Semicondutores

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SEMICONDUTORES
Golberi de Salvador Ferreira, Dr.
- 2005 -
SUMÁRIO
1. HISTÓRICO DA ELETRÔNICA 02
2. COMPONENTES PASSIVOS 04
3. SEMICONDUTORES 06
4. DIODO SEMICONDUTOR 11
5. DIODOS ESPECIAIS 21
6. CIRCUITOS COM DIODOS 29
OBS: Este material é o resultado de uma compilação de trabalhos realizados por diversos
professores desta Instituição, aos quais transmitimos nossos agradecimentos.
@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 1

1. HISTÓRICO DA ELETRÔNICA
A VÁLVULA
1904: primeira válvula (diodo)
! Criada pelo cientista John Ambrose Flemming;

! Propiciou um avanço na criação de outros dispositivos e circuitos que permitiram a
execução de muitas tarefas que estavam sendo descobertas pelo homem naquela época;
! Foi utilizada até meados da década de 80, sendo hoje um dispositivo raro, encontrado em
rádios, televisores e aparelhos de som muito antigos;
! Porém, muitos dispositivos que trabalham em freqüências muito altas e que são ainda
muito utilizados, derivam da válvula;
! A válvula diodo é composta por duas placas metálicas, colocadas numa cápsula de vidro
em vácuo. Um filamento aquece uma das placas polarizada negativamente, denominada
cátodo, gerando um fluxo de elétrons (corrente elétrica Ι) que atinge a segunda placa
polarizada positivamente, denominada ânodo, conforme Figura 1.1.
Figura 1.1 – Válvula diodo polarizada
! Invertendo-se a polarização, fazendo-se com que o cátodo fique polarizado positivamente

em relação ao ânodo, a corrente elétrica deixa de circular pela carga RL.
1908: válvula tríodo
! DeForest acrescentou à válvula diodo uma terceira placa entre o cátodo e o ânodo,
denominada de grade;
! A grade passou a exercer um controle do fluxo de elétrons, criando a possibilidade de
amplificar sinais elétricos. Esta válvula foi chamada de tríodo.
A válvula tríodo juntamente com a válvula diodo, foram as responsáveis pelo

surgimento das transmissões sem fio, radiotransmissão. A partir daí, a busca passou a ser a de
melhorar o desempenho do circuito e, para isso, era necessário desenvolver uma tecnologia
para otimizar os dispositivos.

O SEMICONDUTOR
Década de 20
! A teoria dos semicondutores surge como promessa tecnológica.
Década de 40
! Desenvolve-se a física do estado sólido, que investiga a estrutura, as propriedades e o
comportamento elétrico dos semicondutores;
! Surge o diodo semicondutor, que substitui a válvula diodo, pois consome uma quantidade
menor de energia e tem dimensões menores;
! Em seguida, surge o transistor, substituindo a válvula tríodo, e outros dispositivos que
foram criados a partir da necessidade imposta pelos novos aparelhos que surgiram, e
possibilitando o surgimento de outros mais.
Dentre muitas outras aplicações, a eletrônica pode ser usada para:

! a transmissão de sinais em tempo real;
! o desenvolvimento de equipamento bélico (construção de armas e de sistemas de controle
de mísseis);
! o desenvolvimento de sistemas de controle, que podem substituir o homem pela máquina
de forma irracional;
! salvar vidas;
! diagnosticar doenças e desenvolver métodos de cura;
! servir ao lazer das pessoas.
Portanto, ter o domínio da técnica implica, não apenas em saber manejá-la, mas
também em compreender para quem ou para que ela servirá.

2. COMPONENTES PASSIVOS
BIPOLOS ELÉTRICOS
Um bipolo elétrico é um dispositivo qualquer que possui dois pólos ou terminais, aos
quais podem ser ligados outros bipolos, formando um circuito elétrico. Genericamente, um
bipolo pode ser representado pela Figura 2.1.
Figura 2.1 – Bipolo elétrico genérico
Os bipolos elétricos podem ser classificados em geradores ou receptores, em função

dos sentidos convencionais de tensão e corrente relacionados a eles.
GERADOR
Um bipolo gerador é aquele que transforma um tipo de energia qualquer em energia

elétrica. Ele é, portanto, o elemento ativo de um circuito.
Exemplos:
Pilha ! transforma energia química em elétrica

Dínamo ! transforma energia mecânica em elétrica
No bipolo gerador, a corrente tem o sentido do potencial menor para o maior, ou seja,
coincide com o sentido da tensão sobre ele, como apresentado na Figura 2.2.
Figura 2.2 – Bipolo gerador
RECEPTOR
Um bipolo receptor é aquele que transforma energia elétrica em um tipo de energia

qualquer, sendo o elemento passivo de um circuito.
Exemplos:
Resistência ! transforma energia elétrica em térmica
Motor ! transforma energia elétrica em mecânica
No bipolo receptor, a corrente tem o sentido do potencial maior para o menor, ou seja,
contrário ao sentido da tensão sobre ele, como apresentado na Figura 2.3.

Figura 2.3 – Bipolo receptor
Em eletricidade e eletrônica, utilizam-se os símbolos específicos dos bipolos para

representá-los nos circuitos elétricos. A Figura 2.4 mostra alguns símbolos de bipolos
receptores.
Figura 2.4 – Símbolos de alguns bipolos receptores
Num circuito elétrico, é possível que um gerador comporte-se como um receptor, em

função dos sentidos de corrente e tensão impostos pelo circuito, ou seja, ele pode ser
considerado um receptor ativo.
Já, um receptor nunca pode comportar-se como um gerador, por ser um elemento
passivo.

3. SEMICONDUTORES
BANDAS DE ENERGIA
Na Figura 3.1 apresenta-se o modelo atômico de Bohr. Neste modelo, o átomo está
dividido em duas partes: o núcleo e a eletrosfera. No núcleo encontram-se os prótons e os
nêutrons. Já na eletrosfera estão os elétrons, distribuídos em sete camadas eletrônicas ou
bandas de energia: K, L, M, N, O, P e Q.
Figura 3.1 - Modelo atômico de Bohr
Cada banda de energia pode conter um número máximo de elétrons, como apresentado
na Tabela 1.
Tabela 1: Número máximo de elétrons nas bandas de energia

Banda de energia K L M N O P Q
o
N. máximo de elétrons 2 8 18 32 32 18 2
Quanto maior a energia do elétron, maior é o raio de sua órbita (Q > P > O > ...),
Figura 3.2, e mais fracamente ele está ligado ao núcleo.
Figura 3.2 - Níveis de energia de um átomo
Um elétron na sua órbita gira com uma certa velocidade (energia cinética), fazendo
com que sobre ele exista uma força centrífuga, Fc. Além disso, o núcleo também exerce sobre
este elétron uma força, denominada de força de atração eletrostática Fe. O equilíbrio destas
duas forças torna o elétron estável na sua órbita, Figura 3.3.

Figura 3.3 - Estabilidade de um elétron numa determinada órbita
A última órbita de um átomo é denominada de banda de valência. A valência de um

átomo é o número de elétrons da banda de valência. São estes elétrons que farão ligações
químicas para completar o número máximo de elétrons da banda de valência, de modo a
tornar o átomo estável.
Os elétrons que estão na banda de valência têm mais facilidade para sair do átomo,
quando recebem um acréscimo de energia, sob a forma de luz ou calor. Ao receberem este
acréscimo de energia, os elétrons tornam-se livres, saem da banda de valência e dirigem-se
para a banda de condução, onde sob a ação de um campo elétrico formam a corrente elétrica
(I), Figura 3.4.
Figura 3.4 – Banda de valência e banda de condução
Entre as bandas de valência e de condução há uma região onde não é possível existir
elétrons, denominada de banda proibida, Figura 3.5. Esta banda proibida define o
comportamento elétrico do material. Assim, quanto maior a banda proibida, maior será a
quantidade de energia necessária para retirar um elétron da banda de valência e levá-lo para a
banda de condução.
Figura 3.5 – Materiais isolantes, condutores e semicondutores
Os materiais semicondutores são sólidos ou líquidos, capazes de mudar com certa

facilidade de sua condição de isolante para a de condutor. Isto é, podem sofrer grandes
alterações em sua condutividade, pois a quantidade de energia necessária para retirar um

elétron da banda de valência e levá-lo para a banda de condução é intermediária entre a
energia necessária para o isolante e o condutor. Em baixas temperaturas, os semicondutores
puros comportam-se como isolantes. Sob temperaturas mais altas, ou luz ou com a adição de
impurezas, porém, pode ser aumentada drasticamente a sua condutividade, podendo-se
alcançar níveis que se aproximam dos metais.
MATERIAIS SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS
Na Figura 3.6, apresenta-se os átomos de dois materiais semicondutores intrínsecos ou

puros, o silício (Si) e o germânio (Ge). Os semicondutores intrínsecos ou puros são aqueles
encontrados em estado natural.
Figura 3.6 - Átomos de silício e germânio
Tanto o silício quanto o germânio são elementos tetravalentes, ou seja, que possuem
quatro elétrons na camada de valência, Figura 3.7. Permitindo, assim, que os seus átomos
façam quatro ligações covalentes ou de compartilhamento de elétrons, para tornarem-se
estáveis.
Figura 3.7 - Representação plana dos semicondutores
Existem, ainda, os semicondutores III-V que são formados por um elemento trivalente,
o GaAs (Arseneto de Gálio) e por um elemento pentavalente, InP (Fosfeto de Índio). Porém, o
material semicondutor intrínseco mais utilizado é o silício que é abundante na natureza, sendo
encontrado nos cristais de quartzo (areia).

CONDUÇÃO ELÉTRICA NOS SEMICONDUTORES
Num determinado instante quando recebe um acréscimo de energia e sai da banda de

valência, o elétron livre deixa em seu lugar uma lacuna. Esta lacuna é um íon positivo, Figura
3.8.
Figura 3.8 - Formação de um íon positivo
No instante seguinte, Figura 3.9, verifica-se que a lacuna também se move. Porém, a
movimentação da lacuna ocorre sempre no sentido contrário à movimentação do elétron. Este
fenômeno ocorre sempre que existe a condução elétrica no material semicondutor. Num
material condutor o movimento das lacunas é desprezível.
Figura 3.9 - Movimento da lacuna
SEMICONDUTORES TIPO N E P
Para a maioria das aplicações não há elétrons livres suficientes num semicondutor
intrínseco para produzir uma corrente elétrica utilizável. Portanto, para obter-se esta corrente
elétrica utilizável foram criados os semicondutores do tipo N e P.
Consegue-se um semicondutor tipo N acrescentando-se ao cristal silício puro
impurezas, ou elementos, pentavalentes. Desta forma, obtém-se quatro ligações covalentes e
um elétron livre, Figura 3.10. No semicondutor tipo N os elétrons são os portadores de carga
majoritários e as lacunas os minoritários.
Figura 3.10 – Semicondutor tipo N: cristal de silício com impureza pentavalente

Para obter-se um semicondutor tipo P, acrescenta-se ao cristal de silício puro
impurezas trivalentes. Assim, têm-se três ligações covalentes e uma lacuna, Figura 3.11.
Neste caso, as lacunas são os portadores de carga majoritários e os elétrons minoritários.
Figura 3.11 – Semicondutor tipo P: cristal de silício com impureza trivalente
O processo de introduzir átomos de impurezas num cristal de silício, de modo a

aumentar tanto o número de elétrons livres quanto de lacunas, chama-se dopagem. Quando
um cristal de silício foi dopado, ele passa a ser chamado de semicondutor extrínseco.
EXERCÍCIOS
1. Qual é a órbita de valência de um átomo e o que é valência?
2. O que é e como é formada a banda de condução de um átomo?
3. O que é banda proibida?
4. O que define o comportamento elétrico dos materiais isolantes, condutores e
semicondutores? Justifique.
5. O que são as lacunas e como elas se movimentam num material semicondutor?
6. O que são elementos trivalentes, tetravalentes e pentavalentes?
7. Defina material semicondutor.
8. Como o Silício é transformado em semicondutor tipo N e P?
9. Quais as principais diferenças entre o material semicondutor e o material condutor?
10. Que faz com que os elétrons permaneçam estáveis em órbitas bem determinadas?
11. É correto afirmar que os semicondutores tipo N e P estão, respectivamente, carregados
negativamente e positivamente? Por quê?

4. DIODO SEMICONDUTOR
JUNÇÃO PN
A união física de um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N forma uma

junção PN, Figura 4.1. Esta junção PN recebe o nome de diodo semicondutor.
Figura 4.1 – Diodo semicondutor
Na formação da junção PN ocorre o processo de recombinação, no qual os elétrons do

lado N mais próximos à junção migram para o lado P, Figura 4.2. Este processo ocorre até
que haja o equilíbrio eletrônico e a estabilidade química, ou seja, quatro ligações covalentes
em cada átomo.
Figura 4.2 - Recombinação elétron – lacuna
Durante o processo de recombinação forma-se, próximo à junção, a camada de

depleção, Figura 4.3. Nesta camada há a ausência de portadores majoritários.
Figura 4.3 - Camada de depleção
Quando termina o processo de recombinação a camada de depleção fica ionizada,

formando a barreira de potencial (Vγ), Figura 4.4. Para o silício Vγ = 0,7V e para o
germânio, Vγ = 0,3V.

Figura 4.4 - Barreira de potencial
Na Figura 4.5 apresenta-se o símbolo elétrico do diodo semicondutor e o componente

eletrônico, propriamente dito. No lado P do diodo semicondutor conecta-se um terminal que
recebe o nome de ânodo (A). Já no lado N, o terminal é denominado de cátodo (K).
No símbolo elétrico do diodo semicondutor o lado que tem o traço transversal,
corresponde ao cátodo. Logo, o outro lado é o ânodo.
Figura 4.5 - Símbolo elétrico do diodo semicondutor
No componente eletrônico o lado que contém o anel cinza, ou prateado, é o cátodo.

Consequentemente, o outro lado é o ânodo.
POLARIZAÇÃO DA JUNÇÃO PN
Polarização direta
Na polarização direta, Figura 4.6, conecta-se o terminal positivo da fonte de
alimentação (VCC) ao ânodo do diodo e o terminal negativo, ao cátodo.
Desde que VCC > Vγ, os elétrons livres do lado N, repelidos pelo terminal negativo de
VCC, atravessam a barreira de potencial e migram para o lado P. Alguns destes elétrons livres
recombinam-se com as lacunas, mas a maioria é atraída pelo terminal positivo de VCC.
Estabelece-se, assim, um fluxo de elétrons livres do cátodo para o ânodo, que é o sentido real
de corrente. Levando-se em conta o sentido convencional, há uma corrente elétrica (ID) do
ânodo para o cátodo de alta intensidade.
Figura 4.6 - Polarização direta do diodo

Logo, o diodo comporta-se como um condutor e apresenta uma resistência direta ou de
condução (RD) muitíssimo pequena, Figura 4.7.
Figura 4.7 - Comportamento do diodo na polarização direta
Polarização reversa
Na polarização reversa, Figura 4.8, conecta-se o terminal positivo de VCC ao cátodo do
diodo e o terminal negativo, ao ânodo.
Nesta situação os elétrons livres do lado N, são atraídos pelo terminal positivo de VCC,
deixando nos seus lugares as lacunas. Já no lado P, as lacunas são atraídas pelo terminal
negativo de VCC, ficando em seus lugares íons negativos. Portanto, há um aumento da barreira
de potencial, Vγ = VCC. Nesta situação, muito poucos elétrons livres conseguem atravessar a
barreira de potencial e estabelecer um fluxo de elétrons do cátodo para o ânodo.
Consequentemente, a corrente elétrica convencional do ânodo para o cátodo é muito pequena.
Esta corrente chamada de corrente reversa ou de fuga (IR), pois flui do terminal negativo de
VCC para o positivo, é desprezível.
Figura 4.8 - Polarização reversa do diodo
Portanto, na polarização reversa o diodo comporta-se como um circuito aberto, ou

seja, apresenta uma resistência reversa (RR) muitíssimo alta, Figura 4.9.
Figura 4.9 - Comportamento do diodo na polarização reversa

Ao utilizar-se um diodo num circuito deve-se atender, principalmente, às seguintes
especificações:
• tensão de condução: VD ≥ Vγ;
• corrente direta máxima: IDM;
• potência máxima dissipada: PDM = VD x ΙDM;
• máxima tensão reversa ou tensão de ruptura: VBR;
• corrente reversa ou de fuga: ΙR.
Como exemplo apresenta-se na Tabela 2 as especificações do diodo 1N4001.
Tabela 2: especificações do diodo 1N4001

Corrente direta máxima ΙDM 1A
Corrente de fuga ΙR 10µA
Tensão de ruptura VBR 50V
Potência máxima PDM 1W
O comportamento do diodo nas polarizações direta e reversa e as suas principais

características são representadas na forma de uma curva chamada de curva característica do
diodo, Figura 4.10.
Figura 4.10 - Curva característica do diodo semicondutor
CONCEITO DE RETA DE CARGA

Além de observar-se as principais características ao empregar-se o diodo num circuito,
deve-se utilizar um resistor limitador (RL) para protegê-lo contra uma corrente elevada, Figura
4.11.
Figura 4.11 - Diodo alimentado e com resistor limitador
Quando inserido num circuito, circula pelo diodo uma corrente elétrica (ID) desde que a
tensão sobre ele (VD) seja maior que Vγ. Estes dois parâmetros representam o ponto
Quiescente (Q) ou de trabalho do diodo.

Para a obtenção do ponto Q, graficamente, utiliza-se a reta de carga, que é o conjunto
de todos os pontos Quiescentes possíveis, Figura 4.12.
Figura 4.12 - Reta de carga e ponto quiescente do diodo
Para a obtenção da reta de carga necessita-se de dois pontos conhecidos de trabalho do

diodo:
Ponto de corte: I Dcorte = 0 VDcorte = VCC ;

V
Ponto de saturação: VDsat = 0 I Dsat = CC .
RL
O ponto Q está na interseção da reta de carga com a curva característica do diodo,

cujas coordenadas são: (VD, ID).
Utilizando-se as coordenadas do ponto Q, determina-se a potência dissipada pelo
diodo através da seguinte expressão:
PD = VD x ΙD
MODELOS DE DIODOS
Analiticamente, pode-se determinar o ponto Q substituindo-se no circuito o diodo por

um de seus modelos.
Nestes modelos, sempre que o diodo estiver polarizado reversamente, ou seja, não
conduz corrente ele é substituído por um circuito aberto (resistência de condução → ∞).
No modelo 1, Figura 4.13, o diodo quando polarizado diretamente é considerado ideal,
ou seja, quando conduz corrente é um curto-circuito (resistência de condução → 0). Portanto,
VD = 0V.
Figura 4.13 - Modelo 1: diodo ideal

Na Figura 4.14 apresenta-se o modelo 2 para o diodo. Neste modelo, quando o diodo
conduz considera-se o valor da barreira de potencial. Portanto, VD = Vγ.
Figura 4.14 - Modelo 2: diodo com Vγ
O modelo 3 ou modelo linear, Figura 4.15, é o modelo que apresenta o comportamento

mais próximo do ideal. Neste modelo, além de Vγ considera-se também a queda de tensão na
resistência interna do diodo (RD). Portanto:
VD = Vγ + RD x ID
Figura 4.15 - Modelo 3: diodo com Vγ e RD
Para adotar-se um dos três modelos, leva-se em conta o valor da fonte de alimentação
(VCC) e da barreira de potencial do diodo (Vγ):
" se VCC ≥ 10 ⋅ Vγ , adota-se o modelo 1, ou seja, considera-se o diodo ideal;

" se VCC < 10 ⋅ Vγ e R L >> R D , adota-se o modelo 2
" se VCC < 10 ⋅ Vγ e se RL for da mesma ordem de grandeza de RD, adota-se o modelo 3.

EXERCÍCIOS
12. O que é recombinação e como ela ocorre?

13. O que é camada de depleção e como ela se forma?
14. O que é barreira de potencial e qual o seu valor para os diodos de silício e germânio?
15. O que acontece com os portadores majoritários na polarização direta?
16. Por que os portadores majoritários não circulam pelo diodo na polarização reversa?
17. O que é corrente reversa?
18. Explique quais são as principais especificações do diodo semicondutor, destacando-as na
sua curva característica.
19. Qual é a potência dissipada num diodo de silício com polarização direta, se a tensão do
diodo for de 0,7 V e a corrente de 100 mA ?
20. Determinar a reta de carga, o ponto quiescente (Q) e a potência dissipada pelo diodo no
circuito a seguir, dada a sua curva característica.
21. Para os circuitos a seguir, utilizando-se os três modelos de diodos, calcular o valor das
correntes nos diodos (ΙD) e analisar os resultados obtidos.
Circuito 1:
Especificações do diodo: Vγ = 0,7 V e RD = 10 Ω
Circuito 2:
Especificações do diodo: Vγ = 0,7 V e RD = 10 Ω

22. Esboçar a curva característica de um diodo de silício com Vγ = 0,7 V e VBR = 50 V.
Explicar com suas palavras cada parte do gráfico.
23. Para o circuito ao lado, calcular a

corrente e a potência dissipada pelo
diodo. Considerar o modelo 2 para o
diodo.
24. Qual o valor da tensão reversa sobre

o diodo, no circuito ao lado?
25. O circuito abaixo apresenta um problema. Identificá-lo e propor uma solução.
26. Identificar a condição das lâmpadas no circuito abaixo, de acordo com a seguinte
convenção:
Ι - lâmpada acende;
ΙΙ - lâmpada não acende;
ΙΙΙ - lâmpada acende com sobrecarga de tensão, podendo danificar-se.
Especificações das lâmpadas: VL = 6 V e PL = 120 mW
27. Aqui estão alguns diodos e suas especificações de tensão de ruptura (VBR) e corrente
máxima (ΙDM):

Diodo VBR (V) ΙDM (A)
1N914 75 0,2
1N4001 50 1,0
1N1185 120 35,0
Qual desses diodos rompe-se, quando utilizado no circuito a seguir?
28. Quais os diodos relacionados no exercício anterior, que podem ser utilizados no circuito a
seguir?
29. No circuito abaixo, VD = 5 V. O diodo está aberto ou em curto?
30. No circuito abaixo, a resistência R está em curto. Qual será a tensão sobre o diodo? O que
acontecerá ao diodo?
31. O que há de errado com o circuito abaixo?
32. Quais os possíveis problemas do circuito abaixo?

