Eletronica Analogica
Eletronica Analogica
Eletronica Analogica
a
Escolha a alternativa que representa as lâmpadas que estão acesas no circuito abaixo (considerar a primeira lâmpada da esquerda
como L1, a segunda como L2, e assim por diante)
L1 e L5
Apenas L1 e L3
Apenas L1
0,5mA
0,55mA
0,85mA
1mA
0,35mA
"(...)o processo de inserção de impurezas, átomos com valência diferentes, em redes cristalinas puras de silício (...)"
Escolha a alternativa que traduz e representa a descrição da frase anterior.
Camada de Valência
Dopagem
reação química
Corrente Elétrica
extração de elétrons
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de
____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
fontes ou elétrons
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Determine a corrente I para cada uma das configurações da figura abaixo utilizando o modelo equivalente aproximado do diodo.
Figura 1 - circuitos com diodos.
(a) Vo = 0 V (b) Vo = 0 V
É o valor de tensão que um sinal alternado teria se ele fosse contínuo puro
(a) 25mA; (b) 45,76 mA; (c) 18,82 mA; (d) Seria 45,76 mA maior que 25 mA
(a) 20mA; (b) 36,74 mA; (c) 18,37 mA; (d) Seria 36,74 mA maior que 20 mA
(a) 20mA; (b) 36,74 mA; (c) 18,37 mA; (d) Seria 18,37mA menor que 20 mA
(a) 10mA; (b) 17,27 mA; (c) 9,82 mA; (d) Seria 17,27 mA maior que 10 mA
Escolha a alternativa que representa o valor da tensão VCE, para Beta = 90:
3,69V
4,68V
5,63V
4,56V
1,56V
Escolha a alternativa que representa o valor de Beta (β):
194,32
185,24
196,32
256
201,20
Determine a resistência estática ou cc do diodo da figura abaixo para uma corrente direta de 2mA (use a curva do dispositivo
real).
501 Ohm
1k Ohm
125 Ohm
325 Ohm
455 Ohm
Escolha a alternativa que complete a frase corretamente: "A junção das pastilhas semicondutoras de silício, tipo-N e tipo-P,
promovem o surgimento de um componente eletrônico denominado _______________ e que entra em condução direta quando a
tensão da camada de depleção é rompida por uma diferença de potencial aplicada entre ___________ e _____________"
Observando a figura abaixo, marque a alternativa que explicita o nome correto que a representa:
Um retificador em ponte de onda completa com uma entrada senoidal de 120 V eficazes possui um resistor de carga de 1
kOhm.
(a) Se são empregados diodos de silício, qual é a tensão cc disponível na carga?
(b) Determine a especificação do PIV necessário para cada diodo.
(c) Encontre a corrente máxima através de cada diodo durante a condução.
(d) Qual é a potência nominal exigida para cada diodo?
(a) Desenhe uma reta de carga sobre as curvas determinada por E = 21 V e Rc = 3 kΩ, para uma configuração
com polarização fixa.
(b) Escolha um ponto de operação no meio do caminho entre o corte e a saturação. Determine o valor de
aproximado de RB que estabelece o ponto de operação escolhido.
(c) Quais são os valores resultantes de ICQ e VCEQ?
(d) Qual é o valor de β no ponto de operação?
(e) Qual é o valor de α definido pelo ponto de operação?
(f) Qual é a corrente de saturação (IC_sat) para o projeto?
(g) Qual é a potência cc dissipada pelo dispositivo no ponto de operação?
(h) Qual é a potência fornecida pela fonte Vcc?
(b) RB = 1 MOhm; (c) ICQ = 0 mA; VCEQ = 21 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 1; (f) Icsat = 20 mA; (g) PD = 150
mW; (h) Ps = 200 mW;
(b) RB = 250 kOhm; (c) ICQ = 7,2 mA; VCEQ = 5,63 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 0,85; (f) Icsat = 14 mA; (g)
PD = 52,25 mW; (h) Ps = 105,15 mW;
(b) RB = 812 kOhm; (c) ICQ = 3,4 mA; VCEQ = 10,75 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 0,992; (f) Icsat = 7 mA; (g)
PD = 36,55 mW; (h) Ps = 71,92 mW;
(b) RB = 1800 kOhm; (c) ICQ = 1,5 mA; VCEQ = 5,6 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 0,89; (f) Icsat = 3,5 mA; (g)
PD = 17,75 mW; (h) Ps = 36,32 mW;
(b) RB = 1400 kOhm; (c) ICQ = -3,4 mA; VCEQ = -10,75 V; (d) Bcc = 136; (e) Alfa = 0,992; (f) Icsat = 7 mA;
(g) PD = 36,55 mW; (h) Ps = 71,92 mW;
Considere um circuito polarizado diretamente com tensão contínua no coletor, na configuração coletor-comum. Sabendo-
se que Ic = 10mA e Ib = 4uA, qual o ganho de corrente do circuito?
3200
2500
250
25
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
4V
4,5V
8V
12V
7V
Questão 2
Valor da questão: 1,00 sua pontuação é 1,00
(I) IC
(II) VC
(III) VE
(IV) VCE
Ic = 0 mA; Vc = 12 V; VE = 5 V; VCE = 12 V
trivalentes
de fósforo
pentavalentes
de silício
de hidrogênio
Vo = 6,2 V, ID = 3,1 mA
Vo = 6,2 V, ID = 0,77 mA
Vo = 0 V, ID = 0 mA
Vo = 6,2 V, ID = 1,55 mA
Vo = 6,6 V, ID = 1,66 mA
Questão 2
Valor da questão: 1,00 sua pontuação é 1,00
Considere um transformador com 28000 espiras no primário e 2800 espiras no secundário. O primário foi
ligado a um sinal DC de 300V. Qual é a tensão no secundário medida por um multímetro digital?
0V
23,5V
42,4V
30V
21,2V
Questão 2
Valor da questão: 1,00 sua pontuação é 1,00
A configuração abaixo caracteriza um transistor de junção bipolar de qual tipo?
SCR
NPN
PNP
JK
MOSFET
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta.
0,959
0,98
0,995
0,95
0,922
Questão 2
Valor da questão: 1,00 sua pontuação é 0,00
Escolha a alternativa abaixo que representa o valor aproximado da corrente de coletor para VCE = 10V e Ib = 40uA.
Ic = 3mA
Ic = 4,2mA
Ic = 1mA
Ic = 2mA
Ic = 9mA
Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui sua rede
de átomos cristalina inserida com a presença de átomos pentavalentes ou trivalentes em suas ligações, do tipo
covalentes, permitindo a presença de elétrons livres ou a ausência deles (buracos)"
Diodo
Transformador
Extrínseco
Semicondutor de silício
Corrente Elétrica
Determine a resistência estática ou cc diodo comercialmente disponível da figura abaixo para uma tensão reversa de
-10V. Seu valor é próximo ao resultado determinado para uma tensão reversa de -30V?
-10V : 100 K Ohm, -30V : 300 K Ohm
Para o circuito abaixo, sabendo-se que a Resistência da Lâmpada é de 24Ω, escolha a alternativa que representa a
tensão, a corrente e a potência na lâmpada respectivamente: (considere que o Diodo D1 é de silício e que D2 é
diodo ideal)
19,3V; 802,16mA; 16 W
12V, 1A, 2W
Assinale a alternativa que representa o valor RMS da tensão na carga, para o circuito abaixo:
4,9V
4,5V
4,8V
5,4V
6,5V
5,13 mA
1,00 mA
10,26 mA
0 mA
2,56 mA
(I)20,20uA; (II) 5,973 mA; (III) 9,523 V (IV) 10V (V) 6V (VI) 5,377V
(I)10,11uA; (II) 5,662 mA; (III) 5,723 V (IV) 13V (V) 5V (VI) 3,888V
(I)29,18uA; (II) 2,918 mA; (III) 12,182 V (IV) 9V (V) 6V (VI) 5,377V
(I)50,12uA; (II) 5,718 mA; (III) 5,823 V (IV) 16V (V) 5V (VI) 5,222V
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "A pastilha semicondutora de silício do tipo P passou pelo processo de
dopagem eletrônica com átomos_________________"
de fósforo
de hidrogênio
pentavalentes
trivalentes
de silício
Determine a resistência estática ou cc do diodo da figura 1 para uma corrente direta de 6,5mA (use a curva do dispositivo real)
201,2 Ohm
68,3 Ohm
84,61 Ohm
151,2 Ohm
123,08 Ohm
0W
1.5W
3W
2W
5W
Observe o gráfico abaixo e escolha a alternativa que contempla a região em que o TJB pode trabalhar como saturação.
