Apostila de Eletrônica I - Paulo Leite - Aluno
Apostila de Eletrônica I - Paulo Leite - Aluno
Apostila de Eletrônica I - Paulo Leite - Aluno
1 Introduo
1.1 Fonte de Tenso
a) Fonte de tenso ideal
V
RL
Para: R L 2K
I 6mA
R L 1K
I 12mA
R L 1
I 12A
R L 0,1 I 120A
R L 0
I inf inito
b) Real
O que ocorre na prtica que a fonte tem uma Rs de forma que se diminuirmos muito Rl,
Rs comea a limitar a corrente diminuindo a tenso na sada da fonte. Ex: Pilha Rs = 1r,
bateria de carro Rs = 0,1, Fonte de tenso eletrnica Rs = 0,01.
V
RS R L
IL
20A
10A
0,6
RL
IL
Vs
Vs
2
Rs
100 Rs
RL
RL
2K
1K
100
10
1
0,1
0
I
6 mA
12 mA
119,3 mA
1,13 A
7,5 A
17,14 A
20 A
VL
12
12
11,93
11,32
7,5
1,7
0
Ex:
V
V
R RS R L
0
1,2 A
1K
1,1999
IL
10 K
1,1988
100 K
1,1881
Ponto 99%
1,2
estvel
Rs/100
RL
(100K)
O semicondutor tipo n recebe impurezas penta valentes de forma a ter mais eltrons
livres.
O semicondutor tipo p recebe impurezas trivalente criando lacunas livres.
O Diodo No Polarizado
VS V
RS
Ex: VS 12 V
I
R S 100
12 0,7
113 mA
100
para calcularmos a tenso exata na resistncia temos que entrar na curva do diodo.
VS V
RS
V VS
I
RS RS
V
V = 0 I S 120 mA
R
I = 0 V VS 12 V
12 0,75
I
112,5 mA
100
I
Aproximaes do diodo
Para grandes tenses e correntes: conduz quando polarizado direto; no conduz quando
polarizao reversa.
Para pequenos sinais: conduz com queda de 0,7V direto; pequena corrente de fuga;
polarizao reversa.
Equivalente Thevenin
Tenso = tenso se no tivesse duas cargas.
Resistncia = Resistncia que se olha do terminal da
carga quando zera todas fontes de tenso e abre as
fontes de corrente.
4 0,7
I
1,1 mA
2K K
3 Circuitos Retificadores
So circuitos que transformam tenso alternada em tenso contnua.
Nesta cadeira veremos apenas os circuitos monofsicos de meia onda e onda completa.
3.1 Valor de pico, RMS e Mdio
V VP sen wt VP sen
0V0
V
30 V P
2
90 V VP
Valor do pico = Vp
1 T
2
V
2
Valor eficaz ou RMS VRMS VP sen wr dt para senide P 0,707VP
2
T 0
definido como a tenso que produz a mesma quantidade de potncia que uma onda
senoidal.
T
1
VP sen wtdt
T0
Vin
RL
Desprezando R da fonte e R do diodo.
Vin VP sen
VL VP sen
Tenso na carga :
VL 0
0
2
1
1
VMDIO
Vt d VP sen d VP sen d
2 0
2 0
V
V
V
V
I
I MDIO MDIO
I MDIO P P
RL
R L
1
VP 2 sen 2 d
2 0
VRMS
sen
1
V
V2P P
2
2
2
V
V
RMS P
RL
2R L
VP
2
V
P
2R L
VRMS
VRMS
I RMS
I RMS
Especificao do diodo
Tenso de pico inversa;
Quando a tenso est no semi ciclo negativo a corrente zero, logo toda tenso est sobre o
diodo. VPI VP
Potncia;
P V I 0,7 I
3.3 Retificador de onda completa
1
VP
cos0 VP 1 1
VP sen d
2V
2I
V
2VP
P
IMDIO P
IMDIO
R L R L
VMDIO
VMDIO
Valor eficaz
VRMS
IRMS
1
V
VP sen 2 d P
0
2
IP
2
ou
VP
2R L
VD 2 VA VB
VD2 VP VP
VD2 2VP
Retificador em Ponte
Num-diodo
Tenso pico de sada
Resumo Retificadores
Meia onda
Onda completa
1
2
VP
0,5 VP
Ponte
4
VP
Tenso CC sada
Corrente CC do diodo
Tenso pico inversa
Freq. Ondulao
Tenso CC sada
0,318 VP
IC
VP
fENT
0,45 VRMS
0,636 VP
0,5 IC
VP
2 fENT
0,45 VRMS
0,636 VP
0,5 IC
VP
2 fENT
0,9 VRMS
Ex1 Para um retificador de meia onda, desenhe as formas de onda Vin, VD,VL e IL.
