28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.

ro

  30 MINUTE INSTRUCTOR
BESTCOR

TEHNOLOGIA OBTINERII
DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE ACTIVE

1. Procese tehnologice

Procesele tehnologice reprezinta partea cea mai importanta a proceselor de fabricatie si

cuprinde etape succesive prin care se realizeaza modificarea formei, a dimensiunilor, a calitatii
suprafetei pieselor, a proprietatilor materialelor, precum si controlul tehnic mecanic si electric,
care sa ateste modificarile impuse in limitele de precizie stabilite prin documentatia
produsului. Obtinerea ansamblului final se realizeaza prin operatii de fixare a pieselor
individuale in grupe si subansambluri si apoi a acestora in produsul respectiv.

In functie de complexitatea si de speificul acestora, procesele tehnologice se pot clasifica in:

-procese de elaborare, pentru obtinerea de metale sau aliaje industriale

-procese de confectionare, pentru obtinerea de semifabricate sau piese prin modificarea

formei si a dimensiunilor

-procese de tratament, in decursul carora se modifica proprietetile fizico-chimice ale

materialului

-procese de suprafatare, efectuate pentru modificarea proprietatilor unui strat subtire de la

f t t i l il i
https://elearning.bestcor.ro/course-status/#
t i d d ti 1/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
suprafata materialuilui sau pentru acoperirea de productie

-procese de asamblare

Fiecare proces include in desfasurarea sa si operatii de control. Metoda tehnologica constituie

un mod sistematic si unitar de executare a operatiilor unui proces tehnologic, comun dintr-un
punct de vedere esential pentru mai multe clase de procedee tehnologice. Operatia
tehnologica este o activitate in cadrul procesului tehnologic, ordonata si limitata in timp,
efectuata fara intrerupere la un singur loc de munca, de un operator uman sau automat sau de
o echipa de lucru asupra unor obiecte supuse prelucrarii. Tehnologia, ca disciplina, se ocupa cu
studiul proceselor, metodelor si procedeelor de prelucrare a materialelor, in vederea fabricarii
unor produse in conformitate cu cerintele de proiectare. Tehnologia este strans legata de
activitatea productiva, dar si de discipline teoretice, deoarece procesele de prelucare a
matarialelor se bazeaza pe aplicarea practica a legilor fizicii, chimiei, mecanicii.

Realizarea produselor electrotehnice intr-o construtie tehnologica prezinta o deosebita

importanta, avand in vedere avantajele evidente: partile componente sunt executate cu
precizia necesara (nici scazuta, dar nici nejustificat de mare ), forma pieselor si calitatea
materialelor sunt astfel alese incat costurile sunt minime si garadul de utilizare al materialelor
este ridicat, operatiile carateristice proceselor tehnologice sunt cele mai productive si este
asigurata prelucrarea si verificarea usoara pe parcursul executarii produsului, fluxul de
circulatie a pieselor pe parcursul fabricatiei este judicios stabilit, piesele componente se
incadreaza in parametrii normalitatii si standardizarii, iar produsul obtinut reprezinta variatia
cea mai simpla posibila, care raspunde performantelor solicitate. O constructie tehnologica
corespunde cel mai bine conditiilor de exploatare, in comparatie cu alte constructii posibile.

  2. Pregatirea proceselor tehnologice

Pentru pregatirea unui proces tehnologic se va tine seama de starea utilajului disponibil pentru
executie, de conditiile de munca, de volumul productiei si de calificarea personalului care va fi
implicat in procesul de productie.

Documentul de baza pentru elaborarea unui proces tehnologic il constituie proiectul de

executie al produsului. Acest proiect cuprinde in linii mari: borderoul general de documentatie,
borderoul de desene, nomenclatorul de piese, desenul de ansamblu, desenele pentru
subansambluri, desene de detalii pentru fiecare piesa componenta, memoriu justificativ de
calcule, memoriu tehnic, documentatie tehnologica, caietul de sarcini.

