2013 Dis Efoliveira

UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ
CENTRO DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA
EDUARDO FAÇANHA DE OLIVEIRA
RETIFICADOR TRIFÁSICO PWM DE ALTA EFICIÊNCIA COM FUNÇÃO BYPASS

E CARACTERÍSTICAS ELEVADORA E ABAIXADORA DE TENSÃO PARA
CARREGAMENTO DE BATERIAS DE VEÍCULOS ELÉTRICOS
FORTALEZA
2013
i
RETIFICADOR TRIFÁSICO PWM DE ALTA EFICIÊNCIA COM FUNÇÃO BYPASS E

CARACTERÍSTICAS ELEVADORA E ABAIXADORA DE TENSÃO PARA
Dissertação submetida à Universidade

Federal do Ceará como parte dos requisitos
para obtenção do grau de Mestre em
Engenharia Elétrica. Área de concentração:
Eletrônica de Potência.
Orientador: Prof. Dr. Demercil de Souza

Oliveira Júnior.
Coorientador: Dr.-Ing. Samuel Vasconcelos

Araújo
FORTALEZA
2013
ii
Dados Internacionais de Catalogação na Publicação

Universidade Federal do Ceará
Biblioteca de Pós-Graduação em Engenharia - BPGE
O46r Oliveira, Eduardo Façanha de.

Retificador trifásico PWM de alta eficiência com função bypass e características elevadora e
abaixadora de tensão para carregamento de baterias de veículos elétricos / Eduardo Façanha de
Oliveira. – 2013.
84 f. : il. color., enc. ; 30 cm.
Dissertação (mestrado) – Universidade Federal do Ceará, Departamento de Engenharia Elétrica,

Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Fortaleza, 2013.
Área de Concentração: Eletrônica de Potência.
Orientação: Prof. Dr. Demercil de Souza Oliveira Júnior.
Coorientação: Dr. Samuel Vasconcelos Araújo.
1. Engenharia Elétrica. 2. Retificadores de corrente elétrica. 3. Eletrônica de potência. 4

Conversores de corrente elétrica. I. Título.
CDD 621.3
iii
RETIFICADOR TRIFÁSICO PWM DE ALTA EFICIÊNCIA COM FUNÇÃO BYPASS E

CARACTERÍSTICAS ELEVADORA E ABAIXADORA DE TENSÃO PARA
Dissertação submetida à Universidade

Federal do Ceará como parte dos requisitos
para obtenção do grau de Mestre em
Engenharia Elétrica. Área de concentração:
Eletrônica de Potência.
Aprovada em 28/05/2013
BANCA EXAMINADORA
___________________________________________________
Prof. Demercil de Souza Oliveira Júnior, Dr. (Orientador)
Universidade Federal do Ceará (UFC)
__________________________________________________
Prof. Fernando Luiz Marcelo Antunes, PhD
___________________________________________________
Prof. Sérgio Daher, Dr.-Ing.
___________________________________________________
Samuel Vasconcelos Araújo, Dr.-Ing. (Coorientador)
Universidade de Kassel (UK)
___________________________________________________
Prof. Yales Rômulo de Novaes, Dr. (Externo)
Universidade do Estado de Santa Catarina (UDESC)
iv
A Deus,
Aos meus pais, Façanha e Adália,
Eu dedico este trabalho.
v
AGRADECIMENTOS
Primeiramente a Deus, pelo dom precioso da vida e pelas inúmeras oportunidades

que me foram dadas e pelas outras incontáveis que ainda virão.
Aos meus pais e familiares por sempre me apoiarem em minhas decisões.
À minha esposa Rochane, pela paciência, apoio e compreensão durante todo este
tempo que estivemos juntos.
Ao Prof. Demercil de Souza Oliveira Júnior, pela sua valiosa orientação, amizade
e disponibilidade durante todos estes longos anos. Gostaria também de agradecer ao Samuel
Araújo, por todas as colaborações, vasta experiência e conhecimentos partilhados durante a
execução do projeto, e ao Prof. Zacharias, pela oportunidade ímpar de realização do projeto
no KDEE.
A todos os professores do Departamento de Engenharia Elétrica da UFC pelos
conhecimentos transmitidos durante a graduação e mestrado. Em especial, aos professores
Fernando Antunes e Ingo Stadler (Fachhochschule Köln), responsáveis pelo programa de
intercâmbio UNIBRAL. Igualmente, aos professores Sérgio Daher e Yales Novaes (UDESC),
por terem dedicado seu tempo para colaborar com o conteúdo dessa dissertação. Também aos
funcionários do departamento, Rafael e Mário Sérgio, pela pronta disposição sempre que
solicitados.
Aos meus queridos amigos que contribuíram de alguma forma durante minha
formação acadêmica: Gean, Pedro, Levy, Carlos Alberto, Israel, Ronny, Dante, Janaína,
Dalton, Júlio César, Evilásio, Décio, Luiz Fernando, Hertz, Luís Paulo, Wellington,
Hermínio, Pedro (GPEC), entre outros.
Um grande obrigado pelo companheirismo ao pessoal de Kassel: Anderson,
Lucas, Milena, Guilherme, Douglas, Andressa, Jean, Liika, Manuel, Mehmet, Wolfram K.,
Adil, Christian F., Christian N., Wolfgang, Thiemo e Christof. Não poderia deixar de
agradecer ao Benjamin Sahan, pelo contato inicial e pelo voto de confiança, e tão pouco ao
Benjamin Dombert, pela ajuda inestimável na execução final do projeto.
Finalmente, eu gostaria de agradecer ao GPEC, KDEE e CNPq por suportarem
esta pesquisa.
A todas as pessoas que por motivo de esquecimento não foram citadas
anteriormente, vou deixando neste espaço minhas sinceras desculpas.
vi
“A mente que se abre a uma nova ideia

jamais voltará ao seu tamanho original.”
(Albert Einstein)
vii
RESUMO
Quando um conversor opera com uma larga diferença entre os níveis de tensão de entrada e
de saída, normalmente é possível identificar uma redução significante no seu desempenho. A
razão disto é o aumento da quantidade de energia processada, que primeiramente precisa ser
armazenada em um elemento passivo (indutor), antes de ser entregue à carga. É possível dizer
que quão maior for a quantidade dessa energia “indireta”, menor será a eficiência do sistema.
Tal situação é especialmente crítica para inversores e retificadores com correção de fator de
potência (PFC), visto que a razão cíclica dos interruptores abrange praticamente todos os
possíveis valores. Em casos em que a diferença entre o valor de pico da tensão CA e o valor
médio da tensão CC é grande, o índice de modulação é desviado consideravelmente de 1 e,
consequentemente, maiores perdas são esperadas. Para lidar com tal situação, é proposto um
retificador com característica abaixadora e elevadora utilizando uma função chamada de
bypass. Esta função permite que o retificador escolha entre os dois barramentos o que melhor
se adapta ao nível de saída desejado em função do ponto de operação da tensão senoidal de
entrada, maximizando a eficiência. Algumas das vantagens esperadas com a utilização da
função bypass são: redução das perdas totais por meio da operação parcial com estágio único;
maior número de níveis de tensão, reduzindo a corrente de modo comum e o volume do filtro
de entrada, além de resultar em menores esforços de tensão sobre os semicondutores; e,
finalmente, redução de perdas adicionais e no tamanho do sistema, visto que o conversor Buck
de saída é projetado para apenas uma fração da potência total. Em adição, são apresentadas
possíveis configurações de conversores de potência para o carregamento de baterias de
veículos elétricos. Topologias de retificadores trifásicos com PFC com corrente de entrada
senoidal e tensão de saída controlada são analisadas e propostas, e suas funcionalidades e
características básicas descritas brevemente. Fórmulas analíticas para o cálculo dos esforços
de tensão e corrente sobre os semicondutores de potência são fornecidas. A fim de avaliar
comparativamente o desempenho das topologias selecionadas, fatores adimensionais de
referência são definidos com base nos esforços elétricos sobre os semicondutores e no volume
dos indutores. As características do sistema proposto, incluindo princípio de operação,
estratégia de modulação, equações de dimensionamento e cálculos de perdas e eficiência, são
descritas em detalhes. Finalmente, a viabilidade do conceito de bypass é demonstrada por
meio de resultados experimentais obtidos a partir de um protótipo de 22 kW.
Palavras-chave: Retificador trifásico. Função bypass. Fatores de benchmark. Carregamento

de baterias de veículos elétricos.
viii
ix
ABSTRACT
When operating with large differences between input and output voltage levels, it is normally
possible to identify a significant reduction on the performance of practically all topologies in
regard of conversion efficiency. Reason for this is the increasing amount of processed energy
that needs to be firstly stored in a passive element (inductor) before reaching the load. It is
therefore possible to say that the higher the amount of such “indirect” energy is; the lower
will be the converter efficiency. Such situation is especially critical when considering the
operation of inverters or controlled rectifiers with power factor correction (PFC) because the
converter sweeps practically all the possible values of duty cycle. In the case the difference
between peak AC value and DC value is large; the modulation index will strongly deviate
from 1. Consequently, even higher amount of losses are expected. In order to deal with the
above referred drawbacks, it is proposed a 5-level three-phase PFC rectifier with an
innovative approach, named bypass concept. This function allows the converter to switch
between one of the available DC-links that best matches the required output levels depending
on the operating point of the sinus wave, thus maximizing the efficiency. Furthermore, the
referred bypass function enables direct access to the required lower voltage level by the load,
reducing significantly the amount of losses. The 5-level operation allows the voltage steps to
be lower than those found in three and two-level topologies, from where lower harmonic
contents, reduction of common mode current and EMI are observed. Finally, the output DC-
DC converters are designed for only a fraction of the nominal power, having a rather reduced
impact on additional losses and also on the converter size. In addition, possible power
electronics configurations for charging of EVs are presented. Suitable three-phase PFC
rectifier topologies with sinusoidal input currents and controlled output voltage are analyzed
and proposed, and their functionality and basic characteristics briefly described. Analytical
formulas for calculating the current stresses on the power semiconductors are provided, and in
order to evaluate comparatively the performance of selected topologies, dimensionless
benchmark factors are derived concerning the semiconductor stresses and the volume of the
main inductive components. The characteristics of the proposed system, including the
principle of operation, modulation strategy, dimensioning equations and calculated losses and
efficiency, are described in detail. Finally, the feasibility of the bypass concept is
demonstrated by means of experimental results obtained from a 22 kW hardware prototype.
Keywords: Three-phase PFC rectifier. Bypass function. Benchmark factors. Electric vehicle
battery charging.
x
xi
LISTA DE FIGURAS
Figura 1.1 – Topologia básica e principais formas de onda do retificador híbrido ............ 4
Figura 1.2 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador híbrido ....................... 4
Figura 1.3 – Topologia básica do retificador Vienna ......................................................... 5
Figura 1.4 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador Vienna ....................... 6
Figura 1.5 – Estrutura básica do retificador Vienna com três interruptores ....................... 6
Figura 1.6 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador Vienna com três
interruptores ................................................................................................... 7
Figura 1.7 – Estrutura básica do retificador em ponte ........................................................ 8
Figura 1.8 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador em ponte .................... 8
Figura 1.9 – Topologia básica e principais formas de onda do retificador Swiss .............. 9
Figura 1.10 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador Swiss........................ 10
Figura 1.11 – Estrutura básica do retificador tipo Buck de seis interruptores .................... 11
Figura 1.12 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador tipo Buck de seis
interruptores ................................................................................................. 11
Figura 1.13 – Comportamento do fluxo de potência para o conversor Boost .................... 13
Figura 1.14 – Estrutura básica do retificador Vienna com bypass ..................................... 14
Figura 1.15 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador Vienna com
bypass ........................................................................................................... 15
Figura 1.16 – Estrutura básica do retificador em ponte completa com bypass .................. 16
Figura 1.17 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador em ponte com
bypass ........................................................................................................... 17
Figura 1.18 – Estruturas básicas do conversor Buck unipolar e bipolar ............................ 18
Figura 1.19 – Esforços elétricos nos semicondutores do conversor Buck ......................... 18
Figura 1.20 – Estruturas básicas do conversor série ressonante meia ponte e ponte
completa ....................................................................................................... 19
Figura 1.21 – Fatores de perdas por condução ................................................................... 25
Fator de perdas por comutação (k sw ⋅ Π Si ) ................................................... 27

*
Figura 1.22 –
~
(Ξ* + k avg ⋅ Ξi + k sw ⋅ Π *Si )
Figura 1.23 – Fator de perdas totais i ........................................... 27
Figura 1.24 – Fator de densidade de potência dos indutores (ρ L ) ..................................... 28

Figura 1.25 – Fator de normalização da frequência de comutação .................................... 29
Figura 1.26 – Fator de área de chip necessária ................................................................... 30
xii
Figura 1.27 – Novo fator de densidade de potência dos indutores .................................... 31

Figura 2.1 – Retificador Vienna com função bypass ....................................................... 33
Figura 2.2 – Princípio de conversão de tensão ................................................................. 34
Figura 2.3 – Etapa positiva de acumulação (modo I)....................................................... 35
Figura 2.4 – Etapa positiva de transferência (modo I) ..................................................... 35
Figura 2.5 – Etapa positiva de acumulação (modo II) ..................................................... 35
Figura 2.6 – Etapa positiva de transferência (modo II) .................................................... 35
Figura 2.7 – Estratégia de modulação PD ........................................................................ 36
Figura 2.8 – Razões cíclicas dos interruptores do retificador .......................................... 38
Figura 2.9 – Principais formas de onda do retificador Vienna com função bypass ......... 38
Figura 2.10 – Ondulação na corrente do indutor CA de entrada ....................................... 41
Figura 2.11 – Conversor Buck bipolar associado à função bypass .................................... 44
Figura 2.12 – Principais formas de onda do conversor Buck bipolar associado à
função bypass............................................................................................... 45
Figura 2.13 – Forma de onda da corrente em um dos indutores Buck............................... 47
Figura 3.2 – Curvas de energia cedida durante a comutação ........................................... 51
Figura 3.3 – Curva de perdas no interruptor bidirecional S1 ........................................... 52
Figura 3.4 – Curva de perdas no diodo D13 .................................................................... 54
Figura 3.5 – Curva de perdas no diodo D1 ...................................................................... 55
Figura 3.6 – Curva de perdas no interruptor bypass S7 ................................................... 57
Figura 3.7 – Curva de perdas no diodo D7 ...................................................................... 58
Figura 3.8 – Somatório das perdas totais nos indutores de entrada ................................. 61
Figura 3.9 – Perda total nos capacitores do barramento CC ............................................ 62
Figura 3.10 – Perda total nos capacitores da saída............................................................. 63
Figura 3.11 – Conversor Buck bipolar associado à função bypass .................................... 64
Figura 3.12 – Curva de perdas no interruptor do Buck S13............................................... 66
Figura 3.13 – Curva de perdas no diodo D19 .................................................................... 67
Figura 3.14 – Somatório das perdas totais nos indutores de saída ..................................... 70
Figura 3.15 – Temperatura na junção em função da frequência de comutação ................. 71
Figura 3.16 – Perdas totais nos sistemas convencional e com função bypass ................... 72
Figura 3.17 – Eficiência teórica dos sistemas convencional e com função bypass ........... 72
Figura 4.2 – Fotografias do protótipo montado ............................................................... 75
xiii
Figura 4.3 – Sinais de acionamento dos interruptores ...................................................... 77

Figura 4.4 – Característica de cinco níveis do retificador Vienna com função
bypass ........................................................................................................... 77
Figura 4.5 – Correntes trifásicas com fator de potência unitário...................................... 77
Figura 4.6 – Tensões sobre os interruptores bypass e bidirecionais ................................. 78
Figura 4.7 – Esforços elétricos no interruptor e no diodo bypass .................................... 78
Figura 4.8 – Esforços elétricos no interruptor bidirecional .............................................. 79
Figura 4.9 – Esforços elétricos no diodo retificador de alta frequência ........................... 80
Figura 4.10 – Correntes no indutor de saída superior e na carga ....................................... 80
Figura 4.11 – Curvas de rendimento teórica e experimental. ............................................. 81
xiv
xv
LISTA DE TABELAS
Tabela 1.1 – Faixa de tensão no barramento CC para possíveis configurações dos

capacitores e das fases. ................................................................................. 20
Tabela 1.2 – Descrição e quantificação dos coeficientes .................................................. 25
Tabela 1.3 – Tensão e corrente de comutação nos interruptores dos circuitos* ............... 26
Tabela 1.4 – Sumário dos resultados obtidos .................................................................... 31
Tabela 3.1 – Especificações do retificador Vienna com função bypass ........................... 49
Tabela 3.2 – Esforços elétricos nos interruptores bidirecionais ........................................ 50
Tabela 3.3 – Especificações dos interruptores bidirecionais ............................................ 50
Tabela 3.4 – Esforços elétricos nos diodos em antiparalelo com os interruptores
bidirecionais ................................................................................................. 52
Tabela 3.5 – Especificações dos diodos em antiparalelo com os interruptores
bidirecionais ................................................................................................. 53
Tabela 3.6 – Esforços elétricos nos diodos retificadores de alta frequência ..................... 54
Tabela 3.7 – Especificações dos diodos retificadores de alta frequência ......................... 54
Tabela 3.8 – Esforços elétricos nos interruptores bypass ................................................. 56
Tabela 3.9 – Especificações dos interruptores bypass ...................................................... 56
Tabela 3.10 – Esforços elétricos nos diodos bypass ........................................................... 57
Tabela 3.11 – Especificações dos diodos bypass ................................................................ 58
Tabela 3.12 – Indutância e esforços de corrente nos indutores de entrada ......................... 59
Tabela 3.13 – Resumo do projeto dos indutores de entrada ............................................... 60
Tabela 3.14 – Capacitância e esforços de corrente e tensão nos capacitores do
barramento CC ............................................................................................. 61
Tabela 3.15 – Especificações dos capacitores do barramento CC ...................................... 61
Tabela 3.16 – Capacitância e esforços de corrente e tensão nos capacitores da saída ........ 62
Tabela 3.17 – Especificações dos capacitores de saída ...................................................... 63
Tabela 3.18 – Especificações do conversor Buck bipolar associado à função bypass ........ 63
Tabela 3.19 – Esforços elétricos nos interruptores do Buck ............................................... 64
Tabela 3.20 – Especificações dos interruptores bypass ...................................................... 65
Tabela 3.21 – Esforços elétricos nos diodos do conversor Buck ........................................ 66
Tabela 3.22 – Especificações dos diodos bypass ................................................................ 66
Tabela 3.23 – Indutância e esforços de corrente nos indutores de entrada ......................... 67
Tabela 3.24 – Resumo do projeto dos indutores de saída ................................................... 68
xvi
Tabela 3.25 – Máxima potência dissipada nos semicondutores (@20kHz) ....................... 70

Tabela 3.26 – Resistência térmica junção-cápsula e temperatura na junção
(@20kHz) .................................................................................................... 71
Tabela 4.1 – Especificações do retificador Vienna com função bypass ........................... 74
xvii
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
AWG American Wire Gauge

BS-NPC Bipolar Switched Neutral Point Clamped
CA Corrente Alternada
CC Corrente Contínua
CNPq Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico
DSP Digital Signal Processor
EMC Electromagnetic Compatibility
EMI Electromagnetic Interference
EPRI Electric Power Research Institute
ESR Equivalent Series Resistance
EV Electric Vehicle
GPEC Grupo de Processamento de Energia e Controle
HEV Hybrid Electric Vehicle
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
KDEE Kompetenzzentrum für Dezentrale Elektrische Energieversorgungstechnik
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
PD Phase Disposition
PFC Power Factor Correction
PWM Pulse Width Modulation
RMS Root Mean Square
SiC Silicon Carbide
THD Total Harmonic Distortion
UFC Universidade Federal do Ceará
V2G Vehicle-to-Grid
xviii
xix
LISTA DE SÍMBOLOS
Símbolo Unidade Descrição

α [−] Fator de ajuste da influência da tensão de bloqueio sobre as perdas
por comutação
β [−] Fator de ajuste da influência da tensão de bloqueio sobre as perdas
por condução
βD [−] Fator de ajuste da influência da tensão de bloqueio sobre a resistência
do diodo
βS [−] Fator de ajuste da influência da tensão de bloqueio sobre a resistência
do interruptor
εi [−] Fator adimensional do esforço de tensão de comutação no
semicondutor
εî [−] Fator adimensional da tensão de bloqueio do semicondutor
η [%] Rendimento
µo [ H / m] Permeabilidade do vácuo
ρL [−] Fator de densidade de potência dos indutores
ρ Lnovo [−] Fator de densidade de potência dos indutores normalizado
ξi [−] Fator adimensional do esforço de corrente média no semicondutor

~
ξi [−] Fator adimensional do esforço de corrente eficaz no semicondutor
ξî [−] Fator adimensional do esforço de corrente de comutação no

semicondutor
∆I L [A] Ondulação de corrente no indutor
∆VC [V ] Ondulação de tensão no capacitor
Π *Si [−] Fator adimensional de perdas por comutação
Ξi [−] Fator adimensional de perdas por condução devido à corrente média

~
Ξ*i [−] Fator adimensional de perdas por condução devido à corrente eficaz
a [rad ] Ângulo de transição dos modos de operação do sistema com função

bypass
Acu [mm 2 ] Área de cobre
Ae [cm 2 ] Área da seção transversal do núcleo

xx
Aw [cm 2 ] Área da janela do indutor
Bmax [T ] Densidade de fluxo magnético
C1− 2 [F ] Capacitores do barramento CC
C3−4 [F ] Capacitores de saída
D1− 6 [−] Diodos retificadores de alta frequência
D7−12 [−] Diodos bypass de alta frequência
D13−18 [−] Diodos de roda livre de alta frequência
D19−20 [−] Diodos de alta frequência do conversor Buck
DI (ωt ) [−] Razão cíclica no modo I de operação do retificador
DII (ωt ) [−] Razão cíclica no modo II de operação do retificador
Eoff [ µJ ] Energia perdida no desligamento do interruptor
Eon [ µJ ] Energia perdida no ligamento do interruptor
ES [J ] Energia de comutação
ESR [Ω] Resistência série equivalente de um capacitor
FP [−] Fator de potência
fr [Hz ] Frequência da rede elétrica
fS [Hz ] Frequência de comutação
I avg [A] Corrente média
IC [A] Corrente eficaz no capacitor
IF [A] Corrente média no semicondutor

~ [A] Corrente eficaz no semicondutor
IF
Ii [A] Corrente eficaz de entrada
IL [A] Corrente no indutor
IˆL [A] Corrente de pico no indutor

~ [A] Corrente eficaz no indutor
IL
I Lpk [A] Corrente de pico no indutor
I Lrms [A] Corrente eficaz no indutor

xxi
I pk [A] Corrente de pico
I rms [A] Corrente eficaz
IS [A] Valor médio do contorno da curva de corrente de comutação
J max [ A / cm 2 ] Densidade de corrente máxima
kavg [−] Fator de ajuste de perdas devido à corrente media com relação à
corrente eficaz
k Davg [−] Fator de ajuste de perdas devido à corrente media no diodo com
relação ao interruptor
k Drms [−] Fator de ajuste de perdas devido à corrente eficaz no diodo com
relação ao interruptor
k NF [−] Fator de normalização da frequência de comutação
k sw [−] Fator de ajuste de perdas por comutação com relação às perdas por
condução
Ku [−] Fator de utilização para projeto de indutores
L [H ] Indutância
L1− 3 [H ] Indutores CA de entrada;
L4−5 [H ] Indutores CC de saída
lg [mm] Largura do entreferro de indutores
M [−] Índice de modulação
M buck [−] Índice de modulação do conversor Buck
NL [−] Número de espiras de um indutor
Pbuck [W ] Potência do conversor Buck
Pcond [W ] Perdas por condução em semicondutores
Pcore [W ] Perdas no núcleo de indutores
Pcu [W ] Perdas no cobre de indutores
Pi [W ] Potência de entrada
Po [W ] Potência de saída
Psw [W ] Perdas por comutação em semicondutores
Qc [nC ] Carga capacitiva total

xxii
RDS (on ) [Ω] Resistência de estado ligado entre dreno e fonte (MOSFET)
Ron [Ω] Resistência de estado ligado (IGBT e diodo)
Rth [°C / W ] Resistência térmica
S1−6 [−] Interruptores bidirecionais de alta frequência
S 7−12 [−] Interruptores bypass de alta frequência
S13−14 [−] Interruptores de alta frequência do conversor Buck
Tj [°C ] Temperatura na junção em semicondutores
TS [s ] Período de comutação
Vamostra [V ] Tensão de amostragem para obtenção da curva de energia de

comutação
VCE [V ] Tensão coletor-emissor (IGBT)
VF [V ] Tensão direta do diodo
VFo [V ] Tensão de polarização inicial (obtida através da linearização da curva

de corrente para IGBT e diodo)
Vo [V ] Tensão de saída
Vdc [V ] Tensão do barramento CC
Vi [V ] Tensão de entrada
Vipk [V ] Tensão de entrada de pico
Vmax [V ] Tensão máxima
VS [V ] Valor médio do contorno da curva de tensão de comutação
VˆS [V ] Tensão de bloqueio de um semicondutor
Wdc [J ] Energia no barramento CC
Wi [J ] Energia na entrada
Wo [J ] Energia na saída
xxiii
SUMÁRIO
Agradecimentos ............................................................................................................................... v
Resumo ......................................................................................................................................... vii
Abstract ...........................................................................................................................................ix
Lista de figuras ...............................................................................................................................xi
Lista de tabelas .............................................................................................................................. xv
Lista de abreviaturas e siglas ...................................................................................................... xvii
Lista de símbolos ..........................................................................................................................xix
Introdução geral ............................................................................................................................... 1
1 Avaliação comparativa de retificadores trifásicos ativos ........................................................ 3
1.1 Introdução ......................................................................................................................... 3
1.2 Retificadores do tipo Boost ............................................................................................... 3
1.2.1 Retificador híbrido de injeção de 3° harmônica de corrente ..................................... 3
1.2.2 Retificador Vienna..................................................................................................... 5
1.2.3 Retificador Vienna com três interruptores ................................................................ 6
1.2.4 Retificador em ponte completa totalmente controlado .............................................. 7
1.3 Retificadores tipo Buck ..................................................................................................... 9
1.3.1 Retificador Swiss ....................................................................................................... 9
1.3.2 Retificador tipo Buck de seis interruptores .............................................................. 10
1.4 Topologias com função Bypass ...................................................................................... 12
1.4.1 Retificador Vienna com função bypass ................................................................... 13
1.4.2 Retificador em ponte completa com função bypass ................................................ 16
1.5 Conversor Buck bipolar e unipolar ................................................................................. 17
1.6 Conversores série ressonantes......................................................................................... 19
1.6.1 Faixas de operação dos retificadores ....................................................................... 20
1.7 Fatores de Benchmark ..................................................................................................... 21
1.7.1 Introdução ................................................................................................................ 21
1.7.2 Fatores de perdas nos semicondutores..................................................................... 21
1.7.3 Fator de densidade de potência dos indutores ......................................................... 23
1.7.4 Definição e quantificação dos coeficientes ............................................................. 23
1.7.5 Avaliação comparativa utilizando os fatores de benchmark ................................... 25
1.7.5.1 Fatores de perdas por condução ....................................................................... 25
1.7.5.2 Fator de perda por comutação .......................................................................... 26
xxiv
1.7.5.3 Perdas totais dos circuitos ................................................................................ 27

1.7.5.4 Fator de densidade de potência dos indutores ................................................. 28
1.7.6 Normalização dos fatores ........................................................................................ 28
1.7.6.1 Fator de área de chip necessária ...................................................................... 28
1.7.6.2 Novo fator de densidade de potência dos indutores ........................................ 30
1.8 Conclusão ....................................................................................................................... 31
2 Análise qualitativa e quantitativa do retificador Vienna com função bypass ....................... 33
2.1 Introdução ....................................................................................................................... 33
2.2 Retificador Vienna com função bypass .......................................................................... 33
2.3 Princípio de operação ..................................................................................................... 34
2.3.1 Modo I (Vi < Vo) ..................................................................................................... 34
2.3.2 Modo II (Vi > Vo) .................................................................................................... 35
2.3.3 Modulação ............................................................................................................... 35
2.3.4 Análise da razão cíclica........................................................................................... 36
2.3.5 Principais formas de onda ....................................................................................... 38
2.3.6 Determinação dos esforços nos componentes ......................................................... 38
2.3.6.1 Esforços nos interruptores S1-6 e diodos D13-18................................................. 39
2.3.6.2 Esforços nos diodos D1-6 .................................................................................. 40
2.3.6.3 Esforços nos interruptores bypass S7-12 e diodos bypass D7-12 ......................... 40
2.3.6.4 Esforços nos indutores L1-3 .............................................................................. 41
2.3.6.5 Esforços nos capacitores C1-2........................................................................... 42
2.3.6.6 Esforços nos capacitores C3-4........................................................................... 43
2.4 Conversor Buck associado à função bypass ................................................................... 44
2.5 Princípio de operação ..................................................................................................... 44
2.5.1 Modulação ............................................................................................................... 44
2.5.2 Análise da razão cíclica........................................................................................... 45
2.5.3 Principais formas de onda ....................................................................................... 45
2.5.4 Determinação dos esforços nos componentes ......................................................... 45
2.5.4.1 Esforços nos interruptores S13-14 ...................................................................... 46
2.5.4.2 Esforços nos diodos D19-20 ............................................................................... 46
2.5.4.3 Esforços nos indutores L4-5 .............................................................................. 47
2.6 Conclusão ....................................................................................................................... 48
3 Metodologia e exemplo de projeto do retificador Vienna com função bypass ..................... 49
3.1 Introdução ....................................................................................................................... 49
xxv
3.2 Retificador Vienna com função bypass .......................................................................... 49

3.2.1 Especificações do retificador ................................................................................... 49
3.2.2 Projeto do retificador ............................................................................................... 49
3.2.2.1 Dimensionamento dos interruptores S1-6 .......................................................... 50
3.2.2.2 Dimensionamento dos diodos D13-18 ................................................................ 52
3.2.2.3 Dimensionamento dos diodos D1-6 ................................................................... 54
3.2.2.4 Dimensionamento dos interruptores bypass S7-12 ............................................. 55
3.2.2.5 Dimensionamento dos diodos bypass D7-12...................................................... 57
3.2.2.6 Dimensionamento dos indutores L1-3 ............................................................... 59
3.2.2.7 Dimensionamento dos capacitores C1-2 ............................................................ 61
3.2.2.8 Dimensionamento dos capacitores C3-4 ............................................................ 62
3.3 Conversor Buck associado à função bypass .................................................................... 63
3.3.1 Especificações do conversor Buck ........................................................................... 63
3.3.2 Projeto do conversor Buck ....................................................................................... 64
3.3.2.1 Dimensionamento dos interruptores S13-14 ....................................................... 64
3.3.2.2 Dimensionamento dos diodos D19-20 ................................................................ 66
3.3.2.3 Dimensionamento dos indutores L4-5 ............................................................... 67
3.4 Análise das perdas e da temperatura na junção dos semicondutores .............................. 70
3.5 Análise da eficiência teórica do sistema ......................................................................... 71
3.6 Conclusão........................................................................................................................ 72
4 Resultados de simulação e experimentais ............................................................................. 74
4.1 Introdução ....................................................................................................................... 74
4.2 Montagem do protótipo .................................................................................................. 74
4.3 Resultados de simulação e experimentais ....................................................................... 76
4.4 Conclusão........................................................................................................................ 81
Conclusão geral ............................................................................................................................. 82
Referências .................................................................................................................................... 83
xxvi
1
INTRODUÇÃO GERAL
De acordo com a revista Scientific AmericanTM, um estudo realizado em 2007 pelo

Electric Power Research Institute (EPRI) mostrou que o custo do consumo de um carro
movido à eletricidade nos EUA é equivalente ao pagamento de 75 centavos de dólar
(aproximadamente R$1,50) por galão (cerca de 3,78 litros) de gasolina. O cálculo foi feito
adotando um custo médio de eletricidade de 8,5 centavos de dólar por quilowatt-hora e a
distância estimada que o carro alcançaria com uma única carga, equivalente a um carro que
atinge 25 milhas (40 km) por galão e é abastecido ao preço de 3 dólares por galão de gasolina.
Alterando qualquer uma dessas variáveis, os custos relativos também mudam. Assim, um
veículo puramente elétrico tem um baixíssimo custo de operação diário.
Com um banco de baterias de lítio de grande porte, pode-se dirigir
aproximadamente 160 quilômetros depois de um ciclo de carga de 8 horas, enquanto que a
gasolina possui oitenta vezes a energia de um conjunto de baterias de íon-lítio por quilograma
e pode-se encher o tanque de um veículo a gasolina em alguns minutos. No entanto, o pico de
eficiência do motor de combustão interna é de apenas 30%, e a eficiência média é de cerca de
12% para altas velocidades de rotação. Usar o motor elétrico para suprir torque durante a
aceleração e recuperar energia durante a frenagem significa que o motor a gasolina é operado
com menor frequência e maior eficiência, duplicando a taxa de quilômetros por litro. Uma
outra razão para adicionar baterias aos carros é a redução de emissões, já que um litro de
gasolina produz cerca de 2,4 kg de dióxido de carbono (CO2). Assim, a utilização de baterias
é a chave para reduzir tanto o custo do consumo como a emissão de CO2 por quilômetro
rodado. Quanto mais energia por quilograma a bateria é capaz de armazenar, mais eficaz é a
bateria (KULTGEN, 2009). Portanto, íon-lítio é a tecnologia preferida para a futura utilização
em veículos elétricos e híbridos.
Além disso, o sistema elétrico deve balancear o consumo e a geração enquanto o
fluxo de energia está na forma de potência ativa e reativa. Um veículo elétrico pode ser
utilizado tanto com a função de carga como servir de fonte geradora para balancear a
frequência do sistema. Representado pelo termo vehicle-to-grid (V2G), esta funcionalidade
representa um mecanismo para atender os principais requisitos do sistema elétrico, usando
veículos elétricos quando eles estiverem estacionados e subutilizados (KEMPTON et al.,
2008).
Ainda de acordo com Kempton et al. (2008), um segundo mercado interessante é
conhecido como spinning reserves, ou reservas síncronas. V2G também tem um mercado
2
promissor à vista, com grandes oportunidades de lucro. Uma futura aplicação seria a
utilização de veículos elétricos para armazenamento de energia advinda de fontes renováveis
intermitentes, tais como eólica e solar. Este conceito pode ser aplicado tanto em geração de
larga escala, bem como em pequenas gerações descentralizadas, por exemplo, em casa. Em
um futuro próximo, isto pode vir a se tornar uma aplicação de destaque na transição global
para a emergente economia de energia sustentável.
Os principais requisitos para conversores de potência para carregamento de
bateria de veículos totalmente elétricos (EV) ou híbridos (HEV) são dados pela alta densidade
de potência dos sistemas e dispositivos e alta eficiência, robustez e confiabilidade dos
dispositivos e sistemas. Em particular, para carregadores on-board: tamanho e peso, entrada
universal, flexibilidade de operação mono ou trifásica e conceitos de segurança inerentes
desempenham um papel fundamental (LORENZ, 2011). Requisitos como alta confiabilidade
e eficiência, baixo custo e, finalmente, compacidade oferecem sérios desafios em face as
exigências inerentes da aplicação. Entre estas, pode-se mencionar em primeiro lugar a ampla
faixa de tensão, tanto do lado da rede como do da bateria, que afetam significativamente o
tamanho e o desempenho do sistema. Apesar de as normas atuais não exigirem isolamento
entre rede e bateria, por razões de segurança, é de comum senso o desenvolvimento de
carregadores on-board com um transformador isolador, o que leva a um aumento no tamanho
e nas perdas. O objetivo principal deste projeto é, portanto, enfrentar tais desafios por meio de
um inovador conceito aplicado a conversores de potência, sendo, ao final, construído um
protótipo de demonstração de um carregador de baterias trifásico, altamente eficiente e
compacto, com capacidade de carga rápida (22 kW) e com uma ampla faixa de tensão de
saída.
3
1 AVALIAÇÃO COMPARATIVA DE RETIFICADORES TRIFÁSICOS ATIVOS
1.1 Introdução
O objetivo desta revisão bibliográfica é apresentar as características de diferentes

retificadores trifásicos ativos do tipo Boost e Buck mais comuns na literatura e compará-los
com dois tipos de retificador com função bypass. Serão comparados os esforços elétricos nos
semicondutores e estabelecidos fatores de referência para as perdas das topologias analisadas.
Questões a serem discutidas incluem complexidade de controle, volume dos indutores de
filtro, tensão no barramento CC, possibilidade de operação monofásica e eficiência das várias
topologias.
1.2 Retificadores do tipo Boost
1.2.1 Retificador híbrido de injeção de 3° harmônica de corrente
Também conhecido na literatura como Hybrid 3rd Harmonic Current Injection

PFC Rectifier (FRIEDLI; KOLAR, 2011), a topologia mostrada na Figura 1.1 a) apresenta
apenas dois interruptores controlados em alta frequência, S+ e S-. Os interruptores
bidirecionais SnYn operam com o dobro da frequência da tensão de entrada e são usados para a
injeção da corrente iY na rede de alimentação trifásica, sendo ativados por um período de 60°
correspondente ao intervalo entre ±30° da respectiva tensão de fase (Figura 1.1 b)). As
correntes nos indutores podem ser controladas independentemente, tendo como entradas as
diferenças entre as tensões de fase mais positiva e mais negativa (saídas da ponte retificadora)
e a tensão de fase conectada ao interruptor bidirecional ativado naquele instante. Deve ser
enfatizado que o sistema permite operação contínua com corrente senoidal mesmo em caso de
falta de uma das fases. Todos os interruptores de injeção devem ser bloqueados, enquanto os
de alta frequência, comutados com o mesmo sinal de gatilho. Assim, o sistema funciona como
um retificador PFC monofásico operando com tensão de linha.
Para o caso de barramento simples, a tensão mínima na saída é dada pelo pico da
tensão de linha, 𝑉𝑜 > √6𝑉𝑖 . Quando o barramento é seccionado em dois (split) e conectado ao
ponto médio Y, a mínima tensão na saída passa a ser 𝑉𝑜 > 3√2𝑉𝑖 . As grandes desvantagens
deste tipo de retificador são a complexidade do sistema de controle e os grandes esforços
elétricos nos semicondutores de alta frequência. Em suma, os esforços elétricos de tensão e
corrente em cada semicondutor do circuito são mostrados na Figura 1.2.
4
Figura 1.1 – Topologia básica e principais formas de onda do retificador híbrido
D1 D2 D3 L1 D7
S7
ia S1
S2
S3 iy
Y C
S4
S5
S6
D4 D5 D6 S8
L2 D8
a) b)
Fonte: Elaborada pelo autor.
a) Estrutura básica do retificador híbrido de injeção de 3° harmônica de corrente. b) Formas de onda das
tensões de fase UaN, UbN e UcN, da corrente de fase ia e da corrente injetada iY.
Figura 1.2 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador híbrido

I Davg = I Lipk ⋅ M
3
I Davg = I Lipk ⋅
2π 10π − 3 3
I Drms = I Lipk ⋅
3 1 6π
I Drms = I Lipk ⋅ + Vdc
8π 6 VD max =
2
VD max = Vi ⋅ 6
3 3 3π + 3 
I Savg = I Lipk ⋅  −M ⋅ 
I SDavg = I Lipk ⋅
2− 3  2π 4π 
2π
4π + 3 3 10 3
I Srms = I Lipk ⋅ −M ⋅ + M 2 ⋅ 0.072
I SDrms = I Lipk ⋅
1
−
3 4π 3π
12 8π VS max = Vdc
3
VSD max = Vi ⋅ π− 3
2 I Davg = I Lipk ⋅
4π
Índice de Modulação:
I Drms = I Lipk ⋅ M ⋅
(
5 ⋅ 2π − 3 3 )
V ⋅3 24π
M= i
Vdc ⋅ 2 VD max = Vdc
O valor mínimo de indutância necessário para obter-se um máximo valor de

ondulação de corrente de ∆I L é dado por:
Vdc
L=
4 ⋅ ∆I L ⋅ f S (1-1)
Desconsiderando a ondulação, as correntes de pico e eficaz nos indutores são

definidas por:
2 ⋅ Pi
I Lipk = (1-2)
3 ⋅ Vi
5
1 3 3
I Lrms = I Lipk ⋅ + (1-3)
2 8π
1.2.2 Retificador Vienna
Conhecido na literatura como Vienna Rectifier, esta topologia apresenta três níveis
de tensão para a formação da corrente de entrada. Isto significa que o indutor é submetido a
menores degraus de tensão, diminuindo assim a ondulação na corrente e, consequentemente,
permitindo a redução da indutância e do volume total. Além disso, os interruptores comutam
com apenas metade da tensão do barramento CC, resultando também em menores níveis de
EMI conduzidos (FRIEDLI; KOLAR, 2011).
Figura 1.3 – Topologia básica do retificador Vienna
D1 D2 D3
C1
L S1
S2
S3
S4
S5
S6
D4 D5 D6
C2
Similar ao caso anterior, em caso de perda de fase, o retificador Vienna também é

capaz de operar com potência reduzida, mantendo a tensão de saída e corrente senoidal nas
fases remanescentes. A maior desvantagem deste circuito é a alto ganho de tensão requerido.
Em especial para a versão sem conexão do neutro ao ponto médio, a tensão de saída mínima é
o dobro do pico da tensão de linha, 𝑉𝑜 > 2√6𝑉𝑖 . Com a conexão do neutro, esse valor é
reduzido para o dobro do pico da tensão de fase, 𝑉𝑜 > 2√2𝑉𝑖 . Os esforços de corrente e de
tensão nos semicondutores do circuito com conexão do neutro ao ponto médio são mostrados
na Figura 1.4.
Sendo ∆I L a ondulação máxima de corrente, o valor mínimo da indutância por
fase é dado por:
Vdc
L=
8 ⋅ ∆I L ⋅ f S (1-4)

definidas por:
6
2 ⋅ Pi
I Lipk = (1-5)
3 ⋅ Vi
I Lipk
I Lrms = (1-6)
2
Figura 1.4 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador Vienna

M
I Davg = I Lipk ⋅
4
2
3π 1 M 
I SDavg = I Lipk ⋅  − 
VD max = Vdc π 4 
1 2
I SDrms = I Lipk ⋅ −M ⋅
4 3π
Vdc
VSD max =
Índice de Modulação: 2
Vi ⋅ 2 ⋅ 2
M=
Vdc
1.2.3 Retificador Vienna com três interruptores
Também conhecido por 3-Switch Vienna Rectifier (Figura 1.5), este circuito
apresenta as mesmas características que o retificador Vienna mostrado acima, porém com a
vantagem de apresentar apenas três interruptores de alta frequência. Por outro lado, um maior
número de semicondutores está no caminho da corrente, provocando assim maiores perdas
por condução (KOLAR; ZACH, 1994).
Figura 1.5 – Estrutura básica do retificador Vienna com três interruptores
D1 D7 D13
C1
D3 D5 D9 D11 D15 D17
S1 S2 S3
D4 D6 D10 D12 D16 D18

C2
D2 D8 D14

7
Os esforços de corrente e de tensão nos semicondutores do circuito com conexão

do neutro ao ponto médio são mostrados na Figura 1.6.
Figura 1.6 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador Vienna com três interruptores
M
I Davg = I Lipk ⋅
4 1 M 
I Davg = I Lipk ⋅  − 
2 π 4 
3π 1 2
V I Drms = I Lipk ⋅ −M ⋅
VD max = dc 4 3π
2 Vdc
VD max =
1 2
I Davg = I Lipk ⋅
π
2 M
1 I Savg = I Lipk ⋅  − 
I Drms = I Lipk ⋅ π 2 
2
1 4
VD max =
Vdc I Srms = I Lipk ⋅ −M ⋅
2 2 3π
Vdc
Índice de Modulação: VS max =
2
Vi ⋅ 2 ⋅ 2
M=
Vdc
Os valores de indutância e dos esforços de corrente também são iguais aos do

retificador Vienna mostrado anteriormente.
1.2.4 Retificador em ponte completa totalmente controlado
Comumente encontrado na literatura como Active Full-Controlled Bridge Circuit

ou Bidirectional Six-Switch Active PFC Rectifier, este circuito apresenta característica de dois
níveis e tem a capacidade de produzir correntes de fase senoidais com qualquer ângulo de
defasagem com relação à tensão da rede. Porém, neste trabalho será estudado somente como
retificador com fator de potência unitário. Apesar da simplicidade, este conversor apresenta
alta funcionalidade, em particular, a bidirecionalidade não resulta no aumento da quantidade
de interruptores comparados com as estruturas unidirecionais mostradas acima.
Além disso, o sistema também pode operar mesmo em caso de falha em uma das
fases. A principal desvantagem deste retificador é o elevado esforço elétrico nos
semicondutores, em especial altas perdas por chaveamento, e o baixo fator de confiança,
devido aos riscos de curto nos braços (JACOBUS, 2007).
8
Figura 1.7 – Estrutura básica do retificador em ponte
S5 S3 S1
L
S6 S4 S2
Para o caso de barramento simples, a tensão mínima na saída é dada pelo pico da
tensão de linha ou 𝑉𝑜 > √6𝑉𝑖 . Quando o barramento é seccionado em dois (split) e conectado
ao neutro da rede, a mínima tensão na saída passa a ser o dobro do pico da tensão de fase,
𝑉𝑜 > 2√2𝑉𝑖 . Os esforços elétricos nos semicondutores do circuito com conexão do neutro ao
ponto médio são mostrados na Figura 1.8.
Figura 1.8 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador em ponte

 1 M
I Savg = I Lipk ⋅  − 
 2π 8 
1 M
I Srms = I Lipk ⋅ −  1 M
8 3π I Davg = I Lipk ⋅  + 
 2π 8 
VS max = Vdc
1 M
I Drms = I Lipk ⋅ +
8 3π
VD max = Vdc
Vi ⋅ 2 ⋅ 2
M=
Vdc

Vdc
L=
4 ⋅ ∆I L ⋅ f S (1-7)

definidas por:
2 ⋅ Pi
I Lipk = (1-8)
3 ⋅ Vi
9
I Lipk
I Lrms = (1-9)
2
1.3 Retificadores tipo Buck
1.3.1 Retificador Swiss
Rearranjando o conversor Boost por um conversor Buck na Figura 1.1 a), resulta
em um circuito mostrado na Figura 1.9 a) denominado como Swiss Rectifier (SOEIRO;
FRIEDLI; KOLAR, 2012). Assim como para o sistema tipo Boost, a injeção de corrente na
fase com o menor valor absoluto instantâneo de tensão é realizada através dos interruptores
bidirecionais de baixa frequência.
Figura 1.9 – Topologia básica e principais formas de onda do retificador Swiss
S7 L
D1 D2 D3
D7
ia S1
S2
S3 iY
Y C
S4
S5
S6
D4 D5 D6 D8
S8
a) b)
a) Estrutura básica do retificador Swiss. b) Formas de onda das tensões de fase UaN, UbN e UcN, da corrente
de fase ia e da corrente injetada IY.
Kolar e Friedli (2012, p. 2603) relatam que os retificadores trifásicos do tipo Buck
são apropriados para carregadores de alta potência, visto que uma conexão direta à bateria é
possível. Comparados aos sistemas do tipo Boost, as topologias do tipo Buck apresentam uma
faixa de tensão de saída mais ampla, mantendo a capacidade de operar com alto fator de
potência e de limitar a corrente dinâmica. Um protótipo de alta eficiência e densidade de
potência, operando com fator de potência quase unitário, já foi desenvolvido (SOEIRO;
FRIEDLI; KOLAR, 2012).
3√2
A faixa de tensão de saída é dada por 𝑉𝑜 < 𝑉𝑖 . Os esforços de corrente e de
2
tensão nos semicondutores do retificador Swiss são mostrados na Figura 1.10.

