1 – Condução Elétrica

Condução elétrica é o movimento de carga

através da matéria. A condução bem é descrita
perto Lei de Ohm, que indica que a corrente é
proporcional ao campo elétrico aplicado.
 2 - Condutividade elétrica
Às vezes a condutividade elétrica σ é usada para especificar o
caráter elétrico de um material. Ela é simplesmente o recíproco da
resistividade, ou seja, inversamente proporcionais e é indicativa da
facilidade com a qual um material é capaz de conduzir uma
corrente elétrica.
Ela é simplesmente o recíproco da resistividade ou
σ = 1/ρ [(Ω-m)-1]
Materiais sólidos exibem uma espantosa faixa de condutividades
elétricas que se estendem ao longo de 27 ordens de magnitude.
Metais são bons condutores, tipicamente tendo condutividades da
ordem de 107 (Ω-m)-1.
No outro extremo estão os materiais com muito baixas
condutividades, situando-se entre 10-10 e 10-20 (Ω -m)-1
 3 - Condução Eletrônica e Iônica

Uma corrente elétrica resulta do movimento de partículas

eletricamente carregadas em resposta a forças que agem sobre
elas a partir de um campo elétrico externamente aplicado.
Partículas positivamente carregadas são aceleradas no sentido
do campo, as partículas negativamente carregadas são
aceleradas no sentido oposto ao do campo.
Dentro de muitos materiais sólidos, uma corrente que surge a
partir do fluxo de elétrons é denominada condução eletrônica.
Em adição, para materiais iônicos é possível um movimento
líquido de íons carregados que produz uma corrente; tal é
denominada condução iônica.
 4 - O que é uma banda de energia
eletrônica
Um sólido pode ser pensado como consistindo de um grande número
(N) de átomos inicialmente separados entre si, que são trazidos ao
contato mútuo e ligados para formar um arranjo atômico ordenado.
Em distâncias de separação relativamente grandes, cada átomo é
independente de todos os outros e terá níveis de energia atômicos e
configurações eletrônicas como se ele estivesse isolado.
À medida em que os átomos atingem proximidade entre si, elétrons
recebem ações ou são perturbados pelos elétrons e núcleos de
átomos vizinhos.
Esta influência é tal que cada estado atômico distinto pode se dividir
numa série de estados eletrônicos estreitamente espaçados no sólido,
para formar o que é denominada uma banda de energia eletrônica.
 5 - O que é energia de Fermi

A Energia de Fermi é a energia do nível mais alto ocupado por

um sistema quântico a temperatura zero
A energia de Fermi é importante na hora de entender o
comportamento de partículas fermiônicas, como por exemplo
os elétrons.
Os férmions são partículas de spin semi-inteiro que verificam
o princípio de exclusão de Pauli que dita que dois férmions
não podem ocupar simultaneamente o mesmo estado
quântico. Desta maneira, quando um sistema possui vários
elétrons, estes ocuparão níveis de energia maiores a medida
que os níveis inferiores estejam preenchidos.
6 - Qual o conceito de elétrons livres e buracos?

Apenas elétrons com energias maiores do que a

energia de Fermi podem ser acionados e acelerados
na presença de um campo elétrico.
Estes são os elétrons que participam no processo
de condução, que são denominados elétrons livres.
Uma outra entidade eletrônica carregada chamada
buraco é encontrada em semicondutores e
isolantes.
Buracos têm energias menores do que Ef e também
participam na condução eletrônica.
7 - Descreva as várias estruturas de bandas eletrônicas possíveis
de serem encontradas em sólidos a 0 K, correlacionando o
comportamento de condução com as ligações atômicas.

As propriedades elétricas de um material sólido são uma

consequência de sua estrutura de banda eletrônica, isto é, o
arranjo das bandas eletrônicas mais externas e a maneira na
qual elas são preenchidas com elétrons.
A banda que contém os elétrons de mais alta energia ou
elétrons de valência é denominada banda de valência; a
banda de condução é a próxima banda de maior energia, que
é, sob muitas circunstâncias, virtualmente desocupada por
elétrons.
Quatros diferentes tipos de estruturas de banda são possíveis
a 0 K.
Banda eletrônica em sólidos a 0 K. (a) A estrutura de banda eletrônica encontrada
em metais (cobre) com disponíveis estados eletrônicos acima e adjacentes ao
estados preenchidos na mesma banda. (b) A estrutura de banda eletrônica de
metais (magnésio) onde existe uma superposição da banda de valência preenchida
com uma banda de condução vazia.
(c) Estrutura de banda eletrônica característica de isolantes; a banda de valência
preenchida está separada da banda de condução vazia por uma grande brecha ( >
2eV). (d) A estrutura de banda eletrônica encontrada nos semicondutores, com
brecha de banda estreita (< 2eV).
 8 - Mobilidade Eletrônica
• Dita “Força de Atrito” causada pelas
imperfeições no retículo cristalino tais como:
átomos de impurezas, lacunas, átomos
intersticiais, discordâncias e vibrações
térmicas dos próprios átomos.
 9 - Quais e como os fatores interferem no
calculo da resistividade elétrica dos metais

A regra de Matthiessen é dada pela soma

da resistividade térmica, das impurezas e
da deformação.

Influência da Temperatura
Influência das Impurezas
Influência da Deformação Plástica
 10 – Semicondutividade

A condutividade elétrica de materiais semicondutores não é

tão alta quanto aquela dos metais; não obstante, eles têm
características elétricas singulares que os tornam
especialmente úteis.
As propriedades elétricas desses materiais são extremamente
sensíveis à presença de concentrações até mesmo diminutas
de impurezas.
Semicondutores intrínsecos são aqueles que nos quais o
comportamento elétrico baseia-se na estrutura eletrônica
inerente ao material puro.
Quando as características elétricas são ditadas por átomos
impurezas, diz-se que o semicondutor é extrínseco.
 Condutividade Intrínseca
• Uma vez que existem dois tipos de portadores (elétrons livres e buracos) num semicondutor
intrínseco, a expressão para condução elétrica deve ser modificada para incluir um termo que
leve em conta a contribuição da corrente de buraco.

• onde n é o número de elétrons livres ou • onde p é o número de buracos por

de condução por unidade de volume metro cúbico e mh é sempre menor do
(por exemplo, metro cúbico), e |e| é a que me para semicondutores. Para
magnitude absoluta da carga de um semicondutores intrínsecos, cada
elétron ( 1,6 x 10-19C). A constante de elétron promovido através da lacuna
proporcionalidade me é denominada (“gap”) de banda deixa para trás um
mobilidade do elétron, a qual é uma buraco na banda de valência, assim
indicação da frequência dos eventos p=n.
espalhamento; suas unidades são
metros quadrados por voltsegundo
(m2/V-s).
 SEMICONDUÇÃO INTRÍNSECA
(b) Condutividade Intrínseca

• PROBLEMA EXEMPLO 19.1

• Para silício intrínseco, a condutibilidade elétrica à temperatura ambiente é 4 x 10-4 (Wm)-1; as
mobilidades do elétron e do buraco são, respectivamente, 0,14 e 0,048 m2.V-1.s-1. Calcular as
concentrações de elétron e de buraco à temperatura ambiente.