Pentru productia de unicate, intocmirea proiectului de executie nu se executa foarte

amanuntit, pentru a nu se ridica in mod justificativ costul produsului. Calificarea inalta a
muncitorilor permite executarea unor operatii de mare diversitate cu mijloace de executie si de
control universale. Cel mai adesea, organizarea procesului tehnologic se face pe ateliere.

Pentru productia de serie, procesul tehnologic se detaliaza pe operatii sau pe fractiuni ale
t (f t i
https://elearning.bestcor.ro/course-status/#
i i) i tili i i i li t i SDV i i l 2/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
acestora (faze, treceri, manuiri ) si se utilizeaza masini speializate, precum si SDV-uri speciale.

Pentru productia de serie foarte mare, proiectarea procesului tehnologic se va face in cele mai
mari detalii. Se folosesc utilaje de mare capacitate, dar riguros specializate. Calificarea
personalului de intretinere a acestor utilaje trebuie sa fie foarte inalta. Cheltuielile pe unitatea
de produs, in cazul productiei de serie foarte mare (de masa), sunt cele mai mici.

Documentatia tehnologica din proiectul de executie reprezinta de fapt, materializarea

conceptiei generale despre procesul de realizare a produsului respectiv. Ea va cuprinde
obligatoriu fise cu planuri de operatii si un nomenclator de piese care este util pentru stabilirea
necesarului de materiale si pentru urmarirea operatiilor de asamblare. Formularele utilizate de
producatori nu sunt uniforme, dar continutul lor este foarte asemanator.

Pentru a alege varianta optima pentru un proces tehnologic, documentatia se coreleaza cu

toate datele de proiectare.

Planul de operatii se refera la o singura piesa si reprezinta succesiunea de executie a operatiilor

in procesul tehnologic caracteristic piesei respective.

Din planul de operatii trebuie sa reiasa cu claritate: denumirea produsului, a ansamblului si a

subansamblului din care face parte piesa, sectia si atelierul unde se va executa piesa, numarul
de piese care se executa intr-o unitate de timp (adenta orara ), modul de obtinere a
materialului semifabricat, forma si dimensiunile acestuia, succesiunea operatiilor de prelucrare
defalcate pe faze, manuiri, descrise si calificate, schita piesei cu tolerantele de prelucrare si
rugozitatea suprafetelor prelucrate, modul de prindere a piesei, marimea adaosului de
prelucrare, elementele de reglare a utilajului folosit, timpii normali pentru fiecare operatie,
SDV-urile folosite, lichidul de racire-daca este cazul instructiuni de protectie a muncii.

In paralel cu lantul de operatii se elaboreaza si documentatia de control pentru asigurarea

punerii in uz a unor piese corespunzatoare cerintelor de calitate.

3. Structura semiconductoarelor

Asemanarea fundamentala intre cele trei categorii enuntate consta in faptul ca toate au
structura interioara bazata pe atomi, construiti la randul lor din nucleu si electroni. In nucleu
este concentrata practic masa intregului atom si este incarcata pozitiv, electronii se graviteaza
in jurul nucleului avand o sarcina negativa care compenseaza ca valoare, incarcarea pozitiva a
nucleului, atomul aparand astfel ca neutru din punct de vedere electric. Conform principiilor
stabile in fizica atomica, electronii pot ocupa numai orbite caracterizate prin distante bine
definite fata de nucleu, energia pe care o poseda depinzand de aceste pozitii. Deoarece acesti
electroni periferici dau valenta elementului, ei se numesc electroni de valenta. Totalitatea
valorilor energetice, ce caracterizeaza eletronii din structura unui element, constituie banda sa
energetia de valenta. Sub influienta unui camp electric exterior care ii dirijeaza, ei formeaza
curentul electric. Deoarece prin ei se asigura conductibilitatea elementului in conditia in care ei
ocupa o anumita energie, banda energetica care ii caraterizeaza se numeste banda de
conductie.
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 3/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro

Faptul ca orice materie poate deveni conductor, in anumite conditii, si ca aceasta se asigura
prin trecerea unui electron din banda de valenta in banda de conductie, constituie principala
trasatura comuna a celor trei categorii de elemente.

Deosebirile intervin la stabilirea conditiilor mentionate, mai precis in gasirea energiei minime
necesare trecerii electronilor dintr-o banda in alta. In adevar, se constata ca daca la metale
aceasta are o valoare extrem de mica, la semiconductoare ea trebuie sa depaseasca o valoare
minima, aproximativ de 1eV, iar la materialele izolante (de exemplu la diamant ) ordinul de
marime al acestei energii minime devenind 6-7Ev.

In cazul in care energia exterioara este sub valoarea minima caracteristica, electronii sunt
indepartati pentru un timp foarte scurt din banda de valenta dupa care revin, emitand o
radiatie corespunzatoare energiei primite.

   4.Tehnologia dispozitivelor semiconductoare

Carateristicile materialelor semiconductoare.

1. rezistivitate: 10-3÷108Ω*cm;
2. aparitia fenomenului de conductie unilaterala;
3. rezistenta neliniara;
4. modifciarea rezistivitatii in functie de tensiunea aplicata, iluminare sau temperatura;
Tipuri caracteristie de materiale semicondutoare:
1. semiconductoarele monoatomice (Ge; Si; Se; C; B; Te; As; An; P): au o structura cristalina ale
carei legi covalente pun in comun perechi de electroni;
2. semicondutoarele cu structura ionica (saruri): structuta se datoreaza legii ionice ce se
stabileste intre doi atomi cu electronegativitati diferite;
3. semiconductoarele din combinatii chimice: acizi (oxidul cupros); carbuni, nituri, amestecuri
de oxizi (magnetita), sulfuri (celule fotovoltaice);
4. semiconductoare din combinatii intermetalice intre elemente de grupa trei si elemente din
grupa cinci (bor, aluminiu);
Structura cristalina a materialelor semiconductoare

-cristalul are o structura atomica cu o periodicitate spatiala si benzi energetice

Impurificarea materialelor semiconductoare

In functie de continutul de atomi straini exista semiconductoare:

-intrinsec (pur)-au inalt grad de impurificare:Ge; Si; Ga; As;

-extrinsec-impurifiat prin dopare:

a) extrinsec de tip ‘’n’’=un semicondutor intrinse din grupa IV, impurifiat cu atomi pentavalenti
din grupa V : fosfor, arseniu. Un electrod pentavalent va ramane litiu dupa valizarea celor patru
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 4/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
legaturi covalente astfel ca purtatorii majoritari de sarcina sunt e– iar minoritari sunt golurile.

b) extrinsec de tip ‘’p’’=un semiconductor intrinsec din grupa IV impurificat cu e– trivalenti (bor,
galiu, aluminiu). Atomii de impurificare dau nastere la goluri mobile (acceptori) care capteaza
e–. Astfel ca purtatorii majoritari de sarcina sunt golurile, iar minoritarii sunt e–.

Tehnologia de impurifiare

O tehnologie des utilizata este difuzia planara sau difuzia prin suprafete a impuritatilor: strat de
impuritati, danoare depuse la suprafata, semiconductor initial de tip ‘’p’’ (acceptor). In anumite
conditii de temperatura atomii de impuritati patrund in radacina semiconductorului.
Semiconductorul initial de tip ‘’p’’ care are concentratie acceptoare uniforma este introdus intr-
un gaz cu impuritati donoare care va duce la stabilirea la suprafata semiconductorului (x=0) a
unuei concentratii de impuritati donoare. La cresterea temperaturii impuritatile difuzeaza in
semicondcutorul initial, adancimea de difuzie depinzand de marimea temperaturii si de timpul
de mentinere a ei. In acest mod se realizeaza o jonctiune p-n, iar prin difuzii succesive se pot
obtine structuri pnp sau npn.

Obtinerea semiconductorului cristalin

Pentru producerea oricarui dispozitiv semiconductor se pleaca de la semicondutorul

monocristalin (monocristal). Monocristalul este un cristal cu o structura perfecta foarte
apropiata de cea teoretica, avand foarte putine defecte de structura si o cantitate infima de
impuritati. Monocristalul se obtine plecand de la siliciu purificat prin metode chimice, in care
este topit dupa care se extrage din topitura, faza cristalizata pentru a se indeparta impuritatile.

Metoda cristalizarii dirijate:

Etape:

obtinerea germenului monocristalin sau formarea lui, care au loc separat dintr-un
monocristal Un acelasi material ca si topitura, avand forma unei bare. Germenele contine
impuritati in cantitati de cateva procente la milion, dar care poate schimba semnificativ
carateristicile cristalului;
cresterea monocristalului materialul semiconductor se pune intr-un crenzet de cuart care se
introduce intr-un cuptor de inalta rezistivitate. Dupa aceea materialul este topit la o anumita
temperatura ridicata, dupa care temperatura topirii este adusa foarte aproape de cea a
cristalizarii. Se ridica putin temperatura introducandu-se germenele de cristal preincalzit
care va constitui singurul centru de cristalizare sau crestere

Obtinerea semiconductorului placheta

Etape:

taierea monocristalului in discuri subtiri, cu grosimi de 600÷700 microni, cu ajutorul

discurilor, care dau neuniformitati ale suprafetei, sau prin eroziune, cu fasciculi de e– sau cu
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 5/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro

laser;
slefuirea pentru obtinerea unei suprafete netede prin inlaturarea stratului cu defecte
datorate prelucrarilor macanice si pentru obtinerea unui paralelism perfect al suprafetelor.
Slefuirea cu particule abrazive se efectueaza progresiv cu particule de 25; 15; 5; 1; micron
ruperea rezistivitatii a discului in urma zgarierii cu diamant sau a taierii cu fascicul de laser
pentru obtinerea pachetelor semiconductoare.
Masurarea rezistivitatii si a proprietatilor mecanice ale plachetei.

Tehnici de obtinere a jonctiunilor p-n

Prin cresterea directa a monocristalului odata cu doparea lui cu impuritati acceptoare sau
donoare. Germenele monocristalin prins cu o tija se introduce intr-o baie de semiconductor
topit si se ridica lent astfel ca in jurul lui creste monocristalul. Se obtine o trecere treptata de
la un tip de regiune’’p’’ (Ge) la o regiune ‘’n’’.
Prin aliere pe o placuta din Ge sau Si se aplica placa de metal, fie din Id pentru Ge, fie din Al
pentru Si. Ansamblul se incalzeste pana cand peclele de metal se topesc. Urmeaza racirea
astfel ca Ge (sau Si) recristalizeaza in forma initiala obtinandu-se jonctiunea monocristalina
de tip abrupt.
Prin crestere epitoxida –  cresterea epitoxida se realizeaza prin depunere direct inca din faza
gazoasa pe un suport monocristalin de aceeasi natura sau de natura diferita a unor straturi
monocristaline impurificate in mod convenabil. Se obtine o structura cristalina a retelei cu o
continuare exacta a structurii substratului.
Prin dixferie difuzia implica un strat al atomilor unui corp dintr-un volum in care se gasesc in
cantitate mare in alt volum aflat in cantitate mai mica tinzand spre egalizarea cantitatii.

Acest chip are dimensiuni de 0,5mm * 0,5m * 0,1mm. Placuta semiconductoare se acopera cu
un strat electroizolant de SiO2 pentru a impiedica difuzia necontrolabila a impuritatilor.
Structura cu trei regiuni si doua jonctiuni se bazeaza pe formarea stratului de SiO2 Prin
mascare dupa fiecare difuzie. Formarea ferestrelor pentru difuzia impuritatilor in stratul izolant
de oxid se face prin metode fotografice:

se aplica un strat de fotorezistente pe suprafata semiconductorului;

dupa uscarea fotorezistului, acesta se expune la lumina ultravioleta printr-o masa fotografica
care permite trecerea luminii numai in zonele in care acidul trebuie uscat.
Se fixeaza fotorezistul si se spala pelicula neexpusa de fotorezistentei prin conodare in HCl;
Indepartarea fotorezistului cu un solvent organic, obtinandu-se in final, stratul cu ferestrele
in care se face difuzia cu impuritati.

Tehnologia diodelor, tranzistoarelor si a circuitelor integrate

Dioda semiconductoare are o singura jonctiune p-n fabricata prin difuzie si care este protejata
de o capsula din sticla, metal sau mase plastice. Tipuri de diode:

cu contact punctiform realizat intr un cristal si un fir metalic se foloseste pentru tensiuni
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 6/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
-cu contact punctiform realizat intr-un cristal si un fir metalic, se foloseste pentru tensiuni
inverse mari (ZENER) si pentru rezistivitati inalte;

-cu contact de suprafata sau jonctiune la care capsula asigura contactul cu regiunea ‘’n’’ sau
‘’p’’, se foloseste curenti si tensiune de lucru mari.

Tranzistoarele pot fi asimilate unei triode cu cristal de Ge sau Si, protejata de capsula metalica
sau din mase plastice. Tipuri de tranzistoare:-cu contact punctiform si cu jonctiune.
Tranzistoarele cu jonctiuni se realizeaza prin difuzii succesive efectuate in ferestre practicate in
placutie.

Tehnologia difuziei planare permite fabricarea diodelor, tranzistoarelor, condensatoarelor si

rezistentelor pe placute de Si, initial omogene. Aceste componente se produc simultan,
folosind o singura sucesiune de procedee de fabricatie. Se realizeaza astfel montaje cu mai
multe elemente pe o singura placuta numite circuite integrate monolitice.

5. Electronii liberi si goluri

Daca la metale electronii de valenta pot parasi relativ atomul, datorita fortelor de atractie slabe
exercitate de nucleu, in cazul semiconductoarelor stabilitatea acestor electroni este mult mai
mare datorita legaturilor de valenta graviteaza nu numai in jurul propriilor lor nuclee, ca in
cazul metalelor, ci si in jurul nucleului vecin, forta de atractie exercita asupra eletronilor
periferici fiind astfel mult mai mare.

Acest tip de legaturi genereaza o alta deosebire fundamentala constand in urmatoarele: daca
intr-un astfel de semiconductoare se smulge un electron, trecandu-se din banda de valenta in
banda de conductie, in reteaua din care a plecat electronul ramane o legatura nesatisfacuta si
spunem a s-a format un gol. Miscarea electronilor din banda de valenta pote fi descrisa de
catre miscarea, de sens opus, a golurilor. In mod conventional, se atribuie ‘’golului’’ o sarcina
pozitiva, deoarece prin plecarea electronului starea neutra a atomului s-a modificat,
predominand sarcina pozitiva a nucleului. Pentru a evita formularile: ‘’miscarea electronilor din
banda de conductie’’, respectiv ‘’miscarea eletronilor din banda de valenta’’ s-a convenit sa se
descrie deplasarea primilor ca deplasarea de electroni, iar in al doilea caz sa se foloseasca, cu
sens opus, deplasarea golurilor. Se observa ca electronii ce trec in banda de conductie lasa in
urma lor acelasi numar de goluri. Se spune ca are loc un fenomen de generare de perechi
electroni-goluri, ce se petrece ori de cate ori, cu o energie exterioara ce depaseste valoric
energia corespunzatoare benzii interzise, se smulge un electron de valenta pentru a-l
transforma un electron liber.

Se constata ca energia termica corespunzatoare temperaturii normala a mediului ambiant este

suficienta pentru a produce un numar de perechi de electroni-goluri, cresterea ei ducand la
marimea conductibilitatii semicondutorului, spre deosebire de metale, unde marimea
temperaturii duce la micsorarea conductibilitatii electrice.

6 Semiconductoare de tip N si P
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 7/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
6. Semiconductoare de tip N si P

Deosebirea cea mai importanta intre metale si semiconductoare, pe care se bazeaza toate
aplicatiile acestora din urma, consta in faptul ca in cazul semiconductoarelor exista procedee
prin care se poate infuienta conductibilitatea lor.