33. Quais os problemas do circuito da figura abaixo?
34. Para o circuito da figura abaixo, calcular a corrente de saturação, a tensão de corte e o
ponto Q, dado a curva característica do diodo. Qual o valor da potência dissipada pelo
diodo ?

5. DIODOS ESPECIAIS
DIODO ZENER
O diodo zener é um dispositivo semicondutor, que tem quase as mesmas

características que o diodo normal. A diferença está na forma como ele se comporta quando
está polarizado reversamente.
No diodo normal, quando ele está polarizado reversamente, se a tensão reversa é muito
grande, ele rompe-se permitindo passar por ele uma corrente reversa intensa. Este efeito é
denominado efeito avalanche e consiste num aumento repentino da corrente reversa,
dissipando uma potência suficiente para causar a ruptura da junção PN. A tensão na qual este
efeito ocorre é chamada tensão de ruptura ou breakdown voltage (VBR), Figura 5.1, sendo uma
das características que deve-se especificar nos projetos que utilizam diodos.
Figura 5.1 - Efeito avalanche no diodo retificador
O diodo zener é construído com uma área de dissipação de potência suficiente para
suportar o efeito avalanche. Assim, a tensão na qual este efeito ocorre é denominada tensão
zener (VZ), podendo variar em função do tamanho e do nível de dopagem da junção PN.
Comercialmente, são encontrados diodos zener com VZ de 2V a 200V.
Pela curva característica do diodo zener, Figura 5.2, observa-se que a tensão reversa
VZ mantém-se praticamente constante quando a corrente reversa está entre ΙZm (corrente zener
mínima) e ΙZM (corrente zener máxima).
Figura 5.2 - Curva característica e símbolo elétrico do diodo zener

Especificações máximas
As principais especificações do diodo zener são:

VZ: tensão zener;
ΙZM: corrente zener máxima;
PZM: potência zener máxima. O diodo zener dissipa esta potência quando sua corrente
atinge o valor ΙZM, ou seja: PZM = VZ ⋅ Ι ZM ;
RZ: resistência zener. Esta resistência reflete a pequena variação de VZ em função de ΙZ
e pode ser calculada por:
∆VZ
RZ =
∆Ι Z
Regulação de tensão
Como VZ permanece, praticamente, constante na polarização reversa, a grande

aplicação do diodo zener é de, nesta região, poder atuar como regulador de tensão.
Considerando o circuito da Figura 5.3, no qual o diodo zener está reversamente
polarizado por uma fonte de tensão de entrada VE, que o alimenta e a uma resistência
limitadora de corrente RS, pode-se determinar a tensão VZ e a corrente ΙZ no diodo zener
analiticamente através da equação do circuito:
VE = R S ⋅ Ι Z + VZ
Figura 5.3 - Diodo zener polarizado reversamente
A equação acima considera a tensão zener constante para correntes entre ΙZm e ΙZM, ou
seja, adota um modelo ideal para o diodo zener, como mostra a Figura 5.4.
Figura 5.4 - Modelo ideal do diodo zener
Porém, se a precisão desejada para os cálculos de VZ e ΙZ for maior, pode-se utilizar o

modelo linear que leva em consideração a resistência zener RZ, ficando a equação da seguinte
forma:
VE = R S ⋅ Ι Z + R Z ⋅ Ι Z + VZ
Figura 5.5 - Modelo linear do diodo zener

Como a variação da tensão zener é muito pequena, normalmente RZ é desconsiderada
nos cálculos. Por outro lado, como é possível determinar VZ e ΙZ graficamente, naturalmente,
os resultados obtidos levam em consideração estas variações e isto pode ser feito pela reta de
carga, traçada a partir dos seguintes pontos:
• tensão de corte: VZcorte (para ΙZ = 0): VZcorte = VE

VE
• corrente de saturação ΙZsaturação (para VZ = 0): Ι Zsat = , desprezando-se RZ.
RS
A Figura 5.6, mostra a reta de carga traçada sobre a curva característica do diodo zener
na região reversa.
Observação: na curva característica,

os pontos da reta de carga são
negativos, pois o diodo está
trabalhando na região reversa.
Figura 5.6 - Curva característica e reta de carga do diodo zener
Desta forma, o ponto quiescente (Q) do diodo zener pode ser determinado pela
interseção da curva característica com a reta de carga, correspondendo aos valores de tensão
VZ sobre o diodo zener e a corrente ΙZ que passa por ele.
Considerando que a tensão de entrada aumentou para um valor VE’ ou a resistência
diminui para um valor RS’, isto acarretará um deslocamento do ponto quiescente, denominado
agora Q’, como apresentado na Figura 5.7.
Assim, percebe-se que para ambos os gráficos da Figura 5.7, que mesmo que a
corrente no diodo zener tenha aumentado para ΙZ', a tensão sobre ele permanece praticamente
constante, já que VZ ≅ VZ’.
Por isso, o diodo zener é chamado de regulador de tensão.
Figura 5.7- Deslocamento do ponto quiescente

DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)
Num diodo polarizado diretamente, os elétrons livres atravessam a junção e

combinam-se com as lacunas. À medida que esses elétrons caem de um nível mais alto de
energia para um mais baixo, eles irradiam energia. Nos diodos comuns essa energia é
dissipada na forma de calor. Mas no diodo emissor de luz (LED), a energia é irradiada na
forma de luz. Os LEDs substituíram as lâmpadas incandescentes em várias aplicações devido
a sua baixa tensão, vida longa e rápido chaveamento liga-desliga.
Os diodos comuns são feitos de silício, um material opaco que bloqueia a passagem da
luz. Os LEDs são diferentes. Usando-se elementos como o gálio, o arsênio e o fósforo, um
fabricante pode produzir LEDs que irradiam luz vermelha, verde, amarela, azul, laranja ou
infravermelha (invisível). Os LEDs que produzem radiação visível são úteis em instrumentos,
calculadoras, etc. Os LEDs infravermelhos encontram aplicação em sistemas de alarme contra
roubo e outras áreas que exijam radiação invisível.
Os LEDs têm uma queda de tensão típica de 1,5 a 2,5V, para correntes entre 10 e
50mA. A queda de tensão exata depende da corrente, da cor e da tolerância do LED.
A Figura 5.8 mostra o símbolo esquemático de um LED, onde as setas para fora
simbolizam a luz irradiada.
Figura 5.8 - Símbolo do LED
O brilho de um LED depende da corrente que circula pelo mesmo. Idealmente, a

