1rozanov Yu K Ryabchitskiy M V Kvasnyuk A A Silovaya Elektron
1rozanov Yu K Ryabchitskiy M V Kvasnyuk A A Silovaya Elektron
1rozanov Yu K Ryabchitskiy M V Kvasnyuk A A Silovaya Elektron
Кваснюк
Ю.К. Розанов,
М.В. Рябчицкий,
А.А. Кваснюк
сиповпя
ЭЛЕКТРОНИКА
Учебник для вузов
Москва
Издательский дом МЭИ
2009
УДК 621.314.632
ББК 32.85
Р 64
Розанов Ю.К.
Силовая электроника : учебник для вузов / Ю.К. Розанов,
М.В. Рябчицкий, А.А. Кваснюк. 2-е изд., стереотипное. — М. :
Издательский дом МЭИ, 2009. — 632 с.: ил.
ISBN 978-5-383-00403-6
Рассмотрены принципы действия, типовые характеристики и области рацио
нального применения силовых электронных приборов, а также особенности при
менения в силовой электронике пассивных элементов — трансформаторов, реак
торов и конденсаторов. В доступной форме даны методы анализа схем и управле
ния устройствами силовой электроники, описаны принципы действия и способы
управления всех типов преобразователей, а также статических компенсаторов
мощности и активных фильтров. Подробно изложены методы широтно-импуль
сной модуляции на основе преобразования трехфазных импульсных систем в
двухфазные.
Приведены рекомендации по эксплуатации устройств силовой электроники и
обеспечению их электромагнитной совместимости.
Для студентов электротехнических специальностей, а также специалистов
различного уровня профессиональной подготовки в области силовой электроники.
УДК 621.314.632
ББК 32.85
Учебное издание
Розанов Юрий Константинович
Рябчицкий Максим Владимирович
Кваснюк Антон Александрович
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Редакторы Н.Л. Пароева, М.П. Соколова
Технический редактор ТА. Дворецкова
Корректор В. В. Сомова
Компьютерная верстка В.В. Пак
Авторы
ВВЕДЕНИЕ
Силовая электроника — это область электроники, связанная с преобразованием
или коммутацией электрической энергии. Термин «силовая электроника» начал
широко использоваться во второй половине XX в. в целях более четкого разграни
чения между электроникой информационной, слаботочной и силовой, называемой
также энергетической. Основным показателем силовой электроники является
минимизация потерь энергии при преобразовании и управлении потоками элект
рической энергии. Как и многие другие отрасли техники, силовая электроника раз
вивалась в нескольких направлениях. В этой связи установить строгую хроноло
гию развития силовой электроники сложно. В многочисленных публикациях
приведены различные оценки достижений в этой области. Часто в качестве границ
периодов используется время открытия физического эффекта или явления, опре
делившего существенные технические достижения. Однако нередко используются
и другие факторы, например Т. Вильсон [8] считает началом развития силовой
электроники получение в 1912 г. Е.Ф. Александерсоном (General Elektric)
патента на магнитный усилитель для модуляции радиосигналов, позволивший
модулировать мгновенную мощность 70 кВт. Аргументом для Т. Вильсона в этом
случае является одно из рабочих определений силовой электроники, включающее
в себя функцию эффективного управления мощностью (высокий КПД) статиче
скими средствами. Впоследствии магнитные усилители в сочетании с полупровод
никовыми диодами наиболее часто применялись в средствах автоматизации. Сле
дует отметить, что в настоящее время есть устройства на основе магнитных
ключей и электронных приборов малой мощности, практически не имеющие кон
курентоспособных технических аналогов.
Развитие силовой электроники начинается с открытия Т. Эдисоном термоэлект
ронной эмиссии. Историю развития силовой электроники целесообразно разде
лить на три основных этапа:
1901— 1958 гг. — преимущественное использование ламповых (электронных)
вентилей различных видов;
1958— 1985 гг. — использование тиристоров и силовых биполярных транзисторов;
1985 г. по настоящее время — использование запираемых тиристоров большой
мощности с повышенным быстродействием, силовых транзисторов типов IGBT и
MOSFET (низкого напряжения), переход на более совершенные запираемые
тиристоры типа МСТ и т.п.
Каждый этап характеризовался существенным расширением областей применения
силовой электроники и улучшением технико-экономических показателей приборов.
Началом первого этапа можно считать обнаружение эффекта выпрямления
с использованием электрической дуги, который впервые был исследован
В.Ф. Миткевичем в начале XX в. [7]. Впоследствии одно- и двухполупериодные
схемы выпрямления исследовались на базе полупроводниковых электронных вен
тилей. Выпрямители большой мощности были созданы Купер-Хьютом (США) в
1901 г. на основе дугового разряда в парах дуги с холодным катодом. Электрон
ные вентили получили широкое применение во многих странах для создания
выпрямителей. Практическая значимость развития и промышленного освоения вен
тилей большой мощности во многом определялась потребностью в выпрямителях
металлургической промышленности и транспорта. В этой связи в 20-е годы про
шлого века были начаты работы по развитию теории газового разряда в ртутных
вентилях большой мощности. Огромный вклад в развитие теории газоразрядных
процессов в ионных приборах внес И.Л. Каганов. Впервые вентили с ртутным като
дом в нашей стране были созданы в Нижегородской лаборатории В.П. Вологдина
в 1921 г. Для повышения мощности выпрямителей использовались каскадные
схемы с последовательным включением отдельных изолированных выпрямителей.
Необходимость управления моментом начала проводимости ртутного вентиля
привела к созданию вентиля с сеточным управлением. В результате стало возмож
ным регулировать режимы работы ионных преобразователей для электропривода.
Ртутные вентили с конденсаторной коммутацией были успешно использованы
при создании инверторов повышенной частоты для индукционного нагрева. Пер
вая установка была разработана В. Остендорфом. Значительный вклад в развитие
ртутных вентилей внесли А.В. Донской, А.Е. Слухоцкий, А.С. Васильев и другие
специалисты в этой области.
Несмотря на расширение использования электроэнергии на переменном токе,
не прекращались работы по созданию линий электропередачи на постоянном токе.
В СССР первая опытная линия на постоянном токе Кашира— Москва была создана
на ртутных вентилях напряжением 120 кВ для передачи мощности 30 МВт.
Внедрение силовых электронных устройств было связано с такими негатив
ными явлениями, как искажения форм токов и напряжения, приводящие к возник
новению неактивных мощностей — реактивных на основной гармонике перемен
ного тока и мощностей искажения на частоте высших гармоник. Это приводило к
росту потерь мощности и нарушениям работоспособности различных технических
устройств. Решению этих проблем на первом этапе были посвящены работы оте
чественных ученых О.А. Маевского, Ф.И. Бутаева и Е.Л. Эттингера. Однако инер
ционность и неполная управляемость ртутных вентилей не позволили эффективно
решить задачи по устранению этих явлений.
Началом второго этапа можно считать изобретение в 1948 г. Д. Бардином и
У. Браттейном (США) точечного транзистора и создание в 1951г. У. Шокли
(США) плоскостного транзистора. Эти работы послужили основой создания в
1955 г. кремниевого тиристора с четырехслойной структурой р-п-р-п и тремя вне
шними выводами. Это был первый полупроводниковый прибор большой мощ
ности, способный работать в режиме ключа с управлением моментом времени
включения и подачей сигнала малой мощности по сравнению с коммутируемой
мощностью. Технология создания больших кремниевых пластин позволила увели
чить рабочее напряжение до 1000 В, а тока — более 100 А. Изобретению тиристора
предшествовало создание полупроводниковых диодов вначале на основе германия с
индием, а затем на основе монокристаллического кремния с добавлением примесей,
определявших тип электронной проводимости. В СССР независимо от зарубежных
разработок в 1965 г. были созданы кремниевые тиристоры (ВКДУ-150) на токи
более 100 А. Созданию отечественных тиристоров способствовали исследования,
проводившиеся В.Е. Челноковым и В.М. Тучкевичем, а также работы, выполненные
в ВЭИ и на заводе «Электровыпрямитель». Предполагалось, что промышленно
выпускаемые тиристоры будут широко использованы в различных отраслях тех
ники для существенного повышения технико-экономических характеристик уст
ройств преобразовательной техники. Однако неполная управляемость тиристоров
и относительно низкое быстродействие существенно ограничили потенциальные
области их применения.
Основной схемой на тиристорах, получившей широкое распространение, стал
преобразователь переменного/постоянного тока, выполненный по трехфазной
мостовой схеме, предложенной А.Н. Ларионовым, и по многофазной схеме на
большие напряжения и токи. Такие схемы на тиристорах позволили не только
выпрямлять переменный ток в постоянный, но и инвертировать — передавать
энергию из источника постоянного тока в сеть переменного. Эти схемы применя
лись в электроприводе постоянного тока, на железнодорожном транспорте, метал
лургических заводах и в электроэнергетике.
В электроприводе преобразователь может осуществлять двигательный и тормоз
ной режимы работы с рекуперацией энергии в сеть. На металлургических предпри
ятиях в целях уменьшения диапазона регулирования угла управления и, следо
вательно, повышения коэффициента мощности cos(p часто использовались
переключения отпаек с обмоток согласующего трансформатора. В 1988 г. в электро
энергетике СССР была введена в эксплуатацию вставка постоянного тока для пере
дачи энергии из России в Финляндию. Схема вставки выполнена на базе 12-фазных
комплектных преобразователей, в которых использовались тиристоры Т 173-125
мощностью 470 кВт. Кроме того, нашли широкое применение реакторы со встреч-
новключенными тиристорами для управления мощностью компенсирующих уст
ройств в электропередаче переменного тока. Большой вклад в развитие систем элек
тропередачи с применением силовых электронных устройств внес В.А. Веников.
Многие зарубежные фирмы стали выпускать инверторы для источников беспе
ребойного питания на тиристорах с принудительной коммутацией, используя
тиристоры с гарантированным малым временем выключения. Следует отметить
достижения электротехнической промышленности СССР в создании инверторов и
преобразователей частоты на тиристорах с конденсаторной, квазиестественной
коммутацией тиристоров. Основу этих разработок составили научно-технические
исследования, выполненные Ф.И. Ковалевым и В.А. Ивановым. В результате этих
разработок в преобразователь был включен компенсатор реактивной мощности,
совмещающий функции фильтрации высших гармоник автономного инвертора
тока с функцией регулятора величины и частоты выходного напряжения [26]. Эти
устройства, созданные в конце 60-х годов прошлого века, успешно эксплуатиру
ются и в настоящее время на важнейших электротехнических объектах.
Третий этап развития силовой электроники, характеризующийся качественным
скачком в развитии и массовом внедрении силовых электронных устройств,
начался с промышленного освоения и серийного производства полностью управ
ляемых быстродействующих силовых электронных ключей, мощность сигналов
включения и выключения которых близка к нулю. Условно началом этого периода
можно считать 1985 г. Создание современного поколения силовых полупроводни
ковых электронных приборов осуществлялось в двух основных направлениях: раз
витие полевых приборов (МОП-транзисторов) и улучшение характеристик запира
емых тиристоров (GTO). Развитие таких приборов (транзисторов)
предусматривало увеличение значений рабочих токов и напряжения на основе
многоячейковых структур методами интегральной технологии [8]. Развитие тран
зисторов типа МДП привело к созданию приборов низкого напряжения (до 50 В) и
токами до 1 кА, а также повышенного напряжения до 1 кВ и токами до 50 А.
Обычно их применение ограничивается напряжением 600 В из-за резкого возрас
тания сопротивления во включенном состоянии при увеличении номинального
напряжения.
Параллельное развитие формирователей импульсов управления для МДП-тран-
зисторов явилось базой для будущих «разумных» моделей в интегральном испол
нении. Эти приборы полностью вытеснили биполярные приборы из систем авто
матики, были разработаны вторичные источники питания (ВИП) на основе МДП-
транзисторов и быстродействующих диодов.
На основе сочетания свойств МДП- и биполярных /?-л-р-транзисторов был
создан прибор IGBT — биполярный транзистор с изолированным затвором, полу
чивший в русскоязычной технической литературе [46] аббревиатуру МОПБТ.
Прибор имеет хорошие частотные характеристики, крайне низкое значение мощ
ности управления, относительно низкое падение напряжения (2,5— 3,5 В) в прово
дящем состоянии при рабочих напряжениях до 1 500— 1 700 В. Благодаря этим
качествам, прибор стал занимать доминирующее положение в устройствах сред
ней мощности и составляет конкуренцию мощным запираемым тиристорам.
Другим направлением создания нового поколения силовых электронных при
боров было улучшение технических характеристик запираемых по управляющему
электроду тиристоров GTO и IGBT HIGBT.
Несмотря на достигнутые результаты в совершенствовании технических харак
теристик и функциональных возможностей приборов, работы в этом направлении
интенсивно продолжаются. В настоящее время созданы тиристоры типа МСТ,
объединяющие по интегральной технологии десятки тысяч ячеек МДП-транзисто-
ров, обеспечивающих эффективное управление тиристорами, повышающих его
быстродействие и снижающих напряжение на тиристоре в проводящем состоянии.
В Японии создан и успешно используется тиристор со статической индукцией
(SiTh). На рис. В.1 представлена диаграмма характеристик современных силовых
электронных приборов, работающих в ключевом режиме [9].
Что дает силовой электронике новое поколение силовых электронных ключей
кроме улучшения общих технико-экономических характеристик — КПД и надеж
ности? Главным фактором, определяющим значимость и перспективность этих
приборов, является их способность управлять на повышенных частотах большими
потоками мощности практически по любому закону модуляции энергетических
импульсов при минимальных мощностях, затрачиваемых на управление. При этом
преобразование энергии осуществляется без экологически вредных последствий,
если не считать электромагнитных импульсов, осложняющих проблему электромаг
нитной совместимости преобразователя с другими объектами. Эти факторы оказали
революционное влияние на существующие устройства силовой электроники и
открыли перспективу для создания принципиально новых видов устройств силовой
электроники для различных областей техники. В настоящее время к наиболее
Рис. В.1. Диаграмма характеристик силовых полупроводниковых приборов
Глава первая
СИЛОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮ ЧИ
а) б)
Рис. 1.1. Идеальный ключ:
а — условное обозначение; б — статическая характеристика
и описываются уравнениями трансцендентного вида. Для упрощения анализа
электрических цепей ВАХ электронных приборов аппроксимируются простыми ана
литическими зависимостями. Наиболее простой аппроксимацией ВАХ электронных
приборов является их представление в виде кусочно-линейных функций.
Рассмотрим аппроксимацию реальной ВАХ диода, расположенной в квадран
тах I и III (рис. 1.2, а). При прямой полярности напряжения через диод протекает
прямой ток iF , а при обратной полярности напряжения — ток утечки iR.
На ВАХ в квадранте I может быть приближенно выделена точка «а» с коорди
натой на оси абсцисс A UF , которая разделяет ВАХ на два участка — пологий при
us < Д UF и крутой при us > AUF . Эти участки могут быть аппроксимированы
двумя линейными функциями (рис. 1.2, б):
, 1 . 1
ГД6 *1 = R ~ ; *2 = F •
KFy К2
Из (1.1) следует, что наклон линейных функций, линеаризующих ВАХ, опреде
ляется проводимостями диода на разных участках в зависимости от значения uF
(рис. 1.2, б).
Если пренебречь относительно малыми значениями тока iF на пологом участке
«) г)
Ключ
выключен г0> _
Ключ
+
о- -------о
выключен
Ключ -О 0 < us < A U f
выключен
Ключ
включен
Ключ us >bUF
включен е)
Ключ
+
-о uS < О
выключен
Рис. 1.2. Примеры аппроксимации
статических ВАХ и схемы замещения:
Ключ -о а — ВАХ диода; б — аппроксимиро
выключен US >0
ванная ВАХ диода; в — аппроксимиро
ванная ВАХ биполярного транзистора;
г — аппроксимированная ВАХ тирис
Ключ “О ^ лиF тора; д — схемы замещения диода;
включен
ж) ж — схемы замещения тиристора
Электронные ключи выполняются на основе управляемых электронных прибо
ров различных видов, имеющих различные статические ВАХ. Причем статические
ВАХ могут различаться характером зависимости между током и напряжением.
Например, большинство транзисторов не способно блокировать обратное напря
жение uR, и поэтому при использовании транзисторных ключей исключают воз
можность появления на них обратного напряжения uR или ограничивают его зна
чения малой величиной. С этой целью последовательно транзистору или встречно
параллельно ему включают диод. В этой связи ВАХ транзисторов существуют
только в квадранте I для включенного и выключенного его состояний, так как
транзисторы в отличие от диода являются управляемыми приборами.
На рис. 1.2, г приведена ВАХ биполярного транзистора. Начальный, пологий,
участок ВАХ в биполярном транзисторе сходен с аналогичным участком диода и
обычно аппроксимируется с учетом пренебрежения малыми токами отрезком пря
мой на оси абсцисс, определяемым величиной A UF. При такой аппроксимации
включение транзистора начинается с us = UF, аппроксимированная ВАХ включен
ного транзистора представляется линейным участком, начинающимся с A UF
и определяемым сопротивлением во включенном состоянии RF^ (рис. 1.2, д ).
(1.3)
выключения ^ВП
Ь|КЛ электронного ключа [13].
Диаграммы напряжения us и тока is модели ключа в динамических режимах
представлены на рис. 1.3. С учетом допущения линейности эти модели могут быть
представлены эквивалентными источниками напряжения (при включении) и тока
(при выключении):
f \
us ( 0 ~ u s l - - * -
t" ;
(1.4)
*s(0 - ^s 1 - п
выкл ^
Рис. 1.3. Диаграммы напряжения и тока на интервалах включения (а) и выключения (б)
Рис. 1.4. Коммутация активной нагрузки:
а — схема; б — диаграммы изменения us , р при включении; в — диаграммы изменения us,
/7
* ВЫКЛ
при
Г
выключении; г — динамическая ВАХ
2Л
Pbwit) = “ s (0 * s ( 0 = y ^п
Vf 'вкл'
(1.5)
D14J1 e 2 i вкл
"
< ,= Jp„(Od< = 6Д ‘
ния tBblKJl представлены на рис. 1.6. За период коммутации ключа Тк в нем выделя
ет ст
ется мощность р вкл и р выкл, называемая мощностью статических потерь и
Контрольные вопросы
1. По каким признакам классифицируются электронные ключи?
2. Для чего используется модель идеального ключа?
3. Какими параметрами характеризуется идеальный ключ?
4. Для чего необходимо аппроксимировать ВАХ реальных полупроводниковых ключей?
5. Рассчитайте энергию, выделяющуюся в ключе при включении и выключении актив
ной нагрузки сопротивлением 3 Ом, от источника напряжения 1 200 В, если время включе
ния и выключения ключа 3 мкс.
6. Рассчитайте энергию, выделяющуюся в ключе при выключении активно-индук
тивной нагрузки сопротивлением 3 Ом и индуктивностью 50 мкГн, от источника напряже
ния 1 200 В, если время выключения ключа 3 мкс.
7. Что необходимо предпринять, если траектория переключения ключа выходит за
границу его ОБР?
8. Почему ОБР изображается в логарифмическом масштабе координат?
9. Из каких элементов должна состоять ЦФТП для активно-индуктивной нагрузки?
л К
о--------- ■ - —О
р-область л-область
а)
иR UF
И/г/фт
iF = А)(е F -1), (1-8)
где срт — тепловой потенциал, зависящий от температуры (фт * 0,26 В).
При малых значениях фт и условии uF » фт в (1.8) можно пренебречь единицей.
В результате зависимость тока iF от напряжения uF изменяется экспоненциально.
Функционально диод является электронным ключом с односторонней проводи
мостью. Диод находится в проводящем состоянии (замкнутый ключ), если он под
ключен к источнику прямого напряжения. Ток диода iF определяется параметрами
внешних цепей, и напряжение на его выводах мало. Если диод подключен к источ
нику обратного напряжения, то он находится в непроводящем состоянии (разомк
нутый ключ) и его ток имеет небольшое значение. Напряжение на выводах диода
определяется параметрами внешних цепей. В идеализированном виде диод можно
рассматривать как ключ, который может находиться в двух состояниях: включен
ном, когда в нем протекает прямой ток /F , и выключенном, когда он блокирует
напряжение uR и не проводит ток. Реальная статическая ВАХ диода при подключе
нии к источнику прямого напряжения может быть представлена экспонентой, а при
подключении к источнику обратного напряжения — участком с постепенно воз
растающим обратным током iR до значения / 0 постоянного тока вплоть до наступ
ления пробоя при увеличении обратного напряжения до предельного значения
а ) б)
UBR (рис. 1.11, а). Для расчетов режимов работы диодов статические ВАХ аппрок
симируются различными функциями (рис. 1.11,6). При этом для расчета режимов
работы силовых диодов часто пренебрегают значениями обратных токов.
При анализе реальной статической ВАХ различают статическое сопротивление
диода постоянному току и динамическое сопротивление переменному току. Пер
вое сопротивление определяется отношением напряжения анод— катод
к постоянному току, например в точке а , т.е. RF = Ua/ I a, что соответствует котан
генсу угла а , образуемого прямой, проведенной из начала координат в точку а
(см. рис. 1.11, а). Динамическое сопротивление rd, называемое дифференциаль
ным, определяется аналогично, с той разницей, что учитывается малая амплитуда
изменения тока в точке а. Сопротивление учитывается углом /} наклона касатель
duf
ной в точке а Га = = ctg р Это сопротивление можно назвать квазиди-
din
,F~la
намическим, так как оно соответствует изменениям тока при низких частотах, при
которых не учитываются частотные свойства диода.
п [RR d i RR.
V rR * 2 dt ’
(1.9)
б
а)
( 1. 10)
^VDmax ^ ( 1. 11)
2W„
Cs = — y • (1.12)
/ ,
-
--
т уТ ут ?
в)
Рис. 1.15. Конструкции диодов:
а — штыревая; б — таблеточная; в — для поверхностного монтажа
Т аб л и ц а 1.1
Основные параметры диодов
Диод
Обозначение
выпрямительный быстродействующий
максимальный
Параметр Смысловое значение* максимальный сред
средний ток 25 А,
ний ток 3 000 А, мак
русское латинское максимальное
симальное обратное
обратное
напряжение 2 700 В
напряжение 1 000 В
Прямое падение a u f
VF Напряжение на диоде 1,57 2
напряжения, В в открытом состоянии
Пробивное ^обр m Vb r Обратное напряжение, 2 700 1 000
напряжение, В при котором наступает
пробой
Повторяющееся и ом . VRRM Наибольшее мгновен 2 700 1 000
обратное ное значение обрат
импульсное ного напряжения,
напряжение, В которое диод может
выдержать при повто
ряющемся (на рабочей
частоте) кратковре
менном воздействии
УТЛ
о
7обр 7R
О
состоянии
о1
Контрольные вопросы
1. За счет каких процессов образуется ОПЗ?
2. Какие заряды являются основными в /7-области?
3. Чем отличается сопротивление диода постоянному току, от динамического?
4. Определите статические потери в диоде при воздействии переменного напряжения
прямоугольной формы амплитудой Е = 100 В. Диод подключается к источнику напряже
ния последовательно с нагрузкой сопротивлением R = 0,5 Ом. Статическая ВАХ диода
аппроксимируется источником напряжения AUF = 2 В с внутренним сопротивлением RF =
= 0,1 Ом. Обратный ток диода равен нулю.
5. Определите энергию, выделяемую в диоде при включении в цепь напряжением Е =
= 600 В и сопротивлением R = 1 Ом. Время включения диода /вкл = 100 мкс. Использовать
модель диода с линейно спадающим напряжением на интервале включения.
6. Назовите преимущества и недостатки диодов Шоттки.
7. В каких случаях следует использовать быстровосстанавливающиеся диоды?
1.3. Силовые транзисторы
Со О Е Со
\ I \ I
исв иВЕ исв иВЕ
о) б) Е
*е *с+ / я- (1*13)
! Металл
I Диэлектрик
Ж / Ж '£ ////////////£ < п - канал
р-полупроводник
I
Рис. 1.19. Принцип образования «-канала в полупроводникер-типа под воздействием электри
ческого поля
Изолирующая
оксидная пленка
Ток Ток
транзистора транзистора
<7
Ток диода
Рис. 1.22. Пример многоячейковой структуры МОП-транзистора
необходимость утолщения полупроводнико
вых слоев транзистора для обеспечения его
электрической прочности. В результате значи
тельно возрастает резистивное сопротивление
транзистора в проводящем состоянии RDSon (до
1 Ом в полностью открытом состоянии), что
создает значительное падение напряжения и
увеличивает выделяемую мощность. Новым
решением этой задачи стало создание Cool-
MOS-транзисторов с измененной топологией
структуры, что позволило снизить значение
RDSon более чем на два порядка. МОП-транзисторы являются высокочастотными и
работают на частотах 100 кГц и выше.
СИ Т. Полевые транзисторы выполняются с коротким вертикальным каналом,
отделенным от управляющей цепи р-я-переходом (рис. 1.23). При отсутствии
напряжения на затворе сопротивление канала СИТ минимально и он находится в
открытом состоянии. При подаче на затвор положительного относительно истока
потенциала толщина канала уменьшается и его сопротивление увеличивается, что
позволяет управлять током в цепи сток — исток. В транзисторе со статической
индукцией р-я-переход смещен в обратном направлении и управление электриче
ским полем позволяет изменять значение заряда барьерной емкости этого пере
хода при незначительном потреблении мощности.
При небольшом расстоянии от истока до затвора можно уменьшить сопротив
ление и «паразитные» емкости между выводами транзистора. Структура СИТ
обладает высоким быстродействием и значением коммутируемого тока при мно
гоканальном исполнении. Рабочая частота СИТ обычно ограничивается 100 кГц
при напряжениях коммутируемой цепи до 1 200 В. Коммутируемые токи дости
гают нескольких сотен ампер. В силовой электронике СИТ не нашли широкого
прим енения.
М О П БТ. Стремление объединить в одном транзисторе положительные свой
ства биполярного и полевого транзисторов привело к созданию МОПБТ. Выпол
ненный в одном кристалле, он имеет низкие потери мощности во включенном
состоянии подобно биполярному транзистору и высокое входное сопротивление
цепи управления, характерное для полевого транзистора.
Структура МОПБТ (рис. 1.24) во многом подобна структуре МОП-транзистора;
разница заключается в наличии нижнего слоя с проводимостью р +-типа, который
придает МОПБТ свойства биполярного транзистора. Выходная цепь МОПБТ
состоит из биполярного транзистора типа р-я-р, а дополнительному р-я-переходу
соответствует транзистор я-р-я-типа.
При отсутствии напряжения на затворе транзистор выключен. Включение тран
зистора с каналом я-типа осуществляется подачей положительного напряжения на
затвор относительно эмиттера.
Рис. 1.24. Структура (в), эквивалентная схема (6) и символ (в) МОПБТ
AU I Ь
—— ! Е tgy = 1/л„
Рис. 1.25. Транзисторный ключ с общим Рис. 1.26. Выходные статические ВАХ
эмиттером биполярного транзистора
(1.14)
(1.15)
Рис. 1.27. Зависимость статического коэффи Рис. 1.28. Входные статические ВАХ бипо
циента передачи по току биполярного тран лярного транзистора
зистора от тока коллектора и температуры
кристалла
т. е. в этом режиме справедливы соотношения
*Bsat ~~
$ = V ' b saP ’ (1.16)
»н * E/RV
где р — коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером; iBsat — гра
ничное значение тока базы, при котором наступает насыщение; S — коэффициент
насыщения (S > 1); / н, Е — ток нагрузки, напряжение источника питания.
В режиме насыщения на транзисторе присутствует напряжение насыщения UCEsar
определяющее основную часть статических потерь.
Следует отметить, что на коэффициент Р сильно влияют температура и ток кол
лектора. При увеличении температуры транзистора значение Р может возрастать в
несколько раз. В области малых и больших значений тока ic (рис. 1.27) коэффи
циент р обычно уменьшается.
Значение коэффициента S на статические ВАХ сильного влияния не оказывает.
При увеличении S незначительно снижается напряжение на транзисторе в открытом
состоянии. Однако в динамических режимах коэффициент S отрицательно влияет
на быстродействие переключения транзистора из одного состояния в другое.
Входные статические ВАХ iB = / {иВЕ) приведены на рис. 1.28. При расчетах
ВАХ аппроксимируется кусочно-линейной характеристикой. Зеркальная ВАХ,
характеризующая общее эквивалентное сопротивление Ry цепи, соединяющей
источник тока базы Uy и вывод базы, позволяет определить ток базы. Его значение
соответствует точке пересечения ВАХ перехода эмиттер-база и зеркальной харак
теристики эквивалентного сопротивления.
Таким образом, в силовых схемах биполярный транзистор используется как
полупроводниковый полностью управляемый ключ. Как правило, он включается в
цепь нагрузки по схеме с общим эмиттером и управляется током базы iB. Если iB = О,
транзистор находится в состоянии низкой проводимости (состояние отсечки, зона
С на рис. 1.26), если iB > iBsaV транзистор находится в состоянии высокой прово
димости (состояние насыщения, зона А на рис. 1.26).
Схема МОП-транзистора с каналом /7-типа, включенного с общим истоком,
представлена на рис. 1.29. Управление транзистором осуществляется подачей
напряжения затвор-исток uGS. Очень высокое входное сопротивление полевых
транзисторов делает практически нецелесообразным использование статической
входной ВАХ для определения параметров цепи управления. Поэтому при расче
тах режимов работы полевых транзисторов используют передаточные ВАХ, поз
воляющие определить напряжение uGS с током стока iD . Характер ВАХ зависит от
типа полевого транзистора. На рис. 1.30 даны передаточные ВАХ МОП-транзи-
сторов с индуцированным 1 и встроенным 2 каналами /7-типа. В транзисторе с
индуцированным каналом ток iD увеличивается, если значение напряжения uGS
становится больше порогового значения напряжения uth и начинает образовы
ваться электропроводящий канал. Далее, по мере увеличения uGS и, следова
тельно, обогащения его канала ток iD увеличивается.
При встроенном канале МОП-транзистор может работать в режиме обогащения
или обеднения канала носителями электрических зарядов. Когда напряжение uGS = 0,
в транзисторе со встроенным каналом протекает ток стока iD, что соответствует
открытому состоянию. Если uGS > 0, то происходит обогащение канала и ток iD
увеличивается, а при uGS < 0 уменьшается из-за обеднения канала. При напряже
нии uGS = Uth транзисторов с каналом /7-типа ток iD равен нулю.
Выходные вольт-амперные характеристики МОП-транзистора с индуцирован
ным каналом приведены на рис. 1.31. На характеристиках имеются крутые уча
стки, соответствующие резкому увеличению тока iD при увеличении напряжения
uGS. Далее рост тока iD замедляется, что соответствует пологим участкам ВАХ.
Это происходит из-за обеднения канала под воздействием напряжения сток-исток
uDS. Из рисунка видно, что выходные вольт-амперные характеристики МОП-тран
зистора и биполярного транзистора сходны. Принципиальное различие заключается
в том, что последние управляются током базы, а МОП-транзисторы — напряже-
^D S
R DS оп (1.17)
lD
Рис. 1.31. Статические выходные ВАХ и нагру- Рис. 1.32. Статические выходные вольт-
зочная характеристики МОП-транзистора амперные характеристики МОПБТ
1.3.3. Динамические режимы работы силовых транзисторов
Переход транзистора из выключенного состояния во включенное и наоборот
происходит не мгновенно, а в течение определенного для каждого типа транзис
тора времени. Инерционность переходных процессов обусловлена инерционно
стью процессов изменения концентрации носителей электрических зарядов в
структуре транзистора и наличием в ней внутренних (собственных) емкостей. На
рис. 1.33, а изображена схема замещения биполярного транзистора. Емкости,
называемые иногда «паразитными», определяют быстродействие транзистора.
Ранее было показано, что на динамические режимы работы ключей влияют их
быстродействие и параметры внешней цепи, в которой происходит коммутация.
Рассмотрим процессы, обусловливающие быстродействие биполярных транзисто
ров как ключевых приборов. Для качественной оценки принимается допущение,
что нагрузкой является активное сопротивление.
Включение биполярного транзистора. Предположим, что транзистор при t < t0
находится в режиме отсечки (выключен) и в момент времени t = /0 (рис. 1.33, б)
в базу транзистора от источника тока управления поступает импульс тока значе
нием iB] > iBsat с идеально крутым фронтом. Так как напряжение на входной
емкости СВЕ не может измениться скачком, начинается процесс ее заряда до
напряжения UBEsar при котором увеличивается ток базового перехода транзис
тора (момент времени ^). Этот процесс определяется временем задержки на вклю
чение tdbKJl транзистора. В момент времени t = t2 заряд Q в базовом переходе
достигает граничного значения Qsan соответствующего наступлению режима
насыщения. При этом дальнейшее увеличение тока коллектора /с прекращается, а
накопление избыточного заряда AQ в базе будет продолжаться до момента вре
мени / = ty
Время нарастания tri тока коллектора ic при iB » iBsat называют длитель
ностью фронта включения транзистора. Время включения транзистора /вкл
состоит из времени задержки на включение и времени нарастания тока коллектора
^вкл ^d вкл ^гс
Если учесть инерционность, создаваемую выходной емкостью транзистора
Ссв, окончательный спад напряжения иСЕ будет происходить несколько позже
момента времени t2.
Выключение биполярного транзистора. Предположим, что в момент вре
мени t = t4 в базу насыщенного транзистора поступает отрицательный (запираю
щий) импульс тока iB2. Под воздействием этого тока начинается интенсивное рас
сасывание избыточного заряда Q до значения Q = QsaV В момент времени t = t5
транзистор выходит из режима насыщения. Время рассасывания избыточного
заряда соответствует времени задержки на выключение ^ ВЬ]ЮГ
Общее время выключения транзистора /выкл = ^ ВЬ1КЛ + где — длитель
ность спада тока коллектора до наступления режима отсечки, т.е. длительность
а)
б)
Значения параметра
транзистора
Параметр Обозначение Смысловое значение
на ток 33 А
и напряжение 200 В
Постоянный ток ^ D max 33 Значение тока стока, не вызывающее пре
стока, А вышение температуры сверх допустимой
Импульсный ток ^ D pulse 132 Допустимое значение импульсного тока
стока, А стока, ограниченное во времени и не
вызывающее превышение допустимой
температуры
Пробивное напряже U(BR) DSS 200 Максимальное значение напряжения сток-
ние сток-исток,В исток, которое приводит к пробою тран
зистора
Напряжение V gs ±20 Допустимое напряжение управления
затвор-исток,В
Мощность рассеяния, Р ,о , 170 Максимально допустимое значение мощ
Вт ности, при выделении которой не происхо
дит разрушения транзистора
Пороговое значение ^G S(th) 3 Значение напряжения затвор-исток, при
напряжения котором начинает протекать ток стока
затвор-исток, В
Начальный ток стока, 1DSS 10 Значение тока стока при нулевом напряже
мкА нии управления
Ток утечки затвора, ^g s s 10 Значение тока утечки через затвор при
мА номинальном напряжении управления
Сопротивление сток- R D S on 0 ,0 6 Значение сопротивления сток-исток при
исток в открытом номинальном напряжении управления
состоянии, Ом
Входная емкость, пФ C,ss 2 600 Значение суммарной емкости затвор-сток
и затвор-исток
Выходная емкость, C o ss 500 Значение суммарной емкости затвор-сток
пФ и сток-исток
Емкость обратной Crss 230 Значение емкости затвор-сток CGD
связи, пФ (емкость Миллера)
Время задержки ^d вкл 40 Время между подачей управляющего
включения, нс импульса и началом увеличения тока стока
Время нарастания, нс <r НО Время нарастания тока стока
Время задержки на *d выкл 450 Время между началом спада импульса
выключение, нс управления и началом снижения тока
стока
Время спада, нс 160 Время спада тока стока
'/
Т аб л и ц а 1.3
Основные параметры МОПБТ
Значения параметра
транзистора
Параметр Обозначение Смысловое значение*
на ток 360 А
и напряжение 1700 В
Постоянный ток кол max 360 Значение тока коллектора, не вызывающее
лектора, А превышение температуры сверхдопусти
мой
Импульсный ток кол ^С pulse 720 Допустимое значение тока коллектора,
лектора, А ограниченное во времени (как правило, 1 мс)
и не вызывающее превышение допустимой
температуры
Напряжение коллек ^ С Е max 1 700 Максимальное значение напряжения кол
тор-эмиттер, В лектор-эмиттер
Напряжение затвор- U CE ±20 Диапазон допустимых значений напряже
эмиттер, В ния управления
Рассеиваемая мощ Р ,о , 3 600 Максимально допустимое значение мощ
ность, Вт ности, при выделении которой не происхо
дит разрушения транзистора
Начальный ток кол 1CES 6 Значение тока коллектора при нулевом
лектора, мА напряжении управления
Ток утечки затвора, ^g e s 300 Значение тока утечки через затвор при
нА номинальном напряжении управления
Напряжение коллек U СЕ sat 3,2 Значение напряжения коллектор-эмиттер в
тор-эмиттер насыще открытом состоянии при номинальном
ния, В токе коллектора
Входная емкость, пФ С
^ ies 49 200 Значение суммарной емкости затвор-кол
лектор и затвор-эмиттер
Время задержки ^вкл 0,1 Время между подачей управляющего
включения, мкс импульса и началом роста тока коллектора
Время нарастания, 'г 0,1 Время нарастания тока коллектора
мкс
Время задержки на выкл 0,4 Время между началом спада импульса
выключение, мкс управления и началом снижения тока кол
лектора
Время спада, мкс 0,5 Время спада тока коллектора
'/
* Точные определения параметров см. в национальных и международных нормативных материалах
на полупроводниковые приборы.
а) б) в) г)
Рис. 1.37. ЦФТП на включение активно-индуктивной нагрузки:
а — на основе обратного диода; б — на основе стабилитрона; в — на основе конденсатора; г —
на основе трансформаторной связи
RH— LH— VD, постепенно затухая до нуля с постоянной времени тн = LH/R H. При
этом энергия, накопленная в реакторе индуктивностью Д , потребляется активным
сопротивлением RH. Аналогичный принцип ограничения перенапряжения исполь
зуется в схеме на рис. 1.37, б. Разница заключается в том, что включение стаби
литрона VD, в отличие от диода, происходит при напряжении пробоя стабилит
рона, которое соответствует максимальному напряжению на транзисторном ключе S.
В схеме на рис. 1.37, в при выключении ключа S ток нагрузки через диод VD заря
жает конденсатор емкостью Cs до напряжения, которое, пренебрегая потерями
энергии в резисторе /?н, можно приближенно определить по формуле
U (1.19)
в) г)
Рис. 1.40. Пример схемы ЦФТП на включе Рис. 1.41. ЦФТП МОП-транзистора
ние и выключение на основе /?С-цепи
Транзистор МОПБТ обладает повышенной устойчивостью к короткому замы
канию. Это обусловлено слабой зависимостью его напряжения насыщения от
больших токов. Напряжение насыщения МОПБТ определяется значением напря
жения управления, подаваемого на затвор транзистора, которое выбирается с уче
том тока короткого замыкания. Другим фактором, обеспечивающим устойчивость
МОПБТ к режимам короткого замыкания, является отрицательное значение тем
пературного коэффициента тока в отличие от положительного его значения у бипо
лярных транзисторов. В этой связи ток короткого замыкания МОПБТ уменьша
ется при повышении температуры. Эти особенности МОПБТ позволяют
кратковременно обеспечить значительное повышение тока коллектора МОПБТ в
режиме короткого замыкания без выхода из области безопасной работы.
При различных условиях возникновения режима короткого замыкания можно
выделить два характерных режима: включение на короткозамкнутую цепь (режим 1)
и короткое замыкание в нагрузке при включенном состоянии транзистора (режим 2).
Осциллограммы режимов 1 и 2 приведены на рис. 1.42 [14]. В режиме 1 ток корот
кого замыкания возрастает от нуля до значения, ограниченного напряжением на
коллекторе транзистора. В режиме 2 в начале короткого замыкания возникает пик
тока в транзисторе. Значение этого тока определяется наличием носителей заряда
во включенном транзисторе и его паразитными емкостями, увеличивающими
напряжение на затворе и, следовательно, повышающими ток коллектора транзис
тора. Наличие тока в режиме 2 требует принятия специальных мер защиты тран
зистора [14].
Следует отметить, что отрицательное значение температурного коэффициента
МОПБТ и МОП-транзисторов позволяет успешно решать задачу равномерного
распределения тока нагрузки между параллельно соединенными транзисторами.
1
“ СЕ
1
1С
/ )
(
а) б)
1.4. Тиристоры
а) б)
в)
Рис. 1.45. Характеристики тиристора:
а — схема включения; б — выходные ВАХ; в — входные ВАХ
стика, определяемая амплитудой источника сигналов управления еу тах и сопротив
лением цепи управления /?у, должна выбираться с учетом указанных ограничений
(прямая 3 на рис. 1.45, в).
В справочной литературе приводятся максимальные и минимальные значения
тока и напряжения импульса управления. Часто эти данные представлены в виде
графических зависимостей, учитывающих влияние температуры окружающей
среды (см. рис. 1.45, в).
G к
К
Рис. 1.50. Распределенная структура допол
нительного тиристора в цепи управления: Рис. 1.51. Эквивалентная схема транзистор
1 — катод; 2 — управляющий электрод; 3 — ной модели тиристора с закороченными
структура тиристора участками катода
а) б) в)
Рис. 1.52. Схемы различных типов тиристоров:
а — симметричный тиристор; б — тиристор, проводящий ток в обратном направлении; в — фототи
ристор
ш
м и ? *
С '
Рис. 1.53. Вид сильноразветвленного катода Рис. 1.54. Структура запираемого тиристора
запираемого тиристора с «прозрачным» эмиттером
•
J/ 2 d /
тока в аварийном режиме
(используется для выбора защит
ного предохранителя)
Критическая скорость нарас ‘m ‘c n , Наибольшее значение скорости 500 500
тания тока в открытом состо нарастания тока в открытом
янии, А/мкс состоянии, которую тиристор
выдерживает без повреждения
Время включения, мкс to n
Время, в течение которого тирис 100 10
тор переходит из закрытого
состояния в открытое
Время выключения, мкс fo ff
Время, в течение которого тирис 100 10
тор переходит из открытого
состояния в закрытое
*Точные определения параметров см. в национальных и международных нормативных материалах
на полупроводниковые приборы.
рый отпирает транзистор VT1, что вызывает включение транзистора VT2 в режиме
регенерации, как в однооперационном тиристоре. В результате Р-МСТ переходит
в проводящее состояние, которое сохраняется после снятия импульса управления.
Выключение Р-МСТ осуществляется подачей положительного импульса на
управляющий электрод относительно анода, что приводит к включению транзис
тора ПТ вкл. и разрыву его обратной связи с транзистором VT1 (коллектор VT2 —
база VT1). В результате происходит выключение схемы Р-МСТ. Так как задача и
условия функционирования ПТ вкл. и ПТ выкл. транзисторов различны, то и коли
чество их связей с транзисторами VT1 и VT2 также различно. Например, тран
зистор VT2 в каждой ячейке связан с ПТ выкл. В то же время примерно 4 % тран
зисторов VT2 имеют связь с ПТ вкл, что достаточно для обеспечения процесса
включения.
Схема из модификации МСТ имеет ряд преимуществ перед другими типами
силовых приборов: более низкое падение напряжения в проводящем состоянии,
быстродействие и управляемость [10].
Из новых разработок по совершенствованию характеристик GTO следует отме
тить тиристор, запираемый по эмиттеру (ЕТО). Принцип действия этого запирае
мого тиристора основан на введении дополнительного ключа, состоящего из боль
шого числа параллельно соединенных сильноточных МОПБТ. Такой ключ
включается последовательно с катодом GTO для его выключения [71].
В Японии активно развиваются технологии силовых приборов и, в частности,
запираемых тиристоров со статической индукцией (SITh), которые не получили в
настоящее время распространение среди изготовителей силовой электронной про
дукции других стран.
Контрольные вопросы
1. Объясните принцип работы тиристора с помощью двухтранзисторной модели.
В чем заключается положительная обратная связь?
2. Почему отсутствие тока управляющего электрода не приводит к выключению
тиристора?
3. Какое прямое напряжение может выдержать тиристор при отсутствии импульса
управления?
4. Какими кривыми входной ВАХ ограничен импульс управления тиристором?
5. Какие условия необходимо создать для перехода тиристора в проводящее состояние?
6. Определить емкость коммутирующего конденсатора, заряженного до напряжения
Uc = 300 В для выключения тиристора, проводящего ток нагрузки 1С= 100 А. Ток нагрузки
на интервале выключения постоянный.
7. Чем симметричные тиристоры отличаются от обратнопроводящих?
8. В чем преимущества и недостатки оптоуправлямых тиристоров?
9. В чем отличие прибора GCT от прибора IGCT?
1.5. Общая характеристика силовых полупроводниковых
ключей и модулей
1А ‘
lw
VS1 ---
VS2 UAC\ иАС1
— И --------- \ ^ иАС
'н
/ /
иАС\ UAC2 VD1 VD2
а) 6)
Рис. 1.59. П оследовательное соединение диодов:
а — схема; б — ВАХ диодов
VD2 R2 R1 R2
а) б)
VD1
1
VD2 VD2 N2
— й— '— и— г -й ----- г— I
1 • -v>r
-О Н И н= Н1- 1-й— 1
R1 Cl R2 С2 VD1 N1
в) г)
Т \ ° 2 ----------О
^ 2f
Л
------------ О
Л
ZS 2£ 21 2£
О ---------- О
в)
о 2S
U
6
а) б)
в)
Рис. 1.62. Идеальные ВАХ силовых модулей:
а — однопроводный ключ, блокирующий обратное напряжение; б — двухпроводный ключ, не бло
кирующий обратное напряжение; в — двухпроводный ключ, блокирующий обратное напряжение
ВО — г
<
а)
6Е »------- О
Т
J '
Рис. 1.63. Составной тран o _ fc Z
зистор по схеме Дарлинг
О
тона с обратным диодом
2
О 4 ---- о
б)
Рис. 1.65. Структурная схема ИСИС МОП-ключа серии PROFET фирмы Infineon Technologies AG
Основными преимуществами ключей этого типа являются малая мощность управ
ления и высокая рабочая частота. На основе МОП-технологий, обеспечивающих
высокую плотность интеграции элементов в кристалле, реализуются логические
схемы и аналоговые схемы управления. В общем случае ИСИС включается между
источником питания и нагрузкой (рис. 1.66).
Функциональные узлы управления, в частности логические схемы, генераторы
импульсов, компараторы и др., имеют гальваническую развязку от цепей силовых
ключей. Такая развязка необходима для нормального функционирования системы с
ИСИС, так как их выходные цепи связаны с силовой частью объекта управления,
например асинхронным двигателем. В то же время цепи управления ИСИС явля
ются схемами низкого напряжения и малой мощности с разветвленной топологией и
не допускают воздействия существенных помех от силовых цепей. Для гальвани
ческой развязки используют трансформаторную или оптоэлектронную развязку.
На рис. 1.67 представлена структурная схема основных компонентов ИСИС и
функциональных узлов ее системы управления, включаемых со стороны первич
ных обмоток разделительных трансформаторов.
Гальваническая развязка посредством трансформатора является эффективной и
малокритичной к напряжениям и мощности развязываемых цепей. Однако ее реа
лизация связана с усложнением конструкции ИСИС и может значительно повли
ять на его технико-экономические показатели.
Основным недостатком оптоэлектронной развязки является отрицательное вли
яние «паразитной» емкости между элементами оптопары, что может оказаться
существенным при воздействии высокочастотных помех. Драйверы ИСИС обычно
выполняются на основе МОП-транзисторов в соответствии с общепринятой схе
мотехникой для силовых ключей оконечного каскада модуля.
Большинство современных ИСИС имеют собственную защиту силовых ключей
по току, напряжению и температуре. Основой такой защиты являются датчики,
Источник Нагрузка
Контрольные вопросы
1. Для каких целей используется параллельное или последовательное соединение
силовых электронных приборов?
2. К двум последовательно соединенным диодам приложено обратное напряжение
UR = 1 кВ. Определить сопротивление выравнивающих резисторов, при которых разница
напряжений отдельных диодов не будет превышать 100 В, если обратные ветви статиче
ских ВАХ диодов аппроксимируются следующими сопротивлениями: Rri = 100 кОм, RR2 =
= 75 кОм.
3. Через параллельно соединенные транзисторы, находящиеся во включенном насыщен
ном состоянии, протекают токи 1С1 и 1С2. Определить сопротивление симметрирующих
резисторов при следующих условиях: статические ВАХ включенных транзисторов аппрок
симируются сопротивлениями RF1 = 0,3 Ом, RF2 = 0,5 Ом, транзисторы подключены к
общему источнику тока 20 А, допустимый «разброс» токов между транзисторами /= 2 А.
4. Два параллельно соединенных транзистора, работающих в режиме ключей, включа
ются на общую активную нагрузку (по схеме с общим эмиттером) сопротивлением RH= 10 Ом
и напряжением источника питания Е = 12 В. Статические ВАХ транзисторов идентичны.
Определить максимальный ток транзисторов в динамическом режиме при следующих
условиях: время включения одного транзистора 1 мкс, а другого 1,5 мкс. Значением напря
жения на включенных транзисторах в установившемся режиме пренебречь. На интервалах
включения принять для транзисторов модель генератора линейно спадающего тока.
5. Какие преимущества дает использование ИСИС при создании силовых электронных
устройств по сравнению с традиционной технологией применения дискретных силовых
электронных приборов?
Г л ав а в т о р а я
ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТИПОВЫЕ УЗЛЫ
СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ
Контрольные вопросы
Контрольные вопросы
1. Для чего стремятся снизить мощность сигналов преобразуемых СУ?
2. Чем аналоговые ИМС отличаются от цифровых?
3. Почему операционные усилители наиболее распространены среди аналоговых ИМС?
Рис. 2.8. Схема управления запи Рис. 2.9. Формирователь импульсов управле
раемым тиристором ния запираемого тиристора
В тиристорах, коммутируемых по управляющему электроду (см. гл. 1), ФИУ
должен иметь минимальное значение индуктивности в цепи формирования
импульсов управления. Для этой цели созданы специальные тиристоры с интегри
рованным управлением, в которых ФИУ конструктивно объединен с тиристором.
Гальваническая развязка цепей управления и силовой части, как правило,
широко используется в силовых электронных устройствах с различными видами
силовых электронных ключей. Функцию развязки цепей обычно выполняют драй
веры. Характерным примером является драйвер тиристора с выходным импульс
ным трансформатором (см. рис. 2.7). При увеличении длительности импульсов
управления мощность выходных трансформаторов возрастает, а их удельные мас
согабаритные показатели ухудшаются. Поэтому при длительных импульсах
управления для гальванической развязки целесообразно использовать высокочас
тотные трансформаторы, на вход которых подается переменное напряжение повы
шенной частоты с последующим выпрямлением и фильтрацией выходного напря
жения. На рис. 2.10, а представлена структурная схема, поясняющая принцип
формирования импульса управления силового ключа. Напряжение источника
питания постоянного тока Еп системы управления преобразуется в переменное
напряжение повышенной частоты ии (рис. 2.10, б) посредством простейшего
инвертора малой мощности И. Это напряжение поступает на трансформатор и
далее на диоды выпрямителя VD1 и VD2 при замкнутом ключе S ynр. Затем после
фильтрации RC -цепью напряжение подается на вход силового ключа в виде
импульса управления мвых. Моменты времени /0 начала формирования импульса и
t { его окончания управляются ключом малой мощности системы управления Synp
при воздействии сигнала управления иу .
Другим, широко распространенным, способом гальванической развязки явля
ется использование оптопар, имеющих законченное конструктивное исполнение в
виде отдельного компонента или разделенных оптоволоконным кабелем, проводя
щим световой поток. На рис. 2.11, а представлена структурная схема ФИУ, вход
которого гальванически развязан с системой управления, формирующей сигнал
управления малой мощности, поступающий на оптопару, состоящую из светоди
ода и фототранзистора. Выходной сигнал последнего поступает на формирователь
импульса управления ФИУ. Выход ФИУ подключен к управляющему входу сило
вого ключа. Очевидно, что в этом случае оконечный каскад ФИУ непосредственно
связан с силовой схемой. Кроме того, необходим дополнительный источник пита
ния, обеспечивающий функционирование ФИУ и имеющий, как правило, свою
гальваническую развязку с силовыми цепями.
При использовании оптотиристоров импульс управления формируется свето
вым потоком, созданным, например, светодиодом системы управления СУ. При
этом передача светового потока к оптотиристору осуществляется оптокабелем ОК
(рис. 2.11,6).
VD1
а)
б)
Рис. 2.10. Формирователь импульсов управления силового ключа с гальванической трансфор
маторной развязкой:
а — структурная схема; б — диаграммы напряжения
2.4. Датчики
Датчиком является устройство, выдающее информацию о системе или ее эле
ментах. В устройствах силовой электроники наиболее широко распространены
датчики электрических параметров тока и напряжения. Реже применяют датчики
частоты, мощности, датчики нуля тока или нуля напряжения и др.
Д ат чики напряж ения и тока. Среди них можно выделить две группы датчи
ков по роду тока или напряжения: датчики переменного тока или напряжения и
датчики постоянного тока или напряжения. Датчики переменных сигналов можно
подразделить на датчики мгновенного, действующего и среднего значений. В
состав датчика могут входить функциональные узлы:
• чувствительный элемент, вход которого непосредственно связан с контроли
руемым параметром;
• преобразователь (например, преобразователь переменного напряжения в
постоянное, пропорциональное среднему или действующему значению входного
напряжения);
• усилитель, предназначенный для согласования выходных сигналов датчика
с входом системы управления;
• фильтры, согласующие каскады, элементы гальванической развязки и т.п.
Датчик исходной информации может содержать только чувствительный эле
мент. Датчики могут быть выполнены на основе дискретных элементов (трансфор
маторов, шунтов, транзисторов, резисторов, диодов и др.), интегральных микро
схем или их сочетания.
Простейший датчик напряжения, который применяется в регуляторах постоян
ного тока, состоит из двух резисторов, соединенных по схеме делителя напряжения
(рис. 2.12). На вход датчика поступает контролируемое напряжение wBX, выходное
напряжение ивых пропорционально входному:
r2
~ r ] +r2'
та 'вх
Рис. 2.15. Датчик постоянного тока с тран Рис. 2.16. Датчик переменного тока на
зисторным усилителем основе трансформатора тока
Датчики тока прямого усиления (рис. 2.17). В этих датчиках магнитное поле
создается измеряемым током / вх.Ток управления / упр подается с помощью стаби
лизированного источника тока. Напряжение Холла, зависящее от / вх, преобразу
ется усилителем в выходной ток датчика / вых.
Датчики прямого усиления позволяют измерять номинальные токи от несколь
ких ампер до нескольких сотен ампер. Датчики тока прямого усиления потреб
ляют мало мощности, имеют небольшие геометрические размеры и незначитель
ную массу. Они обеспечивают отсутствие потерь мощности в измеряемой цепи и
устойчивы к перегрузкам тока.
Датчики тока компенсационного типа, или датчики с нулевым потоком,
имеют встроенную компенсационную цепь, которая позволяет существенно улуч
шить характеристики датчиков. Выходной ток, пропорциональный напряжению
Холла, действует как сигнал обратной связи. Благодаря его действию результиру
ющий магнитный поток в магнитопроводе практически отсутствует.
Датчики тока компенсационного типа измеряют токи от нескольких ампер до
нескольких сотен тысяч ампер. Датчики Холла имеют высокую точность и хоро
шую линейную характеристику, малый температурный дрейф, низкую инерцион
ность и широкий частотный диапазон работы. Датчики выдерживают перегрузки
по току без повреждений. Основным недостатком этих датчиков является потреб
ление мощности, обусловленное компенсацией потока. Кроме того, датчики боль
ших токов более дорогие и имеют большие габаритные размеры по сравнению с
аналогичными датчиками прямого усиления.
Датчики напряжения основаны на тех же принципах, что и датчики тока.
Главное отличие состоит в первичной цепи, измерительная катушка которой изго
товлена с большим количеством витков. За счет этого удается снизить значение
первичного тока, что позволяет минимизировать ток потребления из входной
цепи. Для измерения напряжения необходимо обеспечить первичный ток, пропор
циональный измеряемому напряжению. Это достигается с помощью резистора,
последовательно соединенного с первичной обмоткой. Резистор может быть вне
шним или встроенным.
Рис. 2.17. Принцип работы датчика тока прямого усиления, основанного на эффекте Холла
Дат чики частоты основаны на различных схемах фильтров, имеющих час
тотно-зависимые характеристики. Для определения моментов перехода перемен
ного тока или напряжения через нуль используют сравнивающие устройства (ком
параторы).
Дат чики мощности имеют два чувствительных элемента и функциональный
блок перемножения сигналов тока и напряжения. Для получения средних и дей
ствующих значений могут применяться интегрирующие, перемножающие и другие
устройства. Если система управления имеет импульсную (цифровую) структуру,
то необходимо преобразовывать аналоговые измеряемые сигналы в цифровую
форму. С этой целью применяются интегральные схемы аналого-цифровых преоб
разователей (АЦП).
Часто современные датчики оснащаются встраиваемыми микроконтроллерами.
Это позволяет значительно улучшить характеристики датчиков за счет математиче
ской обработки информации непосредственно в процессе измерения и активного
управления измерением, а также упростить передачу данных в систему управления.
При необходимости применяются различные типы датчиков, имеющих типо
вые или оригинальные, нестандартные решения, в зависимости от технических
требований к выдаваемым датчиком сигналам. При разработке датчиков и пара
метров их элементов необходимо учитывать следующее:
• величина выходного сигнала датчика должна быть достаточной для распо
знавания системой управления и выше уровня помех во всех режимах работы;
• датчик должен потреблять как можно меньше активной мощности из конт
ролируемой цепи;
• при высоком напряжении или токе датчик должен обеспечивать гальвани
ческую развязку цепей управления;
• датчик должен преобразовывать измеряемые сигналы в требуемую форму
(постоянный сигнал, цифровой код, последовательность импульсов).
Контрольные вопросы
1. На какие категории подразделяются датчики электрических величин?
2. Каким образом обеспечивается гальваническая развязка в датчиках?
3. В чем преимущество датчиков на основе эффекта Холла?
памяти. Одна часть используется для записи и хранения программ, другая — для дан
ных (рис. 2.20, б). Эта архитектура имеет две отдельные шины, что позволяет вести
передачу программ и данных независимо и одновременно. При этом исчезает
необходимость прерывания потока данных для выборки команд. Это в ряде слу
чаев позволяет существенно повысить быстродействие системы, хотя стоимость
кристалла микропроцессора увеличивается.
Компромисс между производительностью системы и стоимостью достигается в
модифицированной гарвардской архитектуре. Стоимость остается низкой благо
даря использованию только одного набора внешних выводов для программ и дан
ных, а высокая производительность системы достигается разделением всех внут
ренних шин.
По системе команд различают микропроцессоры CISC (complete instruction set
computer) с полным набором команд и RISC (reduced instruction set computer)
с сокращенной системой команд.
Микропроцессоры CISC выполняют большое количество всевозможных команд,
часто производящих несколько простых действий. За счет большого разнообразия
команд значительно снижается трудоемкость написания программы. Основной недо
статок CISC — это сложность реализации процессора при низком быстродействии.
Микропроцессоры RISC содержат набор только простых, чаще всего встречаю
щихся в программах команд. При необходимости выполнения сложной команды
в микропроцессоре производится их сборка из простых. За счет этого удается
повысить быстродействие процессора.
Некоторые процессоры построены по принципу использования комбинирован
ной системы команд. Это позволяет придать процессору положительные свойства
обеих систем команд.
Дальнейшее развитие концепции сокращения числа используемых команд при
вело к созданию процессоров с минимальным набором команд MISC (minimum
instruction set computer). Компоненты такого процессора просты в изготовлении и
работают с высокой скоростью.
В зависимости от того, в каком формате процессор воспринимает и обрабаты
вает данные, различают микропроцессоры с фиксированной точкой и микропро
цессоры с плавающей точкой. При заданной точности вычислений и разрядности
диапазон чисел в формате с плавающей точкой значительно превышает диапазон
чисел в формате с фиксированной точкой. Поэтому вычисления с плавающей точ
кой используются для обеспечения повышенной точности результата. Реализация
подобных алгоритмов на процессорах с фиксированной точкой влечет за собой
значительное увеличение времени вычислений.
Основные характеристики МПУ. Важной характеристикой МПУ является его
разрядность , т.е. максимальная длина двоичного кода, который может переда
ваться и обрабатываться целиком. Разрядность устройства определяется разряд
ностью его микропроцессора.
Операции, выполняемые МПУ, синхронизируются с импульсами прямоуголь
ной формы — синхроимпульсами, вырабатываемыми внешним тактовым генера
тором. Это позволяет обеспечить согласование скоростей работы различных
узлов. При этом любая операция не может быть выполнена быстрее, чем за один
период синхроимпульсов. Тактовая частота синхроимпульсов генератора опре
деляет максимальное время выполнения переключения элементов в МПУ. Произ
вольное, нерегламентированное увеличение тактовой частоты может вызвать сбой
в работе устройства, а в некоторых случаях и выход его из строя.
Быстродействие процессора характеризуется количеством миллионов выпол
ненных команд в секунду — MIPS (million instructions per second). Количество так
тов внешнего генератора, приходящихся на время выполнения команды, для неод
нотипных процессоров различно. Вследствие этого число исполненных команд за
единицу времени, а значит, и значение MIPS для процессоров в некоторых слу
чаях невозможно определить точно. Поэтому эта величина чаще всего использу
ется при сравнении процессоров одного семейства.
Одной из основных характеристик МПУ являются тип ЗУ и объем имеющейся
памяти. Оперативные запоминающие устройства подразделяются по способу хране
ния информации на статические и динамические. В статических ОЗУ хранение
памяти обычно осуществляют бистабильные устройства — триггеры, способные при
наличии источника питания сохранять неизменное состояние, а следовательно, и
записанную информацию неограниченное время. В динамических ОЗУ функцию
элементов памяти выполняют электрические конденсаторы, которые для сохранения
записанной информации нуждаются в периодической перезаписи (регенерации). Оба
типа ОЗУ являются энергозависимыми, и при выключении источника питания запи
санная в них информация исчезает.
Постоянные запоминающие устройства сохраняют информацию при отключе
нии питания. Они подразделяются на программируемые при изготовлении (масоч
ные) ПЗУ, программируемые пользователем (ППЗУ) и перепрограммируемые
(репрограммируемые) (РППЗУ). Последние позволяют многократно переписать
записанную информацию.
Микропроцессорные контроллеры. Широкое использование микропроцес
сорной техники в системах управления привело к появлению специализированных
МПУ — микроконтроллеров (МК).
Микропроцессорный контроллер — это вычислительно-управляющее устрой
ство, предназначенное для выполнения функций контроля и управления различ
ными техническими объектами и сочетающее в себе микропроцессорное ядро и
набор встроенных устройств ввода-вывода.
В зависимости от условий применения микроконтроллеры могут иметь различ
ное конструктивное исполнение и быть размещены на одной или нескольких платах.
Наиболее универсальными являются многоплатные микроконтроллеры. В своем
составе они имеют платы с микропроцессором и памятью, а также отдельные платы
вспомогательных узлов со слаботочными элементами. Многоплатные контроллеры
широко использовались для управления силовыми электронными устройствами.
С развитием микросхемотехники многие микросхемы стали представлять
собой законченные функциональные блоки [цифроаналоговые преобразователи
(ЦАП), аналого-цифровые преобразователи (АЦП), счетчики и т.п.]. Оказалось
возможным разместить на одной плате микропроцессор, память, необходимые
преобразователи и их интерфейсы и получить одноплатный микроконтроллер.
Одноплатный микроконтроллер по сравнению с многоплатным, с тем же набором
функций, обладает рядом преимуществ: меньше по размерам, проще в изготовле
нии, надежнее и дешевле. Несмотря на это, он менее универсален. Разные микро
схемы имеют различные размеры, расположение и назначение выводов. Поэтому на
печатную плату микроконтроллера можно установить только ту микросхему, под
которую она выполнена. Чтобы добиться большей универсальности при конструи
ровании одноплатных микроконтроллеров, плату разрабатывают с некоторой
избыточностью, закладывая возможность увеличения количества микросхем. В
настоящее время разрабатывают платы, обеспечивающие управление всеми
типичными для данной области техники объектами. Связь между одноплатным
контроллером и силовыми платами осуществляется посредством кабеля. Устрой
ство питания выполняется отдельным блоком.
Благодаря развитию интегральной схемотехники преимущественно использу
ются однокристальные микроконтроллеры в виде одной ИМС, включающей мик
ропроцессор, память, интерфейсы и различные преобразователи. На рис. 2.21
показаны внешний вид типичного микроконтроллера и возможное расположение
электронных схем на его кристалле.
Для силовых электронных устройств со встроенными микропроцессорами
наиболее перспективно применение однокристальных микроконтроллеров.
Кроме того производятся однокристальные микроконтроллеры, различающиеся
по объему памяти, быстродействию, разрядности обрабатываемых чисел, нали-
"с
Контрольные вопросы
1. Какие основные блоки содержит микропроцессорное устройство?
2. Чем различаются архитектуры микропроцессоров?
3. Какие характеристики определяют быстродействие МПУ?
4. Чем МПУ отличается от микропроцессорных контроллеров?
Гл а в а третья
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ И ОХЛАДИТЕЛИ СИЛОВЫХ
ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
В = »0(Н + М ), (3.1)
Я,Тл
Рис. 3.1. Кривые намагничивания различных Рис. 3.2. Обобщенный вид кривой
ферромагнитных материалов: намагничивания
1 — 79НМ; 2 — Э45; 3 — Э З 10; 4 — 65НП; 5 —
50НП; 6 — Э380
из-за влияния на процессы намагничивания в переменных магнитных полях вих
ревых токов, магнитной вязкости и резонансных явлений.
Понятие «динамической проницаемости» связано также с определением дина
мической индуктивности L d, которая является коэффициентом связи между изме
нениями потокосцепления Av|/ и тока А/ в контуре электромагнитного элемента:
^ =(зЮяА - <3-4>
где Нь и Вь — координаты точки Ъ, в которой определяется значение магнитной
проницаемости.
Типичные зависимости \ха и \iad от Н приведены на рис. 3.3.
Наиболее полно характеризуют свойства ферромагнетика петли гистерезиса.
Предельная СПГ определяет зависимость В от Н на участках полного цикла намаг
ничивания и размагничивания при медленном изменении напряженности внеш
него поля, т.е. фактически при постоянном токе (dH/dt = 0). На рис. 3.4 представ
лена предельная СПГ, характеризующаяся:
• максимальными значениями Вт и Нт, которые превышают значения, соот
ветствующие индукции насыщения Bs\
• остаточной индукцией Вг\
• коэрцитивной силой с напряженностью Нс
Участки петли гистерезиса от Вг до -Н с и от -В г до Нс соответствуют процессам
размагничивания, а участки от -Н с до -В г и Нс до Вг — процессам намагничива
ния. При снижении значений напряженности в ферромагнитном материале до
нуля имеет место остаточная индукция Вг или -В г в зависимости от полярности
начальных значений Вт.
Форма СПГ характеризуется углами наклона пологих и крутых участков. Для
СПГ идеальной прямоугольной формы \xd = оо На крутых участках при изменении
индукции от Вт до -В т и \id = 0 на пологих участках при изменении напряжен
ности от Нс до -Н с (рис. 3.5). Для приближенной оценки прямоугольное™ СПГ
используется коэффициент прямоугольное™
К пр (3.5)
5^ -—
■ У
ПэS-
и,
/ / -0/1- /
0,4"
с L
*
/
Статичесьсая
___ 1___
^ 60 Гц
1
/ /
/
1
1
1
1 h - 400 Гц
1
-К S /-8 1 0 !! ! 16 Я, А/м
/ 11 л о' /
/ , /
А. ■I /
у
/ / ___
_ %
Г
—0 6
Рис. 3.5. Идеальная петля гистерезиса Рис. 3.6. Петли гистерезиса, снятые при питании
от источника синусоидального напряжения
магнетике, препятствующих процессу перемагничивания. На характер ДПГ оказы
вают влияние не только свойства ферромагнетиков, но и другие факторы, которые
необходимо учитывать. Например, ДПГ, снятые для одного и того же материала
при перемагничивании от источника тока, будут значительно отличаться от ДПГ,
снятых при перемагничивании от источника напряжения. Влияние на ДПГ оказы
вают также воздействующие токи и напряжения, конструкция магнитопровода и др.
Для оценки динамических свойств ферромагнетиков используют динамические
кривые размагничивания. Эти кривые являются геометрическим местом вершин
ДПГ ряда циклов перемагничивания. При этом размагничивание проводится в
несимметричном магнитном поле, изменяющемся во времени. Размагничивающее
магнитное поле можно представить в виде переменной составляющей и постоян
ной составляющей, которая постепенно убывает до нуля. Аппроксимируя экспе
риментально снятые ДКР, можно построить упрощенные ДПГ. Динамические
петли гистерезиса являются наиболее информативными зависимостями для проек
тирования реакторов и трансформаторов, работающих в условиях воздействия
переменных токов и напряжений повышенной частоты.
При невысоких частотах (50 Гц — 5 кГц) применяют различные металлические
магнитомягкие материалы, например электротехнические стали с добавками крем
ния с низкой коэрцитивной силой (Нс < 4 А/м) или сплавы железа с никелем (пер
маллои). Для этих сплавов характерны высокие значения относительной магнитной
проницаемости и низкие значения коэрцитивной силы. Поэтому потери при пере
магничивании малы, что особенно важно при работе на повышенных частотах.
При частотах более 5 кГц используют полупроводниковые ферриты или магни
тодиэлектрические материалы. Ферриты изготовляются из порошкообразных
соединений оксидов железа с цинком или марганцем. Удельное объемное электри
ческое сопротивление ферритов, так как они являются полупроводниками, на
много порядков превышает аналогичное сопротивление сталей и сплавов. Высо
кое значение электрического сопротивления позволяет существенно снизить вих
ревые токи и вызываемые ими потери энергии. Малые потери энергии от вихре
вых токов, а также возможность производства магнитопроводов различной формы
обусловили широкое использование ферритовых магнитопроводов в силовой
электронике. В настоящее время на базе феррита из соединения MnZn созданы
магнитные материалы с высокими индукцией насыщения, магнитной проницае
мостью и низкими потерями энергии для функционирования в диапазоне частот от
300 кГц до 1 МГц. При частотах свыше 1 МГц рекомендуется использовать фер
риты из соединения NiZn. Однако никель-цинковые ферриты применяются огра
ниченно из-за чувствительности к температуре и характеристике насыщения [20].
При разработке магнитопроводов для реакторов с низкой индуктивностью и
высокими значениями рабочих токов применяются другие критерии оценки
характеристик, отличные от используемых для трансформаторов. В реакторах
часто требуется обеспечить небольшое значение индуктивности при больших зна
чениях тока. Кроме того, при использовании в качестве элемента фильтра в цепях
импульсного тока реактор подвергается подмагничиванию постоянным током.
При этом необходимо сохранение постоянства индуктивности при изменении тока
в широком диапазоне.
Традиционно эта задача решалась изготовлением магнитопровода с одним или
несколькими воздушными зазорами. При этом индуктивность реактора и ее зави
симость от тока в обмотке снижались. Недостатками этого способа являются воз
никновение магнитных потоков рассеяния вблизи зазора и ухудшение показателей
электромагнитной совместимости.
В настоящее время разрабатываются магнитодиэлектрики с низкой магнитной
проницаемостью. Основой таких материалов является соединение композицион
ных материалов порошкообразной структуры, объединяющих магнитные матери
алы с диэлектриками посредством специальных связывающих их веществ. В
результате получается материал с низкой магнитной проницаемостью за счет
«распределенного» зазора по всему замкнутому магнитопроводу. Среди таких
материалов получил распространение альсифер — сплав алюминия, кремния и
железа. Магнитопроводы из альсифера лишены недостатков, присущих магнито-
проводам с явным воздушным зазором. Магнитодиэлектрики имеют высокое
удельное электрическое сопротивление, что практически исключает появление
вихревых токов. Низкие значения \ха (от нескольких единиц до сотен единиц) поз
воляют эффективно использовать эти сплавы в реакторах фильтров с практически
линейной индуктивностью в широком диапазоне изменения напряженности маг
нитного поля.
Из новых магнитных материалов следует отметить аморфные магнитомягкие
сплавы. Они отличаются от традиционных сплавов отсутствием кристаллической
решетки. Аморфное состояние структуры достигается закаливанием расплавлен
ного металла со скоростью 10 град/с. Основой таких металлов являются различ
ные сплавы железа, бора и кремния, легированные для улучшения свойств различ
ными компонентами, например хромом. Аморфные сплавы имеют высокие
магнитные, механические и антикоррозионные свойства. Основным же их пре
имуществом является низкое значение удельных потерь энергии. Это позволяет
получить значительный экономический эффект при производстве серийных элект
ромагнитных компонентов за счет снижения их металло- и энергоемкости.
(3.6)
(3.7)
б)
Рис. 3.7. Импульсный трансформатор:
а — принципиальная схема; б — диаграмма напряжения на первичной обмотке
о-
о
а)
б)
Рис. 3.8. Процессы намагничивания в импульсном трансформаторе:
а — схема замещения; б — диаграммы напряжения и индукции
АВ = а и (3.9)
N,S,
1 М
где SM— сечение магнитопровода.
На рис. 3.9 диаграмма процесса изменения индукции
под воздействием первого импульса напряжения соот
ветствует перемещению кривой начального намагничи
вания из точки О в точку A j.
При размыкании ключа S, вызывающем отключение источника напряжения Е
от трансформатора, начинается размагничивание магнитопровода. При этом ток
намагничивания с учетом принятых допущений будет спадать до нуля в контуре,
образованном сопротивлением zp и нагрузкой 7?н. Полагая длительность разомкну
того состояния ключа большей, чем время спадания тока /р до нуля, можно счи
тать, что до момента очередного замыкания ключа S индукция В изменится по
кривой частичного цикла размагничивания A xO v Затем с момента очередного
замыкания ключа S начнется процесс намагничивания магнитопровода, но уже из
точки О у При неизменных Е и /и величина Д5ср будет постоянной в соответствии
с (3.9). В результате периодического импульсного воздействия происходит смеще
ние начального и конечного значений индукции по кривой OkAk. Последующее
воздействие импульсов будет вызывать перемагничивание магнитопровода по
частному циклу из точки Ок в точку Ак и обратно. В установившемся режиме
Л * ср = ВА - вс (3.10)
^д о б = Y ’ (З Л 1 )
К0
где — сопротивление переменному току; R0 — сопротивление постоянному току.
Значение коэффициента рассчитывают с учетом частоты воздействующего тока
или напряжения на обмотку трансформатора.
При несинусоидальных формах тока или напряжения вычисляются добавочные
потери от каждой гармонической составляющей, определяемой из разложения в
ряд Фурье. Эти потери также могут быть приближенно определены с учетом коэф
фициента
Ъ « « КД0б«)
*доб = " - ^ - ^ ------- , (3-12)
Контрольные вопросы
1. Какие параметры х ар ак тер и зую т м агнитны е свой ств а ф ерром агн итны х м атериа
лов?
2. Какие ф ерром агнитны е материалы прим еняю тся в совр ем ен ны х устройствах си л о
вой электроники?
3. В чем состои т о со б ен н о ст ь расчета потерь в трансф орм аторах и реакторах при воз
действии н еси н усои дал ьн ого напряж ения?
4. Чем характерна работа трансф орм атора в р еж им е подм агничивания?
3.2. Конденсаторы
5е0
9o=V~f> (3 -13)
где U — напряжение внешнего источника; S — площадь поверхности пластины;
е0 — электрическая постоянная, характеризующая электрические свойства ваку
ума; d — расстояние между пластинами.
При отсутствии диэлектрика емкость конденсатора С0 = q0/U. При введении
между пластинами диэлектрика в результате поляризации на его поверхности воз
никает электрический заряд, зависящий от типа диэлектрика. Этот заряд создает
поле, электрическая напряженность которого £ ст направлена встречно электриче
ской напряженности внешнего поля £ 0, что приводит к уменьшению электриче
ской напряженности в диэлектрике:
Е = Е0 - Е а, (3.14)
8ге0‘5>
С = г гС0 = ^ ~ . (3.16)
tg 5 = со СЭЯ3 (3.19)
К
Rэ
-о
а)
6)
Рис. 3.13. Упрощенные схемы замещения конденсаторов:
а — последовательная; б — параллельная
зависимой. Кроме того, более полные схемы замещения включают в себя индук
тивности электрических выводов, их активное сопротивление и ряд других пара
метров [18].
При выборе типа конденсатора необходимо учитывать режим работы, форму и
частоту тока и напряжения, конструктивное расположение, условия охлаждения,
общий ресурс работы, надежность и многие другие факторы.
Длительность эксплуатации конденсаторов влияет на их характеристики.
Например, отдельные типы конденсаторов могут изменять емкость на 30 % перво
начального значения. Также со временем могут значительно изменяться tg5 и
сопротивление изоляции конденсатора, от которой зависит ток утечки.
По условиям работы конденсаторы подразделяются на неполярные конденса
торы переменного тока и фильтровые конденсаторы для цепей постоянного тока с
низким уровнем пульсаций. Первая группа конденсаторов работает при воздей
ствии переменных и импульсных напряжений различной формы. При этом не
исключается наличие постоянной составляющей в напряжении, соизмеримой с
амплитудой пульсаций. Эти конденсаторы не имеют разнополярных выводов, т.е.
не критичны к полярности воздействующего напряжения.
К другой группе относятся униполярные конденсаторы, например электролити
ческие конденсаторы с оксидным диэлектриком. Эти конденсаторы характеризу
ются высокими значениями емкости и удельными энергетическими показателями
на единицу объема. Подача переменного напряжения на обкладки таких конденса
торов недопустима.
(3.20)
Рис. 3.15. Зависимость амплитуды допусти Рис. 3.16. Зависимость удельной реактив
мого напряжения конденсатора от частоты ной мощности конденсаторов от частоты
Рис. 3.17. Схема замещения электролитического кон
денсатора (а) и зависимость полного сопротивления
от частоты конденсатора К50-20 (б)
а)
zc =
г * = г д + г эл; (3.21)
Табл и ца 3.1
Удельные показатели конденсаторов
Удельная энергия, Дж/кг Удельная масса, кг/кВт Частота переменной составляю-
Тип конденсатора
2001 г. 2011 г. 2001 г. 2011 г. щей напряжения, Гц
но
Рис. 3.19. Диаграммы импульсов мощности и изменения температуры
ного анализа [64]. На рис. 3.19 представлены диаграммы импульсов потерь мощ
ности прямоугольной формы и изменения температуры в кристалле прибора.
В первом приближении вычисляется переходное тепловое сопротивление
Z ( 0 = % c( l - e “'/Tr) , (3.24)
= PnnZ ( K ) • (3-25)
В выражении (3.25) на n-м интервале действия импульса Рпп или его отсут
ствия (Рпп = 0) сопротивление Z(t) принимается постоянным и определяется
из (3.24) подстановкой t = Atn, где Atn = tn — tn_ l9 т.е. длительности рассматри
ваемого интервала. В результате получим зависимость изменения температуры
в приборе
W - 7}„ + P n,(Z, - Z 2) + />„3( Z , - Z 4)+ ... + P n„< Z „-Z „+1), (3.26)
1
со
ТО-220АВ Без изолирующей прокладки
о
Слюда (50— 100 мкм) 2,0— 2,5 4,0— 6,0
TO-3P(L) Без изолирующей прокладки 0,1— 0,2 0,4— 1,0
Слюда (50— 100 мкм) 0,5— 0,7 1,2— 1,5
Т а б л и ц а 3.3
К расчету коэффициента X
Алюминий 2,08
Медь 3,85
Латунь 1,1
Сталь 0,46
Слюда 0,006
Оксид бериллия 2,1
Рис. 3.20. Ребристая конструкция охладителя:
/ — общая длина; h — толщина; hs — толщина основания
Контрольные вопросы
1. Измените схему на рис. 3.18 с учетом теплового сопротивления между корпусом
прибора и окружающей средой.
2. Как изменится температура в электронном ключе, если изменить материал охлади
теля с алюминия на сталь при равных остальных условиях эксплуатации?
3. Как и почему влияет на процесс охлаждения цвет наружной поверхности охлади
теля?
4. Изобразите схему замещения для расчета температурного режима прибора по ана
логии со схемой на рис. 3.18, если охладитель и прибор будут размещены на внешней сто
роне металлического корпуса аппарата.
5. Определите среднее значение температуры в тиристорах однофазной мостовой
схемы, работающей на активную нагрузку с углом управления а = к/6. Действующее зна
чение синусоидального напряжения на входе U= 220 В, сопротивление активной нагрузки
RH= 1 Ом, падение напряжения на тиристоре во включенном состоянии AUF=2 В, тепловые
сопротивления в соответствии со схемой на рис. 3.21 имеют следующие значения: R$j_c =
= 0,01 °С/Вт, R$c_s = 0,02 °С/Вт, R§s_a = 0,005 °С/Вт, температура окружающей среды для
охладителя Та = 30 °С.
6. В каких случаях целесообразно использовать принудительное воздушное охлаждение?
Часть вторая
ОСНОВНЫЕ ВИДЫ с и л о в ы х
ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
Глава четвертая
АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ И МЕТОДЫ УПРАВЛЕНИЯ
ментов { b \ 9l!2, ..., L*K; С \, С 2, C lN; R\, R\, ..., R lM}, отображающих эле
менты входных и выходных фильтров, накопителей электроэнергии, а также
нагрузки. В состав нагрузки в общем случае входят источники напряжения и (или)
о / d V /' г i,
+ ап- 1 1 + ••• + «О У - f (0> (4.1)
V dt
L ^ + Ri = Е ; '
At
> (4.2)
L ^ - + R i = 0.
At J
_ ± \
л, ч Е
1- е (4.3)
- «) =j
где т = L / R — постоянная времени.
В момент времени t = t} = уГк, где у — относительная длительность включен
ного состояния ключа, изменяется структура преобразователя и начинается второй
интервал работы СЭУ (см. рис. 4.2, б). Так как ток в индуктивности при одновре
менном переключении ключей S1 и S2 не изменяется, то его значение в конце
интервала I будет начальным значением на интервале II, т.е. Z ^ i) = /
Следовательно, ток в индуктивности на втором интервале можно определить
* - утк
i l\ t ) = * '( 'i ) e (4.4)
i \ n T K] = i l[(n + 1)ГК];
(4.5)
/ П[«7’к + у7’к] = i" [(/i + 1 )7 ; + уГк],
/ I ( y 7 , K) = f + ( 7m , n - f ) e ^
(4.6)
rK(i-y )
.II E fj _E X
i ( T k ) = I min = R + V min R
у Т ,Л Тк( 1 - у )
X
1-е
J
. = 1^
/ min (4.7)
к\
1 - е
V У
Используя второе уравнение в (4.5), можно определить максимальное значение
тока в установившемся режиме.
1- го порядка Af [ n ] = f [ n + 1 ] - f [ n \ ;
ТЛ1-Y)/
тм-у)г утл
I
где Вв = Е
- е 1-е ;Ч= е
*{/(*)-1(0) } - ? / ( * ) = (4.13)
Bz n В { \ - д П)
f[n] = £ res (4.16)
(г - 1)(z - q) 1 ~q '
где res — вычет подынтегральной функции согласно теореме Коши.
Полагая, что переходный процесс начался при / [0] = 0, из (4.16) с учетом при
нятых в (4.9) значений В и q получаем следующее значение тока i[n] в начале гг-то
периода:
гк(1-у)
Е I (
е \-е 1 1-е х
R
k JV )
/И (4.17)
Л
1-е т
При п —> °°, т.е. в установившемся режиме, минимальные значения тока совпа
дают со значением, полученным методом «припасовывания».
Из (4.17) можно получить значения тока / в виде решетчатой функции для
заданного числа п , т.е. практически для любого момента времени, без проведения
расчетов по всем предыдущим интервалам, начиная от п = 0.
о
1 интервал
1
0 интервал УТК— ТК’
(4.19)
1 интервал 0— Тк/ 2 ;
-1 интервал Тк/ 2 - Т к
а)
1
1 1
тк *
! -
-1
-1
1
1
1
!
в) г)
2п
где сок = — .
1к
В квадратных скобках (4.20) представлено разложение в ряд Фурье функции
*Fwl(0, умножение которой на величину Е дает полный спектр напряжения, вклю
чающий в себя постоянную и все гармонические составляющие. Каждая составля
ющая этого спектра может рассматриваться как отдельный эквивалентный источ
ник напряжения, воздействующий на нагрузку. При линейном характере нагрузки
применяется принцип суперпозиции. В зависимости от количества р учтенных
составляющих спектра ток в /?/,-нагрузке (см. рис. 4.2, а) может быть определен с
требуемой точностью
где
2 Е
пт — амплитуда п-й гармоники тока;
n<oKL
ср = arctg —------- фаза и-й гармоники тока.
R
Достоинством метода является использование распространенных способов рас
чета линейных цепей при небольшом объеме вычислительных работ для проведе
ния предварительного анализа процессов. Этот метод позволяет обеспечить высо
кую точность расчетов за счет увеличения числа учитываемых составляющих
спектра. Возможности метода резко ограничиваются при необходимости учета
нелинейностей эквивалентных схем и изменениях моментов коммутации при
управлении.
Контрольные вопросы
1. Опишите методом «припасовывания» процессы изменения тока и напряжения на
конденсаторе в цепи, состоящей из последовательно включенных резистора R и конденса
тора С, подключенных к выходу схемы (см. рис. 4.4, а). Решения привести в общем виде
для первых двух периодов работы ключей S1 и S2.
2. Для условия задачи 1, полагая процесс изменения напряжения на конденсаторе С
установившимся, определите минимальное значение напряжения на конденсаторе.
3. Какое преимущество имеет метод дискретных преобразований по сравнению с
методом «припасовывания»?
4. Определите в общем виде ток 3-й гармоники в цепи нагрузки в схеме на рис. 4.2, б.
5. Определите в общем виде действующее значение напряжения на резисторе R мето
дом основной гармоники в схеме на рис. 4.4, б при нагрузке, состоящей из последова
тельно соединенных резистора R и конденсатора С.
а)
иу2
К тиристорам
иув
У
ров (рис. 4.7, б). Фаза импульсов изменяется в зависимости от сигнала 8, который
сравнивается с напряжениями иг (см. рис. 4.6). При такой организации СУ диапазон
регулирования угла управления в каждом канале ограничен значением к/ 3. Раз
личные схемотехнические решения позволят расширить этот диапазон до а = л.
Асинхронные системы. В асинхронных системах частота генерации импуль
сов управления становится синхронной по отношению к частоте напряжения сети
только в установившемся режиме при замкнутом контуре регулирования фазой
импульса управления. Это отличает системы асинхронного типа от синхронных.
В последних синхронизация импульсов управления может производиться при
разомкнутом контуре регулирования посредством синхронизации генератора
пилообразного напряжения с напряжением сети.
Существуют различные типы асинхронных систем, среди которых основными
являются асинхронные системы следящего типа и с фазовой автоподстройкой час
тоты. Принцип действия системы следящего типа основан на сравнении среднего
значения регулируемого напряжения (тока) со средним значением задающего
напряжения, определяемым на межкоммутационном интервале. На рис. 4.8, а
представлена структурная схема следящего регулятора управляемого выпрями
теля [36]. Мгновенное значение выходного напряжения (до фильтра) через датчик
Д в цепи обратной отрицательной связи поступает на сумматор, на другой вход
которого с обратным знаком поступает задающее напряжение и0. Разность этих
напряжений интегрируется интегратором И. В момент равенства интеграла разно
сти напряжений нулю формирователь ФИ формирует импульс, который поступает
на распределитель импульсов РИ и далее через формирователи импульсов управ
ления ФИУ на соответствующие силовые ключи, функцию которых в такого рода
схемах обычно выполняют тиристоры.
Временные диаграммы на рис. 4.8, б иллюстрируют формирование импульсов
управления тиристорами. Диаграммы напряжения приведены для стороны посто
янного тока выпрямителя (до фильтра). В установившемся режиме работы уст
ройства межкоммутационный интервал &мк равен 2n/m, где т — число пульсаций
входного напряжения за период.
Интегралам функций соответствует уравнение, равенство нулю которого опре
деляет моменты формирования импульсов на выходе формирователя ФИ
(см. рис. 4.8, а):
1
Т - f [KauBUX( $ ) - u 0] d Z = 0. (4.21)
мк
Основными достоинствами рассмотренного принципа управления являются
инвариантность системы к изменению частоты питающей сети и высокое быстро
действие при изменении входного напряжения.
Структурная схема асинхронной одноканальной системы с фазовой автопод
стройкой частоты генератора импульсов ГИ для управляемого выпрямителя пред
ставлена на рис. 4.9. На вход ГИ поступает разность напряжений датчика: среднего
значения выходного напряжения Кдиср и задающего и0. Значение разности е изме
няет частоту Г И / г, которая в установившемся режиме кратна частоте сети^., т.е.
/ г = mfc, где т — число пульсаций выходного напряжения за период. Отклонение
8min (порогового значения чувствительности канала управления ГИ) приводит
А
Ки
д ср иу2
<2^ \ К тиристорам
Уп
Д/г = K rs; I
. \ (4-22)
Д а = J(A/r) dt. J
S1 V
\
fm
JШ
\
\
У
У
У
Т 2Т 3Т t
6)
“н
ЪЕ -
2Е -
Рис. 4.10. Система управления с АИМ: Е
а — принципиальная схема; б — диаграмма J____ I_____ I______I_____ I_____
напряжения устройства при /и< Г; в — диаграмма 0 Т 2Т ЗТ 4Т t
напряжения ключа при /и< Т в)
в моменты времени Т, 2 Г, ЗГ. При этом предполагается, что во включенном состо
янии может находиться только один ключ. Длительность включенного состояния
постоянна и равна /и (рис. 4.10, б). В результате переключений на выходе устрой
ства формируется напряжение с различными амплитудами. Если длительность
импульсов /и < Г, то на выходе формируется последовательность импульсов с амп
литудами £ , 2 Е, ЪЕ и 4 Е. При /и = Т напряжение на выходе будет соответствовать
ступенчатой функции с пороговым значением Е (рис. 4.10, в).
Системы управления с АИМ относятся к линейным системам, для анализа
которых справедливы принципы наложения или суперпозиции. Однако построе
ние систем, реализующих изменение амплитуды импульсов, является непростой
задачей, для решения которой, например, необходимо использовать первичный
источник питания с четырьмя выводами от отдельных секций напряжением Е
(см. рис. 4.10, а). Кроме того, возможности управления в этом случае ограничены
количеством коммутируемых секций. В настоящее время существуют конструк
ции, изготовленные по принципу последовательно соединенных модулей, позво
ляющих ступенчато изменять входное напряжение, т.е. реализовать АИМ, в част
ности в многоуровневых преобразователях.
На рис. 4.11, а показана система управления с ШИМ и ЧИМ. При ШИМ ключ S
переключается с постоянной частотой/ = 1/Г, а длительность импульса /и, опреде
ляемая включенным состоянием ключа, изменяется в соответствии со значением
модулирующей ф у н к ц и и ^ (рис. 4.11, б ). В системах с ЧИМ изменяется частота
S
t
а)
'и2
'и! !И3. , ' и4,
Т ,
б)
\
S
S
S
S
S
S
—
Г“
П П
Рис. 4.11. Система управления с ШИМ:
ч t
“ab>lL
ИЧ S1 L
^ а /WN
lL
? )Е \ S2 : С R
0. ч
]Ь
JL
£ “г /О ч е "у
ГПН ФИУ К ключам 57, S2
\4
“0
а)
равенства напряжений иг и напряжения задания е, что и определяет длительность
импульса у Т. В свою очередь, длительность импульса соответствует длитель
ности включенного состояния ключа S1 (и выключенного S2). В результате про
исходит изменение значения напряжения на нагрузке ин. Повышение напряжения
Е или его уменьшение приводит к соответствующему уменьшению или увеличе
нию длительности импульса управления у Т. Таким образом, реализуется стабиль
ность выходного напряжения при изменениях входного £ , т.е. инвариантность
регулируемого параметра от возмущения со стороны входного напряжения. Если
это возмущение является определяющим, то такая организация управления поз
воляет наиболее эффективно обеспечивать стабилизацию выходного напряжения.
Структурная схема СУ, реализующая классический способ управления по
отклонению на основе вертикально-фазового принципа организации ШИМ, пред
ставлена на рис. 4.14. В отличие от структуры на рис. 4.13, я, выходное напряже
ние ин поступает на датчик и затем сравнивается с напряжением задания. Разность
а)
этих напряжений s сравнивается с напряжением ГПН иг (рис. 4.14, б). Момент
равенства этих напряжений определяет длительность импульса уТ в соответствии
с принципом действия отрицательной обратной связи: при увеличении ин увеличи
вается е и, следовательно, длительность уТ уменьшается. При снижении мн дли
тельность уТ возрастает, что приводит к стабилизации напряжения на нагрузке.
Рассмотренные примеры показывают, что принцип вертикально-фазового
управления позволяет достаточно просто организовать ШИМ.
Хорошие динамические характеристики могут быть получены в системах
с управлением по току. Примеры структурных схем с управлением по току для
преобразователя постоянного тока приведены на рис. 4.15 и 4.16 [17]. В схеме на
рис. 4.15, а реализуется принцип «слежения» за током реактора в заданной полосе.
Схема имеет два канала управления, по одному из которых осуществляется конт
роль за изменением величины выходного напряжения преобразователя на уровне,
заданном напряжением задания м0. Разность среднего значения напряжения на
б)
нагрузке ин с опорным напряжением w0, равная е, определяет также установивше
еся среднее значение тока в реакторе iL. Поэтому фактическое управление преоб
разователем осуществляется сравнением мгновенного значения тока iL с величи
ной г, соответствующей среднему току реактора iLcp. Разность напряжений е
сравнивается с током реактора iL в усилителе компаратора УК релейного типа,
выходной сигнал которого поступает на усилитель формирования импульсов
управления ФИУ ключей. Момент включения ключа S1 соответствует достижению
током iL верхней границы допустимой полосы тах, а выключения — нижней гра
^L max h min
ницы I Lmin (рис. 4.15, б). Очевидно, что середина полосы соответ-
а)
ствует среднему значению тока нагрузки / н, протекающему через резистор R и
равному в установившемся режиме среднему значению тока реактора:
(4.24)
1 R ~ R ’
где UH— среднее значение напряжения на нагрузке.
Частота коммутации f = \ ! T ключа S1 в этой схеме является переменной и зави
сит от параметров схемы. Преимущества управления по току состоят в повыше
нии скорости реакции регулятора на изменение нагрузки. Это обусловлено непо
средственным влиянием тока на моменты переключения ключа, а также на
ограничение максимального значения тока реактора и, следовательно, тока ключа
в режимах перегрузки преобразователя. Недостатком рассматриваемого способа
управления по току является нарушение работы регулятора в режимах прерывис
того тока iL. Кроме того, частота пульсаций тока изменяется в зависимости от
нагрузки.
Другой возможный вариант управления по току с постоянной частотой приве
ден на рис. 4.16, а. При таком способе управления момент формирования
импульса управления на включение ключа S1 задается генератором импульсов
ГИ с постоянной частотой / = 1/Г, а импульс на выключение формируется в
момент времени достижения током iL максимального значения IL max, определяе
мого сигналом рассогласования г (рис. 4.16, б). При этом способе управления
работоспособность схемы преобразователя сохраняется как при непрерывном,
так и при прерывистом токе.