Considerando Vin = 12 VRMS e RL = 100 , calcule: VMDIO na carga, IMDIO na carga, Vef
(ou RMS) na carga, Ief na carga.
VAC
100
VCC
Vef
V
V
CC AC
R
R
R
0,1487
VAC 0,3856 VP
VAC
0,3856 VP
100
100 120%
VP
VCDC
b)Onda completa
VP 2 VP
2
2
VAC
VP
1 4
100
2 2
= 48 %
2 VP
Pdc
VP IP
2 2
VP I P
VP IP
2
2
2
VP IP =
Pdc 2
4
4
Cap. Trafo = 3,49 Pdc
Cap. Trafo =
2 VP IP
4
b)Onda completa
Vef =
VP
2
VP I P
2 2
VP I P
2
Na carga = Pdc = VP . IP =
Capacidade =
2VP 2IP
4VP IP
=
= 0,4 VP IP
Pdc
1,75 Pdc
0,4 2
Vef =
Ief =
VP
2
IP
2
Capacidade =
VP I P
2
2VP 2IP
Na carga Pdc =
Capacidade =
Pdc
= 1,23 Pdc
2 0,4
Resumo:
1/2 onda
VP
VP
2
2VP
VP
2VP
VP
48%
1,75 Pdc
(1,23 Pdc Primrio)
48%
1,23 Pdc
Fator ripple
120%
Transformador Capacidade de 3,49 Pdc
armazenamento de energia
em relao a Pdc
Ex4 - Em um retificador de meia onda est ligado uma carga de 80 sobre a qual h uma
passagem de 5A de corrente de pico. Qual a tenso reversa sobre o diodo e a capacidade
de armazenamento do transformador?
4- Filtros Retificadores
4.1- Retificador de 1/2 onda
A sada de um retificador uma tenso em um nico sentido porm pulsante, sem aplicao
prtica em eletrnica. Para reduzir o ripple devemos colocar um capacitor que se carrega
durante um pequeno espao de tempo. Logo aps o pico positivo o diodo para de conduzir
e o capacitor se descarrega atravs da resistncia de carga. Quanto maior o produto RLC,
menor o ripple.
(figura 51 pg. 74 Cipelli)
Durante a descarga Vcap VRL VPe
RLC
2 - A corrente que flua pelo diodo em todo o semiciclo agora fica concentrada em um
perodo menor que 1/2 semiciclo. Quanto maior o capacitor menor o tempo de carga e
maior o pico de corrente no diodo.
5- Retificadores Multiplicadores
Dobrador de tenso de onda completa.
Lgica binria:
a
0
0
1
1
b
0
1
0
1
ou
0
1
1
1
e
0
0
0
1
7 - Diodo Zener
O diodo Zener quando polarizado diretamente funciona como um diodo comum. Porm
devido a artifcios em sua fabricao, o diodo Zener capaz de operar reversamente em sua
tenso de ruptura sem se danificar.
Para V positivo a curva igual a um diodo
comum. Para V negativo existe uma tenso
VZ (entre 2 e 200V), que mesmo variando a
corrente a tenso no muda.
Os fabricantes fornecem valores de VZ e
PMAX onde PMAX = VZ IMAX
O projeto deve ser realizado para que a
corrente no Zener esteja entre IMIN e IMAX. No
caso de no ser especificado IMIN utilizar
IMAX/10.
Funcionamento: R deve ser calculado de forma que o Zener fique trabalhando na regio de
avalanche controlada (ou ruptura), logo podemos considerar VZ como constante.
Se Vin ou RL variar, dentro de certos limites, VL permanece constante.
Vin VZ
cons tan te IL I Z
R
Se RL diminuir, IL aumenta e IZ diminui
Se RL aumentar, IL diminui e IZ aumenta.
I
VIN min VZ
R
O pior caso ser para RL = quando ILmin = 0, toda corrente vai passar pelo Zener.
VIN max RI Z max VZ
I Zma x
VIN max VZ
R
Ex2:
ILmax 20mA
Ex5: Determine VL, VR, IZ e PZ no circuito abaixo. Supondo a)RL = 1K2 b) RL = 3K.
PMAX 1,3W
VZ 12V
VPP
Imdia
fC
VP 12,7V 2 17,96
8 - Transistores Bipolares
8.1 - Introduo
Entre 1904 e 1947 a vlvula foi o dispositivo eletrnico utilizado para amplificao e
chaveamento de sinais.