melhor forma de se controlar o brilho é vincular o LED a uma fonte de corrente. A melhor
coisa para se obter uma fonte de corrente, é utilizar uma fonte de tensão (VS) de valor elevado
associada a uma resistência (RS) elevada em série. Neste caso, a corrente no LED é dada por:
VS − VLED
I LED =
RS
Quanto maior a tensão da fonte, menor o efeito que a VLED produz, u seja, um valor
alto de VS encobre a variação na tensão do LED.
A Figura 5.9(a) mostra um indicador de sete segmentos, que contém sete LEDs
retangulares (de A a G). Cada LED é chamado de um segmento, porque ele faz parte do dígito
que está sendo exibido. A Figura 5.9(b) é o diagrama esquemático de um indicador de sete
segmentos. Neste diagrama, estão incluídos os resistores externos em série para limitar as
correntes a níveis seguros para os LEDs. Aterrando-se um ou mais resistores, pode-se formar
qualquer dígito de 0 a 9.
Um indicador de sete segmentos, também, pode exibir as letras maiúsculas A, C, E e
F, mais as letras minúsculas b e d. Os instrutores de microprocessadores, freqüentemente,
usam um indicador de sete segmentos para mostrar todos os dígitos de 0 a 9, mais as letras A,
B, C, E, D, E e F.

(a) (b)
Figura 5.9 – (a) Indicador de sete segmentos e (b) diagrama esquemático
FOTODIODO
Como já visto, a corrente reversa num diodo corresponde ao fluxo de portadores

minoritários. Estes portadores existem porque a energia térmica mantém os elétrons de
valência desalojados de suas órbitas, produzindo no processo elétrons livres e lacunas. A vida
média dos portadores minoritários é curta, mas enquanto dura eles podem contribuir para a
corrente reversa.
Quando incide energia luminosa sobre uma junção pn, ela também pode desalojar
elétrons de valência, ou seja, a quantidade de luz incidente na junção pode controlar a corrente
reversa de um diodo. O fotodiodo é um diodo que foi otimizado na sua sensibilidade para a
luz. Nesse diodo, uma janela permite que a luz passe através do invólucro e chegue até a
junção, produzindo elétrons livres e lacunas. Quanto mais intensa a luz, maior o número de
portadores minoritários e maior a corrente reversa.
A Figura 5.10 mostra o símbolo esquemático de um fotodiodo, onde as setas para
dentro representam a luz incidente. Neste circuito, a fonte polariza reversamente e o resistor
em série limita a corrente reversa do fotodiodo. À medida que a luz torna-se mais brilhante, a
corrente reversa aumenta. Em fotodiodos típicos, a corrente típica situa-se na faixa de dezenas
de microampères.
Figura 5.10 - Fotodiodo
O fotodiodo é um exemplo de um fotodetetor, um componente optoeletrônico que

converte a luz incidente numa quantidade elétrica.
OPTOACOPLADOR
Um optoacoplador, também chamado optoisolador ou isolador óptico, associa um

LED a um fotodetetor num único invólucro. A Figura 5.11 mostra um exemplo de um
optoacoplador, no qual existe um LED no lado da entrada e um fotodiodo no lado da saída.

Figura 5.11 - Optoacoplador
A tensão da fonte V1 e o resistor em série R1, produzem uma corrente através do LED.
Por sua vez, a luz emitida pelo LED atinge o fotodiodo e isto estabelece a corrente reversa I2.
Somando-se as tensões ao longo da malha de saída tem-se que:
VS − V2 + R2 ⋅ I 2 = 0 ou VS = V2 − R2 ⋅ I 2
Observa-se que a tensão de saída depende da corrente reversa I2. Se a tensão de

entrada V1 variar, a quantidade de luz emitida pelo LED também variará. Assim, a tensão de
saída variará de acordo com a tensão de entrada. Por isso, a associação de um LED com um
fotodiodo é chamada de fotodiodo, pois este dispositivo é capaz de acoplar um sinal de
entrada a uma saída de maneira óptica.
A principal vantagem de um optoacoplador, é a isolação elétrica entre os circuitos de
entrada e de saída. Uma vez que o único contato entre a entrada e a saída, é um feixe de luz.
Por causa disso, é possível obter-se uma resistência de isolação entre os dois circuitos na faixa
de milhares de megaohms. Uma isolação como essa é necessária em aplicações com alta
tensão, onde os potenciais dos dois circuitos podem diferir em vários milhares de Volts.
DIODO SCHOTTKY
Em baixas freqüências, um diodo comum pode desligar-se facilmente quando a

polarização varia de direta para reversa. Mas, à medida que a freqüência aumenta, o diodo
chega num ponto onde não pode desligar-se suficientemente rápido para evitar uma corrente
considerável durante parte do semiciclo negativo.
No retificador de meia onda, Figura 5.12(a), a tensão de saída em baixas freqüências é
o sinal retificado de meia onda clássico, mostrado na Figura 5.12(b). À medida que a
freqüência aumenta para a faixa dos megahertz, o sinal de saída começa a desviar-se da sua
forma normal, como mostra a Figura 5.12(c). Percebe-se alguma condução no início do
semiciclo negativo, pois o tempo de recuperação reversa - tempo necessário para um diodo
polarizado diretamente desligar-se - torna-se importante.
(a) (b) (c)

Figura 5.12 - (a) retificador de meia onda, (b) saída normal e (c) saída distorcida

A solução para o tempo de recuperação reversa é o diodo Schottky. Esse diodo com
finalidade específica emprega um metal como o ouro, a prata ou a platina num lado da junção
e silício dopado, tipicamente do tipo n, do outro lado, como apresentado na Figura 5.13(a).
Quando o diodo está polarizado diretamente, os elétrons livres do lado n ganham
energia suficiente para ocupar órbitas grandes. Por causa disso, os elétrons livres podem
atravessar a junção e penetrar no metal, produzindo uma corrente direta elevada. Como os
metais não possuem lacunas, não há corrente reversa e, também, não haverá tempo de
recuperação reversa.
A Figura 5.13(b) mostra um circuito aplicativo e o símbolo esquemático de um diodo
Schottky. A falta de corrente reversa significa que o diodo Schottky pode desligar-se mais
rápido do que um diodo comum, como mostra a Figura 5.13(c). Na verdade, um diodo
Schottky pode retificar facilmente sinais de freqüências acima de 300MHz.
(a) (b) (c)
Figura 5.13 - Diodo Schottky (a) estrutura, (b) circuito retificador e (c) saída em 100 MHz
Uma aplicação importante dos diodos Schottky é nos computadores digitais. A

velocidade dos computadores depende da rapidez com que seus diodos e transistores
conseguem ligar/desligar. Como no diodo Schottky não há corrente reversa, ele tornou-se a
peça fundamental da família lógica TTL Schottky de baixa potência, um grupo de dispositivos
digitais amplamente usado.
VARACTOR
O varactor também chamado capacitância de tensão variável, varicap, epicap ou diodo

de sintonia, é muito usado em receptores de televisão, de FM e outros equipamentos de
comunicação.
Quando polarizado reversamente, um diodo de pequeno sinal tem uma resistência
reversa que se situa na faixa dos megaohms. Em baixas freqüências, o diodo é comparado a
um circuito aberto. Mas, em altas freqüências há um outro percurso para a corrente que
precisa ser levado em conta.
Na Figura 5.14(a) a camada de depleção está entre as regiões p e n. Quando polarizado
reversamente, um diodo de silício assemelha-se a um capacitor, pois as regiões p e n são
como as placas do capacitor e a camada de depleção comparam-se ao dielétrico. O circuito
externo pode carregar essa capacitância, retirando elétrons de valência do lado p e
adicionando elétrons livres ao lado n. A ação é a mesma que retirar elétrons de uma placa do
capacitor e depositá-los na outra.
A capacitância deste diodo é chamada de capacitância de transição, representada por
CT. Como a camada de depleção fica mais larga quanto maior for a tensão reversa, a
capacitância de transição torna-se menor, pois aumenta a distância entre as placas do
capacitor. Assim, a capacitância é controlada pela tensão.