10
Figura 1.10 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador Swiss

3
I Davg = I ipk ⋅
2π
3 3
13 I Savg = I ipk ⋅
I Drms = I ipk ⋅ + 2π
8π 6
I ipk 3 3
VD max = Vi ⋅ 6 I Srms = ⋅ M⋅
M 2π
2− 3 3 2
I SDavg = I ipk ⋅ VS max = Vi ⋅
2π 2
1 3
I SDrms = I ipk ⋅ − I ipk  3 3
12 8π I Davg = ⋅ 1 − M ⋅ 
3 M  2π 
VSD max = Vi ⋅
2 I ipk 3 3
I Drms = ⋅ 1− M ⋅
M 2π
V ⋅ 2
M= o VD max = Vi ⋅
3 2
Vi ⋅ 3 2
Onde, o pico da corrente de entrada filtrada é dado por:
2 ⋅ Pi
I ipk = (1-10)
3 ⋅ Vi
2 Vo ⋅ (1 − M )
L= (1-11)
3 ∆I L ⋅ f S
As correntes de pico e eficaz nos indutores são definidas por:
Po
I Lrms = (1-12)
Vo
∆I L
I Lpk = I Lrms + (1-13)
2
1.3.2 Retificador tipo Buck de seis interruptores
O chamado Active 6-switch Buck-type PFC rectifier é formado pela adição de um

interruptor em série com cada diodo de uma ponte retificadora trifásica de diodos. A estrutura
básica do conversor resultante é mostrada na Figura 1.11. Um circuito de demonstração de
alta eficiência é apresentado por Stupar et al. (2011, p. 505-512).
11
Figura 1.11 – Estrutura básica do retificador tipo Buck de seis interruptores

L
D1 D3 D5
S1 S3 S5
D7 C1
S2 S4 S6
D2 D4 D6
Esta topologia tem como características baixíssimas perdas de chaveamento,

porém elevadas perdas por condução, principalmente para menores valores na tensão de saída.
Uma característica negativa nas topologias do tipo Buck é a presença de complexos filtros de
EMI na entrada, devido à natureza pulsada da corrente. Os esforços elétricos nos
semicondutores do retificador tipo Buck de seis interruptores são mostrados na Figura 1.12.
Figura 1.12 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador tipo Buck de seis interruptores
1
I Davg = I ipk ⋅
3⋅ M
I 3
I Drms = ipk ⋅ 1
M 3 I Savg = I ipk ⋅
VD max = Vi ⋅ 6 3⋅ M
I 3
I Srms = ipk ⋅
M 3
3 2
Índice de Modulação: VS max = Vi ⋅
2
Vo ⋅ 2
M=
Vi ⋅ 3
Da mesma forma que para o retificador Swiss, o pico da corrente de entrada após
o filtro é definida por:
2 ⋅ Pi
I ipk = (1-14)
3 ⋅ Vi
2 Vo ⋅ (1 − M )
L= (1-15)
3 ∆I L ⋅ f S
12

Po
I Lrms = (1-16)
Vo
∆I L
I Lpk = I Lrms + (1-17)
2
Assim como para o Retificador Swiss, a faixa de tensão de saída é limitada a
3√2
𝑉𝑜 < 𝑉𝑖 . Este nível de tensão atenderia aos propósitos deste trabalho, contudo os
2
retificadores do tipo Buck apresentados são limitados à operação trifásica, tendo em vista que
não é possível suprir uma carga com potência constante sem o uso de capacitores, devido ao
fluxo de potência senoidal intrínseco à operação monofásica. Portanto, estas topologias não
são elegíveis à aplicação proposta e serão estudadas apenas a título de comparação.
1.4 Topologias com função Bypass
Quando um conversor opera com uma larga diferença entre os níveis de tensão de
entrada e de saída, normalmente é possível identificar uma redução significante no seu
desempenho. A razão disto é o aumento da quantidade de energia processada que,
primeiramente, precisa ser armazenada em um elemento passivo (indutor), antes de ser
entregue à carga. É possível dizer que quão maior for a quantidade dessa energia “indireta”,
menor será a eficiência do sistema. No outro extremo, em caso de similaridade nas duas
tensões, praticamente toda a energia é entregue diretamente, resultando em máxima
eficiência. Tomando o conversor Boost como exemplo, pode-se notar que a totalidade da
energia é entregue diretamente quando a razão cíclica é nula, ou seja, as tensões de entrada e
saída têm o mesmo valor. À medida que estas tensões se distanciam, mais energia é entregue
indiretamente, reduzindo assim a eficiência do sistema (Figura 1.13).
Tal situação é especialmente crítica para inversores e retificadores com PFC, visto
que a razão cíclica dos interruptores abrange praticamente todos os possíveis valores. Em
casos em que a diferença entre o valor de pico da tensão CA e o valor médio da tensão CC é
grande, o índice de modulação é desviado consideravelmente de 1 e, consequentemente,
maiores perdas são esperadas.
Para lidar com tal situação, a operação de um retificador contendo dois
barramentos distintos tendo diferentes níveis de tensão é idealizada. Dependendo do ponto de
operação da tensão senoidal de entrada, o retificador escolherá entre os dois barramentos o
que melhor se adapta ao nível de saída desejado, maximizando a eficiência.
13
Figura 1.13 – Comportamento do fluxo de potência para o conversor Boost
VIN VOUT
Fonte: KDEE.
A patente DE 100 20 537 A1 (2000) apresenta um inversor em configuração ponte

completa para sistemas fotovoltáicos, no qual são fornecidas antes da sua entrada pelo menos
duas fontes de tensão CC. A fonte superior é utilizada somente temporariamente, caso a
tensão da fonte inferior não atinja o valor mínimo requerido para o correto funcionamento do
inversor. De forma semelhante, a patente DE 10 2007 026 393 B4 (2009) idealiza um inversor
em ponte completa com interruptores adicionais conectados a um nível de tensão superior ou
igual à fonte de entrada principal. Este outro nível é fornecido através de um conversor
CC/CC elevador conectado a esta fonte. Quando a tensão CC de entrada for inferior ao pico
da tensão de saída da rede, os diodos ligados em série com os interruptores superiores de cada
braço são bloqueados e os interruptores adicionais passam a modular em alta frequência.
Utilizando o mesmo princípio, o documento DE 10 2006 010 694 B4 (2010) propõe um
circuito inversor multinível, baseado em um BS-NPC (Bipolar Switched Neutral Point
Clamped).
Algumas das vantagens esperadas com a utilização da função bypass são: redução
das perdas totais por meio da operação parcial com estágio único; maior número de níveis de
tensão, reduzindo a corrente de modo comum e o volume do filtro de entrada, além de resultar
em menores esforços de tensão sobre os semicondutores; e, finalmente, redução de perdas
adicionais e no tamanho do conversor, visto que o conversor Buck de saída é projetado para
apenas uma fração da potência total.
1.4.1 Retificador Vienna com função bypass
Também podendo ser nomeado como 5-level three-phase PFC rectifier Vienna-
based with bypass function, esta é a topologia proposta neste trabalho. Composto de um
14
retificador Vienna como núcleo e de interruptores de bypass que conectam a saída

diretamente ao retificador (Figura 1.14), este circuito tem como característica principal cinco
níveis de tensão. As análises qualitativa e quantitativa desta topologia são descritas em
detalhes no capítulo 2.
Figura 1.14 – Estrutura básica do retificador Vienna com bypass

S13 L4
D1 D3 D5
D7 D9 D11
C1 D13
S7 S9 S11
L1 C3
S1
S2
L2
S3
S4
L3
S5
S6
D8 D10 D12 C4
C2 D14
S8 S10 S12
D2 D4 D6
L5
S14
Em suma, os esforços de corrente e de tensão em cada semicondutor do circuito

são mostrados na Figura 1.15. Como alguns componentes estão conectados em série, os
esforços de corrente para estes são iguais e, portanto, citados apenas uma vez.
O valor mínimo de indutância necessário para se obter um máximo valor de
ondulação de corrente de ∆I L depende do valor da tensão de saída. A indutância é dada pelo
maior valor entre as equações (1-18) e (1-19). Isto significa que o menor valor de indutância
Vdc
ocorre quando Vo = .
2
Vdc − Vo min
L=
8 ⋅ ∆I L ⋅ f S (1-18)
Vo max
L=
8 ⋅ ∆I L ⋅ f S (1-19)

definidas por:
2 ⋅ Pi
I Lipk = (1-20)
3 ⋅ Vi
15
I Lipk
I Lrms = (1-21)
2
Figura 1.15 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador Vienna com bypass
Vdc ⋅ [4 ⋅ cos(a ) − M I ⋅ (sin(2a ) − 2a )] − 2 ⋅ Vipk ⋅ (π − 2a + sin(2a )) + Vo ⋅ [M I (sin(2a ) − 2a )]
I SDavg = I Lipk ⋅
4π ⋅ (Vdc − Vo )
Vdc ⋅ [3 ⋅ sin(2a ) + 3π + M I ⋅ (8 + cos(3a ) − 9 ⋅ cos(a ) − 6a )] − Vo ⋅ M I ⋅ (8 + cos(3a ) − 9 ⋅ cos(a ) ) + 2 ⋅ Vipk ⋅ (cos(3a ) − 9 ⋅ cos(a ) )
I SDrms = I Lipk ⋅
12π ⋅ (Vdc − Vo )
V −V V +V
VS max = dc o min VD max = dc o max
2 2
Vipk ⋅ (π − 2a + sin(2a )) − 2 ⋅ Vo ⋅ cos(a)
I Davg = I Lipk ⋅
2π ⋅ (Vdc − Vo )
 V 
2 ⋅ Vipk ⋅ (9 ⋅ cos(a) − cos(3a )) − 3 ⋅ Vo ⋅ (sin( 2a) + π − 2a ) arcsin  o  if Vo
≤ Vipk
I Drms = I Lipk ⋅  2 ⋅V 
12π ⋅ (Vdc − Vo ) a=  ipk  2
π
VD max = Vdc otherwise
2
2
a Índice de Modulação Vienna:
8 ⋅ sin   + M I ⋅ (sin (2a ) − 2a ) 2 ⋅ Vipk
I SDavg = I Lipk ⋅ 2 MI =
4π Vo
3 ⋅ 6a − 3 ⋅ sin (2a ) + M I ⋅ (9 ⋅ cos(a ) − cos(3a) − 8) Índice de Modulação Buck:
I SDrms = I Lipk ⋅ Vo
6 π M buck =
Vdc
Vo max
VSD max =
2
2 ⋅ Vo ⋅ cos(a ) + Vipk ⋅ (2a − sin(2a ) − π )

I Savg = I Lipk ⋅ M buck ⋅ 3 ⋅
2π ⋅ Vo ⋅ (M buck − 1)
3 M buck Vipk 2  3π sin(4a )  2 a sin(2a ) π   cos(3a ) 

I Srms = I Lipk ⋅ ⋅ ⋅
2 
⋅ − 3a + 2 ⋅ sin(2a ) −  − Vo ⋅  − −  − Vipk ⋅ Vo ⋅  3 ⋅ cos(a ) − 
π Vo ⋅ (M buck − 1)  2  2
2
4  2 4 4  2 
Vdc
VS max =
2
Vipk ⋅ (sin(2a ) − 2a + π ) − 2 ⋅ Vo ⋅ cos(a )
I Davg = I Lipk ⋅ 3 ⋅
2π ⋅ Vo
3 1 Vipk 2  3π sin(4a )  2 a sin(2a ) π   cos(3a ) 

I Drms = I Lipk ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ − 3a + 2 ⋅ sin(2a ) −  − Vo ⋅  − −  − Vipk ⋅ Vo ⋅  3 ⋅ cos(a ) − 
π Vo ⋅ (1 − M buck )  2
2
 2 4  2 4 4  2 
Vdc
VD max =
2
Quanto aos indutores do conversor Buck associado à função bypass, apesar da

particularidade no princípio operação, a indutância é calculada de forma convencional como
na equação (1-28). Todavia, as correntes de pico e eficaz apresentam equações bem
diferentes, dadas por:
3 1 Vipk 2  3π sin( 4a )  
 ⋅ 2 ⋅
2 
⋅ − 3a + 2 sin( 2a ) −  − 
= I Lipk ⋅  Vo ⋅ (M buck − 1) 
π 2  2 4  
I Lorms  (1-22)
 − V 2 ⋅  a − sin( 2a ) − π  − V ⋅ V ⋅  3 cos(a ) − cos(3a )  
 o   ipk o   
 2 4 4  3  
16
 2 2 ⋅ Vi − M buck ⋅ Vdc  ∆I Lo
I Lopk = I Lipk ⋅ Vdc⋅ ⋅  +
 M buck ⋅ Vdc ⋅ (1 − M buck )
2 (1-23)
2
1.4.2 Retificador em ponte completa com função bypass
De forma semelhante ao retificador Vienna com bypass, este circuito é também

designado como 4-level three-phase PFC rectifier B6-based with bypass function e é uma
variação do conceito de bypass utilizando o arranjo dos capacitores em série e tendo como
conversor núcleo o retificador em ponte completa totalmente controlado (Figura 1.16). Este
circuito é apresentado neste trabalho apenas com o intuito de comparar o desempenho entre as
topologias originais e estas utilizando a função bypass.
Figura 1.16 – Estrutura básica do retificador em ponte completa com bypass
S13
D1 D3 D5
C1
S7 L4
S9
S11
S1 S3 S5 C2 D7
L1
L2
L3
S2 S4 S6 C3 D8
S8 L5
S10
S12
C4
D2 D4 D6
S14
A inclusão dos blocos de bypass no circuito da Figura 1.7 faz com que este passe
de dois para quatro níveis de tensão. O princípio de operação é basicamente o mesmo do
circuito anterior, onde o ligamento e desligamento dos interruptores de bypass dependem do
nível de tensão na saída.
Os esforços elétricos em cada semicondutor do circuito são mostrados na Figura
1.17. Uma vez que os esforços no conversor Buck são os mesmos no retificador Vienna com
bypass, estes foram ocultados.
Assim como anteriormente, o valor mínimo de indutância necessário para obter-se
um máximo valor de ondulação de corrente de ∆I L também depende da faixa de trabalho da
17
tensão de saída. A indutância é dada pelo maior valor entre as equações (1-24) e (1-25).
Vdc
Assim, a menor indutância ocorre para Vo = .
3
Vdc − Vo min
L=
8 ⋅ ∆I L ⋅ f S (1-24)
Vo max
L=
4 ⋅ ∆I L ⋅ f S (1-25)

definidas por:
2 ⋅ Pi
I Lpk = (1-26)
3 ⋅ Vi
I Lpk
I Lrms = (1-27)
2
Figura 1.17 – Esforços elétricos nos semicondutores do retificador em ponte com bypass
Vi ⋅ 2 ⋅ (π − 2a + sin (2a )) − Vo ⋅ 2 ⋅ cos( a ) M I ⋅ sin (2a ) − 4 ⋅ cos(a ) − 2 ⋅ M I ⋅ a + 4
I Davg = I Lipk ⋅ I Davg = I Lipk ⋅
2π ⋅ (Vdc − Vo ) 8π
M I ⋅ (9 ⋅ cos(a ) − cos(3a ) − 8) − 3 ⋅ sin( 2a ) + 6a
Vo ⋅ 3 ⋅ (sin( 2a ) + π − 2a ) − Vi ⋅ 2 ⋅ (18 ⋅ cos(a ) − 2 ⋅ cos(3a )) I Drms = I Lipk ⋅
I Drms = I Lipk ⋅ 24π
12π ⋅ (Vo − Vdc ) V − Vo min
VD max = dc
Vdc − Vo min 2
VD max =
2
M I ⋅ sin (2a ) − 4 ⋅ cos(a ) − 2 ⋅ M I ⋅ a + 4

I Savg = I Lipk ⋅
8π  V  Vo
arcsin  o  if ≤ Vipk
M I ⋅ (9 ⋅ cos(a ) − cos(3a ) − 8) − 3 ⋅ sin (2a ) + 6a a=
 2 ⋅V


 2
I Srms = I Lipk ⋅ ipk
24π π
otherwise
VS max = Vo max 2
2 ⋅ Vipk
4 ⋅ cos(a ) − M I ⋅ (sin( 2a ) − 2a ) + 4 MI =
I Davg = I Lipk ⋅ Vo
8π
M I ⋅ (8 + cos(3a ) − 9 ⋅ cos(a ) ) + 3 ⋅ sin (2a ) + 6 ⋅ (π − a )
I Drms = I Lipk ⋅
24π
VD max = Vo max
 a
2
  a
2

Vdc ⋅  8 ⋅ sin   − 2 ⋅ M I ⋅ a + M I ⋅ sin (2a ) − 8  + Vi ⋅ 2 ⋅ (4π − 8a + 4 ⋅ sin (2a )) + Vo ⋅  8 ⋅ sin  + 2 ⋅ M I ⋅ a − M I ⋅ sin (2a )
 2   2 
I Savg = I Lipk ⋅    
8π ⋅ (Vo − Vdc )
V ⋅ [3 ⋅ sin(2a ) + 6(π − a ) + M I ⋅ (cos(3a ) − 9 ⋅ cos(a ) + 8)] + Vo ⋅ [M I ⋅ (9 ⋅ cos(a ) − cos(3a ) − 8) − 6a + 3 ⋅ sin (2a )] + Vi ⋅ 2 ⋅ 4 ⋅ (cos(3a ) − 9 ⋅ cos(a ) )
I Srms = I Lipk ⋅ dc
24π ⋅ (Vdc − Vo )
Vdc − Vo min
VS max =
2
1.5 Conversor Buck bipolar e unipolar
O papel do conversor abaixador Buck é ajustar o nível de tensão do barramento

CC dos retificadores tipo Boost para o nível desejado na saída, mantendo a capacidade de
limitar a corrente na saída com uma baixa ondulação. As duas variações mais comuns do
18
conversor Buck são mostradas na Figura 1.18: a) unipolar, ideal para retificadores com
barramento simples, e b) bipolar, ideal para o balanceamento da tensão nos capacitores do
barramento duplo.
Figura 1.18 – Estruturas básicas do conversor Buck unipolar e bipolar

S1 L1
S1 L1
D1 C1
D1 C1
D2 C2
L2
S2
a) b)
A versão unipolar apresenta menores perdas por condução que a versão bipolar,
contudo, maiores perdas por comutação, equilibrando a quantidade de perdas totais ao final. O
rendimento destas topologias caracteriza-se por crescer com o aumento da tensão de saída,
podendo ser bastante elevado para tensões de saída mais próximas da tensão de entrada. Os
esforços elétricos nos semicondutores do conversor Buck bipolar e unipolar são mostrados na
Figura 1.19.
Figura 1.19 – Esforços elétricos nos semicondutores do conversor Buck

Po
I Savg =
Vdc
Po
I Srms =
Vdc ⋅ M
⋅ (1 − M )
Po
I Davg =
Vdc ⋅ M
Po
I Drms = ⋅ 1− M
Vdc Vdc ⋅ M
VS max = VS max = Vdc
2 Índice de Modulação:
VD max = Vdc
Vdc Vo
VD max = M=
2 Vdc

ondulação de corrente de ∆I L é dado por (1-28). A indutância L é máxima quando D = 0,5 .
19
Vdc ⋅ D ⋅ (1 − D )
L=
∆I L ⋅ f S (1-28)

