Evolução das memórias

Evolução das memórias

Uma das partes mais importantes de um computador é a memória RAM.

Quando se executa um programa, ele é carregado na memória RAM, em conjunto
com os dados que o programa utiliza.

 Inicialmente, os computadores tinham muito pouca RAM, mas como os

programas têm sido melhorados e os periféricos necessitam de melhores
desempenhos (melhores resoluções, maior número de cores, etc.), a necessidade
de aumentar a memória RAM foi crescendo.
 O QUE É A MEMÓRIA
De forma similar a um microprocessador, um módulo de memória é um
circuito integrado, fabricado com milhões de transístores e condensadores.

Os computadores podem utilizar uma forma de memória denominada

dynamic random access memory (memória de acesso aleatório dinâmica –
seguidamente designada por DRAM).

Neste tipo de memória estão emparelhados um transístor e um

condensador para formar uma célula de memória. Esta célula de memória
representa um bit de dados.
Evolução das memórias

O condensador armazena o bit de informação, enquanto o transístor age

como um interruptor, permitindo ao circuito de controlo de memória do chip
ler esse estado ou transformá-lo.
 Um condensador é como um pequeno poço de dados que armazena eletrões.

Para armazenar um 1 deve estar cheio de eletrões, para armazenar um zero,

deve estar vazio.

O problema é que um condensador é como um poço, mas com um furo no

fundo, quer dizer tem uma fuga contínua de eletrões, pelo qual o condensador faz as
descargas, com o tempo, seguindo também essa direção. Em milissegundos, um
condensador cheio fica vazio. Por esse motivo, o controlador de memória tem que
recarregar, de uma forma contínua, todos os condensadores, antes que se
descarreguem.

Para realizar esta tarefa, o controlador de memória lê todas as células de

memória e depois reescreve-as com os mesmos valores que tinham. Chama-se a esta
operação “atualizar” a memória e realiza-se mil vezes por segundo.
Funcionamento da memória
 Funcionamento da memória
As células de memória gravam-se numa placa de silício, em forma de
matriz, com colunas e filas. As colunas denominam-se bitlines e as filas wordlines.
A interseção de uma bitline e de uma wordline forma um endereço de
memória. A carga envia-se através da coluna para ativar os transístores de
cada bit da coluna.

Quando se escreve nas células, as filas armazenam o estado do

condensador. Se a carga for superior a 50% lê-se um 1, se for menor lê-se um 0.
O tempo necessário para realizar esta operação expressa-se em
nanossegundos.
Funcionamento da memória

Contudo as células, por si só, não poderiam realizar uma

operação. Para isso necessitam de alguns circuitos especializados em
tarefas como:

 Identificar cada fila e cada coluna;

 Manter a ordem da sequência de atualização;

 Ler e restaurar o sinal de uma célula;

 Dizer a uma célula quando pode ter carga ou não.

 Outras funções do controlador de memória incluem tarefas como identificar o

tipo, velocidade e quantidade de memória e a verificação de erros. A memória

estática utiliza uma tecnologia completamente diferente. Em vez de condensadores e,
para evitar o problema da atualização, esta memória utiliza um elemento conhecido
como flip-flop. Um flip-flop de uma célula de memória utiliza 4 ou 6 transístores
cablados.

Uma célula de memória estática ocupa mais espaço que uma célula dinâmica

porque tem mais componentes. Isto leva-nos à seguinte conclusão: num mesmo

chip cabem menos células estáticas que dinâmicas. Esta questão refere-se

ao facto de a memória estática ser muito mais cara que a dinâmica.

A estática utiliza-se em cache e sobretudo em memórias de pequena dimensão.

 Memórias SIMM
São as SIMM próprias das primeiras placas com micros de
32 bits (386 e 486).

Suponhamos que uma destas placas suporta 8 bits

de dados e possui 30 pinos, necessitaremos de 4 SIMM de
30 pinos para conseguir os 32 bits. Necessitaremos de 4
SIMM de 30 pinos para conseguir os 32 bits.
Habitualmente, estas placas têm 8 conexões
divididas em duas áreas de 4 conexões cada uma.

O microprocessador só pode direcionar uma das duas

áreas em cada momento.
 SIMM DE 30 PINOS

Em alguns computadores, o facto de se misturar SIMM de diferentes capacidades

na mesma área pode produzir efeitos, como uma má deteção da quantidade

de memória do sistema ou fazem com que o computador não arranque.

 SIMM de 72 pinos

Os SIMM de 72 pinos desenvolveram-se para satisfazer as necessidades cada

vez maiores de expansão da memória. Um SIMM de 72 pinos suporta 32 bits de

dados, o que quer dizer que é 4 vezes o número de bits de dados suportados

pelas SIMM de 30 pinos.

Nas placas com micros de 32 bits (Intel 386 e 486) é apenas necessário uma
SIMM de 72 pinos por área, para proporcionar ao microprocessador os 32 bits de
dados.
SIMM DE 72 PINOS

 Os microprocessadores Pentium, com 64 bits para comunicações

externas

(ainda que internamente tenham microprocessadores de 32 bits),

necessitam de utilizar grupos de 2 SIMM para proporcionar os 64 bits
necessários.
 As placas PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association),

do tamanho de um cartão de crédito, um pouco mais espessas, são desenhadas

para serem utilizadas em computadores portáteis, sendo o seu uso ideal em

computadores que se encontram em espaços limitados.

Estas placas PCMCIA utilizam-se, entre outras coisas, para expandir a memória

neste tipo de computadores. Existem outros tipos de placas PCMCIA para portáteis,

não necessariamente de memória, tais como as placas modem-fax ou as

placas de Ethernet.
 MÓDULOS DIMM
Os módulos DIMM (Dual In-Line Memory Module) são similares aos SIMM, ainda

que tenham diferenças notórias.

Como as SIMM, as DIMM instalam-se verticalmente nas ranhuras de memória

da placa principal.
 SMALL OUTLINE DIMM (SO-DIMM)

Outro tipo de memória habitualmente utilizada em computadores portáteis é a

chamada SO-DIMM. Uma SO-DIMM é muito parecida com a SIMM de 72 pinos,

mas tem um tamanho reduzido e uma série de diferenças técnicas.
 RIMM (RAMBUS INLINE MEMORY
MODULE)
Têm um barramento a 16 bits, com uma velocidade de relógio muito grande.
Usam uma voltagem de 2,5 Volt, internamente reduzidos a 0,5 Volt. Isto reduz
muitíssimo a temperatura.

O seu chip interno de controlo que monitoriza a temperatura e reduz a velocidade

da mesma, no caso de sobreaquecimento, é a sua grande mais-valia.

Este chip pode ainda desligar as secções da memória que não estão a ser usadas.

Para usar RIMM’s temos de ocupar todos os slots da board. Os RIMM’s trabalham

aos pares.
 DDR, DDR2, DDR3 E DDR4 (DOUBLE DATA RATE)
As primeiras memórias DDR, duplicaram as taxas de transferência das suas
antecessoras SDRAM. Conseguiram-no trabalhando sincronizadas com o clock do
computador.

Uma das características mais interessantes das DDR é o DUAL DDR, que consiste

na capacidade que estas memórias têm de usar dois módulos idênticos, em que estes
trabalhem como se se tratassem de apenas um, com a capacidade da soma das
capacidades de ambos. Para usar Dual DDR, a motherboard tem de possuir esta
capacidade.
DDR, DDR2, DDR3 E DDR4 (DOUBLE DATA RATE)
As DDR2 aumentaram as velocidades em relação às DDR diminuindo os
consumos

de energia para 1,8 Volt. Os módulos DD2 possuem 240 contactos.

A duração dos impulsos de clock foi reduzida a um terço entre as DDR266 e

as DDR2-800, isto é bem demonstrativo da evolução de DDR para DDR2. Já a
terceira geração de DDR, eleva a largura de banda, reduz o consumo em 40%
e funciona a uma tensão de 1,5 Volt, reduzindo assim, o consumo de potência
e a criação de calor, aumentando o desempenho.

Outra vantagem, em relação às gerações anteriores, é o seu bus de 8 bits,

contrastando com os 4 bits (DDR2) e 2 bits (DDR).
 O CONTROLADOR DE MEMÓRIA

Também conhecido por MMU (Memory Manager Unit, unidade de gestão

de memória), é um componente essencial em qualquer computador.

É simplesmente um chip (atualmente pode estar integrado como parte

de outro chip oudo microprocessador) cuja função consiste em controlar o
intercâmbio de dados entre o microprocessador e a memória. O controlador
de memória determina o funcionamento do controlo de erros, se existirem.
 VOLTAGEM
Os termos composto e não composto referem-se ao número de chips
usados num determinado módulo de memória.

Um módulo não composto é o que utiliza poucos chips. Estes chips

devem ter uma grande densidade de integração. Isto é possível integrando
uma maior quantidade de memória no mesmo módulo, o quando antes.

Com os módulos compostos, seria necessário um maior número de chips

para conseguir a mesma quantidade de memória.
 DIFERENTES TIPOS DE MEMÓRIA RAM
DRAM Dynamic RAM, ou simplesmente RAM, pois é “a original" e também a mais lenta.
Dinâmica significa que, num determinado intervalo de tempo, terá que ser feita a atualização
das células de memória, porque senão for deste modo perde-seinformação que contém ou
podem ocorrer más interpretações do conteúdo damemória.

Usada até à altura do 386, a sua velocidade de atualização habitual é de 80 ou 70

nanossegundos (ns), tempo que demora a esvaziar-se para poder dar entrada à série de
dados seguinte, por isso, a mais rápida é a de 70 ns. Fisicamente tem a forma da SIMM.
Necessita de uma atualização contínua porque mantém um dado durante muito pouco
tempo. Os chips de memória DRAM costumam estar principalmente em três formas:

DIP, SOJ e TSOP.

 FPM
Fast Page Mode, Página de Modo Rápido: atualmente já não se fabrica e
podemos encontrá-la apenas nos computadores Pentium em segunda mão.

O tempo de acesso deste tipo de memória é de 70 nanossegundos, por isso

se começou a chamar RAM normal ou padrão. Usada com os primeiros Pentium,
fisicamente aparece com 30 ou 72 pinos (os de 72 nos Pentium e em alguns 486).
 EDO
Extended Data Output, Saída de Dados Alargada: é um padrão de memórias.

Esta memória permite que haja uma nova leitura, antes que a anterior se complete,
e o seu tempo de acesso é entre 40 e 60 nanossegundos. É claro que quanto mais
conhecida for a marca da memória, mais rápida ela será.

Enquanto a memória tipo FPM só podia aceder a um único byte (uma instrução ou
valor) de informação de cada vez, a memória EDO permite mover um bloco completo
de memória, na cache interna do processador, para um acesso mais rápido por parte
deste.
 SDRAM
Synchronous DRAM: é um tipo síncrono de memória que, logicamente, se sincroniza
com o processador, ou seja, o processador pode conter informação em cada ciclo de
relógio, sem estados de espera, como no caso das memórias anteriores.

A memória EDO foi criada para funcionar a uma velocidade máxima de BUS de 66
MHz (a máxima velocidade de bus do processador da Intel e o dobro da velocidade da
BUS PCI), chegando a alcançar 75MHz e 83 MHz (necessárias para alguns processadores
da CYRIX, ou para fazer OVERCLOCKING!) nos módulos de 45 e 50 ns, embora seja algo
instável. Contudo, a memória SDRAM pode aceitar velocidades de bus até 100 MHz,
chegando a alcançar velocidades de 10 ns. Apresenta-se em módulos DIMM de 168
pinos (64 bits).
SDRAM
 PC-100 DRAM
Este tipo de memória, em princípio com tecnologia SDRAM, embora também
exista com EDO, cumpre as especificações estabelecidas pela INTEL para o
funcionamento correto e estável da memória RAM, com o novo bus de 100MHz
implementado no seu chipset 440BX.

A especificação deste tipo de memória baseia-se sobretudo na utilização não só

de chips de memória de alta qualidade, mas também em circuitos impressos de alta
qualidade de 6 ou 8 camadas, ao contrário das habituais 4; relativamente ao circuito
impresso, este deve cumprir as tolerâncias mínimas de interferência elétrica;
PC-100 DRAM
 RDRAM
Rambus DRAM - DRAM de alta velocidade para a utilização da tecnologia Rambus.

As RDRAM contêm uma memória estática interna que integra a fila de memória lida
da última vez.

É um tipo de memória de 64 bits que pode produzir impulsos de 2 ns e pode alcançar

taxas de transferência de 533 MHz, com picos de 1,6 GB/s
 SRAM

Static Random Access Memory, memória estática de acesso aleatório. Por se

chamar estática não significa que se trata de memória somente de leitura, mas que
não é necessária a atualização dinâmica das células de memória, que podem ser
modificadas em qualquer momento.

Com as SRAM pode aceder-se à informação de uma forma mais rápida que com
as DRAM. Os tempos de acesso andam à volta de 10 ns. Trata-se de uma memória
muito cara e por isso pouco utilizada.
SRAM
 DDR SDRAM

Double Data Rate SDRAM ou SDRAM-II: funcionará a velocidades de 83, 100 e 125 MHz,
podendo duplicar estas velocidades na transferência de dados para a memória. No futuro,
esta velocidade pode inclusive chegar a triplicar ou a quadruplicar, adaptando-se assim
aos novos processadores e à bus AGP 100Mhz x2 e x4.

Estes tipos de memória têm a vantagem de ser uma extensão da memória SDRAM,
facilitando a sua implementação pela maioria dos fabricantes, mesmo que não disponham
do apoio da INTEL e, além disso, por ser uma arquitetura aberta, não teriam que pagar
direitos à Intel nem a outro fabricante.
DDR SDRAM
 SLDRAM

Funcionará a velocidades de 400MHz, alcançando em modo duplicado 800MHz, com

transferências de 800MB/s, chegando a alcançar 1,6GHz, 3,2GHz no modo de
duplicação e até 4GB/s de transferência.

Acredita-se que pode ser a memória a utilizar nos grandes servidores, pela sua
grande capacidade de transferência de dados.
 MEMÓRIA ROM
Programmable Read Only Memory, Memória programável - este
tipo de memória é somente de leitura e programável. Pode
programar-se apenas uma vez e o seu conteúdo não pode ser
alterado.
 EEPROM
Electrically Erasable Programmable Read Only Memory - apaga-se e pode
reprogramar- se através de uma carga elétrica, mas só se pode alterar um byte
de informação de cada vez.
 FLASH MEMORY

É um tipo de EEPROM que se pode reprogramar em blocos. Usa-se na BIOS

dos equipamentos e por isso é chamado de FLASH BIOS. A FLASH BIOS permite
atualizar e modernizar os parâmetros da CMOS através de drivers fornecidas
pelo fabricante.

A diferença das EPROM é poderem atualizar-se sem dispositivos adicionais.

RESUMO

A memória RAM é aquela em que a informação pode ser lida e modificada

tantas vezes quantas se desejar. Apaga-se quando se desliga o
computador.
A memória ROM é aquela em que a informação que contém não pode
ser modificada, só pode ser lida. Não se apaga quando se desliga o
computador.
 RESUMO
Tipos de memórias RAM:

DRAM: memória dinâmica e modificável. 80 ou 70 nanossegundos.

PM: página de modo rápido. 70 nanossegundos.

EDO: saída de dados alargada. 40 e 60 nanossegundos.

SDRAM: memória dinâmica de acesso aleatório sincronizado. 10, 45 e 50

nanossegundos.

PC-100 DRAM: memória para funcionar com o bus de 100 MHz.

PC-133 DRAM: memória para funcionar com o bus de 133 MHz.

 RESUMO
BEDO: memória de acesso aleatório com saída de dados alargada

e acesso Burst.

RDRAM: memória dinâmica de acesso aleatório para tecnologia Rambus.

SRAM: memória estática de acesso aleatório. 10 ns.

DDR SDRAM: SDRAM-II: é uma extensão da memória SDRAM.

SLDRAM: memória para grandes servidores.

ESDRAM: tipo de memória apoiado por ALPHA.

 RESUMO
Tipos de memórias ROM:

PROM: memória programável apenas de leitura.

EPROM: memória programável apenas de leitura e possível de apagar.

EEPROM: memória programável apenas de leitura e possível de apagar

eletricamente.

FLASH MEMORY: em muitas placas-mãe, a BIOS do PC é guardada nesta

memória.