Nos anos 50, entretanto, foi desenvolvido nod laboratrios da Bell Telephone, o transistor
Bipolar. O transistor tem capacidade de amplificar e comutar sem as desvantagens da
vlvula : pequeno, no precisa esquentar, mais leve, mais robusto e mais eficiente.
O transistor um dos componentes bsicos mais importantes da eletrnica. Ele foi
desenvolvido em 1951 e a base de todos C.Integrados.
At ento todos equipamentos eletrnicos eram baseados em vlvulas, sendo que um
computador de baixa capacidade ocupava uma sala de 200m , tinha um consumo de KW e
custava milhes de dlares.
Fabricado com semicondutores, existem transistores de microwatts a dezenas de watts,
operando de CC at Gigahertz.
Existem 2 tipos de transistores bipolares:
8.2 - Polarizao
a)
b)
Base emissor e base coletor polarizado inversamente. Somente
corrente de fuga.
c)
IC
0,95 CC 1
Ie
Ex1:
Funcionamento: como descrito no item anterior, para que o transistor comece a conduzir
necessrio uma tenso VBE 1,7 V .
CC
IC
IB
IC
5
100
0,05
( normal)
I
Ie
1 B
IC
IC
CC
1
1
1
CC
CC
CC
1 - CC
(transparncia)
IB
VBB VBE
RB
VCBO = 60V
VEBO = 6V
so valores mximos de tenso para cada par de pinos do transistor. Acima destes valores
queima.
Ideal trabalhar prximo a metade dos valores mximos.
mxima corrente admissvel
TA= 60C
TA= 25C
(PD = VCE . ID)
TA= 60C
IC = 200 mAdc
PD = 250 mW
PD = 350 mW
PD = 1 W
Ganho de Corrente
CC = hFE
IC
0,1
1
10
50
Min hFE
40
70
100
60
Mx hFE
300
O 2N3904 funciona melhor, com maior ganho, prximo a 10 mA. Em projetos, usando IC =
10mA deve-se utilizar hFE min = 100.
8.8 A Reta de Carga
Uma reta de carga uma linha que corta as curvas caractersticas do coletor mostrando
cada um dos possveis pontos de operao do transistor.
VCE x
IC y
VCC I C R C VCE
VCE VCC
VCE 0
IC
VCC
RC
Pontos de Operao
na Saturao IB I B SAT
IC = Mxima
I
IB C
IC
IC I C MX
VCC
RC
VCE 0
VCE = Mnima
15V
5mA
3K
5mA
IB
IB 50A
100
15 1
=
50
RB
VBB - VBE
IB
IC 0
como no h corrente de coletor, no h queda de tenso em RB. Logo toda tenso est
sobre VCE.
na Regio Ativa o transistor usado como amplificador devendo o ponto de operao
V
ficar prximo a CC VCE .
2
15
30A
500K
considerando
=
100
I C 100 30A I C 3mA
Supondo IB
Ex:
= 50
Ex:
Com a chave aberta, Vb = 0
Ib = 0
Ic = 0 VOUT = 10V
Ic
IC SAT
1>
VCE = 10-1K . 10 mA = 0V
ou seja:
VBB = 0
VBB = 10V
10
0,2 saturado
50
VCE = 0V
transistor chave
transistor chave fechada
Malha coletor:
Malha base:
IC 0
V CE VCC
VCE 0 I C
VCC
RC RE
VBB VBE IE RE
IC
VBB VBE
RE
Logo Ic no depende de .
Seqncia de clculo para circuito com Re.
1 Calcule Ve;
2 Calcule Ie;
3 Calcule Vc;
4 Calcule Vcc.
Fazendo Ie Ic
(I E I C )
= 100
Ex:
Ve 5V 0,7V 4,3V
Ie
4,3
2,2K
Ie 1,95mA
Vce = 8,8V
No utilizamos .
9 Circuitos polarizados do transistor
9.1 Polarizao de base.
Malha coletor:
Vcc = Vrc + Vce
Vcc = RcIc+Vce
Vcc Vbe
Ic
Rb
Malha base :
Vcc = Vrb Vbe
Vcc = RbIb + Vbc
Ib
Vcc Vbe
Rb
Ic = 10mA
Vcc
;
2
Se
aumenta
temperatura
aumenta.
aumenta Ic aumenta.
Ic aumenta Ie aumenta Ve aumenta
Vrb diminui Ib diminui
Ou seja aumentar Ic faz diminuir Ib. O Re produz uma
queda de tenso que se ope variao do ganho de corrente
REALIMENTAO NEGATIVA.
Este circuito, apesar de melhor que a polarizao da base, na muito utilizado devido
deslocamento ainda grande do Q.
Vcc Vbe
Vc Vcc IcRc
Rb Re( 1)
(Vcc IcRc Vce Ie Re)
Ib
Ic
Vcc Vbe
Rc Rb
( 1)
Vc Vcc - IcRc
Com = 100
Ic = 4,79mA
Tambm no muito estvel.
Vc = 10,2V
Vcc Vbe
Rc Re Rb
( 1)
Vc Vcc IcRc
Malvino errado Ic
Ib
Vcc Vbe
Rc Rb ( 1) Re
Corrente divisor :
Id
10
Id 1mA Vb 2V
12,2
R2 Vcc
R1 R2
Ie
Vb - Vbe
Re
No aparece na frmula!!!
Ib
IB2
10
Ic
20 10 3
100
Vcc
Vcc
; Vre
; Ic = 20mA ;
2
10
Ib 200A
RB2 850
IB2
2 10 3
Vcc Vbe Vre 10 0,7 1
RB1
RB1 3,77K
IB1
2,2 10 3
Vcc Vce Vre 10 5 1
Rc
200
Ic
20 10 3
Ie Ib Ic 200 10 6 20 10 3
Ie 20,2mA
Re
Vre
1
Ie 20,2 10 3
Re 49,5
10 Os Transistores PNP
(8.5 malvino)
CC
Ic
Ib
O circuito para PNP pode ser igual ao do NPN com fonte negativa.
Ex:
polarizao por divisor de tenso
I no divisor resistivo = 0,82 mA
VB = 1,8 V
VRc=-1,8+0,7 = -1,1 V
Vc = Vcc Ic Rc
VCE = VC-VE
1,1
IB =
30,5A
36
Vre = VB-VBE
1,1
Ie 1,1mA
1K
Vc = -10 + 1,13,6K = -6,04 V
VCE = 6,04-1,1 = 4,94 V
1
2fc
freqncia crtica Xc = R
R = RG + RL
1
1
= R fc =
2fc
2fc
freqncia de quina = 10 fc
1
2 R C
R a resistncia Thevenin
RT
fh (quinz) = 10 fc =
Ex3: Calcule fc, fh
RG R L
RG R L
10
2 RT C
C1 e C2 = acoplamento
C3 = derivao
Para analisar este circuito devemos dividi-lo em duas partes: Anlise C.C. e Anlise C.A..
O teorema da superposio diz que voc pode analisar os efeitos causados por cada fonte
separadamente e depois somar os efeitos individuais.
A Anlise do circuito C.C.
1 Reduza a fonte c.a. para zero;
2 Abra todos os capacitores.
VB
VCC R 2
R1 R 2
VB = 1,8 V
VE = 1,1 V
IE = 1,1 mA
VC = 6,04 V
VCE = 4,94 V
B Anlise C.A.
1 Reduza todas as fontes C.C. zero;
2 Curto-circuite todos os capacitores.
Para reduzir a distoro sinal c.a. deve ser 10% da corrente c.c..
Zi
Ex:
Vi
Ii
Vi
Zi Vs
Zi Rs
Z out
Io =
V Vo
R SENSOR
Zout =
Vo
Io
Av - Ganho de tenso
AVNL =
Vi =
Vo
Vi
RL =
Zi Vs
AVNL
Zi Rs
Ai Ganho de Corrente
Io
Ii
Vi
Vo
Ii =
Io =
Zi
RL
Io Vo R L Vo Zi
Ai =
Ii
Vi Zi
Vi R L
Zi
Ou Ai = -Av
RL
Ai =
Ex: Para o circuito abaixo, calcule: Ib, Ic, Vce, ZiAC, AiAC, ZoAC.
D = 8000
Vbe = 1,6 V
Ri = 5K
0,7 V
700
1 mA
V BE
1 mV
RCA =
Ex: RCA =
25
40 A
Ie
25 mV
RCA = re'
IE
ou seja, a resistncia do diodo emissor interna ao transistor para corrente alternada em
25 mV
pequenos sinais
.
IE
Rcc =
11.7 O Modelo T
modelo CA
Zbase
Vb
ie re'
re'
Ib
ib
11.8 Modelo II
11.9 Parmetros H
v1 = hie i1 + hre v2
I2 = hfe i1 + hoe v2
equaes hbridas
v1 = hie i1
hie =
v1
i1
i
hfe = 2
i1
v1 = hie i1 + hre v2
v2
(com a entrada aberta)
v1
hre muito pequeno 1 10-4
hre =
hoe =
i2
v2
Ex: hoe =
85 A
= 8,5 S
10 V
re =
hie
hfe
Ganho de tenso
Av
Av
v sada
v ent
ic rc
rc
ie re'
re'
v sada = ic . rc
v entrada = ie re
rc
Av =
re'