• SOLUÇÃO
• De vez que o material é intrínseco, concentrações de elétron e de buraco serão as mesmas.
 SEMICONDUÇÃO EXTRÍNSECA

• Virtualmente todos os semicondutores comerciais são

extrínsecos; isto é, o comportamento elétrico é determinado
por impurezas, que, quando presentes em concentrações até
mesmo diminutas, introduzem elétrons em excesso ou
buracos em excesso.
• Por exemplo, uma concentração de impureza de 1 átomo em
1012 é insuficiente para tornar o silício extrínseco à
temperatura ambiente.
 SEMICONDUÇÃO EXTRÍNSECA
Semicondução Extrínseca do Tipo-n

• Um átomo de Si tem 4 elétrons,

cada um dos quais se encontra
covalentemente ligado com um dos
quatro átomos de Si adjacentes.
• Suponha que um átomo de
impureza com uma valência 5 seja
adicionado como uma impureza
substitucional. Grupo V A da tabela
periódica (por exemplo, P, As e Sb).
• O elétron extra sem ligação se
encontra frouxamente ligado (da
ordem de 0,01 eV), assim ele é
facilmente removido.
 SEMICONDUÇÃO EXTRÍNSECA
Semicondução Extrínseca do Tipo-p
• Um efeito oposto é produzido pela adição de impurezas trivalentes tais como alumínio,
boro e gálio do Grupo III A da tabela periódica ao silício ou germânio.
• Uma das ligações covalentes ao redor de cada um desses átomos é deficiente em um
elétron; uma tal deficiência pode ser vista como um buraco que está fracamente ligado
ao átomo impureza.
• Esse buraco pode ser liberado a partir do átomo impureza pela transferência de um
elétron a partir de uma ligação adjacente.
 SEMICONDUÇÃO EXTRÍNSECA
• PROBLEMA EXEMPLO 19.2
• Fósforo é adicionado a silício de alta pureza para dar uma concentração de 1023
m-3 de portadores de carga à temperatura ambiente.
• (a) Este material é do tipo-n ou do tipo-p?
• (b) Calcular a condutibilidade deste material à temperatura ambiente, supondo
que as mobilidades do elétron e do buraco sejam iguais às do material
intrínseco.

• SOLUÇÃO
• (a) Fósforo é um elemento do Grupo V A e, portanto, agirá como um doador em
silício. Assim 1023 m-3 portadores de carga virtualmente serão todos elétrons.
Essa concentração de elétron é maior do que aquela para o caso intrínseco (1,33
x 1016 m-3, Problema Exemplo 19.1); portanto, este material é extrinsecamente
do tipo-n.
• (b) Neste caso a condutibilidade pode ser determinada usando a Equação 19.16,
como se segue
 13 - A VARIAÇÃO DA CONDUTIBILIDADE ELÉTRICA E DA
CONCENTRAÇÃO DE PORTADORES COM A TEMPERATURA
A Figura 19.5 grafica o logaritmo da
condutibilidade elétrica como uma
função do logarítmo da temperatura
absoluta para o silício intrínseco e
também para o silício que foi dopado
com 0,0013 e 0,0052 at% de boro.

Matematicamente, a dependência da
condutividade intrínseca s em relação
à temperatura absoluta T é
aproximadamente:

onde C representa uma constante dependente da

temperatura e Eg e k são lacuna (“gap”) de banda
e constante de Boltzman, respectivamente.
 A VARIAÇÃO DA CONDUTIBILIDADE ELÉTRICA E DA
CONCENTRAÇÃO DE PORTADORES COM A TEMPERATURA
A dependência da concentração de
portador em relação à temperatura
para comportamento intrínseco é
virtualmente a mesma daquela da
condutibilidade,

De acordo com a Equação acima a

inclinação deste segmento de linha é
igual a – Eg / 2k, ou Eg pode ser
determinado como se segue:
 A VARIAÇÃO DA CONDUTIBILIDADE ELÉTRICA E DA
CONCENTRAÇÃO DE PORTADORES COM A TEMPERATURA

Com adicional elevação da

temperatura (1/T decresce), a
concentração de buraco
eventualmente se torna
independente da temperatura. Nesse
ponto
virtualmente todos os átomos do
boro terão aceitado elétrons a partir
da banda de valência, ou são ditos
saturados; isso é apropriadamente
denominada região de saturação.
 A VARIAÇÃO DA CONDUTIBILIDADE ELÉTRICA E DA
CONCENTRAÇÃO DE PORTADORES COM A TEMPERATURA

PROBLEMA EXEMPLO 19.3

Sendo a condutibilidade elétrica à temperatura ambiente [25oC (298K)] do germânio
intrínseco igual a 2,2 (Ωm)-1, estimar a sua condutibilidade a 150ºC (423K).

SOLUÇÃO
Este problema é resolvido pelo emprego da Equação 19.18. Primeiro, nós determinamos o
valor da constante C usando dados de temperatura ambiente, após o que o valor de 150ºC
pode ser calculado. A partir da Tabela 19.2, o valor de Eg para o germânio é 0,67 eV, e,
portanto,

C = ln σ + Eg / 2kT = ln (2,2) + 0,67 eV / [(2)(8,62 x 10-5eV.K-1)(298K)] = 13,83

Agora, a 150ºC (423K),

ln σ = C - Eg / 2kT = 13,83 - 0,67 eV / [(2) (8,62 x 10-5 eV K-1)(423K)]= 4,64 ou
σ = 103,8 (Ωm)-1
 14 – O Efeito Hall
Quando um fio condutor, percorrido por uma corrente elétrica, é
colocado na presença de um campo magnético as cargas deste
condutor sofrerão um força. Na Fig 1 que as cargas positivas se
deslocam para a direita sob a ação de uma força magnética agindo de
baixo para cima. Note que se a partícula tem carga negativa e se move
no mesmo sentido ela será defletida para baixo.
A força magnética sobre as cargas provoca uma corrente perpendicular
a direção de propagação da corrente inicial. Isto promoverá o
aparecimento de uma região com concentração de cargas positivas e a
outra de cargas negativa, como mostra a Fig. 1, criando um campo
elétrico perpendicular ao campo magnético B. Esta corrente cessará
quando o balanço de cargas, positivas e negativas crie uma força
elétrica que anule a força magnética sobre as cargas. Isto é,

Neste nosso exemplo (Fig. 1) haverá cargas positivas acumuladas na

região superior do condutor. A diferença de potencial entre as partes
superior e inferior do condutor é dada por;

onde i é a corrente no condutor, A é área seccional e n é o número de

carga por unidade de volume.
 15- Funcionamento de uma junção retificadora
p-n de fluxo para frente e reverso

A junção retificadora p-n é construída a partir de uma única peça

de semicondutor que é dopada de maneira tal que ela seja do tipo
n em um dos seus lados e do tipo p do outro lado. Se peças de
materiais do tipo n e do tipo p forem unidas uma a outra tem-se
como resultado um retificador ruim, uma vez que a presença de
uma superfície entre as duas seções torna o dispositivo muito
ineficiente. Ainda devem ser utilizados monocristais de materiais
semicondutores em todos os dispositivos, pois os fenômenos
eletrônicos que são prejudicais a operação ocorrem nos contornos
de grão.
Antes da aplicação de qualquer potencial através da amostra p-
n, os buracos serão os portadores dominantes pelo lado p,
enquanto os elétrons irão predominar na região n. Um potencial
elétrico externo estabelecido através de uma junção p-n pode
possuir duas polaridades diferentes. Quando é usada uma
bateria, o terminal positivo pode ser conectado ao lado p e o
terminal negativo ao lado n; isso é chamado de fluxo para frente.
A polaridade oposta (negativo para p e positivo para n) é
chamado de fluxo reverso.
 16- Transistores de junção
É composto por duas junções p-n posicionados costa a costa, em uma
configuração tipo n-p-n ou p-n-p. Uma região de base do tipo n, esta
localizado entre uma região coletora e uma emissora tipo p. Uma vez
que o emissor é do tipo p, e o fluxo é para frente, grande número de
buracos entra na base. Esses buracos irão se combinar com os elétrons
majoritários. Os buracos se tornam agora uma parte do circuito
emissor-coletor. Um pequeno aumento na tensão de entrada dentro
do circuito emissor-base, produz um grande aumento na corrente.
Esse grande aumento na corrente do coletor também eh refletida por
um grande aumento na tensão através do resistor de carga. Dessa
forma o sinal de tensão que passa através de um transistor de junção
experimenta uma amplificação.
Um raciocínio semelhante pode ser aplicado para operação de um
transistor do tipo n-p-n exceto pelo fato de que , em vez de buracos,
são injetados elétrons através da base e para dentro do coletor.
 17 - MOSFET
Consiste em duas pequenas ilhas de semicondutor do tipo p
que são criadas dentro de um substrato de silicio tipo n. As
ilhas estão unidas por meio de um canal tipo p.
A condutividade do canal é variada pela presença de um
campo elétrico sobre a porta de alimentação. Dessa forma,
uma pequena alteração no campo irá produzir uma variação
relativamente grande da corrente entre a fonte e o dreno.
A diferença principal entre Mosfet e o transistor de junção
esta no fato de que a corrente da porta de alimentação é
excessivamente pequena em comparação com a corrente de
base de um transistor de junção, portanto o Mosfet é utilizado
onde as fontes de sinal a serem amplificadas não são capazes
de suportar uma corrente de intensidade apreciável.
18 - Capacidade Calorífica Vibracional e o fónon

