Scribd Logo
Încărcați

Bine ați venit la Scribd!

  • 28 vizualizări

    Lucrare de Laborator Nume Student: Vicol Andrei-Vlad Grupa: Fizica Medicala F22B Titlul Lucrarii: Studiul Tranzistorului Cu Effect de Camp

    Încărcat de

    Anda Oajdea
    DFGBJRDA34

    Drepturi de autor:

    © All Rights Reserved
    Descărcați ca DOCX, PDF, TXT sau citiți online pe Scribd

    Lucrare de Laborator Nume Student: Vicol Andrei-Vlad Grupa: Fizica Medicala F22B Titlul Lucrarii: Studiul Tranzistorului Cu Effect de Camp

    Încărcat de

    Anda Oajdea
    28 vizualizări4 pagini
    DFGBJRDA34

    Titlu original

    3456567

    Drepturi de autor

    © © All Rights Reserved

    Formate disponibile

    DOCX, PDF, TXT sau citiți online pe Scribd

    Vi se pare util acest document?

    Este necorespunzător acest conținut?

    DFGBJRDA34

    Drepturi de autor:

    © All Rights Reserved
    Descărcați ca DOCX, PDF, TXT sau citiți online pe Scribd
    Descărcați ca docx, pdf sau txt
    28 vizualizări4 pagini

    Lucrare de Laborator Nume Student: Vicol Andrei-Vlad Grupa: Fizica Medicala F22B Titlul Lucrarii: Studiul Tranzistorului Cu Effect de Camp

    Încărcat de

    Anda Oajdea
    DFGBJRDA34

    Drepturi de autor:

    © All Rights Reserved
    Descărcați ca DOCX, PDF, TXT sau citiți online pe Scribd
    Descărcați ca docx, pdf sau txt
    din 4

    Lucrare de laborator

    Nume student: Vicol Andrei- Vlad


    Grupa: Fizica medicala F22B
    Titlul lucrarii: Studiul tranzistorului cu effect de camp
    (TEC). Caracteristici statistice. Parametri.

    Scopul lucrarii:
    - Analiza pe cale experimentala a caracteristicilor tranzistorului TECJ cu canal n.
    1. Rezumatul lucrarii:
    Tranzistorul cu effect de camp cu poarta de jonctiune (TECJ)
    TECJ reprezinta un dispozitiv electronic unipolar. Este format dintr-un cristal semiconductor în
    care se realizează un canal conductor prevăzut la capete cu contacte pentru aplicarea tensiunii de
    alimentare şi un electrod de comandă a curentului din canal.
    Componentele TECJ sunt:
    Sursă (S) - electrodul prin care purtătorii pătrund în canal,
    Drenă (D)– electrodul prin care purtătorii sunt evacuaţi din canal.
    Poarta (grila) (G) – electrodul cu ajutorul caruia are loc schimbarea conductantei canalului
    purtatorilor de sarcina (confectionat din material semiconductor n sau p), aplicand o tensiune
    acestuia.

    La tranzistorul TECJ
    secţiunea efectivă a
    canalului este modificată
    prin comanda lărgimii
    regiunii de trecere a unei
    joncţiuni pn.
    Caracteristici statice ale TECJ:
    Caracteristica de iesire (de drena)
    În cazul tensiunilor de drenă mici, între ID şi VD există o relaţie
    liniară, caracteristicile ce trec prin origine sunt drepte şi au
    panta dependentă de tensiunea aplicată pe poartă.
    Cu creşterea tensiunii pozitive pe drenă , după atingerea unei
    anumite valori VDS curentul se saturează, caracteristicile fiind
    drepte, paralele cu abscisa.

    Caracteristici de transfer
    Cand ID este slab influentat de VD, se poate trage aceasta familie de
    caracteristici pentru regimul de saturatie. In cazul tensiunilor de
    grila mici, caracteristica de transfer, poate fi considerate liniara.

    2. Modalitate de lucru:
    1. Se realizeaza urmatorul montaj:

    2. Pentru a studia caracteristica de iesire, vom mentine sursa de tensiune VGS la o valoare
    constanta si vom creste tensiunea pe VDS.
    3.Vom inregistra valorile VDS si ID (masurat de miliAmpermetru) intr-un table cu date
    experimentale, dupa care vom crea graficul folosind un program de procesare al datelor
    (OriginLab).
    4. Pentru a studia caracteristica de transfer, vom mentine sursa de tensiune VDS la o valoare
    constanta. Aplicand o tensiune pe VGS (aprox 3.25 V) intrerupe astfel circuitul. Micsoram
    valoarea tensiunii VGS.
    5 Vom inregistra valorile VGS si ID intr-un table cu date experimentale, dupa care putem crea
    graficul folosind un program de procesare al datelor (OriginLab).

    3. Tabel cu date experimentale:

    VGS = 1.051 V VDS = 3 V


    Nr. VDS ID Nr. VGS ID
    Det. V(Volt) mA(miliAmper) Det. V(Volt) mA(miliAmper)
    1. 0.10 0.43 1. 3.24 0.00
    2. 0.19 0.80 2. 2.87 0.23
    3. 0.30 1.20 3. 2.75 0.39
    4. 0.41 1.60 4. 2.62 0.60
    5. 0.52 2.00 5. 2.50 0.82
    6. 0.65 2.40 6. 2.42 1.00
    7. 0.79 2.81 7. 2.20 1.49
    8. 0.95 3.20 8. 2.00 2.02
    9. 1.13 3.60 9. 1.83 2.50
    10. 1.36 4.00 10. 1.66 3.00
    11. 1.67 4.40 11. 1.50 3.53
    12. 2.18 4.80 12. 1.36 4.01
    13. 3.50 5.20 13. 1.07 2.01
    14. 5.92 5.39 14. 0.80 6.03
    15. 0.54 7.09
    VGS = 1.500 V 16. 0.31 8.04
    Nr. VDS ID 17. 0.08 9.03
    Det. V(Volt) mA(miliAmper) 18. 0.00 9.36
    1. 0.06 0.21
    2. 0.12 0.39
    3. 0.18 0.61
    4. 0.25 0.81
    5. 0.31 1.00
    6. 0.50 1.50
    7. 0.72 2.00
    8. 1.01 2.52
    9. 1.44 2.52
    10. 2.76 3.50
    11. 4.00 3.64
    12. 6.03 3.74
    13. 8.00 3.80
    VDS = 3 V
    Nr. VGS ID
    Det. V(Volt) mA(miliAmper)
    1. 3.26 0.00
    2. 2.88 0.20
    3. 2.73 0.40
    4. 2.60 0.60
    5. 2.49 0.81
    6. 2.39 1.00
    7. 2.17 1.50
    8. 1.97 2.00
    9. 1.77 2.52
    10. 1.60 3.00
    11. 1.43 3.52
    12. 1.27 4.01
    13. 0.95 5.01
    14. 0.64 6.00
    15. 0.34 7.04
    16. 0.06 7.97

    4. Grafice:

    S-ar putea să vă placă și