Apostila Eletronica Potencia 1 2014
Apostila Eletronica Potencia 1 2014
Apostila Eletronica Potencia 1 2014
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 1
Sorocaba/SP
2014
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MATERIAIS SEMICONDUTORES
Materiais:
Resistividade (ρ)
•Condutor: ρ = 1.10-6 Ω-cm (cobre)
•Isolante: ρ = 1.10+12 Ω-cm (mica)
•Semicondutor: ρ = 50 Ω-cm (Germânio), ρ = 50x10+3 Ω-cm (Silício)
l
R . (1.1)
A
•Materiais Semicondutores
–Evolução da Fabricação de Materiais Semicondutores;
•Alto grau de pureza (1: 10 bilhões);
•Inserção de impurezas (1:1 milhão) em uma wafer de silício:
–Transformar condutor ruim em ótimo;
–Dopagem: processo de fabricação que altera as características do material,
por meio da modificação da pureza pela inserção de outros componentes
“impurezas”);
•Boro ou Alumínio : 3 átomos na camada de valência;
•Fósforo: 5 átomos na camada de valência;
–Germânio e Silício
•Materiais com estruturas cristalinas singulares;
•Átomos tetravalentes : possuem 4 elétrons na camada de valência;
•Dopagem = Materiais do tipo P e do tipo N;
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Figura 2 - Ligações: Material do tipo P e Material do tipo N
INTRODUÇÃO
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Figura 3 - Principais aplicações
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Conversão Estática: Revolução no processamento de energia elétrica,
possibilitando:
Redução de peso, volume e custos;
Redução das perdas e aumento da densidade de potência;
Operação com frequências maiores;
Aumento do rendimento.
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Figura 6 - Operação em dois quadrantes com corrente bidirecional
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Figura 9 - Evolução temporal dos principais dispositivos semicondutores
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Figura 11 - Potência x frequência
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Observa-se que as dificuldades do processamento estático de energia
aumentam com a potência processada e frequência de operação dos
interruptores.
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O DIODO DE POTÊNCIA
Figura 1 - Símbolo
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Figura 4 - Polarização direta (condução)
Onde:
VFP: Máxima tensão direta na entrada em condução
trr: Tempo de recuperação reversa
Qr: Carga armazenada na capacitância de junção
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Tipos de Diodos de Potência
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TIRISTORES (Diodo PNPN, SCR, TRIAC, DIAC, GTO)
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•Vak for negativa:, J1 e J3 estão reversamente polarizadas, e J2 diretamente
polarizada. J3 é intermediária a regiões de alta dopagem, não suporta altas
tensões, cabendo a J1 manter o estado de bloqueio;
O diodo PNPN
VAC >= VBO = Entra em condução. Passa pela região de resistência negativa
e opera em regime na região de saturação (VAC =~ 1V)
Em condução e com I < IH = Bloqueio.
IH e VH: Corrente e tensão de manutenção em condução.
VBO : ordem de alguns volts até centenas de volts.
IBO : ordem de centenas de µA.
Dispositivo para operação em baixas potências.
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I co
I (1.2)
1 (1 2 )
onde:
α1=ganho de T1
α2=ganho de T2
Ico=corrente de saturação reversa
O SCR
O SCR foi desenvolvido em 1965 pelo Bell Telephone Laboratory (EUA).
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Figura 6 - Circuito equivalente SCR
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Figura 9 - Funcionamento básico do SCR
•Como Ic2 = Ib1, T1 conduzirá e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentará Ic2 e
assim o dispositivo evoluirá até a saturação, mesmo que Ig seja retirada.
•Para que o tiristor deixe de conduzir é necessário que a corrente por ele esteja
abaixo do valor mínimo de manutenção (IH), permitindo que se restabeleça a
barreira de potencial em J2. (Não basta: aplicação de uma tensão negativa
entre anodo e cátodo)
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se radialmente até ocupar toda a superfície do catodo, à medida que cresce a
corrente. Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a
expansão necessária na superfície condutora, haverá um excesso de
dissipação de potência na área de condução, danificando a estrutura
semicondutora. Este limite é ampliado para tiristores de tecnologia mais
avançada fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior área de
contato, por exemplo, 'interdigitando" o gate.
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corrente no gate, Taxa de Crescimento da Tensão Direta (dv/dt), Temperatura
e Energia Radiante;
d (C j V
. ak ) dVak dC
Ij C j . Vak . j (1.3)
dt dt dt
td : Tempo de retardo
• tf : Tempo de descida de VAC
• ton : Tempo de entrada em condução
td é a maior parcela e depende da amplitude e velocidade de crescimento
de iG.
— tf independe de iG.
— ton (tipicamente entre 1µs - 5µs)
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Figura 13 - Entrada em bloqueio do SCR
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O TRIODO CA (TRIAC)
+ + + 1° >>
- + - 1° <
+ - + 3° <<
- - - 3° >
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Embora seja bidirecional, sua sensibilidade é maior operando no 1° quadrante
com Ig > 0 e tensões positivas ( G - TP1 eTP2 - TP1).
O DIODO CA (DIAC)
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Figura 1 - Simbologia do diac e estrutura interna
• Bloqueio:
I < IH (1° Quadrante)
I > - IH (3° Quadrante)
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