Capacidade calorífica é uma propriedade que é

indicativa da capacidade de um material para
absorver calor a partir da circunvizinhança externa;
ela representa a quantidade de energia requerida
para produzir uma elevação unitária de
temperatura.
C = dQ/dT [J/mol-K, ou cal/mol-K]
Calor específico (c), representa a capacidade
calorífica por unidade de massa. [J/kg-K, cal/g-K,
Btu/lbm-oF]
Capacidade Calorífica Vibracional
Em muitos sólidos o modo principal de assimilação
de energia térmica é pelo aumento na energia
vibracional dos átomos.
Esssas vibrações estão coordenadas de tal maneira
que ondas reticulares propagantes são produzidas.
A energia térmica vibracional para um material
consiste de uma série dessas ondas elásticas, que
têm uma faixa de distribuições e frequências.
Somente certos valores de energia são permitidos
(diz-se que a energia é quantizada) e um único
quantum de energia vibracional é chamado fónon.
Ocasionalmente, as próprias ondas vibracionais são
chamadas fónons.
 19 – Principio de expansão térmica em termos
de energia potencial
Expansão Térmica - A maioria dos materiais sólidos se expandem no
aquecimento e se contraem no resfriamento.
A mudança no comprimento de um material sólido com a temperatura
pode ser expressa da seguinte maneira:

(lf-lo)/lo = αl (Tf –To) ou Δl/lo = αlΔT

αl é o coeficiente linear de expansão térmica [(oC)-1 ou (oF)-1].

Para uma expansão volumétrica αv é anisotrópico, sendo para materiais

isotrópicos a relação aproximada é αv = 3 αl.
A expansão térmica é devida à curva assimétrica da calha de energia
potencial em vez de aumentadas amplitudes de vibração atômica com a
elevação da temperatura.
 20 - Condutividade Térmica
Condução térmica é o fenômeno pelo qual o calor é transportado a partir de
regiões de alta temperatura para regiões de baixa temperatura de uma
substância.
A propriedade que caracteriza a capacidade de um material para transferir
(transmitir) é a condutibilidade térmica: q = -k (dT/dx) onde q é o fluxo de
calor e k é a condutividade térmica.
A equação é similar em forma à primeira lei de Fick para difusão atômica.
Para essas expressões, k é análoga ao coeficiente de difusão D, e o gradiente
de temperatura é análogo ao gradiente de concentração, dC/dx.

