Resolução
Resolução
Resolução
Influência da Temperatura
Influência das Impurezas
Influência da Deformação Plástica
10 – Semicondutividade
• SOLUÇÃO
• De vez que o material é intrínseco, concentrações de elétron e de buraco serão as mesmas.
SEMICONDUÇÃO EXTRÍNSECA
• SOLUÇÃO
• (a) Fósforo é um elemento do Grupo V A e, portanto, agirá como um doador em
silício. Assim 1023 m-3 portadores de carga virtualmente serão todos elétrons.
Essa concentração de elétron é maior do que aquela para o caso intrínseco (1,33
x 1016 m-3, Problema Exemplo 19.1); portanto, este material é extrinsecamente
do tipo-n.
• (b) Neste caso a condutibilidade pode ser determinada usando a Equação 19.16,
como se segue
13 - A VARIAÇÃO DA CONDUTIBILIDADE ELÉTRICA E DA
CONCENTRAÇÃO DE PORTADORES COM A TEMPERATURA
A Figura 19.5 grafica o logaritmo da
condutibilidade elétrica como uma
função do logarítmo da temperatura
absoluta para o silício intrínseco e
também para o silício que foi dopado
com 0,0013 e 0,0052 at% de boro.
Matematicamente, a dependência da
condutividade intrínseca s em relação
à temperatura absoluta T é
aproximadamente:
SOLUÇÃO
Este problema é resolvido pelo emprego da Equação 19.18. Primeiro, nós determinamos o
valor da constante C usando dados de temperatura ambiente, após o que o valor de 150ºC
pode ser calculado. A partir da Tabela 19.2, o valor de Eg para o germânio é 0,67 eV, e,
portanto,
Tipos: