5 Tehnologia Obtinerii Dispozitivelor Semiconductoare Active
5 Tehnologia Obtinerii Dispozitivelor Semiconductoare Active
5 Tehnologia Obtinerii Dispozitivelor Semiconductoare Active
ro
30 MINUTE INSTRUCTOR
BESTCOR
TEHNOLOGIA OBTINERII
DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE ACTIVE
1. Procese tehnologice
-procese de asamblare
Pentru pregatirea unui proces tehnologic se va tine seama de starea utilajului disponibil pentru
executie, de conditiile de munca, de volumul productiei si de calificarea personalului care va fi
implicat in procesul de productie.
Pentru productia de serie, procesul tehnologic se detaliaza pe operatii sau pe fractiuni ale
t (f t i
https://elearning.bestcor.ro/course-status/#
i i) i tili i i i li t i SDV i i l 2/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
acestora (faze, treceri, manuiri ) si se utilizeaza masini speializate, precum si SDV-uri speciale.
Pentru productia de serie foarte mare, proiectarea procesului tehnologic se va face in cele mai
mari detalii. Se folosesc utilaje de mare capacitate, dar riguros specializate. Calificarea
personalului de intretinere a acestor utilaje trebuie sa fie foarte inalta. Cheltuielile pe unitatea
de produs, in cazul productiei de serie foarte mare (de masa), sunt cele mai mici.
3. Structura semiconductoarelor
Asemanarea fundamentala intre cele trei categorii enuntate consta in faptul ca toate au
structura interioara bazata pe atomi, construiti la randul lor din nucleu si electroni. In nucleu
este concentrata practic masa intregului atom si este incarcata pozitiv, electronii se graviteaza
in jurul nucleului avand o sarcina negativa care compenseaza ca valoare, incarcarea pozitiva a
nucleului, atomul aparand astfel ca neutru din punct de vedere electric. Conform principiilor
stabile in fizica atomica, electronii pot ocupa numai orbite caracterizate prin distante bine
definite fata de nucleu, energia pe care o poseda depinzand de aceste pozitii. Deoarece acesti
electroni periferici dau valenta elementului, ei se numesc electroni de valenta. Totalitatea
valorilor energetice, ce caracterizeaza eletronii din structura unui element, constituie banda sa
energetia de valenta. Sub influienta unui camp electric exterior care ii dirijeaza, ei formeaza
curentul electric. Deoarece prin ei se asigura conductibilitatea elementului in conditia in care ei
ocupa o anumita energie, banda energetica care ii caraterizeaza se numeste banda de
conductie.
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 3/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
Faptul ca orice materie poate deveni conductor, in anumite conditii, si ca aceasta se asigura
prin trecerea unui electron din banda de valenta in banda de conductie, constituie principala
trasatura comuna a celor trei categorii de elemente.
Deosebirile intervin la stabilirea conditiilor mentionate, mai precis in gasirea energiei minime
necesare trecerii electronilor dintr-o banda in alta. In adevar, se constata ca daca la metale
aceasta are o valoare extrem de mica, la semiconductoare ea trebuie sa depaseasca o valoare
minima, aproximativ de 1eV, iar la materialele izolante (de exemplu la diamant ) ordinul de
marime al acestei energii minime devenind 6-7Ev.
In cazul in care energia exterioara este sub valoarea minima caracteristica, electronii sunt
indepartati pentru un timp foarte scurt din banda de valenta dupa care revin, emitand o
radiatie corespunzatoare energiei primite.
a) extrinsec de tip ‘’n’’=un semicondutor intrinse din grupa IV, impurifiat cu atomi pentavalenti
din grupa V : fosfor, arseniu. Un electrod pentavalent va ramane litiu dupa valizarea celor patru
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 4/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
legaturi covalente astfel ca purtatorii majoritari de sarcina sunt e– iar minoritari sunt golurile.
b) extrinsec de tip ‘’p’’=un semiconductor intrinsec din grupa IV impurificat cu e– trivalenti (bor,
galiu, aluminiu). Atomii de impurificare dau nastere la goluri mobile (acceptori) care capteaza
e–. Astfel ca purtatorii majoritari de sarcina sunt golurile, iar minoritarii sunt e–.
Tehnologia de impurifiare
O tehnologie des utilizata este difuzia planara sau difuzia prin suprafete a impuritatilor: strat de
impuritati, danoare depuse la suprafata, semiconductor initial de tip ‘’p’’ (acceptor). In anumite
conditii de temperatura atomii de impuritati patrund in radacina semiconductorului.
Semiconductorul initial de tip ‘’p’’ care are concentratie acceptoare uniforma este introdus intr-
un gaz cu impuritati donoare care va duce la stabilirea la suprafata semiconductorului (x=0) a
unuei concentratii de impuritati donoare. La cresterea temperaturii impuritatile difuzeaza in
semicondcutorul initial, adancimea de difuzie depinzand de marimea temperaturii si de timpul
de mentinere a ei. In acest mod se realizeaza o jonctiune p-n, iar prin difuzii succesive se pot
obtine structuri pnp sau npn.
Etape:
obtinerea germenului monocristalin sau formarea lui, care au loc separat dintr-un
monocristal Un acelasi material ca si topitura, avand forma unei bare. Germenele contine
impuritati in cantitati de cateva procente la milion, dar care poate schimba semnificativ
carateristicile cristalului;
cresterea monocristalului materialul semiconductor se pune intr-un crenzet de cuart care se
introduce intr-un cuptor de inalta rezistivitate. Dupa aceea materialul este topit la o anumita
temperatura ridicata, dupa care temperatura topirii este adusa foarte aproape de cea a
cristalizarii. Se ridica putin temperatura introducandu-se germenele de cristal preincalzit
care va constitui singurul centru de cristalizare sau crestere
Etape:
laser;
slefuirea pentru obtinerea unei suprafete netede prin inlaturarea stratului cu defecte
datorate prelucrarilor macanice si pentru obtinerea unui paralelism perfect al suprafetelor.
Slefuirea cu particule abrazive se efectueaza progresiv cu particule de 25; 15; 5; 1; micron
ruperea rezistivitatii a discului in urma zgarierii cu diamant sau a taierii cu fascicul de laser
pentru obtinerea pachetelor semiconductoare.
Masurarea rezistivitatii si a proprietatilor mecanice ale plachetei.
Prin cresterea directa a monocristalului odata cu doparea lui cu impuritati acceptoare sau
donoare. Germenele monocristalin prins cu o tija se introduce intr-o baie de semiconductor
topit si se ridica lent astfel ca in jurul lui creste monocristalul. Se obtine o trecere treptata de
la un tip de regiune’’p’’ (Ge) la o regiune ‘’n’’.
Prin aliere pe o placuta din Ge sau Si se aplica placa de metal, fie din Id pentru Ge, fie din Al
pentru Si. Ansamblul se incalzeste pana cand peclele de metal se topesc. Urmeaza racirea
astfel ca Ge (sau Si) recristalizeaza in forma initiala obtinandu-se jonctiunea monocristalina
de tip abrupt.
Prin crestere epitoxida – cresterea epitoxida se realizeaza prin depunere direct inca din faza
gazoasa pe un suport monocristalin de aceeasi natura sau de natura diferita a unor straturi
monocristaline impurificate in mod convenabil. Se obtine o structura cristalina a retelei cu o
continuare exacta a structurii substratului.
Prin dixferie difuzia implica un strat al atomilor unui corp dintr-un volum in care se gasesc in
cantitate mare in alt volum aflat in cantitate mai mica tinzand spre egalizarea cantitatii.
Acest chip are dimensiuni de 0,5mm * 0,5m * 0,1mm. Placuta semiconductoare se acopera cu
un strat electroizolant de SiO2 pentru a impiedica difuzia necontrolabila a impuritatilor.
Structura cu trei regiuni si doua jonctiuni se bazeaza pe formarea stratului de SiO2 Prin
mascare dupa fiecare difuzie. Formarea ferestrelor pentru difuzia impuritatilor in stratul izolant
de oxid se face prin metode fotografice:
Dioda semiconductoare are o singura jonctiune p-n fabricata prin difuzie si care este protejata
de o capsula din sticla, metal sau mase plastice. Tipuri de diode:
cu contact punctiform realizat intr un cristal si un fir metalic se foloseste pentru tensiuni
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 6/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
-cu contact punctiform realizat intr-un cristal si un fir metalic, se foloseste pentru tensiuni
inverse mari (ZENER) si pentru rezistivitati inalte;
-cu contact de suprafata sau jonctiune la care capsula asigura contactul cu regiunea ‘’n’’ sau
‘’p’’, se foloseste curenti si tensiune de lucru mari.
Tranzistoarele pot fi asimilate unei triode cu cristal de Ge sau Si, protejata de capsula metalica
sau din mase plastice. Tipuri de tranzistoare:-cu contact punctiform si cu jonctiune.
Tranzistoarele cu jonctiuni se realizeaza prin difuzii succesive efectuate in ferestre practicate in
placutie.
Daca la metale electronii de valenta pot parasi relativ atomul, datorita fortelor de atractie slabe
exercitate de nucleu, in cazul semiconductoarelor stabilitatea acestor electroni este mult mai
mare datorita legaturilor de valenta graviteaza nu numai in jurul propriilor lor nuclee, ca in
cazul metalelor, ci si in jurul nucleului vecin, forta de atractie exercita asupra eletronilor
periferici fiind astfel mult mai mare.
Acest tip de legaturi genereaza o alta deosebire fundamentala constand in urmatoarele: daca
intr-un astfel de semiconductoare se smulge un electron, trecandu-se din banda de valenta in
banda de conductie, in reteaua din care a plecat electronul ramane o legatura nesatisfacuta si
spunem a s-a format un gol. Miscarea electronilor din banda de valenta pote fi descrisa de
catre miscarea, de sens opus, a golurilor. In mod conventional, se atribuie ‘’golului’’ o sarcina
pozitiva, deoarece prin plecarea electronului starea neutra a atomului s-a modificat,
predominand sarcina pozitiva a nucleului. Pentru a evita formularile: ‘’miscarea electronilor din
banda de conductie’’, respectiv ‘’miscarea eletronilor din banda de valenta’’ s-a convenit sa se
descrie deplasarea primilor ca deplasarea de electroni, iar in al doilea caz sa se foloseasca, cu
sens opus, deplasarea golurilor. Se observa ca electronii ce trec in banda de conductie lasa in
urma lor acelasi numar de goluri. Se spune ca are loc un fenomen de generare de perechi
electroni-goluri, ce se petrece ori de cate ori, cu o energie exterioara ce depaseste valoric
energia corespunzatoare benzii interzise, se smulge un electron de valenta pentru a-l
transforma un electron liber.
6 Semiconductoare de tip N si P
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 7/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
6. Semiconductoare de tip N si P
Deosebirea cea mai importanta intre metale si semiconductoare, pe care se bazeaza toate
aplicatiile acestora din urma, consta in faptul ca in cazul semiconductoarelor exista procedee
prin care se poate infuienta conductibilitatea lor.
La temperatura ambianta, toti atomii de impuritate sunt ionizati adia au eliberat cate un
electron, respetiv un gol.Se constata insa ca in cazul unui semiconductor de tip n, pe langa
eletronii generati, aflati in numar mare, a aparut si un numar mic de goluri respectiv intr-un
semiconductor de tip p, pe langa goluri ce predomina, se mai gasesc si electroni. Purtatorii de
sarcina, al caror numar predomina, creati prin impurificare poarta numele de purtatori
majoritari (electoni- in semicondutoare n, goluri- in semiconductoare p ).
Ceilalti purtatori de tip opus, in numar mic se numesc purtatori minoritari. Ei apar prin procese
de generare de perechi electroni-goluri, sub influienta energiei termice data de temperatura
mediului ambiant si numarul lor variaza cu temperatura, constatandu-se o crestere de 6% /
grad pentru Ge si 8% / grad pentru Si. Intr-un semiconductor are lo un dublu proes continuu de
generare de perehi electroni-goluri, sub influienta temperaturii si de recombinare, adica de
disparitie a unor perechi electroni-goluri-electroni liberi completand ‘’golurile’’ din banda de
valenta. Pentru o temperatura data se stabileste un echilibru intre cele doua procese, respectiv
exista un anumit numar de perechi electroni-goluri.
Cu toate ce fenomenul este specific unui semiconductor pur, el poate fi considerat valabil si
pentru un cristal extrinse, unde concentratia caracteristica rezultata depinde de tipul
semiconductorului (n sau p ).
-aceste tehnologii presupun substratului peste care se depun straturi rezistive, conductoare
sau dielectrie.
a) materialele pentru substraturi: ceramica glazurata, sticla (cu conductivitate electrica mica,
inerte din punct de vedere chimic, au rigiditate dielectria mare)
b) materialele pentru straturi rezistive: aceste materiale sunt folosite pentru obtinerea
peliulelor rezistive care se depun prin evaporare: Ni-Cr; Cr-SiO; Cr; Ta
b) t t t i i ti
https://elearning.bestcor.ro/course-status/#
tili t i ti l t t d 700o 800o 9/10
28.01.2023, 11:37 Incepe cursul - Elearning Bestcor.ro
b) pentru straturi rezistive-se utilizeaza paste rezistive la o temperatura de 700o-800o.
Compozitia unei paste pulbere metalica, oxizi metalii, pulbere de sticla, lianti organici, solventi
organii. Sunt paste din Ag sau Pt.
d) straturi dielectrice formate din paste cu BaTi si BaO rezistente la temperaturi de ardere.
c) ingrosarea traseelor conductoare prin apliarea unui strat de aliaj Sn-Pb sau Sn-Pb-Ag.
d) ajustarea individuala a campului care este absolut necesara deoarece tolerantele rezistoare
sunt „›″±20y din cauza matodelor serigrafice de depunere a straturilor.
Metode:
Elementele atasabile sunt acele elemente care nu se pot obtine industrial u tehnologii de
depunere pe substrat. Se pot atasa pe substrat CIH campuri active sub forma de ipuri sau
incapsulate si campuri pasive sub forma de cipuri.
https://elearning.bestcor.ro/course-status/# 10/10