quando VCE < 2V
quando Ib = 50uA
quando Ib = 0 uA
Ie = 93,3%Ic
Ic = 80%Ie
Ic = 90%Ie
Ic = Ie
Ic = 93,3%Ie
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
Questão 2
Valor da questão: 1,00 sua pontuação é 0,00
Dadas as informações fornecidas na figura abaixo, determine:
(a) IC
(b) VE
(c) VB
(d) R1
Questão 1
Valor da questão: 1,00 sua pontuação é 1,00
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
retrógrado
contrário
convencional
composto
real
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
41,3V
62V
115,07V
82,6V
57,9V
Na configuração de coletor-comum, quanto maior a tensão coletor-emissor _____________ a corrente de coletor. Complete a
frase com uma das alternativas.
pior
maior
melhor
menor
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "O processo de _______________ de elétrons na região de junção das pastilhas semicon
instantaneamente quando as mesmas são unidas"
recombinação
elevação
fusão
teste
Considere um transformador que tem 50 000 espiras no primário e 2500 espiras no secundário. O primário foi ligado a um sinal AC de 180Vp
digital?
9V
6,36V
0V
12,72V
127V
Um retificador em ponte de onda completa com uma entrada senoidal de 220 V eficazes possui um resistor de carga de 1,5 kOhm.
(a) Se são empregados diodos de germânio, qual é a tensão cc disponível na carga?
(b) Determine a especificação do PIV necessário para cada diodo.
(c) Encontre a corrente máxima através de cada diodo durante a condução.
(d) Qual é a potência nominal exigida para cada diodo?
(a) 197,41 V; (b) < 311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) Desenhe uma reta de carga sobre as curvas determinada por E = 26 V e Rc = 4 kΩ, para uma configuração com
polarização fixa.
(b) Escolha um ponto de operação no meio do caminho entre o corte e a saturação. Determine o valor de RB que estabelece o
ponto de operação escolhido.
(c) Quais são os valores resultantes de ICQ e VCEQ?
(d) Qual é o valor de β no ponto de operação?
(e) Qual é o valor de α definido pelo ponto de operação?
(f) Qual é a corrente de saturação (IC_sat) para o projeto?
(g) Qual é a potência cc dissipada pelo dispositivo no ponto de operação?
(h) Qual é a potência fornecida pela fonte Vcc?
(b) RB = 500 kOhm (c) ICQ = -6,4 mA; VCEQ = -16 V (d) Bcc = 175 (e) Alfa = 0,9856 (f) Icsat = -12,5 mA (g) PD =
80 mW; (h) 150 mW
(b) RB =1150 kOhm (c) ICQ = 3,2 mA; VCEQ = 8 V (d) Bcc = 145 (e) Alfa = 0,9931 (f) Icsat = 6,5 mA (g) PD = 42
mW; (h) 82 mW
(b) RB =2000 kOhm (c) ICQ = 0 mA; VCEQ = 826 V (d) Bcc = 145 (e) Alfa = 0,9931 (f) Icsat = 0 mA (g) PD = 0 mW;
(h) 0 mW
(b) RB =1800 kOhm (c) ICQ = -3,2 mA; VCEQ = -8 V (d) Bcc = 145 (e) Alfa = 0,9931 (f) Icsat = -6,5 mA (g) PD = 42
mW; (h) 82 mW
(a) 1,01mA; (b) 1,2 V; (c) 12V; (d) 4,1V (e) 1,6V (f) 17k Ohm
(a) -1,01mA; (b) -1,2 V; (c) -12V; (d) -4,1V (e) 1,6V (f) 17k Ohm
(a) 2,02mA; (b) 2,4 V; (c) 16V; (d) 8,2V (e) 3,1V (f) 34k Ohm
(a) -2,02mA; (b) -2,4 V; (c) 16V; (d) 8,2V (e) 3,1V (f) 34k Ohm
(a) 0mA; (b) 0V; (c) 16V; (d) 9V (e) 16V (f) 50k Ohm
a) nome do circuito
b) tensão de pico no secundário
c) tensão de pico na carga
d) tensão média na carga
e) tensão eficaz na carga
f) frequência do sinal na carga
Na configuração coletor-comum surge uma relação entre duas correntes circulantes no TJB, tanto NPN quanto PNP. Escolha a
alternativa que contempla as duas correntes mencionadas conforme a fórmula de relação abaixo:
Determine a tensão VCE do circuito abaixo e escolha a alternativa correta que a representa:
14,52V