Fenomenele examinate pana acum in semiconductoare s-au desfasurat in semiconductoare

pure numite semicondutoare intrinseici. Daca intr-un astfel de cristal tetravalent (Ge, Si ) se
inlocuieste, fara a modifica structura retelei, un atom semiconductor cu elemente a caror
valenta difera cu o unitate in plus (pentavalente ) sau in minus (trivalente ) atunci cristalul se
numeste impurificat sau intrinsec, substantele introduse se numesc impuritati in actiunea
efectuata, este de ‘’dopare’’ sau ‘’impurificare’’. Efectul doparii depinde de tipul substantei
introduse. Astfel, folosind atomi pentavalenti de arseniu, bismut sau fosfor. Substantele
pentavalente ‘’genereaza’’ usor electroni in banda de conductie, in numar egal cu numarul
atomilor lor. Ele poarta numele de substante donoare. Semiconductorul astfel impurificat se
numeste de tip n (negativ ). In cazul inlocuirii atomului semiconductor cu un atom de
impuritate trivalenta de tip bor, aluminiu, galiu, iridiu sau taliu cu trei electroni de valenta vor
satisface doar trei din legaturile covalente ale cristalului.

Substantele care primesc electroni invecinati poarta numele de impuritati acceptoare. La

temperatura ambianta numarul de goluri ce se formeaza este aproximativ egal cu numarul de
atomi de impuritati trivalente introduse. Semiconductorul astfel impurificat poarta numele de
semicondutor de tip p ( pozitiv )

7. Purtatori majoritari si minoritari

La temperatura ambianta, toti atomii de impuritate sunt ionizati adia au eliberat cate un
electron, respetiv un gol.Se constata insa ca in cazul unui semiconductor de tip n, pe langa
eletronii generati, aflati in numar mare, a aparut si un numar mic de goluri respectiv intr-un
semiconductor de tip p, pe langa goluri ce predomina, se mai gasesc si electroni. Purtatorii de
sarcina, al caror numar predomina, creati prin impurificare poarta numele de purtatori
majoritari (electoni- in semicondutoare n, goluri- in semiconductoare p ).

Ceilalti purtatori de tip opus, in numar mic se numesc purtatori minoritari. Ei apar prin procese
de generare de perechi electroni-goluri, sub influienta energiei termice data de temperatura
mediului ambiant si numarul lor variaza cu temperatura, constatandu-se o crestere de 6% /
grad pentru Ge si 8% / grad pentru Si. Intr-un semiconductor are lo un dublu proes continuu de
generare de perehi electroni-goluri, sub influienta temperaturii si de recombinare, adica de
disparitie a unor perechi electroni-goluri-electroni liberi completand ‘’golurile’’ din banda de
valenta. Pentru o temperatura data se stabileste un echilibru intre cele doua procese, respectiv
exista un anumit numar de perechi electroni-goluri.

Cu toate ce fenomenul este specific unui semiconductor pur, el poate fi considerat valabil si
pentru un cristal extrinse, unde concentratia caracteristica rezultata depinde de tipul
semiconductorului (n sau p ).

Deci, cum conductibilitatea unui semiconductor depinde de numarul de purtatori liberi

https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 8/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
capabili sa ia parte la conductia curentului electric, intr-un semiconductor intrinse
conductivitatea va depinde de natura sa si de temperatura, iar intr-unul extrinsec, ea va
depinde de concentratia de impuritati si va putea fi controlata cu ajutorul acestora. Un
semiconductor, in care printr-un anumit proces tehnologic numarul de impuritati de un tip
este egal cu numarul de impuritati de tip opus, se numestesemiconductor ‘’compensat’’ si se
comporta ca un semiconductor pur. Se observa, din cele expuse, ca metoda de conductibilitate
prin dopare poate asigura un control precis asupra concentratiei de purtatori existenti la un
moment dat. Din acest motiv ea este metoda folosita pentru crearea de semiconductoare de
un anumit tip.

8.  Tehnologia circuitelor integrate hibride

Spre deosebire de circuitele integrate monolitice (CIM) care folosesc un substrat

semiconductor de tip ‘’p’’ sau ‘’n’’, CIH se fabrica pe substraturi cu conductivitate electrica mica.
Procesele tehnologice pentru CIH cuprind: tehnologii de realizare a elementelor depuse.
Tehnologii de montare a elementelor atasabile si tehnologii de incapsulare.

Tehnologii de realizare a elementelor depuse

-depunerea elementelor se face in functie de grosimea straturilor:

1) straturi subtiri: gros 100A÷μm

2) straturi groase:gros ›10μm

3) straturi cu grosimi 1μ÷10μm

-aceste tehnologii presupun substratului peste care se depun straturi rezistive, conductoare
sau dielectrie.

Tehnologia straturilor subtiri: mod de utilizare:

a) materialele pentru substraturi: ceramica glazurata, sticla (cu conductivitate electrica mica,
inerte din punct de vedere chimic, au rigiditate dielectria mare)

b) materialele pentru straturi rezistive: aceste materiale sunt folosite pentru obtinerea
peliulelor rezistive care se depun prin evaporare: Ni-Cr; Cr-SiO; Cr; Ta

c) straturi conductoare-utilizate ca suprafete de contact, armaturi de condensatoare, trasee de

interonexiuni intre componente, inductante, Cu; Au; Ar; Al;- aceste materiale se depun pe un
substrat de Cr pentru o mai buna aderenta.

d) materiale pentru straturi dielectrice se utilizeaza pentru realizarea condensatoarelor

peliculare (Si; SiO2) si a invelisurilor de protectie a rezistoarelor sau campurilor active impotriva
agentilor atmosferici (SiO2, azotat de Si)

Tehnologia straturilor groase. Materiale utilizate:

a) pentru substraturi: ceramica cu 95-96%Al2O3

b) t t t i i ti
https://elearning.bestcor.ro/course-status/#
tili t i ti l t t d 700o 800o 9/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
b) pentru straturi rezistive-se utilizeaza paste rezistive la o temperatura de 700o-800o.
Compozitia unei paste pulbere metalica, oxizi metalii, pulbere de sticla, lianti organici, solventi
organii. Sunt paste din Ag sau Pt.

c) pe straturi conductoare-sunt paste cu pulberi Pb-Ag, sau Pd-Au, inglobate in rasini

epoxidioce, avand termorezistenta mare la temperaturi intre 760o-1000oC

d) straturi dielectrice formate din paste cu BaTi si BaO rezistente la temperaturi de ardere.

Procese tehnologice pentru straturi groase

a) curatirea substratului prin metode chimice

b) depunerea straturilor, uscare si arderea lor-depunerea pastelor se face prin metode

serigrafice si uscarea pastelor se efectueaza dupa 20 min de la imprimarea mastii fotosensibile
la temperatura de max 125oC timp de 10-15 min pentru indepartarea lenta a compusilor volatili
din pasta, arderea este necesara pentru indepartarea compusilor nevolatili din pasta si pentru
topirea si recristalizarea sticlei in care au fost inglobate particulele metalie ale pastei.

c) ingrosarea traseelor conductoare prin apliarea unui strat de aliaj Sn-Pb sau Sn-Pb-Ag.

d) ajustarea individuala a campului care este absolut necesara deoarece tolerantele rezistoare
sunt „›″±20y din cauza matodelor serigrafice de depunere a straturilor.

Metode:

1) ajustare termica-consta dintr-o noua ardere

2) ajustarea cu jet abraziv-conduce la contaminarea cu praf a circuitului.

3) ajustarea cu fascicol de laser

e) separarea circuitelor analog tehnologiei strat subtiri

Tehnologia de montare a elementelor atasabile

Elementele atasabile sunt acele elemente care nu se pot obtine industrial u tehnologii de
depunere pe substrat. Se pot atasa pe substrat CIH campuri active sub forma de ipuri sau
incapsulate si campuri pasive sub forma de cipuri.

https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 10/10