Mecanismos de Condução de Calor

O calor é transportado em materiais sólidos tanto por ondas de vibração da
rede (fônons) quanto por elétrons livres.
Uma condutibilidade térmica está associada com cada um desses
mecanismos e a condutibilidade total é a soma das duas contribuições, ou K =
kl+ke
Mecanismos de Condução de Calor

A contribuição kl resulta do movimento líquido (resultante) de fônons a partir

de regiões quentes para regiões frias de um corpo através do qual existe
um gradiente de temperatura.
Elétrons livres ou condutores participam na condução térmica eletrônica.
Aos elétrons livres numa região quente da amostra é imposto um ganho em
energia cinética.
Então eles se migram para áreas mais frias, onde uma parte dessa energia
cinética é transferida aos próprios átomos (como energia vibracional) como
uma consequência de vibrações com fônons ou outras imperfeições no cristal.
A contribuição relativa de ke à condutibilidade térmica total cresce com o
aumento das concentrações de elétrons livres, uma vez que mais elétrons
estão disponíveis para participar nesse processo de transferência de calor.
Metais

Em metais de alta pureza, o mecanismo eletrônico de transporte

de calor é muito mais eficiente do que a constribuição de fônons
porque os elétrons não são tão facilmente espalhados como os
fônons e têm velocidades maiores.
Tratamentos teóricos sugerem que as condutibilidades térmicas
e elétricas deveriam estar relacionadas de acordo com a lei de
Wiedemann-Franz: L = k/σT onde σ é a condutibilidade elétrica,
T é a temperatura absoluta e L é uma constante.
Metais de liga com impurezas resultam numa redução na
condutibilidade térmica, isto é, os átomos impurezas,
especialmente quando em solução sólida, agem como centros de
espalhamento, abaixando a eficiência do movimento de elétron.
Cerâmicas

Materiais não metálicos são isoladores térmicos na medida que eles

têm falta de grande número de elétrons livres. Assim os fonons são os
principais responsáveis pela condução térmica: ke é muito menor do
que kl .
O espalhamento de vibrações de rede se torna mais pronunciado com
a elevação da temperatura; portanto, a condutibilidade térmica de
muitos materiais cerâmicos normalmente decresce com o aumento da
temperatura.
A condutibilidade começa a aumentar em temperaturas maiores, que
é devido à transferência de calor radiante.
Porosidade em materiais cerâmicos pode ter uma profunda influência
sobre a condutibilidade térmica; o aumento do volume de poros irá, na
maioria das circunstâncias, resultar numa redução da condutibilidade
térmica.
Polímeros

Para esses materiais, a transferência de energia é realizada pela vibração,

translação e rotação das moléculas da cadeia.
A magnitude da condutibilidade térmica depende do grau de cristalinidade; um
polímero com uma estrutura altamente cristalina e ordenada terá uma maior
condutibilidade térmica do que material amorfo equivalente.
Polímeros são às vezes utilizados como isolantes térmicos por causa de suas
baixas condutibilidades térmicas.
Tal como acontece com as cerâmicas, suas propriedades isoladoras podem ser
ainda mais melhoradas pela introdução de pequenos poros, que são
ordinariamente introduzidos pela formação de espuma durante a
polimerização. A espuma de Poliestireno (“Styrofoam”) é comumente usado
para copos de bebidas e caixas isolantes (caixas de “isopor”).
 21 – Tensões térmicas e tipos
A maioria das substâncias dilatam-se quando se eleva a temperatura e
contraem-se quando esta diminui, sendo as dilatações e as contrações
proporcionais ao incremento térmico num amplo campo de temperaturas. Esta
proporcionalidade é representada pelo coeficiente linear de dilatação térmica.
Se num corpo determinado é permitida a expansão ou contração sem
limitações, ao variar a temperatura, não se originará tensão alguma. Mas
quando a elevação da temperatura num corpo homogêneo não é uniforme, as
distintas regiões do material não se dilataram igualmente, dando lugar às
tensões térmicas.
E se a variação térmica num corpo homogêneo é uniforme e existem limitações
externas à dilatação, também serão originadas tensões térmicas .
O conhecimento das tensões térmicas é importante nos projetos de
engenharia. A ruptura por fadiga pode ocorrer como resultado de flutuações na
temperatura.

Tipos: