dei DMM.

È stato scelto il FLUKE 45, un Digital MultiMeter (DMM) a 5 cifre con

In seguito, si può effettuare un ulteriore controllo sulle correnti, valutando se

dove le temperature sono in kelvin, R1 è la resistenza alla temperatura T1

2.1.2 Caratterizzazione statica

Figura 2.3: Schema di collegamento delle SMU per caratteristica I-V.

• ID -VGS a VDS fissata, per valutare il corretto funzionamento del disposi-

• IG -VGS a VDS fissata, per monitorare una possibile rottura, contrasse-

coassiali, sono presenti dei connettori BNC per effettuare la conversione da

Figura 2.4: Schematico connettore triax SMU [13].

Tutte le apparecchiature di laboratorio appena descritte possono essere re-

unico protocollo, ovvero stesse specifiche elettriche, meccaniche e funzionali.

2.2 Matrice di relè

Figura 2.5: Schema circuitale semplificato con relè.

ta di posizionamento a livello di layout è dovuta al fatto che i condensatori a

mercato non compromettendo il tipo di studio da effettuare.

• Off, in Figura 2.6a:

– apertura di tutti gli interruttori a singolo contatto (Rx1, Rx2, R4,

• Convertitore buck on, in Figura 2.6b:

• Caratterizzazione del transistore high side, in Figura 2.6c:

– chiusura di R12 per connettere i pin FORCE_H e SENSE_H e

• Caratterizzazione del transistore low side, in Figura 2.6d:

Rx1 GaN HS Rx2 R16 Rx1 GaN HS Rx2 R16

R10 R9 R11 R5 R4 FORCE_L R10 R9 R11 R5 R4 FORCE_L

(a) Off (b) Convertitore buck on

2.2. MATRICE DI RELÈ

R10 R9 R11 R5 R4 FORCE_L R10 R9 R11 R5 R4 FORCE_L

Figura 2.6: Configurazioni della matrice di relè.

Figura 2.7: Apparato sperimentale allestito in laboratorio.

3.1 Diagramma di flusso

Figura 3.1: Diagramma di flusso.

transistori (HS, LS). Dopo un certo numero di passaggi - stabiliti dall’utente

• numero di prove consecutive Ntest da effettuare;

• tensione d’ingresso VIN applicata dall’alimentatore e corrente d’uscita

• frequenza di commutazione del buck converter (frequenza di switching)