A Figura 5.14(b) mostra o circuito equivalente para um diodo polarizado
reversamente. Uma resistência reversa elevada RR está em paralelo com a capacitância de
transição CT. Em baixas freqüências, a capacitância é desprezível e o diodo parece,
essencialmente, aberto porque RR aproxima-se de infinito. Em freqüências mais altas, a
capacitância controlada pela tensão torna-se o efeito dominante. A Figura 5.14(c) indica como
a capacitância varia com a tensão reversa aplicada.
(a) (b) (c)
Figura 5.14 - Varactor (a) Estrutura, (b) circuito equivalente e (c) capacitância de transição x tensão reversa
Os varactores são diodos de silício otimizados para a sua capacitância variável. Por
ser a capacitância controlada pela tensão, eles substituíram os capacitores sintonizados
mecanicamente em muitas aplicações, como nos receptores de televisão e nos rádios de
automóveis.
VARISTOR
As descargas elétricas, falhas nas linhas de transmissão, chaveamento de carga reativa,

entre outros, podem poluir a tensão da linha pela superposição de picos, vales e outros
transitórios a tensão normal de alimentação. Os vales são quedas de tensão abruptas que
duram cerca de microssegundos ou menos. Os picos são sobretensões rápidas de 500 até mais
de 2000V. Em alguns equipamentos são usados filtros entre a linha de alimentação e o
primário do transformador, para eliminar os problemas causados pelos transitórios na linha.
Um dos componentes usados para filtrar a linha é o varistor, também chamado de
supressor de transitório. Esse dispositivo semicondutor assemelha-se com dois diodos zener,
um de costas para o outro, com uma tensão de ruptura bem alta em qualquer sentido. O
varistor corta todos os picos de tensão acima da tensão especificada, protegendo o
equipamento.

6. CIRCUITOS COM DIODOS
SINAL SENOIDAL
Os circuitos eletrônicos podem trabalhar com tensões e correntes contínuas e

alternadas.
Um dos sinais alternados mais comuns é o senoidal, que pode ser representado
matematicamente por:
x = X P ⋅ sen( y )
onde: x é o valor instantâneo;
XP é o valor de pico;
y é o domínio da função.
No domínio angular, temos y = θ, onde θ é o ângulo e pode ser dado em graus (o) ou
em radianos (rad).
Figura 6.1 - Função senoidal no domínio angular: x = X P ⋅ sen(θ )
No domínio temporal, temos y = ωt, onde ω é a velocidade angular dada em radianos

por segundo (rad/s) e t é o tempo dado em segundos (s).
2π
Figura 6.2 - Função senoidal no domínio temporal: x = X P ⋅ sen(ωt ) e ω = 2πf =
T
onde: f é a freqüência do sinal em hertz (Hz);
T é o período do sinal em segundos (s).
Ainda sobre o sinal senoidal, três definições são importantes:

• O valor pico a pico: X PP = 2 ⋅ X P
• O valor médio: Xm = 0
X
• O valor eficaz: X rms = P
2

CIRCUITOS RETIFICADORES
A geração e distribuição de energia elétrica é feita na forma de tensões senoidais,

porém muitos aparelhos eletrônicos são alimentados por tensões contínuas. Sendo assim,
necessitam de circuitos que transformam tensões alternadas em tensões contínuas. Estes
circuitos são denominados retificadores. Porém, a tensão alternada na entrada de um circuito
retificador deve ser adequada ao seu padrão de tensão, ou seja, a tensão da rede elétrica, antes
de ser ligada ao retificador, precisa ser reduzida, trabalho este realizado pelo transformador.
Ainda, após o retificador, é necessário eliminar as variações da tensão contínua para
que a mesma se torne constante, o que é feito através de filtros ou circuitos reguladores de
tensão. A este conjunto de circuitos, dá-se o nome de fonte de tensão ou fonte de alimentação.
Figura 6.3 - Diagrama de blocos de uma fonte de alimentação
TRANSFORMADORES
Existem vários tipos de transformadores, porém, para o estudo dos retificadores,

apenas dois interessam.
Transformador abaixador de tensão
Figura 6.4 - Transformador abaixador de tensão
O transformador é constituído de um núcleo de ferro laminado, que serve para fazer o

acoplamento magnético entre os dois enrolamentos feitos sobre ele: o enrolamento primário,
no qual é ligada a tensão da rede, e o enrolamento secundário, no qual podem ser ligados uma
carga, um filtro ou um circuito regulador de tensão.
No transformador, as tensões e as correntes dos enrolamentos primário (V1 e Ι1) e
secundário (V2 e Ι2), estão relacionadas ao número de espiras destes enrolamentos (N1 e N2):
V1 N 1 Ι 1 N2
= e =
V2 N 2 Ι 2 N1
No transformador ideal, a redução da tensão ocorre sem perda de potência, isto é, a

potência entregue ao primário é igual à potência fornecida ao secundário:
P1 = P2
V1 Ι 1 = V2 Ι 2

Transformador com derivação central no secundário
Figura 6.5 - Transformador com derivação central no secundário
Este transformador funciona como se tivesse dois secundários e, portanto, as relações

entre as tensões, correntes e número de espiras são as mesmas que as do transformador visto
anteriormente. Porém, o terminal central é comum aos dois enrolamentos secundários,
fazendo com que as suas tensões sejam defasadas de 180º.
RETIFICADOR DE MEIA ONDA
É o mais simples dos retificadores. A sua constituição básica é um diodo em série com
uma carga RL.
Figura 6.6 - Retificador de meia onda
Obs.: Como, normalmente, o sinal senoidal de entrada a ser retificado tem uma amplitude
muito maior que Vγ, para efeito de análise, será considerado o modelo do diodo ideal.
No semiciclo positivo de V2, o diodo está diretamente polarizado, logo ele conduz,
fazendo com que a tensão de saída seja igual à de entrada.
No semiciclo negativo de V2, o diodo está reversamente polarizado, logo ele não
conduz, fazendo com que a tensão na saída seja nula.
Como a forma de onda na carga não é mais senoidal, embora a freqüência seja a
mesma da tensão de entrada, o seu valor médio deixa de ser nulo, podendo ser calculado por:
V
Vm = P
π

Figura 6.7 - Formas de onda num retificador de meia onda
Assim, pode-se calcular a corrente média na carga (igual a corrente média no diodo),
da seguinte forma:
V
Ιm = m
RL
Então, para que o diodo não queime, ele deve suportar tanto esta corrente média
quanto a tensão de pico reversa, ou seja:
Ι DM ≥ Ι m e V Br ≥ V P
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM DERIVAÇÃO CENTRAL
O retificador de onda completa faz com que tanto o semiciclo positivo quanto o
negativo, apareçam sobre a carga sempre com a mesma polaridade.
Usando um transformador com derivação central é possível obter uma retificação
completa.
Figura 6.8 - Retificador de onda completa com derivação central.