Po
I Lrms = (1-29)
Vo
∆I L
I Lpk = I Lrms + (1-30)
2
1.6 Conversores série ressonantes
As normas atuais não exigem isolamento entre rede e bateria. No entanto, devido
a razões de segurança, é de comum senso o desenvolvimento de carregadores on-board com
um transformador isolador (ZELTNER, 2011). O uso de transformadores é o método mais
comum de isolamento. Embora o transformador isolado em alta frequência tenha volume
reduzido em comparação ao de baixa frequência, altas correntes e amplas faixas de tensão
levam a um projeto volumoso e a perdas adicionais.
Como primeira solução proposta para o isolamento, é apresentado um conversor
ressonante com isolamento capacitivo (Figura 1.20). Como vantagem, pode-se citar que os
capacitores ressonantes são compactos, têm isolamento eficaz e eficiência extremamente alta
possível (> 99%). Aspectos de segurança já são tratados em projetos existentes de capacitores
para aplicações de potência e podem ser adaptados para a aplicação proposta. Como
desvantagem, é esperada corrente pulsada de alta frequência no lado da bateria sem medidas
adicionais.
Figura 1.20 – Estruturas básicas do conversor série ressonante meia ponte e ponte completa
C1 S1 D1 D3 S1 S3 D1 D3
L1 C3 L1 C1
C5 C3
L2 C4 L2 C2
C2 S2 D2 D4 S2 S4 D2 D4
a) b)
A principal diferença entre os dois circuitos mostrados na Figura 1.20 acima está
no ganho de tensão. O ganho de tensão para o circuito ressonante meia ponte (Figura 1.20 a))
20
Vo 1 V
é dado por = , enquanto para o circuito ponte completa (Figura 1.20 b)), por o = 1 .
Vi 2 Vi
Estes conversores foram apresentados apenas com o objetivo de mostrar uma
possível solução eficiente para a isolação do sistema, porém o projeto destes não está
enquadrado neste trabalho, bem como uma análise profunda sobre a aplicabilidade e a
capacidade de isolação em circuitos voltados para o carregamento de baterias.
1.6.1 Faixas de operação dos retificadores
A Tabela 1.1 mostra os valores de tensão de operação dos retificadores

apresentados para diferentes configurações do barramento e quantidade de fases de
alimentação. Vale ressaltar que quanto maior for a diferença entre as tensões processadas
entre a entrada CA e o barramento CC e entre este último e a saída, mais energia deve ser
armazenada nos elementos passivos e, consequentemente, maiores são as perdas no circuito.
Tabela 1.1 – Faixa de tensão no barramento CC para possíveis configurações dos capacitores e das fases.
Número Tipo do barramento CC Tensão de saída Nível de tensão
de fases (VLL = 400 / VN = 230)
Retificador híbrido de injeção de 3° harmônica de corrente
3 Simples 𝑉𝑑𝑐 > 𝑉𝐿𝐿 ∙ √2 𝑉𝑑𝑐 > 566
3 Duplo (neutro não conectado) 𝑉𝑑𝑐 > 𝑉𝐿𝐿 ∙ √3 ∙ √2 𝑉𝑑𝑐 > 980
2 Simples (interruptores de injeção bloqueados) 𝑉𝑑𝑐 > 𝑉𝐿𝐿 ∙ √2 𝑉𝑑𝑐 > 566
1 Simples (interruptores de injeção bloqueados) 𝑉𝑑𝑐 > 𝑉𝑁 ∙ √2 𝑉𝑑𝑐 > 325
Retificador em ponte completa totalmente controlado
3 Duplo (neutro conectado) 𝑉𝑑𝑐 > 2 ∙ 𝑉𝑁 ∙ √2 𝑉𝑑𝑐 > 650
1 Simples (2 braços) 𝑉𝑑𝑐 > 𝑉𝑁 ∙ √2 𝑉𝑑𝑐 > 325
1 Duplo (neutro conectado) (1 braço) 𝑉𝑑𝑐 > 2 ∙ 𝑉𝑁 ∙ √2 𝑉𝑑𝑐 > 650
Retificadores Vienna convencional e com três interruptores
1 Duplo (neutro não conectado) 𝑉𝑑𝑐 > 𝑉𝑁 ∙ √2 𝑉𝑑𝑐 > 325
(2 braços com o mesmo sinal)
1 Duplo (neutro conectado) (1 braço) 𝑉𝑑𝑐 > 2 ∙ 𝑉𝑁 ∙ √2 𝑉𝑑𝑐 > 650
Retificador Swiss
3 Simples √3 𝑉𝑑𝑐 < 490
𝑉𝑑𝑐 < ∙ 𝑉𝐿𝐿 ∙ √2
2
Retificador tipo Buck com seis interruptores
3 Simples √3 𝑉𝑑𝑐 < 490
𝑉𝑑𝑐 < ∙ 𝑉𝐿𝐿 ∙ √2
2
21
1.7 Fatores de Benchmark
1.7.1 Introdução
Em geral, é possível obter a mesma relação de conversão com diferentes tipos de

circuitos. Assim, é necessário o uso de alguns parâmetros para comparar as vantagens e
desvantagens de cada topologia. Alguns dos parâmetros mais adotados são: eficiência, custo,
volume, complexidade, entre outros. Por exemplo, o cálculo das perdas de um conversor
depende de diversos fatores, inclusive da escolha dos semicondutores que comporão o circuito
de potência. Outro fator altamente relevante é o volume ocupado pelos elementos magnéticos
do circuito, intimamente relacionado com os núcleos adotados no projeto. Apesar de os
capacitores terem forte influência nas perdas totais e no volume do circuito, por razões de
complexidade de análise, não serão abordados parâmetros comparativos para estes elementos.
Para uma avaliação sofisticada, é útil mapear alguns destes parâmetros utilizando fatores
quantitativos (MOHR; FUCHS, 2005). Uma maneira mais simples e direta, utilizando fatores
de referência adimensionais, é introduzida por Zacharias (2008), aplicada em detalhes por
Sahan et al. (2011) e sucintamente nesta seção, adotando a mesma simbologia. Alguns fatores
extras são sugeridos a seguir para uma melhor precisão nos resultados.
1.7.2 Fatores de perdas nos semicondutores
As perdas por condução são descritas em função da corrente média I F e do

~
quadrado da corrente eficaz I F no semicondutor. Já a corrente eficaz de entrada é
representada por I i . Os fatores adimensionais para os valores médio e eficaz dos esforços de
corrente em torno do referido dispositivo são mostrados, respectivamente, nas equações
seguintes:
IF
ξi = (1-31)
Ii
~
~ I
ξi = F (1-32)
Ii
Para estimativas aproximadas, os valores da energia total de comutação ES , dado
na folha de dados como uma função da corrente I S para um determinado nível de tensão,
podem ser utilizados considerando a frequência de comutação f S . Assumindo uma
aproximação linear, o produto da corrente de comutação I S e da tensão de comutação VS
pode ser normalizado com relação à potência de entrada Pi como mostrado na equação
22
(1-33). O fator k S corresponde às características específicas da energia de comutação do

dispositivo ao longo de uma determinada frequência de comutação aplicada.
PS f ⋅ E (I ) 1 V I
= S S S = kS ⋅ ⋅ S ⋅ S
Pi 3 ⋅ Vi ⋅ I i 3 Vi I i (1-33)
A partir de (1-33), pode-se calcular os fatores adimensionais para corrente e

tensão de comutação, respectivamente, dados nas seguintes equações.
I
ξî = S (1-34)
Ii
VS
εi = (1-35)
Vi
Onde VS e I S são os valores médios do contorno das curvas (shape) de tensão e

de corrente de comutação.
Neste trabalho, as perdas por comutação em diodos serão negligenciadas, o que é
válido considerando o uso de diodos SiC.
A classe de tensão do semicondutor é um parâmetro muito importante que
influencia os valores esperados nas perdas por condução e comutação, em especial para
interruptores. Como explicado em detalhes por Sahan et al. (2011, p. 2304-2318), os esforços
de tensão também afetam indiretamente nas perdas. A máxima tensão de bloqueio aplicada ao
dispositivo semicondutor também pode ser definida como um parâmetro adimensional
relacionado com a tensão de entrada.
VˆS
εî = (1-36)
Vi
A soma de cada um desses fatores de corrente, associados adequadamente com os
fatores de tensão para os n dispositivos em um dado circuito, resulta em fatores adimensionais
que podem ser utilizados como uma referência neutra das diferentes topologias.
Ξi = ∑ ξ i
n
(1-37)
~ ~
Ξ*i = ∑ ξ i 2 ⋅ εîβ
(1-38)
n
Π *Si = ∑ ξî ⋅ ε i ⋅ εîα

(1-39)
n
Onde α e β são coeficientes que representam a influência da tensão de bloqueio

e dependem da tecnologia do semicondutor. Estes e outros coeficientes serão abordados mais
adiante.
23
1.7.3 Fator de densidade de potência dos indutores
Com relação à avaliação dos elementos passivos, a análise aqui será limitada aos
indutores, uma vez que eles são tipicamente os componentes mais volumosos. O produto da
~
indutância L , do valor de pico IˆL e do valor eficaz I L da corrente no indutor pode prover um
indicador para o tamanho e volume do elemento magnético (MOHAN; UNDELAND;
ROBBINS, 2003). Apesar de o volume não ser exatamente proporcional ao produto das áreas
(WAFFLER; PREINDL; KOLAR, 2009), isto pode servir bem como uma figura de mérito. O
fator que expressa a densidade de potência de um indutor pode ser definido como a seguir:
Pi
ρL = ~
L ⋅ Iˆ ⋅ I
L L
(1-40)
1.7.4 Definição e quantificação dos coeficientes
Baseado em comparações realizadas entre os cálculos de perdas em

semicondutores e os fatores de referência apresentados por Sahan et al. (2011), foram
percebidas algumas divergências entre os resultados obtidos nos dois métodos. Entre outras
causas estão:
a) A influência da tensão de bloqueio na resistência intrínseca do semicondutor

não é a mesma para diodos e interruptores. Consequentemente, as perdas por
condução geradas por esta resistência não apresentam o mesmo
comportamento. Assim, o coeficiente β deve ser adequado, passando a ser
representado como β D e β S para diodos e interruptores, respectivamente.
b) Mesmo que timidamente, as chamadas tensão direta VF do diodo e tensão
coletor-emissor VCE em um IGBT divergem entre si. Logo, não é possível

comparar de forma direta as perdas causadas pelo produto da corrente média
por estas tensões nesses dois elementos. Para uma maior precisão do
resultado, o coeficiente k Davg foi criado e o novo fator que define estas perdas
é dado por:
Ξi = ∑ ξ Si + k Davg ⋅ ∑ ξ Di
n n
(1-41)
24
c) Da mesma forma, as perdas por condução geradas pela resistência intrínseca

dos diodos e interruptores não podem ser comparadas de forma direta. Dois
motivos para isto são que tanto a resistência como a influência da tensão de
bloqueio sobre estas divergem para os dois elementos semicondutores. Outro
coeficiente foi criado, k Drms , e o novo fator que define estas perdas é:
~ ~ ~
Ξ*i = ∑ ξ Si2 ⋅ εîβ S + k Drms ⋅ ∑ ξ Di2 ⋅ εîβ D
(1-42)
n n
d) As perdas por condução para MOSFETs são definidas simplesmente por:
Pcond = Ron ⋅ I rms

2
(1-43)
Enquanto para IGBTs e diodos, genericamente, por:
Pcond = VF 0 ⋅ I avg + RF ⋅ I rms

2
(1-44)
~*
O fator Ξi representa as perdas geradas pela corrente média, enquanto o fator Ξ i
,
as perdas pelo quadrado da corrente eficaz. Porém, essas duas grandezas
adimensionais resultam entre si em escalas diferentes da realidade e, por fim,
acabam não contendo informações tão úteis para a comparação dos circuitos. Com
o objetivo de unir esses dois fatores e ter uma informação mais completa das
perdas totais por condução, outro coeficiente foi definido e nomeado kavg . Dessa
forma, o novo valor que quantifica as perdas totais por condução é expresso por:
~
Ξ*i + k avg ⋅ Ξi (1-45)
e) Finalmente, para estabelecer um valor total de perdas no circuito, é necessária

a soma das perdas totais por condução e das perdas por comutação. Com o
objetivo de tornar os fatores responsáveis por estas perdas com a mesma
proporção da realidade, um último coeficiente é proposto, k sw , e a perda total
do sistema é representada adimensionalmente por:
~
Ξ*i + k avg ⋅ Ξi + k sw ⋅ Π *Si (1-46)
Como dito anteriormente, baseado em comparações realizadas entre os cálculos

das perdas nos semicondutores e dos fatores de referência, os valores apropriados encontrados
para os coeficientes são mostrado na Tabela 1.2. Vale ressaltar que os fatores encontrados
levam em consideração o uso de IGBTs e diodos com o mesmo valor de corrente.
25
Tabela 1.2 – Descrição e quantificação dos coeficientes

Coeficiente Valor Função
α 1,20 Ajuste da influência da tensão de bloqueio sobre as perdas por comutação
βD 0,42 Ajuste da influência da tensão de bloqueio sobre a resistência do diodo
βS 0,13 Ajuste da influência da tensão de bloqueio sobre a resistência do interruptor
k Davg 0,86 Ajuste para perdas devido a corrente media no diodo com relação ao interruptor
k Drms 0,42 Ajuste para perdas devido à corrente eficaz no diodo com relação ao interruptor
kavg 0,60 Ajuste para perdas devido à corrente media com relação à corrente eficaz
k sw 0,41 Ajuste para perdas por comutação com relação às perdas por condução
1.7.5 Avaliação comparativa utilizando os fatores de benchmark
1.7.5.1 Fatores de perdas por condução
De acordo com as equações (1-41), (1-42) e (1-45), os gráficos contendo os

fatores de perdas por condução em função da tensão de saída são mostrados a seguir.
Figura 1.21 – Fatores de perdas por condução

10 10
B6 + Buck B6 + Buck
Fator de perdas devido a corrente media
Fator de perdas devido a corrente media
Vienna + Buck B6 com Bypass

8 3-S Vienna + Buck 8 Vienna + Buck
3° Harmônica + Buck Vienna com Bypass
Swiss
6 6-S Buck 6
4 4
2 2
200 300 400 500 600 700 200 300 400 500 600 700
Tensão de saída (V) Tensão de saída (V)
a) b)
30 30
B6 + Buck B6 + Buck
Fator de perdas devido a corrente eficaz
Fator de perdas devido a corrente eficaz

Swiss
18 6-S Buck 18
12 12
6 6
200 300 400 500 600 700 200 300 400 500 600 700
c) d)
26
40 40
B6 + Buck B6 + Buck
Fator de perdas por conducao totais

Fator de perdas por conducao totais

Swiss
24 6-S Buck 24
16 16
8 8
200 300 400 500 600 700 200 300 400 500 600 700
e) f)
a) e b) Fator de perdas por condução devido à corrente média ( k avg ⋅ Ξi ) ; c) e d) Fator de perdas por
~ ~
condução devido à corrente eficaz (Ξ*i ) ; e) e f) Fator de perdas por condução totais (Ξ*i + k avg ⋅ Ξi ) .
1.7.5.2 Fator de perda por comutação
Os valores médios dos contornos das curvas de tensão e corrente de comutação

são mostrados na Tabela 1.3. Os gráficos dos fatores de perdas por comutação são
apresentados na Figura 1.22.
Tabela 1.3 – Tensão e corrente de comutação nos interruptores dos circuitos*

Tensão de comutação* Corrente de comutação*
3 3 ⋅ I Lipk
Retificador híbrido de injeção de
VS = Vdc IS =
3° harmônica de corrente
2π
Vdc I Lipk
Retificador Vienna VS = IS =
2 π
Retificador Vienna com três V 2 ⋅ I Lipk
VS = dc IS =
interruptores 2 π
I
Retificador em ponte completa
VS = Vdc I S = Lipk
totalmente controlado π
Vdc
VSbip = Po
Conversor Buck
2 IS =
(bipolar e unipolar) Vdc ⋅ M buck
VSuni = Vdc
3 6 Po
Retificador Swiss VS = Vi ⋅ IS =
2π Vo
6 P
Retificador tipo Buck de seis
VS = Vi ⋅ IS = o
interruptores
2π Vo
V I ⋅ (1 − cos(a ) )
Retificador Vienna com função VS = o I S = Lipk
bypass 2 π
(interruptores bidirecionais e de (V − V )
VSbyp = dc o
I ⋅ cos(a )
bypass) I Sbyp = Lipk
2 π
27
Vo I Lipk ⋅ (1 − cos(a ) )
Retificador em ponte completa VS = 2 IS =
π
com função bypass
(interruptores internos e de bypass) (V − V )
= dc o
I ⋅ cos(a )
VSbyp I Sbyp = Lipk
2 π
Vipk ⋅ 3 ⋅ (sin(2a ) − 2a + π ) − Vo ⋅ 6 ⋅ cos(a )
Conversor Buck associado à Vdc IS = I Lipk ⋅
função bypass
VS = 2π ⋅ Vdc ⋅ M buck ⋅ (1 − M buck )
2
*Valor médio do contorno da curva
Figura 1.22 – Fator de perdas por comutação ( k sw ⋅ Π *Si )
15 15
B6 + Buck B6 + Buck
Fator de perdas por comutacao

Vienna + Buck
Fator de perdas por comutacao
12 3-S Vienna + Buck 12

Swiss
9 6-S Buck 9
6 6
3 3
200 300 400 500 600 700 200 300 400 500 600 700
a) b)
1.7.5.3 Perdas totais dos circuitos
Os fatores de perdas totais, definidos em (1-46), são apresentados abaixo. Nota-se

o melhor desempenho das topologias com bypass com relação às originais. O retificador
Vienna com função bypass exibiu os melhores resultados de perdas totais.
~
Figura 1.23 – Fator de perdas totais (Ξ*i + k avg ⋅ Ξi + k sw ⋅ Π *Si )
50 50
B6 + Buck B6 + Buck
Fator de perdas totais
Fator de perdas totais
Swiss
30 6-S Buck 30
20 20
10 10
200 300 400 500 600 700 200 300 400 500 600 700
a) b)
28
1.7.5.4 Fator de densidade de potência dos indutores
Os fatores de densidade de potência dos indutores, definidos em (1-40), são

apresentados na Figura 1.24. Novamente, o retificador Vienna com função bypass apresentou
o melhor resultado dentre as topologias do tipo Boost.
Figura 1.24 – Fator de densidade de potência dos indutores (ρ L )

5 5
Fator de densidade de potencia dos indutores

B6 + Buck B6 + Buck
Swiss
6-S Buck
3 3
2 2
1 1
200 300 400 500 600 700 200 300 400 500 600 700
a) b)
1.7.6 Normalização dos fatores
A partir dos resultados obtidos com os fatores de perdas totais dos circuitos e com
os fatores de densidade de potência dos indutores, já se pode ter uma ideia do desempenho das
diferentes topologias analisadas. Porém, para uma melhor compreensão dos resultados, faz-se
necessária a normalização dos fatores para a obtenção de dois novos conceitos: fator de área
de chip necessária e um novo fator de densidade de potência dos indutores operando em uma
nova frequência de comutação. A utilidade desses novos fatores está no peso que cada um
desses conceitos (custo x volume) tem para a tomada da decisão sobre a topologia a ser
utilizada, uma vez que os principais custos de um módulo estão relacionados com a área de
chip. A tecnologia de empacotamento e as ligações contabilizam apenas 20% do custo total de
um módulo (SCHWEIZER et al., 2010). Esta análise será feita somente para os retificadores
ponte completa e Vienna com e sem função bypass, pois apresentaram os resultados mais
satisfatórios, cumprindo os requisitos do projeto.
1.7.6.1 Fator de área de chip necessária
Uma análise profunda sobre a área de chip necessária para topologias de 2 e 3

níveis foi feita por Schweizer et al. (2010). A ideia principal é adaptar as dimensões do chip
29
para cada topologia de modo que a temperatura da junção de cada elemento atinja um valor
médio de Tj = 125 °C. A área de chip para elementos com perdas reduzidas será diminuída,
enquanto que para elementos com elevadas perdas, será aumentada. A avaliação comparativa
revela que a área de semicondutor pode ser consideravelmente reduzida para topologias
multiníveis, visto que as perdas são divididas por mais componentes. Surpreendentemente, a
área total de chip requerida é menor em topologias de 3 níveis para frequências de comutação
acima de 10 kHz, sendo reduzida à metade para um frequência de 32 kHz. Portanto, a redução
da área de semicondutor pode diminuir bastante os custos de um módulo multinível.
Com o objetivo de fazer uma comparação inicial e adimensional da área de chip
necessária, a frequência de comutação de cada topologia será multiplicada por um fator de
normalização k NF que torne todos os fatores de perdas por comutação iguais, ou seja, com o
mesmo valor. Como o retificador em ponte apresentou o maior resultado do fator de perdas
por comutação, os circuitos remanescentes serão normalizados a partir dele.
Π *Si ( circuito )
k NF ( circuito ) = (1-47)
Π *Si ( B 6 )
Figura 1.25 – Fator de normalização da frequência de comutação

10
Fator de normalizacao da frequencia de comutacao
B6 + Buck
B6 com Bypass
Vienna + Buck
8 Vienna com Bypass
200 300 400 500 600 700
Tensão de saída (V)
Agora com os circuitos apresentando o mesmo fator de perda por comutação, a

~
área de chip necessária depende somente do fator de perdas por condução totais Ξ*i + k avg ⋅ Ξi .
30
Figura 1.26 – Fator de área de chip necessária

30
B6 + Buck
B6 com Bypass
Fator de area de chip necessaria

24 Vienna + Buck
Vienna com Bypass
18
12
200 300 400 500 600 700
1.7.6.2 Novo fator de densidade de potência dos indutores
O valor do produto de áreas necessário para a construção de um indutor é dado

por:
L ⋅ I pico ⋅ I eficaz
Ae ⋅ Aw = ⋅10 4 (1-48)
Bmax ⋅ J max ⋅ k w
Sabendo que o valor da indutância é inversamente proporcional à frequência de
comutação, pode-se afirmar que o produto de áreas também segue o mesmo comportamento.
Ae ⋅ Aw ≈ L ≈ f −1 (1-49)
Observando a equação (1-49), percebe-se que o produto de áreas no projeto do

indutor corresponde à grandeza dimensional do comprimento elevada a quarta potência.
Sendo o volume relacionado com a terceira potência do comprimento (1-51), obtém-se a nova
relação do fator de densidade de potência definida por (1-52).
a 4 ≈ f −1 (1-50)
−3
V =a ≈ f3 4 (1-51)
−3
ρL ≈ f 4 (1-52)
Assim, o novo fator de densidade de potência dos indutores para a nova

frequência de comutação é dado por (1-53) e mostrado na Figura 1.27.
−3
. ρ Lnovo = ρ L ⋅ k NF 4 (1-53)
31
Figura 1.27 – Novo fator de densidade de potência dos indutores

15

B6 + Buck
B6 comt Bypass
Vienna + Buck
Vienna com Bypass
10
200 300 400 500 600 700
Em suma, os resultados finais obtidos para a tensão de saída de 460 V são

apresentados na Tabela 1.4. O número de interruptores e diodos de alta frequência (inclusive
aqueles em antiparalelo com os interruptores) e a quantidade de diferentes potenciais para os
drivers também são mostrados.
Tabela 1.4 – Sumário dos resultados obtidos
1.8 Conclusão
As principais topologias de retificadores trifásicos ativos existentes na literatura

com características elevadoras e abaixadoras, além de duas topologias utilizando a função
bypass, foram apresentadas e avaliadas comparativamente por meio de fatores de benchmark
adimensionais. Como se pode notar nos resultados obtidos, o retificador Vienna com bypass
mostrou o melhor desempenho entre os circuitos estudados e, por esse motivo, foi a topologia
escolhida para a construção do carregador de baterias proposto neste trabalho. Percebe-se
também a superioridade do retificador em ponte completa com bypass sobre sua versão
convencional. A desvantagem da inclusão da função bypass é a grande quantidade de
semicondutores, o que não implica em maiores perdas. Os ganhos com o incremento do
número de níveis de tensão e com a diminuição das perdas totais justificam o uso deste
conceito. Além da diminuição do volume dos magnéticos e da ondulação de corrente,
32
aumentando a densidade de potência e diminuindo tanto as perdas no cobre como no núcleo

do indutor.
33
2 ANÁLISE QUALITATIVA E QUANTITATIVA DO RETIFICADOR VIENNA

COM FUNÇÃO BYPASS
2.1 Introdução
A análise qualitativa e quantitativa dos conversores que compõem o sistema é

realizada com o objetivo de mostrar o princípio de operação e determinar as equações dos
esforços elétricos nos componentes dos circuitos. Primeiramente, é estudado detalhadamente
o retificador Vienna com função bypass, e em seguida, o conversor Buck bipolar associado ao
retificador.
2.2 Retificador Vienna com função bypass
A topologia do retificador com função bypass é apresentada na Figura 2.1. Os dois

barramentos idealizados acima são o barramento CC, composto pelos capacitores C1 e C2, e a
saída, composta pelos capacitores C3 e C4. Os componentes do retificador são listados abaixo.
Figura 2.1 – Retificador Vienna com função bypass
L4
D1 D3 D5 S13
Função S7 S9 S11
Bypass C1 D19
D7 D9 D11 S1...S6
L1 C3
L2
L3
D13...D18 C4
D8 D10 D12
C2 D20
S8 S10 S12
D2 D4 D6 S14
L5
L1-3: Indutores CA de entrada;

S1-6: Interruptores bidirecionais de alta frequência;
D13-18: Diodos de roda livre de alta frequência;
D1-6: Diodos retificadores de alta frequência;
S7-12: Interruptores bypass de alta frequência;
D7-12: Diodos bypass de alta frequência;
C1-2: Capacitores do barramento CC;
C3-4: Capacitores de saída;
34
2.3 Princípio de operação
O princípio de operação se baseia nos níveis instantâneos de tensão de entrada e

de saída. Dependendo do ponto de operação da tensão senoidal de entrada, o retificador
escolherá entre o barramento CC e a saída, de forma que o retificador seja capaz de entregar
diretamente a maior quantidade possível de energia, evitando parte do armazenamento desta
pelos indutores e, assim, maximizando a eficiência do sistema. A Figura 2.2 ilustra de forma
simples o trajeto da conversão de energia na abordagem padrão, onde o retificador eleva a
tensão de entrada ao nível do barramento CC para depois ser reduzida pelo conversor
abaixador ao valor da saída, e abordando o conceito de bypass, no qual parte da energia é
entregue diretamente à saída pelo retificador e o restante é processado como na abordagem
padrão, ou seja, em dois estágios de conversão.
Figura 2.2 – Princípio de conversão de tensão

Abordagem padrão Conceito Bypass
PFC
Vdc Vdc
Vi(t) Buck Vi(t)
Vo Vo
PFC + PFC +
Buck PFC Buck PFC
2.3.1 Modo I (Vi < Vo)
No modo de operação I, o nível da tensão instantânea de fase de entrada é inferior

ao nível da tensão de saída da bateria. Neste modo, toda a energia cedida pela fase de entrada
é entregue à saída através do caminho de bypass.
Para um período de comutação, o conversor apresenta duas etapas de operação. O
funcionamento é similar ao do conversor Boost clássico, com uma etapa de acumulação de
energia no indutor através da comutação em alta frequência de S1 e D14 (Figura 2.3) e outra de
transferência de energia para a saída através de S7 e D7 (Figura 2.4). O interruptor bypass S1
permanece sempre ativado neste modo.
35
Figura 2.3 – Etapa positiva de acumulação (modo I) Figura 2.4 – Etapa positiva de transferência (modo I)
Vdc+ Vdc+
D1 Vo+ D1 Vo+
S7 S7
C1 C3 C1 C3
D7 S1 D7 S1
L1 L1
D14 D14
Van Van
Fonte: Elaborada pelo autor. Fonte: Elaborada pelo autor.

S1 = S7 = 1 S1 = 1, S7 = 0
2.3.2 Modo II (Vi > Vo)
Já no modo de operação II, a tensão de entrada é maior que a tensão de saída.

Dessa forma, é necessária a utilização de um conversor abaixador em série para adequar os
níveis de tensão desejados. Neste modo, a energia fornecida pela entrada é entregue tanto à
saída quanto ao barramento CC. Para um período de comutação, o conversor apresenta duas
etapas de operação. O funcionamento é similar ao modo anterior, porém o acúmulo de energia
pelo indutor ocorre através do interruptor S1 comutando em alta frequência, tendo a saída
como referência e receptora de energia (Figura 2.5) e a transferência de energia para o
barramento CC é realizada através de D1 (Figura 2.6). O interruptor bidirecional representado
por S7 e D14 permanece bloqueado neste modo.
Figura 2.5 – Etapa positiva de acumulação (modo II) Figura 2.6 – Etapa positiva de transferência (modo II)
Vdc+ Vdc+
D1 Vo+ D1 Vo+
S7 S7
C1 C3 C1 C3
D7 S1 D7 S1
L1 L1
D14 D14
Van Van
Fonte: Elaborada pelo autor. Fonte: Elaborada pelo autor.

S1 = 1, S7 = 0 S1 = S7 = 0
2.3.3 Modulação
A modulação PD (Phase Disposition) em um sistema com N níveis, como

mostrado na Figura 2.7 a), consiste de N–1 portadoras dispostas verticalmente em fase
(COUGO et al., 2012). Bascopé e Barbi (1999) comutam os interruptores de um retificador
monofásico Buck+Boost com PFC através deste tipo de modulação. No sistema em estudo, as
36
portadoras mais externas são responsáveis pela modulação dos interruptores bypass, enquanto
as mais internas, pelos interruptores bidirecionais. No caso do uso de valores absolutos para o
cálculo das variáveis de controle, pode-se optar pelo uso de apenas duas portadoras, sendo
que os interruptores responsáveis pelos ciclos positivos e negativos serão comutados com
mesmo sinal de gatilho. Foi adotada no projeto esta configuração com apenas duas portadoras.
A Figura 2.7 b) mostra o esquema utilizado. Vale ressaltar que a referência de corrente de
entrada permanece senoidal sem conteúdo harmônico e que a forma de onda da tensão de
controle mostrada na Figura 2.7 a) ocorre naturalmente devido à comutação entre os modos de
operação do sistema.
Figura 2.7 – Estratégia de modulação PD
a)
VgS7
VgS8
−
+
Iref
+
−
|x| PID
Ia + VgS1-2
|x|
−
b)
a) Exemplo de modulação PD com 4 portadoras e b) esquema da configuração com 2 portadoras adotado no
projeto.
2.3.4 Análise da razão cíclica
A análise para determinação da razão cíclica é baseada na conservação de energia,

ou seja, considerando o sistema ideal, a energia cedida pela fonte de alimentação é a mesma
entregue às saídas.
Quando o retificador opera no modo I, toda a energia cedida pela entrada é
entregue à saída, logo:
37
Wi = Wo (2-1)
Dessa forma:
Vo
Vi (t ) ⋅ I i (t ) ⋅ TS = ⋅ I i (t ) ⋅ (1 − DI (ωt )) ⋅ TS (2-2)
2
Reagrupando (1-31), encontra-se (2-3).
Vi (t ) 2 ⋅ Vipk ⋅ sin(ωt )
DI (ωt ) = 1 − =1−
Vo Vo (2-3)
2
Já no modo II, a energia cedida pela entrada é dividida entre a saída e o
barramento CC em quantidades que dependem do ponto de operação da função bypass, que
varia de acordo com a tensão da bateria, portanto:
Wi = Wo + Wdc (2-4)
Assim:
Vo V
Vi (t ) ⋅ I i (t ) ⋅ TS = ⋅ I i (t ) ⋅ DII (ωt ) ⋅ TS + dc ⋅ I i (t ) ⋅ (1 − DII (ωt )) ⋅ TS (2-5)
2 2
Reagrupando (2-5), encontra-se (2-6).
Vdc
Vi (t ) −
DII (ωt ) = 2 = 1 − 2 ⋅ Vipk ⋅ sin(ωt ) − Vo
(2-6)
Vo Vdc
− Vdc − Vo
2 2
A Figura 2.8 mostra o comportamento das razões cíclicas nos interruptores do
bypass (S1-S6) e nos interruptores bidirecionais (S7 – S12). Quanto maior o nível de tensão na
saída, maior é a quantidade de energia que flui diretamente através do bypass à bateria.
 V 
arcsin o  se Vo ≤ Vipk
 2 ⋅V  2
a=  ipk  (2-7)
π
se não
2
0 se a < t < π − a
DI (ωt ) = 2 ⋅ Vipk
1− ⋅ sin(ωt ) se não (2-8)
Vo
2 ⋅ Vipk ⋅ sin(ωt ) − Vo
1− se a < t < π − a
DII (ωt ) = Vdc − Vo (2-9)
1 se não
38
Figura 2.8 – Razões cíclicas dos interruptores do retificador
1 1
Ciclo de trabalho
Ciclo de trabalho
0.5 0.5
Ângulo [rad] Ângulo [rad]

a) b)
a) DI(ωt) nos interruptores bidirecionais (S7 – S12) e b) DII(ωt) nos interruptores do bypass (S1-S6).
2.3.5 Principais formas de onda
As principais formas de onda de tensão e corrente nos diferentes elementos do

retificador bypass são apresentadas na Figura 2.9.
Figura 2.9 – Principais formas de onda do retificador Vienna com função bypass
2.3.6 Determinação dos esforços nos componentes
Assumindo fator de potência unitário, tensões e correntes de entrada puramente

senoidais, são calculados os esforços de corrente e tensão nos componentes.
Os valores de pico de tensão e corrente de entrada são dados por:
Vipk = Vi ⋅ 2 (2-10)
Pi ⋅ 2
I Lipk = (2-11)
3 ⋅ Vi
39
A transição do modo I para o modo II de operação depende do nível de tensão na

saída e ocorre no seguinte ângulo da tensão de entrada sinusoidal:
 V 
arcsin o  se Vo ≤ Vipk
 2 ⋅V  2
a=  ipk  (2-12)
π
se não
2
Os ciclos de trabalho são dados por (2-14) e (2-15) para os modos de operação I e
II, respectivamente:
2 ⋅ Vipk
MI = (2-13)
Vo
DI (ωt ) = 1 − M I ⋅ sin(ωt ) (2-14)
2 ⋅ Vipk ⋅ sin(ωt ) − Vo
DII (ωt ) = 1 −
Vdc − Vo (2-15)
2.3.6.1 Esforços nos interruptores S1-6 e diodos D13-18
Os esforços de tensão e corrente são calculados somente para o interruptor S1,

uma vez que os demais semicondutores S2-6 e D13-18 apresentam as mesmas características
elétricas.
A máxima tensão sobre o interruptor S1 é dada pela metade da tensão máxima de
saída, definida por (2-16).
Vo max
VS 1 max = (2-16)
2
Aplicando-se a definição de valor médio sobre a corrente instantânea do
interruptor S1:
a
2
2π ∫0
I S 1avg = ⋅ I Lipk ⋅ sin(ωt ) ⋅ DI (ωt ) ⋅ dωt (2-17)
Substituindo a equação (2-14) em (2-18), o valor médio é igual a:

 a
2

I Lipk ⋅ 8 ⋅ sin   + M I ⋅ (sin (2a ) − 2a )
 2  (2-18)
I S 1avg =
4π
Por definição de valor eficaz sobre a corrente instantânea em S1, tem-se:
⋅ ∫ (I Lipk ⋅ sin(ωt ) ) ⋅ DI (ωt ) ⋅ dωt

a
2
I S 1rms =
2
(2-19)
2π 0
Substituindo (2-14) em (2-19), obtém-se:

40
3 ⋅ I Lipk ⋅ 6a − 3 ⋅ sin (2a ) + M I ⋅ (9 ⋅ cos(a ) − cos(3a ) − 8)

I S 1rms = (2-20)
6 π
2.3.6.2 Esforços nos diodos D1-6
A máxima tensão reversa sobre os diodos D1-6 é dada pela tensão do barramento
CC, definida por (2-21).
VD1 max = Vdc (2-21)
Aplicando-se a definição de valor médio, a corrente em D1 é expressa por:

π
2 2
⋅ I Lipk ⋅ sin(ωt ) ⋅ (1 − DI (ωt ) ) ⋅ dωt
2π ∫a
I D1avg = (2-22)
Substituindo a Equação (2-14) em (2-22), o valor médio em D1 é igual a:
I D1avg =
[
I Lipk ⋅ Vipk ⋅ (π − 2a + sin (2a )) − 2 ⋅ Vo ⋅ cos(a ) ]
2π ⋅ (Vdc − Vo ) (2-23)
A corrente eficaz do diodo D1 é definida por:

π
⋅ ∫ (I Lipk ⋅ sin(ωt ) ) ⋅ (1 − DI (ωt ) ) ⋅ dωt

2 2
I D1rms =
2
(2-24)
2π a
Substituindo (2-14) em (2-24) e resolvendo a equação, acha-se:

2 ⋅ Vipk ⋅ (9 ⋅ cos(a ) − cos(3a )) − 3 ⋅ Vo ⋅ (sin( 2a ) + π − 2a )
I D1rms = I Lipk ⋅
12π ⋅ (Vdc − Vo )
(2-25)
2.3.6.3 Esforços nos interruptores bypass S7-12 e diodos bypass D7-12
A máxima tensão sobre o interruptor S7 é dada pela metade da diferença entre a

tensão do barramento CC e a tensão de saída mínima, definida por (2-26).
Vdc − Vo min
VS 7 max = (2-26)
2
Enquanto que a máxima tensão reversa sobre o diodo D7 é dada pela metade da
soma das tensões do barramento CC e de saída, definida por (2-27).
Vdc + Vo max
VD 7 max = (2-27)
2
Como os interruptores e os diodos bypass estão arranjados em série, a corrente
que flui através destes é a mesma. A corrente média é definida por:
41
π
a 
2  
2
I S 7 avg = ⋅  ∫ I Lipk ⋅ sin(ωt ) ⋅ (1 − DI (ωt ) ) ⋅ dωt + ∫ I Lipk ⋅ sin(ωt ) ⋅ DII (ωt ) ⋅ dωt 
2π 0 (2-28)
 a 
 
Substituindo as equações (2-14) e (2-15) em (2-28), o valor médio é igual a:
Vdc ⋅ [4 ⋅ cos(a ) − M I ⋅ (sin( 2a ) − 2a )] − 2 ⋅ Vipk ⋅ (π − 2a + sin (2a )) 
 + 
4π ⋅ (Vdc − Vo ) 
= I Lipk ⋅  
  + Vo ⋅ [M I (sin( 2a ) − 2a )]
I S 7 avg (2-29)

 4π ⋅ (Vdc − Vo ) 
Por definição de valor eficaz sobre a corrente instantânea em S7, tem-se:

π
a 
⋅  ∫ (I Lipk ⋅ sin(ωt ) ) ⋅ (1 − DI (ωt ) ) ⋅ dωt + ∫ (I Lipk ⋅ sin(ωt ) ) ⋅ DII (ωt ) ⋅ dωt 
2  
2
=
2 2
I S 7 rms (2-30)
2π 0
 a 
 
Assim, obtém-se:
 Vdc ⋅ [3 ⋅ sin( 2a ) + 3π + M I ⋅ (8 + cos(3a ) − 9 ⋅ cos(a ) − 6a )] 

 − 
12π ⋅ (Vdc − Vo )
= I Lipk ⋅ 
V ⋅ M I ⋅ (8 + cos(3a ) − 9 ⋅ cos(a ) ) − 2 ⋅ Vipk ⋅ (cos(3a ) − 9 ⋅ cos(a ) ) 
I S 7 rms (2-31)
 − o 
 12π ⋅ (Vdc − Vo ) 
2.3.6.4 Esforços nos indutores L1-3
A ondulação na corrente do indutor depende do modo de operação, como

mostrada na Figura 2.10, e é definida por (2-32).
 V 
Vipk ⋅ sin(ωt ) − o  ⋅ DII (ωt )
 2
se a < ωt < π − a
∆I Li (ωt ) = f S ⋅ L1 (2-32)
Vipk ⋅ sin(ωt ) ⋅ DI (ωt )
se não
f S ⋅ L1
Figura 2.10 – Ondulação na corrente do indutor CA de entrada
5
Vo = 460
Vo = 590
4 Vo = 720
Ondulacao de corrente [A]
Ângulo [rad]
42
Desconsiderando a ondulação de corrente na entrada, as correntes eficaz e de pico

nos indutores são dadas por:
Pi
I Lirms =
3 ⋅ Vi (2-33)
I Lipk = I Lirms ⋅ 2 (2-34)
2.3.6.5 Esforços nos capacitores C1-2
O princípio de funcionamento do retificador com função bypass requer que toda a

energia entregue ao barramento CC do retificador deva ser processada praticamente de forma
instantânea pelo conversor Buck. Dessa forma, a troca de energia é realizada idealmente em
um ciclo de comutação.
O capacitor pode ser definido genericamente através da variação da tensão que
ocorre devido à corrente que circula por ele em um determinado período de tempo como:
I c ⋅ ∆t
C=
∆VC (2-35)
O pior caso ocorre para tensão mínima de saída e pico da corrente de entrada
 π
 ωt =  e é definido por:
 2
 V 
I Lipk ⋅ 1 − o min 
C1 =  Vdc  (2-36)
∆VC1 ⋅ f S
Sendo Ma, Mb e Mc as razões cíclicas das correntes conduzidas para a saída pelos
interruptores e diodos bypass dadas por:
DII (ωt ) se a ≤ ωt < π − a
M a (ωt ) =
DI (ωt ) se não
 2π  2π
DII  ωt −  se a ≤ ωt − <π −a
M b (ωt ) =  3  3
 2π 
DI  ωt −  se não (2-37)
 3 
 2π  2π
DII  ωt +  se a ≤ ωt + <π −a
M c (ωt ) =  3  3
 2π 
DI  ωt +  se não
 3 
43
E T1, T2 e T3, ângulos de condução que caracterizam a corrente nos capacitores do

barramento CC dados por:
M a (ωt ) se M a (ωt ) < M buck
T1 (ωt ) =
M buck se não
M buck − M a (ωt ) se M a (ωt ) < M buck

T2 (ωt ) = (2-38)
0 se não
1 − M buck se M a (ωt ) < M buck

T3 (ωt ) =
1 − M a (ωt ) se não
A corrente eficaz que circula pelos capacitores do barramento CC é determinada
por:
π
I C1 = 2 ⋅
3 2 2
[
⋅ I Lo (ωt ) ⋅ T1 (ωt ) + (I a (ωt ) − I Lo (ωt )) ⋅ T2 (ωt ) + I a (ωt ) ⋅ T3 (ωt ) ⋅ dt
2π ∫a
2 2
] (2-39)
2.3.6.6 Esforços nos capacitores C3-4
Como a potência entregue a cada lado (positivo e negativo) da saída varia com o
tempo e a corrente na bateria deve ser idealmente constante, a troca de energia no capacitor de
saída ocorre com o triplo da frequência da rede.
Como anteriormente explicado, o capacitor pode ser definido pela variação da
tensão causada pela injeção ou extração de corrente durante um determinado período de
tempo como:
I C _ sto ⋅ ∆t
C= (2-40)
∆VC
Para o capacitor de saída, a corrente média que é injetada ocorre durante o
π 2π
intervalo ≤ ωt ≤ da senóide fundamental da tensão de fase da entrada e é definida em
3 3
(2-41).
2π
3  Po   Po  
 I a (ωt ) + I Lo (ωt ) −  ⋅ M a (ωt ) +  I Lo (ωt ) −  ⋅ (1 − M a (ωt )) ⋅ dωt
6
I C 3 _ sto =
2π
⋅ ∫ (2-41)
π  Vo   Vo  
3
O pior caso ocorre para tensão mínima de saída e é definido por:

π 1 1
I C 3 _ sto ⋅ ⋅⋅
3 2π f o
C3 = (2-42)
∆VC 3
44
A corrente eficaz que circula pelos capacitores de saída é determinada por:

 a  P  2  P 
2
 P 
2
 
 ∫  − o  ⋅ (1 − M a (ωt )) +  I a (ωt ) − o  ⋅ (M a (ωt ) − M c (ωt )) +  I a (ωt ) + I c (ωt ) − o  ⋅ M c (ωt ) ⋅ dωt + 
π  Vo  
 Vo  
 Vo   
3 6 
IC3 = ⋅ π  (2-43)
π  2
2 2
 
 P   P 
  + ∫  I a (ωt ) + I Lo (ωt ) − o  ⋅ M a (ωt ) +  I Lo (ωt ) − o  ⋅ (1 − M a (ωt )) ⋅ dωt 
  
a o   o  
V V
 
2.4 Conversor Buck associado à função bypass
A topologia do conversor Buck bipolar é apresentada na Figura 2.11 e é composta

pelos seguintes componentes:
Figura 2.11 – Conversor Buck bipolar associado à função bypass
L4
D1 D3 D5 S13
Função S7 S9 S11
Bypass C1 D19
D7 D9 D11 S1...S6
L1 C3
L2
L3
D13...D18 C4
D8 D10 D12
C2 D20
S8 S10 S12
D2 D4 D6 S14
L5
L4-5: Indutores CC de saída

S13-14: Interruptores de alta frequência;
D19-20: Diodos de alta frequência;
C1-2: Capacitores do barramento CC;
C3-4: Capacitores de saída;
2.5 Princípio de operação
2.5.1 Modulação
As duas partes do conversor Buck bipolar funcionam de forma semelhante e

independente entre si, tendo como papel manter a tensão dos capacitores C1 e C2 constantes e,
consequentemente, realizar o balanço da energia entregue ao barramento CC e transferi-la à
saída. Além disso, os comandos dos interruptores S13 e S14 estão defasados de 180°,
trabalhando assim em sobreposição.
45
2.5.2 Análise da razão cíclica
Considerando os níveis das tensões de entrada e de saída constantes, a razão

cíclica permanece constante com o tempo e é dada definida por (2-44).
Vo
Dbuck = M buck = (2-44)
Vdc
Apesar de ter uma razão cíclica constante no tempo, o conversor Buck só opera no
intervalo de tempo em que o retificador bypass trabalha no modo II, onde parte da energia flui
para o barramento CC.
2.5.3 Principais formas de onda
As principais formas de onda de tensão e corrente nos diferentes elementos do

conversor Buck bipolar são apresentadas na Figura 2.12. Pode-se observar que a corrente no
indutor do Buck tem um formato quase senoidal definido por (2-48) e segue a forma da curva
de potência instantânea fornecida ao barramento CC no modo de operação II do retificador
bypass.
Figura 2.12 – Principais formas de onda do conversor Buck bipolar associado à função bypass
2.5.4 Determinação dos esforços nos componentes
A potência instantânea por fase que flui da entrada para o barramento CC é dada
por:
Vo
Pdc (ωt ) = Vipk ⋅ I Lipk ⋅ sin(ωt ) 2 − ⋅ I Lipk ⋅ sin(ωt ) ⋅ DII (ωt ) (2-45)
2
Considerando que as tensões do barramento CC e da saída são constantes e que
toda a potência que flui para o barramento é convertida para a saída, tem-se:
46
Pbuck (ωt ) = Pdc (ωt ) (2-46)
Vo V
⋅ I Lo (ωt ) = Vipk ⋅ I Lipk ⋅ sin(ωt ) 2 − o ⋅ I Lipk ⋅ sin(ωt ) ⋅ DII (ωt ) (2-47)
2 2
Logo, a corrente no indutor de saída do Buck segue a mesma forma da curva da
potência:
Vipk ⋅ I Lipk ⋅ sin(ωt ) 2
I Lo (ωt ) = − I Lipk ⋅ sin(ωt ) ⋅ DII (ωt )
Vo (2-48)
2
2.5.4.1 Esforços nos interruptores S13-14
A máxima tensão sobre o interruptor S13 é dada pela metade da tensão do

barramento CC, definida por (2-49).
Vdc
VS 13 max = (2-49)
2
Por definição, a corrente média é dada por:
π
3 2
2π ∫a
I S 13avg = 2⋅ ⋅ I Lo (ωt ) ⋅ M buck ⋅ dωt (2-50)
Substituindo (2-44) em (2-50), encontra-se:
I S13avg =
[
3 ⋅ I Lipk ⋅ M buck ⋅ 2 ⋅ Vo ⋅ cos(a ) + Vipk ⋅ (2a − sin( 2a ) − π )]
2π ⋅ Vo ⋅ (M buck − 1) (2-51)
O valor eficaz da corrente em S13 é definido em (2-52).

π
3 2
⋅ (I Lo (ωt ) ) ⋅ M buck ⋅ dωt
2π ∫a
I S 13rms = 2 ⋅
2
(2-52)
Assim:
3 M buck Vipk 2  3π sin( 4a )  

 ⋅ 2 ⋅  ⋅  − 3a + 2 ⋅ sin( 2 a ) −  −  
 π Vo ⋅ (M buck − 1)2  2  2 4  
I S13rms = I Lipk ⋅   (2-53)
 − V 2 ⋅  a − sin( 2a ) − π  − V ⋅ V ⋅  3 ⋅ cos(a ) − cos(3a )  
 o   ipk o   
 2 4 4  2  
2.5.4.2 Esforços nos diodos D19-20
A máxima tensão reversa sobre o diodo D19 é dada pela metade da tensão do
barramento CC, definida por (2-54).
47
Vdc
VD19 max = (2-54)
2
Aplicando-se a definição de valor médio, a corrente em D19 é expressa por:
π
3 2
⋅ I Lo (ωt ) ⋅ (1 − M buck ) ⋅ dωt
2π ∫a
I D19 avg = 2 ⋅ (2-55)
Substituindo a equação (2-44) em (2-55), o valor médio em D19 é igual a:
I D19 avg =
[
3 ⋅ I Lipk ⋅ Vipk ⋅ (sin( 2a ) − 2a + π ) − 2 ⋅ Vo ⋅ cos(a ) ]
2π ⋅ Vo (2-56)
A corrente eficaz do diodo D1 é definida por:

π
3 2
= 2⋅ ⋅ ∫ (I Lo (ωt ) ) ⋅ (1 − M buck ) ⋅ dωt
2
I D19 rms (2-57)
2π a
Resolvendo a equação (2-57), acha-se:
 3 1 Vipk 2  3π sin( 4a )  
 ⋅ 2 ⋅ ⋅ − 3a + 2 ⋅ sin( 2a ) −  − 
 π Vo ⋅ (1 − M buck )  2  2 4  
I D19 rms = I Lipk ⋅   (2-58)
  ipk o  
 2  
o
 2 4 4  
2.5.4.3 Esforços nos indutores L4-5
A variação na corrente do indutor é definida por (2-59).

Vo ⋅ (1 − M buck )
∆I Lo =
2 ⋅ L4 ⋅ f S (2-59)
A Figura 2.13 mostra a forma de onda da corrente no indutor Buck para vários
níveis de tensão na saída, como expresso em (2-60).
Figura 2.13 – Forma de onda da corrente em um dos indutores Buck

60
Vo = 460
Vo = 590
Vo = 720
Corrente no indutor Buck [A]
40
20
Ângulo [rad]
48
Vipk ⋅ I Lipk ⋅ sin(ωt ) 2

− I Lipk ⋅ sin(ωt ) ⋅ DII (ωt ) se a < ωt < π − a
I Lo (ωt ) = Vo
(2-60)
2
0 se não
A corrente eficaz no indutor é encontrada aplicando-se a definição de valor eficaz:

π
3 2
I Lorms = 2 ⋅ ⋅ ∫ I Lo (ωt ) 2 dωt (2-61)
2π a
E é dado por (2-62).
3 1 Vipk 2  3π sin( 4a )  
 ⋅ ⋅
2 
⋅ − 3a + 2 ⋅ sin( 2a ) −  − 
 π Vo ⋅ (M buck − 1)  2  2
2
4  
I Lorms = I Lipk ⋅   (2-62)
 o   ipk o   
 2 4 4  2  
O valor da corrente de pico é apresentado e desenvolvido nas equações (2-63) e
(2-64), respectivamente, como:
 π  ∆I
I Lopk = I Lo   + Lo (2-63)
2 2
 2 2 ⋅ Vi − M buck ⋅ Vdc  ∆I Lo
I Lopk = I Lipk ⋅ Vdc⋅ ⋅  +
⋅
 buck dc
M V
2
⋅ (1 − M )
buck 
2 (2-64)
2.6 Conclusão
Neste capítulo foram apresentadas as análises qualitativa e quantitativa do

retificador Vienna com bypass e do conversor Buck bipolar associado a esta função. Os
circuitos tiveram suas topologias, etapas de operação e formas de ondas teóricas apresentadas,
além das equações dos esforços de corrente e de tensão desenvolvidos para cada componente.
É esperado para esta topologia um melhor desempenho com relação à topologia
clássica do retificador Vienna, visto que o retificador é capaz de entregar diretamente à carga,
dependendo do nível de tensão na saída, grande parte ou mesmo a totalidade da energia
advinda da entrada, evitando que boa parte da energia precise ser armazenada pelos indutores,
maximizando a eficiência do sistema.
49
3 METODOLOGIA E EXEMPLO DE PROJETO DO RETIFICADOR VIENNA

COM FUNÇÃO BYPASS
3.1 Introdução
Para realizar a especificação dos componentes do sistema, são calculados os

esforços elétricos em cada elemento de acordo com as equações desenvolvidas no capítulo 2.
Com base nas especificações dos circuitos, todos semicondutores são escolhidos e submetidos
a cálculos de perdas e térmicos. Além disso, os cálculos de projeto físico dos indutores são
apresentados em detalhes e suas perdas no núcleo e no cobre são calculadas e comparadas
com os indutores usados na abordagem clássica do retificador Vienna.
Finalmente, é feita uma comparação das perdas nas duas abordagens do
retificador Vienna: clássica e com função bypass. A partir do resultado obtido, é comprovado
o melhor desempenho do sistema proposto.
3.2 Retificador Vienna com função bypass
3.2.1 Especificações do retificador
As especificações para o projeto do retificador são mostradas na Tabela 3.1.
Tabela 3.1 – Especificações do retificador Vienna com função bypass

Potência de entrada Pi 22 kW
Tensão de entrada Vi 230 V
Tensão do barramento CC Vdc 720 V
Tensão de saída (bateria) Vo 460 – 720 V
Frequência da rede de alimentação fr 50 Hz
Fator de potência de entrada FP ≈1
Variação da corrente no indutor ∆ILimax 15 %
Frequência de comutação fs 20 kHz
3.2.2 Projeto do retificador
Para o projeto do retificador Vienna com função bypass, são determinados os

esforços de tensão e corrente em cada componente do circuito mostrado na Figura 3.1 a partir
das equações desenvolvidas no capítulo 2. As perdas por condução e comutação são
calculadas e, por fim, o cálculo térmico para cada semicondutor é apresentado.
50
L4
D1 D3 D5 S13
Função S7 S9 S11
Bypass C1 D19
D7 D9 D11 S1...S6
L1 C3
L2
L3
D13...D18 C4
D8 D10 D12
C2 D20
S8 S10 S12
D2 D4 D6 S14
L5
3.2.2.1 Dimensionamento dos interruptores S1-6
Seguindo as especificações do retificador e baseado nas equações (2-16), (2-18) e

(2-20), os esforços máximos de tensão e corrente dos interruptores S1-6 e o nível de tensão de
saída correspondente ao pior caso são mostrados na Tabela 3.2.
Tabela 3.2 – Esforços elétricos nos interruptores bidirecionais

Tensão máxima VS1max 360 V Vo = 720 V
Corrente média máxima IS1avg 4,2 A Vo = 720 V
Corrente eficaz máxima IS1rms 10,9 A Vo = 720 V
Corrente de pico IS1pk 45,1 A
Com a determinação dos esforços, é possível realizar a escolha dos interruptores

que farão parte do caminho bidirecional do retificador. A fim de comparar o desempenho para
dois tipos diferentes de tecnologias, foram selecionados um IGBT e um MOSFET SiC. As
especificações dos interruptores são mostradas na Tabela 3.3.
Tabela 3.3 – Especificações dos interruptores bidirecionais

Tipo de interruptor MOSFET SiC IGBT
Corrente média máxima 20 A @100°C 30 A @100°C
Tensão máxima coletor-emissor 1200 V 600 V
Resistência térmica junção-cápsula 0,70 °C/W 0,80 °C/W
Referência CMF20120D (Cree) IKW30N60H3 (Infineon)
51
A partir da folha de dados do MOSFET, foi extraído o valor máximo da

resistência entre dreno e fonte em condução, RDS ( on ) = 130 mΩ @125°C . Uma aproximação
linear da curva VCE × I C @125°C do IGBT resultou na determinação de duas grandezas
elétricas: resistência de estado ligado Ron = 42 mΩ e tensão de coletor-emissor inicial
VCEo = 0,99 V .
Assim, as potências dissipadas na condução dos interruptores são dadas por:
PS 1cond _ MOSFET = RDS ( on ) ⋅ I S 1rms

2
(3-1)
PS 1cond _ IGBT = VCEo ⋅ I S 1avg + Ron ⋅ I S 1rms

2
(3-2)
Para maior exatidão do cálculo das perdas durante a comutação, foram utilizadas
curvas aproximadas das energias de ligamento e desligamento em função da corrente de
coletor/dreno medidas experimentalmente em laboratório por meio de circuitos de teste
desenvolvidos pelo KDEE. O teste é conhecido como medição de duplo pulso e determina a
área de interseção entre as curvas de tensão e corrente de comutação. A vantagem dos
resultados obtidos neste teste com relação às curvas de energia comumente presentes nas
folhas de dados dos interruptores é que os testes são realizados de acordo com os parâmetros e
configurações do circuito a ser estudado. Como por exemplo, são mantidas as configurações
dos drivers de acionamento e a temperatura de junção na qual o interruptor irá operar. Além
disso, podem ser adotados diodos com característica de recuperação reversa nula, o que
aproxima os resultados da realidade. Um exemplo de circuito para esta função é ilustrado em
uma nota de aplicação da Fairchild (UM, 2002).
Figura 3.2 – Curvas de energia cedida durante a comutação

500 500
E, Energia perdida na comutacao [uJ]
E, Energia perdida na comutacao [uJ]
400 400
300 300
200 200
100 100
Eon Eon
Eoff Eoff
0 10 20 30 40 0 10 20 30 40
Id, Corrente no dreno [A] Ic, Corrente no coletor [A]
a) b)
Fonte: KDEE.
a) MOSFET @ VDS _ amostra = 300 V e b) IGBT @ VCE _ amostra = 300 V .
52
A perda por comutação para cada interruptor é determinada de acordo com a

equação (3-3).
[ ]
a
⋅ ∫ Eon (I S 1sw (t )) + Eoff (I S 1sw (t )) dt ⋅
1 VS 1sw
PS 1sw = ⋅ fS
π 0
Vamostra (3-3)
Vo
Onde I S 1sw (t ) = I Lipk ⋅ sin (ωt ) é a corrente se chaveamento, VS 1sw = é a tensão de
2
chaveamento e Vamostra = 300 V é a tensão na qual as curvas de energia de comutação foram
amostradas experimentalmente.
A Figura 3.3 mostra as curvas das perdas por condução, por comutação e totais
para cada interruptor bidirecional. Pode-se observar o melhor desempenho geral do IGBT
com relação ao MOSFET SiC. Vale ressaltar que este comportamento das perdas se deve às
características particulares da topologia.
Figura 3.3 – Curva de perdas no interruptor bidirecional S1

20
Perdas por condução IGBT
Perdas por comutação IGBT
Perdas totais IGBT
Perdas por condução MOSFET
15
Perdas por comutação MOSFET
Perdas totais MOSFET
Perdas [W]
10
460 512 564 616 668 720
Tensão de saída [V]
3.2.2.2 Dimensionamento dos diodos D13-18
De acordo com as equações (2-16), (2-18) e (2-20) e com as especificações do

retificador, os esforços máximos de tensão e corrente dos diodos D13-18 e o nível de tensão de
Tabela 3.4 – Esforços elétricos nos diodos em antiparalelo com os interruptores bidirecionais
Tensão máxima VD13max 360 V Vo = 720 V
Corrente média máxima ID13avg 4,2 A Vo = 720 V
Corrente eficaz máxima ID13rms 10,9 A Vo = 720 V
Corrente de pico ID13pk 45,1 A
53
Com os valores dos esforços determinados, é realizada a especificação dos diodos

que, juntamente com os interruptores S1-6, fazem parte do caminho bidirecional do retificador.
Os diodos escolhidos apresentam tecnologia Silicon Carbide Schottky, que tem como
característica corrente de recuperação reversa nula. As especificações do diodo SiC são
apresentadas na Tabela 3.5.
Tabela 3.5 – Especificações dos diodos em antiparalelo com os interruptores bidirecionais

Tipo de diodo SiC (recuperação reversa nula)
Corrente média máxima 30 A @115°C
Tensão reversa máxima 650 V
Tensão direta de condução 1,8 V @150°C
Carga capacitiva total 42 nC
Resistência térmica junção-cápsula 1,0 °C/W
Referência IDW30G65C5 (Infineon)
Uma aproximação linear da curva VF × I F @100°C presente na folha de dados

do diodo resultou na determinação de duas grandezas elétricas: resistência de estado ligado
Ron = 26 mΩ e tensão de coletor-emissor inicial VFo = 0,89 V .
Assim, a perda por condução do diodo é dada por:
PD13cond = VFo ⋅ I D13avg + Ron ⋅ I D13rms

2
(3-4)
Como o diodo escolhido tem característica de recuperação reversa nula, a perda

por comutação para cada diodo é determinada com base na carga capacitiva total Qc de acordo
com a equação (3-5).
a
PD13 sw = Qc ⋅ VD13 sw ⋅ f S ⋅ (3-5)
π
Vo
Onde, VD13 sw = é a tensão de chaveamento.
2
para cada diodo do bloco bidirecional.
54
Figura 3.4 – Curva de perdas no diodo D13

8
Perdas por condução
Perdas por comutação
Perdas totais
6
Perdas [W]
4
460 512 564 616 668 720
A partir das equações (2-21), (2-23) e (2-25) e das especificações da Tabela 3.1,
os esforços máximos de tensão e corrente dos diodos D1-6 e o nível de tensão de saída
correspondente ao pior caso são mostrados na Tabela 3.6.
Tabela 3.6 – Esforços elétricos nos diodos retificadores de alta frequência

De acordo com os valores dos esforços elétricos, a especificação dos diodos

retificadores de alta frequência é realizada. Os diodos escolhidos também apresentam
tecnologia Silicon Carbide Schottky. As especificações do diodo SiC são apresentadas na
Tabela 3.7.
Tabela 3.7 – Especificações dos diodos retificadores de alta frequência

Referência IDW30S120 (Infineon)
55
Aproximando linearmente a curva VF × I F @100°C presente na folha de dados
do diodo, resulta na determinação da resistência de estado ligado Ron = 36 mΩ e da tensão de
coletor-emissor inicial VFo = 0,81 V .

Assim, a potência dissipada na condução do diodo é dada por:
PD1cond = VFo ⋅ I D1avg + Ron ⋅ I D1rms

2
(3-6)
Como o diodo escolhido tem característica de recuperação reversa nula, a perda

por comutação para cada diodo é determinada com base na carga capacitiva total Qc de acordo
com a equação (3-7).
π
−a
PD1sw = Qc ⋅ VD1sw ⋅ f S ⋅ 2 (3-7)
π
Vdc − Vo
Onde, VD1sw = é a tensão de chaveamento.
2
para cada diodo retificador. Pode-se perceber que as perdas decrescem com o aumento da
tensão de saída, uma vez que menos corrente flui pelos diodos para o barramento, chegando a
zero quando Vo = 2 ⋅ Vipk .

15
Perdas totais
12
9
Perdas [W]
460 512 564 616 668 720
3.2.2.4 Dimensionamento dos interruptores bypass S7-12
Com base nas especificações do retificador e nas equações (1-28), (1-31) e (1-33),
os esforços máximos de tensão e corrente dos interruptores S7-12 e o nível de tensão de saída
correspondente ao pior caso são mostrados na Tabela 3.8.
56
Tabela 3.8 – Esforços elétricos nos interruptores bypass

Tensão máxima VS7max 130 V Vo = 650 V
Corrente de pico IS7pk 45,1 A
Baseado nos esforços elétricos, é possível realizar a escolha dos interruptores dos
blocos de bypass do retificador. Com o objetivo de comparar o desempenho de dois tipos
diferentes de tecnologias para esta função, novamente foram selecionados um IGBT e um
MOSFET SiC. As especificações destes semicondutores são mostradas na Tabela 3.9.
Tabela 3.9 – Especificações dos interruptores bypass

Corrente média máxima 2 x 20 A @100°C 2 x 30 A @100°C
Como foram escolhidos os mesmos interruptores mostrados anteriormente, as

características elétricas são mantidas. A única diferença é que foram associados dois
interruptores em paralelo. Desta forma, as perdas por condução dos interruptores são agora
definidas por:
RDS ( on )  I S 7 rms  2
PS 7 cond _ MOSFET = 2 ⋅ ⋅  (3-8)
2  2 
 I R I 
2

PS 7 cond _ IGBT = 2 ⋅ VCEo ⋅ S 7 avg + on ⋅  S 7 rms   (3-9)
 2 2  2  
E as perdas por comutação são determinadas de acordo com a equação (3-10).
π
[ ]
2
⋅ ∫ Eon (I S 7 sw (t )) + Eoff (I S 7 sw (t )) dt ⋅
2 VS 7 sw
PS 7 sw = ⋅ fS (3-10)
π a
Vamostra
Onde a corrente e a tensão de chaveamento são definidas por (3-11) e (3-12),

respectivamente. A tensão na qual as curvas de energia de comutação foram amostradas
experimentalmente é dada por Vamostra = 300 V .
I Lipk ⋅ sin (ωt )

I S 7 sw (t ) = (3-11)
2
57
Vdc − Vo
VS 7 sw = (3-12)
2
para cada conjunto de interruptores bypass. Pode-se observar o melhor desempenho geral do
MOSFET SiC com relação ao IGBT. Vale destacar que o comportamento das perdas segue a
curva de corrente no interruptor. A corrente cresce até a tensão de saída atingir o dobro do
pico da tensão de fase de entrada, contudo, a partir deste valor, a corrente passa a decrescer
com o aumento da tensão de saída.
Figura 3.6 – Curva de perdas no interruptor bypass S7

20
15
Perdas [W]
10

5 Perdas totais IGBT
460 512 564 616 668 720

3.2.2.5 Dimensionamento dos diodos bypass D7-12

retificador, os esforços máximos de tensão e corrente dos diodos D7-12 e o nível de tensão de
Tabela 3.10 – Esforços elétricos nos diodos bypass

A especificação dos diodos que fazem parte do caminho de bypass é realizada

com base nos esforços mostrados acima e é apresentada na Tabela 3.11.
58
Tabela 3.11 – Especificações dos diodos bypass

Referência IDW30S120 (Infineon)
Como anteriormente, a resistência de estado ligado Ron = 36 mΩ e a tensão de
coletor-emissor inicial VFo = 0,81 V . A potência dissipada na condução do diodo é dada por:
PD 7 cond = VFo ⋅ I D 7 avg + Ron ⋅ I D 7 rms

2
(3-13)
A perda por comutação para cada diodo bypass é determinada com base na carga
capacitiva total Qc de acordo com a equação abaixo.
a
PD 7 sw = Qc ⋅ f S ⋅ VD 7 sw ⋅ (3-14)
π
As tensões de chaveamento para cada modo de operação são definidas como:
Vo
VD 7 sw = (3-15)
2
para cada diodo do bloco bypass.

25
20
15
Perdas [W]
10
5
Perdas totais
460 512 564 616 668 720

59
3.2.2.6 Dimensionamento dos indutores L1-3
A partir das equações (1-19), (2-33) e (2-34) e das especificações apresentadas na

Tabela 3.1, os valores de indutância e das correntes eficaz e de pico nos indutores de entrada
são mostrados na Tabela 3.12.
Tabela 3.12 – Indutância e esforços de corrente nos indutores de entrada

Valor da indutância Li 900 µH
Corrente eficaz máxima ILirms 32,0 A
Corrente de pico ILipk 45,1 A
Variação da corrente no indutor ∆ILimax 15 %
A determinação do núcleo é realizada pelo produto das áreas, de acordo com a

seguinte equação:
Li ⋅ I Lirms ⋅ I Lipk
Ae ⋅ Aw = ⋅ 104
K w ⋅ J max ⋅ Bmax (3-16)
Como a corrente de entrada apresenta uma baixa ondulação, é mais vantajosa a

utilização de núcleos de metal amorfo. Além do menor volume, os magnéticos apresentam
menores perdas para esta situação quando comparados com núcleos de ferrite.
Sendo Bmax = 1,4 T para este material e considerando J max = 300 A / cm 2 e
K w = 0,3 obtém-se Ae ⋅ Aw = 105,1 cm 4 .

Para satisfazer o produto das áreas, foi selecionado o núcleo AMCC 160
(Powerlite), cujas características são as seguintes: Ae = 6,5 cm 2 , Aw = 20,8 cm 2 ,
Ap = 135,2 cm 4 , lm = 16,8 cm e Ve = 185 cm .

3
O número de espiras e o entreferro são obtidos através das equações (3-17) e

(3-18), respectivamente. Considera-se a permeabilidade do vácuo µo = 4π ⋅ 10−7 H / m .
Li ⋅ I Lipk
N Li = ⋅10 4 = 46 (3-17)
Ae ⋅ Bmax
µo ⋅ N Li 2 ⋅ Ae
l gLi = ⋅10 −4 = 0,96 mm (3-18)
2 ⋅ Li
Com o objetivo de reduzir as perdas no cobre, o enrolamento foi
sobredimensionado adotando um cabo (litz) contendo 420 fios isolados com diâmetro de 0,2
mm (AWG 32) em paralelo e com área total aproximada de 17,3 mm2.
60
O fator de utilização encontrado é dado por (3-19) e comprova a viabilidade da

execução.
Alitz
Ku = = 0,383 (3-19)
Aw
A Tabela 3.13 apresenta o resumo para a montagem dos indutores de entrada.
Tabela 3.13 – Resumo do projeto dos indutores de entrada

Valor da indutância 900 µH
Núcleo selecionado AMCC 160
Material do núcleo Powerlite
Número de espiras 46
Diâmetro do cabo (Litz) 420 x 0,2 mm
Espaço de entreferro 0,96 mm
As perdas magnéticas no núcleo são determinadas a partir da variação da

densidade de fluxo magnético, que é definida por:
Li ⋅ ∆I Li (t )
∆B(t ) =
2 ⋅ N Li ⋅ Ae (3-20)
Utilizando a equação de Steinmetz com os fatores correspondentes ao powerlite, a

máxima perda magnética no núcleo é dada pela seguinte equação:
π
= 1,377 ⋅ e6 ⋅ f s ⋅ ⋅ ∫ ∆B(t ) dt = 1,38 W
V 1, 51 1 1, 74
PcoreLi _ max
10 π 0 (3-21)
A área da seção transversal do condutor é calculada em (3-22).

2
 0,2 
AcuLi = 420 ⋅ π ⋅   = 13,2 mm
2
(3-22)
 2 
Assim, a perda no cobre do indutor é determinada a partir da equação (3-23),
considerando a resistividade do cobre ρ cu = 1,72 ⋅ 10−4 Ω ⋅ mm 2 / cm .
ρ cu ⋅ le ⋅ N Li
PcuLi = ⋅ I Lirms = 10,24 W
2
(3-23)
AcuLi
A perda total em cada indutor de entrada é dada pela soma das perdas no núcleo e
no cobre, logo:
PLi = PcoreLi + PcuLi (3-24)
Para efeito de comparação, mantendo o mesmo indutor, a soma das perdas nos
três indutores de entrada para os retificadores Vienna e Vienna com função bypass é mostrada
na Figura 3.8.
61
Figura 3.8 – Somatório das perdas totais nos indutores de entrada

50
Perdas nos indutores de entrada [W]

40
30
20
10
Retificador Vienna com bypass
Retificador Vienna
460 512 564 616 668 720

Como as correntes eficazes de entrada são iguais nos dois casos, a singela
diferença nas perdas se deve exclusivamente às perdas no núcleo. Mais especificamente, à
diferença do comportamento das ondulações de corrente (Figura 2.10) e, consequentemente,
da variação da densidade de fluxo magnético.
3.2.2.7 Dimensionamento dos capacitores C1-2
De acordo com as equações (2-36) e (2-39) e assumindo uma ondulação máxima

Vdc
∆VC1 = 1% ⋅ , os valores de capacitância, da corrente eficaz e da tensão máxima nos
2
capacitores do barramento CC são mostrados na Tabela 3.14.
Tabela 3.14 – Capacitância e esforços de corrente e tensão nos capacitores do barramento CC

Valor da capacitância C1 220 µF
Corrente eficaz máxima IC1 27,5 A
Tensão máxima VC1_max ≈360 V
A Tabela 3.15 apresenta as especificações dos capacitores selecionados para cada

lado do barramento CC (positivo e negativo).
Tabela 3.15 – Especificações dos capacitores do barramento CC

Tipo de capacitor Polipropileno
Valor da capacitância 2 x 110 µF
Corrente eficaz máxima 19 A
Resistência série equivalente 4,0 mΩ
Tensão máxima 450 V
Referência B32778 (Epcos)
62
De forma simplificada, a potência dissipada em um capacitor é dada pelo produto

de sua resistência série equivalente (ESR) pelo quadrado da corrente eficaz que circula através
desta. Assim, as perdas nos capacitores do barramento CC são dadas por:
2
I 
PC1 = 2 ⋅ 2 ⋅ ESRC1 ⋅  C1  (3-25)
 2 
A Figura 3.9 mostra o comportamento da curva da potência total dissipada pelos
capacitores do barramento CC ao longo da tensão de saída.
Figura 3.9 – Perda total nos capacitores do barramento CC

5
Perdas nos capacitores do barramento CC
460 512 564 616 668 720

3.2.2.8 Dimensionamento dos capacitores C3-4
Com base nas equações (2-42) e (2-43) e assumindo uma ondulação na tensão de
Vo max
saída máxima ∆VC 3 = 20% ⋅ , os valores de capacitância, da corrente eficaz e da tensão
2
máxima nos capacitores do barramento CC são mostrados na Tabela 3.16.
Tabela 3.16 – Capacitância e esforços de corrente e tensão nos capacitores da saída

Valor da capacitância C3 440 µF
Corrente eficaz máxima IC3 21,4 A
Tensão máxima VC3_max 385 V
As especificações dos capacitores selecionados para cada saída (positiva e

negativa) são apresentadas na Tabela 3.17.
63
Tabela 3.17 – Especificações dos capacitores de saída

Tipo de capacitor Polipropileno
Valor da capacitância 4 x 110 µF
Corrente eficaz máxima 19 A
Resistência série equivalente 4,0 mΩ
Tensão máxima 450 V
Referência B32778 (Epcos)
Seguindo o mesmo raciocínio anterior, as perdas nos capacitores da saída são

calculadas a seguir.
2
I 
PC 3 = 2 ⋅ 4 ⋅ ESRC 3 ⋅  C 3  (3-26)
 4 
A Figura 3.10 mostra as perdas totais nos capacitores da saída como função da
tensão na saída.
Figura 3.10 – Perda total nos capacitores da saída

2
1.6
Perdas nos capacitores de sa
1.2
0.8
ída
0.4
460 512 564 616 668 720

3.3 Conversor Buck associado à função bypass
3.3.1 Especificações do conversor Buck
As especificações de projeto do conversor Buck bipolar são apresentadas na

Tabela 3.18.
Tabela 3.18 – Especificações do conversor Buck bipolar associado à função bypass

Potência de entrada máxima Pbuck 11 kW
Tensão de entrada (barramento) Vdc 720 V
Variação da corrente no indutor ∆ILo 40 %
64
3.3.2 Projeto do conversor Buck
Baseado nas equações desenvolvidas no capítulo 2, os esforços elétricos em cada

componente do circuito mostrado na Figura 3.11 são calculados. Em seguida, são realizados
os cálculos de perdas para cada elemento e, ao final, o cálculo térmico para cada
semicondutor.
Figura 3.11 – Conversor Buck bipolar associado à função bypass
L4
D1 D3 D5 S13
Função S7 S9 S11
Bypass C1 D19
D7 D9 D11 S1...S6
L1 C3
L2
L3
D13...D18 C4
D8 D10 D12
C2 D20
S8 S10 S12
D2 D4 D6 S14
L5
3.3.2.1 Dimensionamento dos interruptores S13-14
Seguindo as especificações do conversor Buck e baseado nas equações (2-49),

(2-51) e (2-53), os esforços máximos de tensão e corrente dos interruptores S13-14 e o nível de
tensão de saída correspondente ao pior caso são mostrados na Tabela 3.19.
Tabela 3.19 – Esforços elétricos nos interruptores do Buck

Tensão máxima VS13max 360 V
Corrente de pico IS13pk 51,7 A Vo = 460 V
Com base nos esforços elétricos, foram selecionados um IGBT e um MOSFET

SiC. As especificações destes semicondutores são mostradas abaixo.
65
Tabela 3.20 – Especificações dos interruptores bypass

Corrente média máxima 2 x 20 A @100°C 2 x 30 A @100°C
Foram escolhidos os mesmos interruptores mostrados anteriormente, porém com

associando dois em paralelo. Assim, as perdas por condução dos interruptores são dadas por:
RDS ( on )  I S 13rms  2
PS 13cond _ MOSFET = 2⋅ ⋅  (3-27)
2  2 
 I S 13avg Ron  I S 13rms  2 

PS 13cond _ IGBT = 2 ⋅ VCEo ⋅ + ⋅   (3-28)
 2 2  2  
E as perdas por comutação são definidas em (3-29).

π
PS 13 sw =
2 2
2π a
[ ]
⋅ ∫ Eon (I S 13 sw (t )) + Eoff (I S 13 sw (t )) dt ⋅ S 13 sw ⋅ f S
V
Vamostra (3-29)
3
Onde, a corrente e a tensão de chaveamento são dadas por:
I Lo (t )
I S 13 sw (t ) = (3-30)
2
Vdc
VS 13 sw = (3-31)
2
A tensão na qual as curvas de energia de comutação foram amostradas
experimentalmente é Vamostra = 300 V .
para cada conjunto de interruptores do Buck. Pode-se observar o melhor desempenho geral do
MOSFET SiC com relação ao IGBT. Pode-se perceber que com o aumento da tensão de saída,
menos corrente flui pelo conversor Buck, diminuindo assim as perdas.
66
Figura 3.12 – Curva de perdas no interruptor do Buck S13

40
Perdas totais IGBT
30
Perdas [W]
20
10
460 512 564 616 668 720


conversor Buck, os esforços máximos de tensão e corrente nos diodos D19-20 e o nível de
tensão de saída correspondente ao pior caso são mostrados na Tabela 3.21.
Tabela 3.21 – Esforços elétricos nos diodos do conversor Buck

Tensão máxima VD19max 360 V
Corrente de pico ID19pk 51,7 A Vo = 460 V
A especificação dos diodos do Buck é realizada com base nos esforços elétricos
obtidos. Os diodos escolhidos apresentam tecnologia Silicon Carbide Schottky e suas
especificações são apresentadas na Tabela 3.22.
Tabela 3.22 – Especificações dos diodos bypass

Corrente média máxima 2 x 30 A @115°C
Referência IDW30G65C5 (Infineon)
Como já mencionado, a resistência de estado ligado Ron = 26 mΩ e a tensão de
coletor-emissor inicial VFo = 0,89 V . Uma vez que são associados dois diodos em paralelo, a
potência dissipada na condução do diodo do Buck é dada por:
67
 I D19 avg  I D19 rms  

2
PD19 cond = 2 ⋅ VFo ⋅ + Ron ⋅    (3-32)

 2  2  
A perda por comutação para cada diodo bypass é determinada com base na carga
capacitiva total Qc de acordo com a equação abaixo.
π
−a
PD19 sw = 2 ⋅ Qc ⋅ VD19 sw ⋅ f S ⋅ 2 (3-33)
π
Vo
Onde, VD19 sw = é a tensão de chaveamento do diodo do Buck.
2
para a associação de diodos do Buck.

12
10 Perdas totais
8
Perdas [W]
460 512 564 616 668 720

3.3.2.3 Dimensionamento dos indutores L4-5
De acordo com as equações (1-28), (2-62) e (2-64) e especificações apresentadas

na Tabela 3.1, os valores de indutância e das correntes eficaz e de pico nos indutores de saída
são mostrados na Tabela 3.23.
Tabela 3.23 – Indutância e esforços de corrente nos indutores de entrada

Valor da indutância Lo 200 µH
Corrente eficaz máxima ILorms 31,1 A
Corrente de pico ILopk 53,4 A
Variação da corrente no indutor ∆ILo 40 %
A determinação do núcleo é realizada pelo produto das áreas, de acordo com a

seguinte equação:
68
Li ⋅ I Lirms ⋅ I Lipk
Ae ⋅ Aw = ⋅ 104
K w ⋅ J max ⋅ Bmax (3-34)
Como a corrente na saída apresenta uma elevada ondulação, é mais vantajosa a

utilização de núcleos de ferrite. Os cálculos realizados com o núcleo de metal amorfo
mostraram um desempenho muito inferior ao ferrite para esta situação.
Sendo Bmax = 0,3 T para este material e considerando J max = 300 A / cm 2 e
K w = 0,3 obtém-se Ae ⋅ Aw = 123,0 cm 4 .

Para satisfazer o produto das áreas, foi selecionado o núcleo de ferrite UI
93/104/30, cujas características são as seguintes: Ae = 8,4 cm 2 , Aw = 16,6 cm 2 ,
Ap = 139,4 cm 4 , lm = 25,4 cm e Ve = 217 cm .

3
O número de espiras e o entreferro são obtidos através das equações (3-35) e

(3-36), respectivamente. Considera-se a permeabilidade do vácuo µo = 4π ⋅ 10−7 H / m .
Li ⋅ I Lipk
N Li = ⋅10 4 = 42 (3-35)
Ae ⋅ Bmax
µo ⋅ N Li 2 ⋅ Ae
l gLi = ⋅10 −4 = 4,65 mm (3-36)
2 ⋅ Li
Com o objetivo de reduzir as perdas no cobre, o enrolamento foi
sobredimensionado adotando um cabo (litz) retangular contendo 550 fios isolados com
diâmetro de 0,2 mm (AWG 32) em paralelo e com área total de aproximada 22,0 mm2.
O fator de utilização encontrado é dado por (3-37) e comprova a viabilidade da
execução.
Alitz
Ku = = 0,55 (3-37)
Aw
A Tabela 3.24 apresenta o resumo para a montagem dos indutores de entrada.
Tabela 3.24 – Resumo do projeto dos indutores de saída

Valor da indutância 200 µH
Núcleo selecionado UI 93/104/30
Material do núcleo Ferrite
Número de espiras 42
Diâmetro do cabo (Litz) 550 x 0,2 mm
Espaço de entreferro 4,65 mm
69
Como a ondulação na corrente do indutor de saída se mantém constante, a

variação da densidade de fluxo magnético é definida por:
Lo ⋅ ∆I Lo
∆B =
2 ⋅ N o ⋅ Ae (3-38)
Utilizando a equação de Steinmetz com os fatores correspondentes ao ferrite, a

máxima perda magnética no núcleo é dada pela seguinte equação:
 
 π − 2a 
= 0,112 ⋅ e6 ⋅ f s ⋅ ∆B(t ) ⋅ 
V
= 0,117 W
1, 7 2 ,85
PcoreLo _ max
 2π 
(3-39)
10
 
 3 
A área da seção transversal do condutor é calculada em (3-40).
2
 0,2 
AcuLo = 550 ⋅ π ⋅   = 17,3 mm
2
(3-40)
 2 
A perda no cobre do indutor é determinada a partir da equação (3-41),
considerando a resistividade do cobre ρ cu = 1,72 ⋅ 10−4 Ω ⋅ mm 2 / cm .
ρ cu ⋅ le ⋅ N Lo
PcuLo _ max = ⋅ I Lorms = 7,333 W
2
(3-41)
AcuLo
A perda total em cada indutor da saída é dada pela soma das perdas no núcleo e no
cobre, logo:
PLo = PcoreLo + PcuLo (3-42)
Para efeito de comparação, mantendo o mesmo indutor, a soma das perdas nos
dois indutores de saída para os conversores Buck e Buck associado à função bypass é
mostrada na Figura 3.14. Apesar da ondulação de corrente se manter a mesma para os dois
casos, o comportamento das perdas no núcleo varia de forma diferente com a tensão de saída.
Porém, a maior diferença se deve às perdas no cobre dos indutores, visto que o conversor
Buck associado à função bypass é projetado para apenas uma fração da potência nominal do
sistema. Enquanto que para o outro caso, toda energia da entrada é processada pelo conversor
Buck na saída.
70
Figura 3.14 – Somatório das perdas totais nos indutores de saída

40
Buck bypass
Buck
Perdas nos indutores de saida [W]

32
24
16
460 512 564 616 668 720

3.4 Análise das perdas e da temperatura na junção dos semicondutores
A análise da temperatura na junção dos semicondutores é realizada considerando a

tensão de saída na qual ocorre a maior perda total no semicondutor e a frequência de
comutação do sistema. O pior caso de perda para cada semicondutor (@20kHz) e o nível
correspondente de tensão na saída são mostrados na Tabela 3.25.
Tabela 3.25 – Máxima potência dissipada nos semicondutores (@20kHz)

MOSFET 20,8 W
Interruptores bidirecionais S1-6 Vo = 720 V
IGBT 16,2 W
Diodos antiparalelos D13-18 6,95 W Vo = 720 V
Diodos retificadores D1-6 12,1 W Vo = 460 V
MOSFET 14,0 W
Interruptores bypass S7-12 Vo = 651 V
IGBT 15,0 W
Diodos bypass D7-12 21,4 W Vo = 651 V
MOSFET 30,2 W
Interruptores Buck S13-14 Vo = 460 V
IGBT 31,4 W
Diodos Buck D19-20 10,6 W Vo = 460 V
A temperatura na junção de um semicondutor é dada pela seguinte equação

genérica:
T junção = Pdissipada ⋅ (Rth _ junção − cápsula + Rth _ cápsula − dissipador ) + Tdissipador (3-43)
Para os cálculos seguintes, foram consideradas a temperatura e a resistência

térmica entre cápsula e dissipador como Tdissipador = 80 °C e Rth _ cápsula − dissipador = 0,5 °C / W ,
respectivamente. A resistência térmica entre junção e cápsula e a temperatura na junção para

cada semicondutor são mostradas na Tabela 3.26.
71
Tabela 3.26 – Resistência térmica junção-cápsula e temperatura na junção (@20kHz)

MOSFET 0,70 °C/W 107 °C
Interruptores bidirecionais S1-6
IGBT 0,80 °C/W 103 °C
Diodos antiparalelos D13-18 1,0 °C/W 91 °C
Diodos retificadores D1-6 0,50 °C/W 93 °C
MOSFET 0,70 °C/W 89 °C

Interruptores bypass S7-12
IGBT 0,80 °C/W 90 °C
Diodos bypass D7-12 1,0 °C/W 114 °C
MOSFET 0,70 °C/W 100 °C

Interruptores Buck S13-14
IGBT 0,80 °C/W 102 °C
Diodos Buck D19-20 1,0 °C/W 89 °C
A Figura 3.15 apresenta a temperatura na junção de cada semicondutor como

função da frequência de comutação do sistema.
Figura 3.15 – Temperatura na junção em função da frequência de comutação

150 150
Temperatura na juncao
Temperatura na juncao
125 125
S1-6 (IGBT)
S1-6 (MOSFET)
100 D13-18 100
D1-6
D7-12 S13-14 (IGBT)
S7-12 (IGBT) S13-14 (MOSFET)
S7-12 (MOSFET) D19-20
125 °C 125 °C
75 75
20 40 60 80 100 20 40 60 80 100
Frequência de comutação [kHz] Frequência de comutação [kHz]
a) b)
Fonte: elaborada pelo autor.
3.5 Análise da eficiência teórica do sistema
A eficiência do sistema é calculada por meio do somatório das perdas dos

principais componentes do conversor. Vale ressaltar que foram adotados os interruptores com
melhor desempenho para a mesma função. Para efeito de comparação, as perdas totais no
retificador Vienna convencional serão mostradas utilizando os mesmos componentes
correspondentes da versão com função bypass.
A perda total do sistema completo com função bypass é definida por:
72
Ptotal = 6 ⋅  PS1 _ IGBT + PD13 + PD1 + PS 7 _ MOSFET + PD 7 + PLi  + 2 ⋅ (PS13 _ MOSFET + PD19 + PLo )
 1 
(3-44)
 2 
A Figura 3.16 mostra as curvas de perdas totais como função da tensão de saída
dos sistemas convencional e com função bypass.
Figura 3.16 – Perdas totais nos sistemas convencional e com função bypass
600
Sistema com bypass
Sistema convencional
540
Perda total [W]
480
420
360
300
460 512 564 616 668 720

Pode-se notar a vantagem do uso da função bypass sobre a operação convencional

do retificador. Para a tensão mínima de saída, a diferença fica em torno de 160 W.
A Figura 3.17 apresenta a eficiência teórica dos sistemas em comparação.
Figura 3.17 – Eficiência teórica dos sistemas convencional e com função bypass
100
99
Eficiencia [%]
98
97
96
Sistema com bypass
Sistema convencional
95
460 512 564 616 668 720

3.6 Conclusão
A partir dos esforços de tensão e corrente, foram escolhidos todos semicondutores

que compõem o sistema. Em especial para os interruptores, foram selecionados um IGBT e
um MOSFET SiC, com o intuito de comparar a performance para estas duas tecnologias para
cada função do circuito. E, contrariando o esperado, o IGBT apresentou melhor desempenho
para a função de interruptor no caminho bidirecional. Para as outras funções, o MOSFET SiC
73
apresentou menores perdas. Vale ressaltar que, devido à complexidade dos caminhos de
comutação, o uso de interruptores de carbeto de silício pode não ser recomendado. Além
disso, foram realizados os cálculos térmicos para cada um destes componentes, mostrando
certa folga na temperatura máxima de operação. Em adição, os cálculos de projeto físico e de
perdas dos indutores são apresentados em detalhes. A escolha do material dos núcleos foi
baseada na potência dissipada por estes ao desempenhar as funções de filtro de entrada e de
saída, submetidos a diferentes grandezas de corrente e ondulação. Finalmente, foi
comprovado o melhor desempenho do sistema proposto com relação à versão clássica a partir
da análise de eficiência teórica.
74
4 RESULTADOS DE SIMULAÇÃO E EXPERIMENTAIS
4.1 Introdução
Com o objetivo de mostrar a funcionalidade do sistema proposto, o circuito

mostrado na Figura 4.1, seguindo as especificações apresentadas na Tabela 4.1, foi
construído. Em seguida, foram realizados alguns testes de bancada para validação da
topologia e do conceito de bypass e para a coleta dos resultados experimentais.
L4
D1 D3 D5 S13
S7 S9 S11
C1 D19
D7 D9 D11 S1...S6
L1 C3
L2
L3
D13...D18 C4
D8 D10 D12
C2 D20
S8 S10 S12
D2 D4 D6 S14
L5
Tabela 4.1 – Especificações do retificador Vienna com função bypass

Potência de entrada Pi 22 kW
Tensão de entrada Vi 230 V
Tensão do barramento CC Vdc 720 V
Frequência da rede de alimentação fr 50 Hz
Fator de potência de entrada FP ≈1
Variação da corrente no indutor de entrada ∆ILimax 10 %
Variação da corrente no indutor de saída ∆ILomax 40 %
4.2 Montagem do protótipo
O sistema é composto por três placas de circuito impresso, sendo estas de

potência, de medição e de controle. Na parte inferior da placa de potência encontram-se os
semicondutores e os capacitores do barramento CC e de saída, enquanto que na superior,
basicamente as fontes de alimentação isoladas e os circuitos dos drivers para acionamento dos
75
interruptores de potência. A placa de medição é responsável pelas amostras das tensões de

fase trifásicas, das tensões positivas e negativas do barramento CC e da saída e pelas cinco
correntes nos indutores de entrada e de saída. Essas amostras são coletadas pela placa de
controle, responsável pelo processamento dos dados, controle, proteção e geração dos sinais
para acionamento dos interruptores. Foi utilizada a placa de desenvolvimento do DSP
TMS320F28335 da família C2000 da Texas Instruments juntamente com o programa PLECS
associado ao MATLAB como ferramentas para implementação do controle do sistema.
A Figura 4.2 mostra as fotografias das vistas frontal e lateral do protótipo
montado. Vale ressaltar que não foi feito estudo térmico para o projeto do dissipador, sendo
este escolhido pela disponibilidade imediata para uso e que os indutores de saída não estão
presentes na figura.
Figura 4.2 – Fotografias do protótipo montado
a)
b)
76
c)
4.3 Resultados de simulação e experimentais
Nesta seção serão apresentados os resultados de simulação e experimentais

referentes ao sistema proposto neste trabalho em regime permanente. Os resultados de
simulação foram obtidos através da utilização do software PSIMTM. Os parâmetros utilizados
na simulação são os mesmos do sistema real. Os resultados de simulação e experimentais
coletados procuram mostrar as principais formas de onda do conversor a fim de compará-los
com a abordagem teórica apresentada nos capítulos anteriores.
Com o objetivo principal de comprovar o conceito proposto sobre a função
bypass, alguns testes de bancada foram feitos sem a preocupação de operar nos valores
nominais especificados do sistema. Vale ressaltar que os valores de tensão de entrada, de
saída e no barramento CC se mantêm na mesma proporção dos valores nominais, mantendo
assim o comportamento do ponto de operação da função bypass. As medições de EMC não
foram levadas em consideração nestes primeiros testes.
O primeiro teste foi realizado sob as seguintes condições: tensão de fase de
entrada, 70 Vrms; tensão de saída, 140 V; tensão no barramento CC, 220 V; potência de saída,
2,3 kW e frequência de comutação dos interruptores, 20 kHz.
O princípio básico de operação dos interruptores é facilmente entendido a partir
da Figura 4.3. As curvas obtidas experimentalmente e por simulação mostram as tensões de
77
fase de entrada e de saída positiva e o comportamento dos sinais de acionamento dos

interruptores bidirecional e de bypass de acordo com o nível de tensão de saída.
Figura 4.3 – Sinais de acionamento dos interruptores

VgS1
Van
Vo+
VgS7
a) b)
As tensões de fase de entrada, de saída e no barramento CC (positivas) e os cinco

níveis de tensão no terminal posterior do indutor de entrada são mostrados na Figura 4.4.
Esses níveis de tensão dependem do ponto de operação do sistema, mais especificamente, da
tensão de saída.
Figura 4.4 – Característica de cinco níveis do retificador Vienna com função bypass
Vdc+ Van
Vo+
VLa
a) b)
Os resultados experimentais e de simulação mostrados na Figura 4.5 apresentam a

tensão de fase de entrada e as correntes trifásicas de entrada com fator de potência unitário.
Além de, naturalmente, ser esperado um conteúdo harmônico inferior ao de sistemas
convencionais de dois e três níveis, as perdas no núcleo do indutor são menores devido ao
comportamento diferenciado da ondulação de corrente nos indutores de entrada (Figura 2.10).
Figura 4.5 – Correntes trifásicas com fator de potência unitário
Ia Ib Ic
Van
a) b)
78
A Figura 4.6 mostra as tensões de entrada, de saída e no barramento CC

(positivas) e as tensões sobre os interruptores bypass a) e b) e bidirecional c) e d) obtidas
experimentalmente e por simulação. Pode-se perceber que a máxima tensão no interruptor
bypass é dada pela diferença entre as tensões positivas no barramento CC e de saída.
Enquanto a máxima tensão para os interruptores bidirecionais é igual à tensão no barramento
CC (positiva).
Figura 4.6 – Tensões sobre os interruptores bypass e bidirecionais
Vdc+
Vo+
VS7
Van
a) b)
Vdc+
VS1 Vo+
Van
c) d)
As Figuras 4.7 – 4.9 foram obtidas por simulação, uma vez que os dispositivos
semicondutores ficaram inacessíveis para medição de corrente. A Figura 4.7 mostra o
comportamento da tensão e da corrente nos semicondutores que compõem o caminho de
bypass.
Figura 4.7 – Esforços elétricos no interruptor e no diodo bypass
a)
79
b)
Corrente e tensão no a) interruptor bypass e no b) diodo bypass.
De acordo com as curvas obtidas por simulação, pode-se notar que o interruptor
bypass comuta com uma tensão bem reduzida dada pela diferença entre as tensões positivas
no barramento CC e na saída. Já no diodo, a tensão na qual a corrente é comutada é igual à
tensão positiva de saída no modo de operação I e nula no modo II. Já na Figura 4.8, obtida
através de simulação, percebe-se que a tensão de comutação do interruptor bidirecional é
igual à tensão positiva de saída.
Figura 4.8 – Esforços elétricos no interruptor bidirecional
Assim como o interruptor bypass, os diodos retificadores D1-6 comutam com

tensão reduzida dada pela diferença entre as tensões positivas no barramento CC e na saída
(Figura 4.9).
80
Figura 4.9 – Esforços elétricos no diodo retificador de alta frequência
Finalmente, as tensões de entrada e no barramento CC e as correntes no indutor de

saída do lado positivo e na carga obtidas experimentalmente e por simulação são mostradas na
Figura 4.10. A diferença entre as formas de onda das correntes se deve ao tipo de controle
utilizado no experimento, que não teve a preocupação com o formato da referência de
corrente requerida para obtenção de uma corrente constante na saída do sistema.
Figura 4.10 – Correntes no indutor de saída superior e na carga
Vdc+
Van
Io ILo+
a) b)
A eficiência do sistema foi medida em função da tensão de saída, mantendo a

potência de entrada constante. O objetivo deste teste é analisar o desempenho do sistema para
cada ponto de operação da função bypass. Essa medição foi conduzida sob os seguintes
pontos de operação: tensão de fase de entrada, 145 Vrms; faixa de tensão de saída, 145-228 V;
tensão no barramento CC, 228 V e potência de entrada mantida fixa em 6,9 kW. As medições
foram realizadas utilizando um analisador de potência LEM modelo Norma D 6000 de seis
canais.
A Figura 4.11 mostra as curvas de rendimento teórica e experimental para as
mesmas condições do teste, isto é, mesmas características elétricas e mesmos dispositivos
utilizados no protótipo. Novamente, os valores de tensão de entrada, de saída e no barramento
CC se mantêm na mesma proporção dos valores nominais, mantendo assim o comportamento
81
do ponto de operação da função bypass. Inicialmente, não foram consideradas no cálculo as

perdas nos capacitores, acentuando um pouco mais o desvio entre as curvas. Outro fator
determinante é a influência do equipamento de medição no resultado, visto que as perdas no
equipamento são somadas as do sistema em estudo. Apesar disso, pode-se perceber que a
curva de rendimento experimental apresenta um comportamento ao longo da faixa de tensão
de saída semelhante à teórica.
Figura 4.11 – Curvas de rendimento teórica e experimental.

100
99
Eficiencia (%)
98
97
96
95
280 300 320 340 360 380 400 420 440 460

η (%)
ηcalc (%)
4.4 Conclusão
Os resultados obtidos nos testes experimentais são suficientes para comprovar a

funcionalidade do sistema proposto. As formas de onda obtidas experimentalmente foram
comparadas com as curvas obtidas em simulação, validando a topologia e o conceito de
bypass.
Em seguida, foram apresentados os esforços de corrente e tensão para cada
semicondutor, obtidos em simulação. Essas curvas validam as equações desenvolvidas no
capítulo 2.
O sistema apresentou um rendimento bastante elevado para o ponto de operação
testado (6,9 kW) e espera-se ainda uma melhoria neste resultado para a potência nominal do
projeto. Vale ressaltar também a compacidade do protótipo, apresentando uma alta densidade
de potência.
Os resultados experimentais para potência nominal, incluindo curva de
rendimento, não foram apresentados neste trabalho e farão parte de futuras publicações.
82
CONCLUSÃO GERAL
Tendo em vista a crescente utilização de veículos elétricos como alternativa para a

redução do custo de consumo e da emissão de CO2 por parte dos combustíveis fósseis, houve
um aumento no interesse em pesquisar novas topologias de conversores estáticos para
carregamento de bateria de EV ou HEV.
As principais topologias de retificadores trifásicos ativos existentes na literatura
com características elevadoras e abaixadoras, além de duas topologias utilizando a função
bypass, foram apresentadas e avaliadas comparativamente por meio de fatores de benchmark
adimensionais. O resultado da comparação mostrou que a o sistema proposto apresenta o
melhor desempenho com relação às perdas, além de outros ganhos obtidos com a utilização
do conceito de bypass.
As análises qualitativa e quantitativa do retificador Vienna com bypass e do
conversor Buck bipolar associado a esta função apresentaram suas topologias, etapas de
operação, formas de ondas teóricas e as equações dos esforços de corrente e de tensão para
cada componente. A partir destes esforços e das especificações do projeto, foram escolhidos
todos semicondutores que compõem o sistema. O cálculo do projeto físico e das perdas dos
indutores também foi apresentado em detalhes. Os cálculos teóricos de perdas e térmico para
os componentes comprovaram o excelente desempenho do retificador, apresentando perdas
reduzidas e, consequentemente, alta eficiência.
Em adição, foram apresentados os resultados obtidos experimentalmente e por
simulação. Através da comparação destes resultados, pôde-se validar tanto a topologia como
o conceito de bypass e comprovar a funcionalidade do sistema proposto. O sistema apresentou
rendimentos teórico e experimental elevados, comprovando o melhor desempenho da
topologia proposta com relação à versão clássica sem o uso do conceito de bypass.
Dentre outras vantagens esperadas com a utilização do conceito de bypass estão:
operação parcial com estágio único, reduzindo as perdas totais; maior número de níveis de
tensão (5 níveis), o que reduz a corrente de modo comum e o volume do filtro de entrada,
resultando em uma construção mais compacta, além de resultar em menores esforços de
tensão sobre os semicondutores, possibilitando o uso de dispositivos mais eficientes e baratos;
e finalmente, o conversor Buck de saída é projetado para apenas uma fração da potência total,
o que reduz o impacto em perdas adicionais e também no tamanho do conversor.
83
REFERÊNCIAS
BASCOPÉ, G. T.; BARBI, I. Single-Phase High Power Factor Variable Output Voltage
Rectifier, Using the Buck+Boost Converter: Control Aspects, Design and Experimentation.
In: THE FIFTH BRAZILIAN POWER ELECTRONICS CONFERENCE (COBEP'99), 1999,
p. 143-148.
COUGO, B.; GATEAU, G.; MEYNARD, T.; BOBROWSKA-RAFAL, M.; COUSINEAU,

M. PD Modulation Scheme for Three-Phase Parallel Multilevel Inverters. Industrial
Electronics, IEEE Transactions on, v. 59, n. 2, p. 690-700, fev. 2012.
FACHHOCHSCHULE KONSTANTZ FACHBEREICH ELEKTROTECHNIK UND

INFORMATIONSTECHNIK LABOR FÜR LEISTUNGSELEKTRONIK UND
ANTRIEBSTECHNIK. Manfred W. Gekeler. Patrick Wenzler. Title not available. DE 100
20 537 A1, 27 abr. 2000.
FRIEDLI T.; KOLAR J. W. The essence of three-phase PFC rectifier systems, In: PROC.
33TH IEEE INDUSTRIAL INTERNATIONAL TELECOMMUNICATIONS ENERGY
CONFERENCE INTELEC ‘11, Out. 2011, p. 1-27.
JACOBUS, H. V. Active converter based on the Vienna rectifier topology interfacing a

three-phase generator to a dc-bus. 2007. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) –
Faculty of Engineering, the Built Environment and Information Technology, University of
Pretoria, 2007.
KEMPTON, W.; UDO, V,; HUBER, K.; KOMARA, K.; LETENDRE, S.; BAKER, S.;
BRUNNER, D.; PEARRE N. A test of vehicle-to-grid (V2G) for energy storage and
frequency regulation in the PJM system. Research partnership: University of Delaware, Pepco
Holdings Inc, PJM Interconnect and Green Mountain College, nov. 2008.
KOLAR, J. W.; FRIEDLI, T. Three-phase high power factor mains interface concepts for
electric vehicle battery charging systems. In: APPLIED POWER ELECTRONICS
CONFERENCE AND EXPOSITION (APEC), 2012, 27th annual IEEE, fev. 2012, p. 2603-
2610.
KOLAR, J. W.; ZACH, F. C. A novel three-phase three-switch three-level PWM rectifier. In:
PROC. 28TH POWER CONVERSION CONFERENCE (PCIM '94), Jun. 1994, p. 125-138.
KULTGEN, M. Managing high-voltage lithium-ion batteries in HEVs. Linear Technology

Corp., abr. 2009.
LORENZ, L. Power semiconductors for charging electric vehicles. Infineon Technologies

2010. In: ECPE WORKSHOP POWER ELECTRONICS FOR CHARGING ELECTRIC
VEHICLES, Valencia, mar. 2011.
MOHAN, N.; UNDELAND, T. M.; ROBBINS, W. P. Power electronics: converters,

applications, and design. Wiley, 2003.
84
MOHR, M.; FUCHS, F. W. Comparison of three phase current source inverters and voltage
source inverters linked with DC to DC Boost converters for fuel cell generation systems. In:
PROC. EUR. CONF. POWER ELECTRON. APPL. (EPE), Dresden, Sep. 2005, p. 10.
REFU ELEKTRONIK GMBH. Jochen Hantschel. Wechselrichter für erweiterten

Eingangsspannungsbereich. DE 10 2006 010 694 B4, 08 mar. 2006, 07 jan. 2010.
REFU ELEKTRONIK GMBH. Jochen Hantschel. Michael Knoll. Schaltungsanordnung

und Steuerungsverfahren für einen Wechselrichter mit Hochsetzsteller. DE 10 2007 026
393 B4, 06 jun. 2007, 12 mar. 2009.
SAHAN, B.; ARAÚJO, S. V.; NÖDING, C.; ZACHARIAS, P. Comparative evaluation of

three-phase current source inverters for grid interfacing of distributed and renewable energy
systems. Power Electronics, IEEE Transactions on, vol. 26, no. 8, p. 2304-2318, ago. 2011.
SCHWEIZER, M.; LIZAMA, I.; FRIEDLI, T.; KOLAR, J. W. Comparison of the chip area
usage of 2-level and 3-level voltage source converter topologies. In: PROC. IEEE 36TH
ANNUAL CONF. IND. ELECTRON. SOC., Glendale, Nov. 2010, p. 391–396.
SOEIRO, T. B.; FRIEDLI, T.; KOLAR, J. W. Swiss rectifier – a novel three-phase Buck-type
PFC topology for electric vehicle battery charging. In APPLIED POWER ELECTRONICS
CONFERENCE AND EXPOSITION (APEC), 2012, 27th annual IEEE, fev. 2012, p. 2617-
2624.
STUPAR, A.; FRIEDLI, T.; MINIBOECK, J.; SCHWEIZER, M.; KOLAR, J. W. Towards a
99% efficient three-phase Buck-type PFC rectifier for 400 Vdc distribution systems. In:
APPLIED POWER ELECTRONICS CONFERENCE AND EXPOSITION (APEC), 2011,
26th annual IEEE, mar. 2011, p. 505-512.
UM, K. J. Application Note 9020: IGBT Basic II. Fairchild Semiconductor, rev. A, apr. 2002.
WAFFLER, S.; PREINDL, M.; KOLAR, J. W. Multi-objective optimization and comparative

evaluation of Si soft-switched and SiC hard-switched automotive DC-DC converters. In:
PROC. IEEE 35TH ANNUAL CONF. IND. ELECTRON. SOC., Porto, Nov. 2009, p. 3850–
3857.
ZACHARIAS, P. Use of electronic-based power conversion for distributed and renewable

energy sources. Kassel, Germany: Inst. Solar Energy Technol. (ISET), 2008, p. 29–35.
ZELTNER, S. Actual and advanced converter technologies for on-board chargers. Fraunhofer
Institute of Integrated Systems and Device Technology (IISB), Power Electronic Systems
Division, In: ECPE WORKSHOP POWER ELECTRONICS FOR CHARGING ELECTRIC
VEHICLES, Valencia, mar. 2011.

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UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ

EDUARDO FAÇANHA DE OLIVEIRA

RETIFICADOR TRIFÁSICO PWM DE ALTA EFICIÊNCIA COM FUNÇÃO BYPASS

EDUARDO FAÇANHA DE OLIVEIRA

RETIFICADOR TRIFÁSICO PWM DE ALTA EFICIÊNCIA COM FUNÇÃO BYPASS E

Dissertação submetida à Universidade

Orientador: Prof. Dr. Demercil de Souza

Coorientador: Dr.-Ing. Samuel Vasconcelos

Dados Internacionais de Catalogação na Publicação

O46r Oliveira, Eduardo Façanha de.

Dissertação (mestrado) – Universidade Federal do Ceará, Departamento de Engenharia Elétrica,

1. Engenharia Elétrica. 2. Retificadores de corrente elétrica. 3. Eletrônica de potência. 4

EDUARDO FAÇANHA DE OLIVEIRA

RETIFICADOR TRIFÁSICO PWM DE ALTA EFICIÊNCIA COM FUNÇÃO BYPASS E

Dissertação submetida à Universidade

Primeiramente a Deus, pelo dom precioso da vida e pelas inúmeras oportunidades

“A mente que se abre a uma nova ideia

Palavras-chave: Retificador trifásico. Função bypass. Fatores de benchmark. Carregamento

Fator de perdas por comutação (k sw ⋅ Π Si ) ................................................... 27

Figura 1.24 – Fator de densidade de potência dos indutores (ρ L ) ..................................... 28

Figura 1.27 – Novo fator de densidade de potência dos indutores .................................... 31

Figura 4.3 – Sinais de acionamento dos interruptores ...................................................... 77

Tabela 1.1 – Faixa de tensão no barramento CC para possíveis configurações dos

Tabela 3.25 – Máxima potência dissipada nos semicondutores (@20kHz) ....................... 70

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS

AWG American Wire Gauge

Símbolo Unidade Descrição

ρL [−] Fator de densidade de potência dos indutores

ρ Lnovo [−] Fator de densidade de potência dos indutores normalizado

ξi [−] Fator adimensional do esforço de corrente média no semicondutor

ξˆi [−] Fator adimensional do esforço de corrente de comutação no

∆VC [V ] Ondulação de tensão no capacitor

Π *Si [−] Fator adimensional de perdas por comutação

Ξi [−] Fator adimensional de perdas por condução devido à corrente média

a [rad ] Ângulo de transição dos modos de operação do sistema com função

Ae [cm 2 ] Área da seção transversal do núcleo

Aw [cm 2 ] Área da janela do indutor

Bmax [T ] Densidade de fluxo magnético

C1− 2 [F ] Capacitores do barramento CC

C3−4 [F ] Capacitores de saída

D1− 6 [−] Diodos retificadores de alta frequência

D7−12 [−] Diodos bypass de alta frequência

D13−18 [−] Diodos de roda livre de alta frequência

D19−20 [−] Diodos de alta frequência do conversor Buck

DI (ωt ) [−] Razão cíclica no modo I de operação do retificador

DII (ωt ) [−] Razão cíclica no modo II de operação do retificador

Eoff [ µJ ] Energia perdida no desligamento do interruptor

Eon [ µJ ] Energia perdida no ligamento do interruptor

ESR [Ω] Resistência série equivalente de um capacitor

FP [−] Fator de potência

fr [Hz ] Frequência da rede elétrica

fS [Hz ] Frequência de comutação

I avg [A] Corrente média

IC [A] Corrente eficaz no capacitor

IF [A] Corrente média no semicondutor

Ii [A] Corrente eficaz de entrada

IL [A] Corrente no indutor

IˆL [A] Corrente de pico no indutor

I Lpk [A] Corrente de pico no indutor