Durante o semiciclo positivo, o diodo D1 conduz e o diodo D2 corta, fazendo com que
a tensão na carga seja positiva e igual à tensão no secundário superior do transformador.
Durante o semiciclo negativo, o diodo D1 corta e o diodo D2 conduz, fazendo com que
a tensão na carga tenha a mesma polaridade da situação anterior e a mesma amplitude.
Figura 6.9 - Comportamento do retificador de onda completa com derivação central
Figura 6.10 - Formas de onda no retificador de onda completa com derivação central

Neste caso, a freqüência da tensão de saída dobra de valor e, portanto, a tensão média
na carga também dobra. Por outro lado, como a tensão de pico na carga é metade da tensão de
pico no secundário do transformador, a tensão média final é a mesma que se obteria usando
um retificador de meia onda com este mesmo transformador (ignorando-se a derivação
central), ou seja:
V
2× P
Vm = 2 = V P e Ι = Vm
m
π π RL
Porém, a vantagem deste retificador está na especificação do diodo e na qualidade da

filtragem. Em relação às especificações dos diodos, tem-se uma grande vantagem neste
circuito. Como cada diodo conduz corrente num semiciclo, a corrente que eles devem suportar
corresponde à metade da corrente média na carga. Por outro lado, a tensão reversa que os
diodos devem suportar é a tensão total de pico do secundário, já que suas duas metades
somam-se sobre os diodos quando estes estão cortados. Assim:
Ι
Ι DM ≥ m e V Br ≥ V P
2
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
Este circuito utiliza uma ponte de diodos, tendo algumas vantagens em relação aos
anteriores.
Figura 6.11 - Retificador de onda completa em ponte
Durante o semiciclo positivo, os diodos D1 e D3 conduzem e os diodos D2 e D4 cortam,

transferindo, assim, toda a tensão de entrada para a carga.
Durante o semiciclo negativo, os diodos D1 e D3 cortam e os diodos D2 e D4
conduzem, fazendo com que toda a tensão de entrada apareça sobre a carga com a mesma
polaridade que a do semiciclo positivo.
Figura 6.12 - Comportamento do retificador de onda completa em ponte

Figura 6.13 - Formas de onda no retificador de onda completa em ponte
Como neste caso a freqüência da tensão de saída dobra de valor, a tensão média na
carga também dobra, ou seja:
2 × VP Vm
Vm = e Ιm =
π RL
Porém, neste circuito, a tensão de pico na carga corresponde à tensão de pico na saída
do transformador e, portanto, a tensão média final é o dobro da tensão média obtida pelos
retificadores anteriores, caso o mesmo transformador seja utilizado.
Em relação às especificações dos diodos, como cada diodo conduz corrente somente
num semiciclo, a corrente que eles devem suportar corresponde à metade da corrente média
na carga. Quanto à tensão reversa, os diodos devem suportar a tensão de pico do secundário.
Ι
Ι DM ≥ m e V Br ≥ V P
2

FILTRO CAPACITIVO
A utilização de um filtro capacitivo é muito comum nas fontes de alimentação que não
necessitam de boa regulação, ou seja, que podem ter pequenas oscilações na tensão de saída.
Um exemplo, é o eliminador de baterias cujo circuito vem todo montado na caixinha que vai
ligada à rede elétrica.
Figura 6.14 - Fonte de alimentação retificada
Figura 6.15 - Forma de onda na saída da fonte de alimentação retificada
Com o primeiro semiciclo do sinal retificado, o capacitor carrega-se através dos

diodos D1 e D3 até o valor de pico. Quando a tensão retificada diminui, os diodos que estavam
conduzindo ficam reversamente polarizados, fazendo com que o capacitor se descarregue
lentamente pela carga RL.
Quando, no segundo semiciclo, a tensão retificada fica maior que a tensão no
capacitor, os diodos D2 e D4 passam a conduzir carregando novamente o capacitor até o valor
de pico, e assim sucessivamente, formando uma ondulação denominada ripple. A descarga do
capacitor é lenta devido à constante de tempo RLC, ou seja, quanto maior o capacitor ou a
resistência de carga, maior a constante de tempo e menor o ripple. Porém, mesmo com o
ripple, percebe-se que a filtragem aumenta o valor médio da tensão de saída, que será
chamada de Vmf. O valor de pico a pico do ripple, pode ser calculado pela equação abaixo:
V mf
Vr =
f ⋅ RL ⋅ C
onde: Vmf é a tensão média na carga após a filtragem;

f é a freqüência da ondulação;
RL é a resistência de carga;
C é o capacitor de filtro.
Assim, para o projeto de uma fonte de alimentação deve-se, antes, estipular a tensão
média de saída e o ripple desejados para, em seguida, calcular o capacitor necessário para a
filtragem, as especificações dos diodos e as especificações do transformador.

EXERCÍCIOS
35. O transformador da figura abaixo, tem uma tensão no secundário (V2) de 30 VCA. Qual a
tensão de pico (Vp), a tensão média (Vm) e a corrente média (Ιm) através da resistência de
carga (RL) ? Desenhar as formas de onda da tensão no secundário (V2), no diodo (VD) e
na carga (VRL).
36. Aqui estão alguns diodos e a sua especificação de ΙDM:

a. 1N914: ΙDM = 50 mA
b. 1N3070: ΙDM = 100 mA
c. 1N4002: ΙDM = 1 A
d. 1N1183: ΙDM = 35 A
Se a tensão do secundário (V2) for de 115 VCA no circuito do exercício anterior, qual o
tipo de diodo dado acima que pode ser utilizado ?
37. Aqui estão alguns diodos e sua especificação de VBR:

a. 1N914: VBR = 20 V
b. 1N3070: VBR = 50 V
c. 1N4002: VBR = 100 V
d. 1N1183: VBR = 175 V
Dada uma tensão do secundário (V2) de 60 VCA no circuito do exercício anterior, qual a
VBR através do diodo. Qual dos diodos citados acima pode ser usado ?
38. Na figura abaixo, a tensão no secundário (V2) é de 40 VCA. Qual a tensão de pico, a
tensão média (Vm) e a corrente média (Ιm) na carga (RL) ? Desenhar as formas de onda
da tensão total no secundário (V2), nos enrolamentos A e B do secundário (V2A e V2B),
nos diodos (VD1 e VD2) e na carga (VRL).
39. Se a tensão do secundário (V2) for de 60 VCA no circuito acima, qual dos diodos
apresentados anteriormente têm especificações de ΙDM e VBR suficiente para ser
utilizado ?

40. Dada uma tensão do secundário (V2) de 40 VCA no circuito do exercício anterior,
calcular a corrente média na carga (Ιm) e a VBR através de cada diodo. Qual a corrente
máxima (ΙDM) que passa através de cada diodo.
41. Se a tensão do secundário (V2) na figura abaixo for de 30 VCA, qual a tensão média (Vm)
e a corrente média (Ιm) através da resistência de carga (RL) ? Qual a VBR através de cada
diodo ? Desenhar as formas de onda da tensão no secundário (V2), nos diodos (VD1,
VD2, VD3 e VD4) e na carga (VRL).
42. A tensão do secundário (V2) no circuito do exercício anterior é de 60 VCA. Qual a

corrente média na carga (Ιm) ? Qual a corrente máxima através de cada diodo (ΙDM) ?
Qual a VBR através de cada diodo ?
43. No circuito do exercício anterior, a tensão no secundário é de 40 VCA. Qual é a tensão

média (Vm) e a corrente média na carga (Ιm) ? Qual a corrente máxima em cada diodo
(ΙDM) ? Qual a VBR através de cada diodo ?
44. Os diodos do circuito do exercício anterior têm especificação ΙDM de 150 mA e uma
especificação de VBR de 75 V. Estes diodos são adequados para uma tensão do
secundário (V2) de 40 VCA ?
45. Se todos os diodos do circuito do exercício anterior tiverem uma especificação ΙDM de
0,5 A e uma especificação de VBR de 50 V, eles são adequados para uma tensão do
secundário (V2) de 60 VCA ?
46. Para os circuitos das figuras abaixo, determine:

!#A nomenclatura usual;
!#As formas de onda das tensões no circuito;
!#valor da tensão em cada um dos elementos do circuito;
!#valor da corrente em cada um dos elementos;
!#A potência dissipada pela carga;
!#A especificação dos diodos.

47. A figura abaixo mostra um transformador com relação de espiras N1/N2=55 e com tensão
no primário de 110VRMS ligado a um retificador de meia onda (diodo de germânio) com
uma carga de 40Ω. Considerando o valor de Vγ do diodo (modelo 2), determine:
!#A especificação do diodo.
48. A figura abaixo mostra um transformador com tensão no secundário de 30VRMS ligado a
um retificador de onda completa com derivação central com uma carga de 300Ω,
determine:
!#A especificação do diodo.
49. Projetar uma fonte com tensão de entrada de 110VRMS/60Hz e tensão média de saída de
15V com ripple de 0,5V, para alimentar um circuito que tem resistência de entrada
equivalente a 500Ω. Utilizar o retificador de onda completa com derivação central.
50. Projetar uma fonte de tensão que substitua uma bateria de um aparelho eletrônico formada
por duas pilhas de 1,5V e que tem um consumo de potência de 7,5mW. O ripple deve ser
de no máximo 0,15V. Utilizar o retificador de sua escolha.

51. Na figura abaixo a tensão do secundário é de 40VRMS. Utilizando diodos ideais, calcule a
tensão na carga. Especifique o diodo.
52. Qual a tensão na carga e a ondulação no circuito abaixo, para uma tensão no secundário de
17,7VRMS.
53. A tensão da linha é tipicamente de 115VRMS ± 10%. Calcule o valor de pico para uma
linha baixa e para uma linha alta.
54. O transformador da figura abaixo tem uma tensão do secundário de 30VRMS. Qual a
tensão de pico na resistência de carga? A tensão média? A corrente média através da
resistência de carga?

Semicondutores

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Os créditos são de seus autores.

Golberi de Salvador Ferreira, Dr.

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 1

1904: primeira válvula (diodo)

! Criada pelo cientista John Ambrose Flemming;

Figura 1.1 – Válvula diodo polarizada

! Invertendo-se a polarização, fazendo-se com que o cátodo fique polarizado positivamente

1908: válvula tríodo

A válvula tríodo juntamente com a válvula diodo, foram as responsáveis pelo

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 2

Dentre muitas outras aplicações, a eletrônica pode ser usada para:

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 3

Figura 2.1 – Bipolo elétrico genérico

Os bipolos elétricos podem ser classificados em geradores ou receptores, em função

Um bipolo gerador é aquele que transforma um tipo de energia qualquer em energia

Pilha ! transforma energia química em elétrica

Figura 2.2 – Bipolo gerador

Um bipolo receptor é aquele que transforma energia elétrica em um tipo de energia

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 4

Em eletricidade e eletrônica, utilizam-se os símbolos específicos dos bipolos para

Figura 2.4 – Símbolos de alguns bipolos receptores

Num circuito elétrico, é possível que um gerador comporte-se como um receptor, em

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 5

Figura 3.1 - Modelo atômico de Bohr

Tabela 1: Número máximo de elétrons nas bandas de energia

Figura 3.2 - Níveis de energia de um átomo

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 6

A última órbita de um átomo é denominada de banda de valência. A valência de um

Figura 3.4 – Banda de valência e banda de condução

Figura 3.5 – Materiais isolantes, condutores e semicondutores

Os materiais semicondutores são sólidos ou líquidos, capazes de mudar com certa

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 7

MATERIAIS SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS

Na Figura 3.6, apresenta-se os átomos de dois materiais semicondutores intrínsecos ou

Figura 3.6 - Átomos de silício e germânio

Figura 3.7 - Representação plana dos semicondutores

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 8

Num determinado instante quando recebe um acréscimo de energia e sai da banda de

Figura 3.8 - Formação de um íon positivo

Figura 3.9 - Movimento da lacuna

Figura 3.10 – Semicondutor tipo N: cristal de silício com impureza pentavalente

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 9

Figura 3.11 – Semicondutor tipo P: cristal de silício com impureza trivalente

O processo de introduzir átomos de impurezas num cristal de silício, de modo a

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 10

A união física de um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N forma uma

Figura 4.1 – Diodo semicondutor

Na formação da junção PN ocorre o processo de recombinação, no qual os elétrons do

Figura 4.2 - Recombinação elétron – lacuna

Durante o processo de recombinação forma-se, próximo à junção, a camada de

Figura 4.3 - Camada de depleção

Quando termina o processo de recombinação a camada de depleção fica ionizada,

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 11

Na Figura 4.5 apresenta-se o símbolo elétrico do diodo semicondutor e o componente

Figura 4.5 - Símbolo elétrico do diodo semicondutor

No componente eletrônico o lado que contém o anel cinza, ou prateado, é o cátodo.

Figura 4.6 - Polarização direta do diodo

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 12

Figura 4.7 - Comportamento do diodo na polarização direta

Figura 4.8 - Polarização reversa do diodo

Portanto, na polarização reversa o diodo comporta-se como um circuito aberto, ou

Figura 4.9 - Comportamento do diodo na polarização reversa

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 13

Como exemplo apresenta-se na Tabela 2 as especificações do diodo 1N4001.

Tabela 2: especificações do diodo 1N4001

O comportamento do diodo nas polarizações direta e reversa e as suas principais

Figura 4.10 - Curva característica do diodo semicondutor

CONCEITO DE RETA DE CARGA

Figura 4.11 - Diodo alimentado e com resistor limitador

@2005 Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 14

Figura 4.12 - Reta de carga e ponto quiescente do diodo

Para a obtenção da reta de carga necessita-se de dois pontos conhecidos de trabalho do

Ponto de corte: I Dcorte = 0 VDcorte = VCC ;