В системах управления с модуляцией выходного тока по заданному закону
широко используется принцип «слежения» реального тока за значениями, задан
ными законом модуляции. Наиболее часто этот способ применяется в системах
переменного тока для обеспечения синусоидальной формы входного или выход
ного тока преобразователя. Этот способ называется «следящим» или дельта-моду
ляцией. Он близок к способу управления по току в заданной полосе. Без принятия
специальных схемотехнических мер частота модуляции в этом случае также явля
ется переменной. На рис. 4.17 приведены упрощенная структурная схема его реали
зации и диаграммы формирования импульсов управления. Принцип «слежения»
может быть применен и в системах с отслеживанием заданного напряжения. В этом
случае в структуру регулятора обычно включается пропорционально-интегральное
звено (ПИ-регулятор). На вход его подается разность задаваемого и реального
напряжения, поступающего по цепи обратной связи. С выхода ПИ-звена сигнал
поступает на релейно-импульсный переключатель с гистерезисной характеристи
кой. В этих системах частота импульсов управления является переменной, если не
применять специальных мер. Более подробно принципы модуляции тока или напря
жения по синусоидальному закону рассматриваются в гл. 7.
Из рассмотренных примеров следует, что при некоторых способах импульсного
управления частота их следования является переменной величиной. В большинстве
случаев изменение частоты коммутации ключей при работе преобразователя нежела
тельно. Основным ограничением является необходимость использования в таких сис-
гэ
«о К ключам
/\ £ *. А]г [Jт —► SI, S2
'и(')
б)
S1 Вкл.
S1 Выкл.
-Де +Де
в) г)
Рис. 4.17. Система управления с дельта-модуляцией:
а — принципиальная схема; б — структурная схема модулятора; в — характеристика гистерезис
ного элемента; г — диаграмма работы ключей S1 и S2\ ГЭ — гистерезисный элемент
М1 У\ х\
И2 У2 ; х2
; y = х = (4.25)
“я Уп х п_
dX
= AX+BU;
dt (4.26)
Y = CX + DU,
Интервал I Интервал II
5 7 — вкл. 51 — выкл.
S2 — выкл. 52 — вкл.
L L
а) б)
(4.27)
Для схемы на рис. 4.19, а уравнения состояния, записанные в (4.26), имеют вид
dX d ис _ -1 / R C 1 /C «с + 0 0
(4.28)
dt dt
J l _ . ~l/L 0 _ J l
l/L E_
A = - l / R C 1 /C 5 = [0 - l / L ] T; U=[0 E]1
-l/L 0
у = t вкл /т . (4.29)
"с _ -1 /R C 1 /С ис 0 0
+ (4.31)
Jl _ -1 / L 0 Jl _1 / ь _УЕ_
ис = и с + Дис;
е = Е + Ае ;
(4.32)
iL = I i +
у = у0 + Ду.
ис _ -1 /R C 1 /С Дмс 0 0 0
+
J L_ -1 /L 0 _ A i L_ 1 /L ЕАу Д£у0_
Auc (s) у0
по возмущению WE(s) = — — = ----- -— —-----; (4.34)
( ’ LCs + j + 1
Awc (s) Е
по управлению W J s ) = -------- (4.35)
7 Ду (5 )
LCs2
dx
d t - А( х , у У,
(4.36)
dx
= fl{x,y).
dt
dx _ ^ ^ d_x _ dу _
Обозначая у , можно определить совокупность траек
dt dt dt
торий на фазовой плоскости для динамических систем, описываемых дифферен
циальными уравнениями 2-го порядка. Такая совокупность фазовых траекторий
называется фазовым портретом системы. Характер траекторий зависит от вида
дифференциального уравнения, его коэффициентов и начальных условий
в момент возникновения переходного процесса. В зависимости от устойчивости
системы фазовые траектории могут быть сходящимися и расходящимися или перио
дически повторяться. Последнее зависит от расположения корней характеристиче
ского уравнения, определяющего свободную составляющую переходного процесса.
В системах с переменной структурой происходит ее периодическое изменение
при переключении силовых электронных ключей. В результате возникают под
структуры, каждой из которых соответствует своя область фазовых траекторий.
Моментами переключения из одной подструктуры в другую можно изменять тра
ектории движения изображающей точки системы и тем самым влиять на динамику
системы в целом. Существуют различные способы формирования оптимальных
траекторий в фазовых областях, соответствующих подструктурам системы.
Одним из способов изменения траектории является применение законов пере
ключения, обеспечивающих обязательное попадание в подпространство устойчи
вых движений.
В общем случае решение характеристического уравнения имеет вид
m S.t n S.t
X = I C,.e + £ B jeJ , (4.37)
i- 1 j =m + 1
х ± кх = 0. (4.39)
(4.40)
подструктура II
*i = х 2;
(4.41)
х 2 = -t-k x l
*1 = «н -
(4.44)
*2 = *1 = U „=
где U0 — напряжение задания (уставка) выходного напряжения ин в установив
шемся режиме.
Эквивалентные схемы и уравнения в форме переменных состояния для каждой
подструктуры на интервалах I и II приведены на рис. 4.19. При одинаковых зна
чениях матриц коэффициентов состояния А динамические процессы в под
структурах различаются. Это обусловлено наличием источника напряжения Е в
подструктуре I и отсутствием его в подструктуре II. В результате изменяются
параметры управления, т.е. можно считать, что входной сигнал управления и при
нимает дискретные значения 1 и 0 в первой и второй подструктурах. Такое пред
ставление управления адекватно релейному принципу реализации рассматривае
мого метода. Согласно (4.41) фазовые траектории в подструктуре I (при U = 1)
будут направлены к точке состояния равновесия с координатами х х = Е - U0\ х2 =
= 0. При этом движение изображающей точки происходит по фазовым траекто-
гд гС’ (4.45)
1 Щ
х-> = t z х , - — . (4.46)
2 RC 1 RC
а(х) = Схх j + х2 = О,
или
+ х2 = 0. (4.47)
а)
б)
Рис. 4.23. Фазовые траектории в разных подструктурах преобразователя
Контрольные вопросы
1. Поясните принцип моделирования импульсных систем на основе осреднения пере
менных состояния.
2. Составьте модель импульсного преобразователя в осредненных переменных состоя
ния регулятора напряжения (см. рис. 4.12) с учетом резистора R , последовательно вклю
ченного с индуктивностью L выходного LC-фильтра.
3. Как будет изменяться модель регулятора при учете активного сопротивления R реак
тора Ы
4. Какие параметры преобразователя определяют фазовые координаты регулятора на
различных интервалах состояния ключей S1 и S2 (см. рис. 4.12) в режиме непрерывного
тока?
5. Будет ли влиять на фазовые траектории прерывистый режим тока в реакторе L
и почему?
R \ = (^ 1 1 a V a \2) ^ B 1>-
r 2 = ( ^ п л ц А22) ^ в 2;
(4.52)
R 3 = (V-A12 А №а 21 )
R 4 = (1*А12 л H^22) R 4- ■
i=i_________ Ил ц О + Ра 22^
(4.53)
^ 1 1 + ^А22
2>л/
/= 1
Определение переменных в (4.53) соответствует графическим зависимостям,
приведенным на рис. 4.29, которые иллюстрируют работу систем управления с
нечеткой логикой.
Практическое применение систем управления с нечеткой логикой потребовало
разработки программных и аппаратных средств их реализации. С этой целью в
одной из наиболее мощных и развитых систем компьютерной математики — про
граммном пакете Matlab — предусмотрено расширение Fuzzy Logic Toolbox, в
котором реализовано много функций для нечеткого моделирования, включающих
в себя редакторы нечетких выводов, функций принадлежности системы правил и т.п.
Использование этого пакета программ существенно ускоряет и упрощает решение
задачи моделирования нечеткой логики на первых этапах проектирования.
Рассмотрим пример его применения в качестве учебно-методической задачи
моделирования на основе нечеткой логики понижающего регулятора постоянного
тока. Для того используем схему на рис. 4.12, которая является базовой при рас
смотрении других принципов моделирования в этой главе.
В качестве входных переменных выбраны сигнал рассогласования (ошибки),
равный разности выходного и эталонного напряжения е = k(JH- U0, где к — коэф
фициент передачи датчика выходного напряжения; UH— среднее значение выход
Контрольные вопросы
1. Назовите характерные функции нечетких множеств.
2. В чем заключаются достоинства и недостатки управления на основе нечеткой
логики?
3. В каких случаях целесообразно применять нечеткую логику?
4. Поясните принцип функционирования нейронных сетей.
5. В чем преимущества систем управления на основе нейронных сетей?
Я5
«я
(М м Шея П «М (TfM
• 1«<М) • «(N lt4)
(5.2)
Р = UI cos ср;
(5.4)
Q = UI sin ср,
S = U I= J p 2 + Q2 (5.5)
или с учетом (5.4) представлена в векторной форме в виде треугольника мощностей.
Возникновение несинусоидальности тока или напряжения существенно изме
няет связь полной мощности с другими ее составляющими. Рассмотрим наиболее
распространенный случай, когда входной ток преобразователя имеет несинусо
идальную форму, а напряжение сети синусоидально. Среднюю мощность за
период, согласно (5.3), можно определить
1т
Р = f f ( t / ws in c o /)[ /,ms in ( r o /- c p 1) + / 2ms in ( 2 o i /- ( p 2) + ... +
о
+ / ит8 т ( л < о /- < р 1и)] d /, (5.6)
Ц /= 7 Ы » ) ; (5.12)
О
мп($) — переменная составляющая напряжения на стороне постоянного тока.
Если допустить, что процессы выпрямления идеальны, то переменная составля
ющая wn($) может быть представлена каноническим рядом гармоник переменного
тока:
оо
« „ ( ») = I ^ m s i n( «& + (p„), (5.13)
п= 1
где параметры ряда зависят от схемы и условий работы выпрямителя.
На практике величину переменной составляющей стараются минимизировать
различными способами, например электрическими фильтрами. В то же время
среднее значение Ud является одной из основных электрических характеристик
выпрямителя. Для оценки уровня переменной составляющей в выпрямленном
напряжении используют значения коэффициента пульсаций выпрямленного
напряжения (или коэффициент пульсаций напряжения в цепи постоянного тока).
Существуют различные методы определения коэффициента пульсаций Кп,
использование которых зависит от требований к качеству выпрямленного напря
жения. Наиболее распространенными из них являются следующие:
^ d max ^ d min
*п = 2 VA
js __ ^ n 1m
K" " ~ U 7 ’ (5.14)
2 «г
V - V" =1
K' - ~ .
где (7^max, t/^ min — максимальное и минимальное значения выпрямленного напря
жения; UnXm — амплитуда первой гармоники выпрямленного напряжения;
Контрольные вопросы
1. Какие общие признаки объединяют силовые электронные преобразователи электро
энергии?
2. Приведите примеры структурных схем прямого и непрямого выпрямителей.
3. Перечислите основные электрические параметры следующих преобразователей
электроэнергии: выпрямителя, преобразователя постоянного тока в постоянный, инвер
тора и преобразователя частоты.
4. Во сколько раз изменится входная полная мощность S преобразователя, который
работает с coscpj = 0,7, если коэффициент искажения тока v увеличится в 3 раза при неиз
менной активной мощности Р1
5. Во сколько раз изменится мощность потерь в кабелях, питающих однофазную
активно-индуктивную нагрузку с активной мощностью Р и coscpj = 0,8, если последний
станет равным 0,6. Сопротивление кабеля считать активным и неизменным. Изменением
напряжения на шинах нагрузки пренебречь.
6. В каком случае согласно второму и третьему уравнениям в (5.14) Кп будет иметь
большее значение при одинаковых значениях выпрямленного напряжения?
7. В нагрузку выпрямителя включили последовательно реактор L. Как изменится
коэффициент пульсаций тока КпХ в нагрузке?
8. В активно-индуктивной цепи с полной мощностью S и cos <pj = 0,7 при синусоидаль
ных токе и напряжении произошло искажение формы тока с возникновением третьей гар
моники с амплитудой, составляющей 30 % величины первой гармоники. Поясните, как в
этом случае будет определяться мощность искажения D.
5.2. Выпрямители
соLd Ld
где ф = arctg — ; т = — .
Rd Rd
Ha рис. 5.2, г приведены диаграммы входного напряжения е(9) и тока id для
значения а = л/6. Из диаграмм видно, что ток id продолжает протекать в тиристоре
после прохождения напряжения е(9) через нуль. Это обусловлено тем, что в реак
торе накапливается в первом полупериоде энергия, которая поддерживает проте
кание тока id после изменения полярности напряжения до момента 9 = к + X, когда
ток id становится равным нулю.
Н агрузка в виде противоЭ Д С (ветвь 3 на рис. 5.2, а). В этой схеме нагрузка в
виде ЭДС постоянного тока включена с обратной для вентильного ключа поляр
ностью. Такие схемы выпрямления применяются в устройствах для заряда аккуму
ляторных батарей, в системах рекуперации электроэнергии из источника постоян
ного тока в сеть переменного тока и т.п.
В качестве источника противоЭДС может быть использован конденсатор филь
тра большой емкости на выходе выпрямителя.
На рис. 5.2, а представлена схема однополупериодного выпрямителя с диодом
VD и противоЭДС Ed. В момент времени 9 = 9j (рис. 5.2, 9) напряжение источника
е(9) больше противоЭДС, следовательно, напряжение на диоде VD изменяет
полярность с обратной на прямую. Диод начинает проводит ток id, направленный
встречно источнику противоЭДС. При принятых допущениях подключение источ
ника напряжением е(9) к источнику противоЭДС приводит к неограниченному
увеличению тока. Во избежание этого в цепь постоянного тока включен реактор
индуктивностью Ld. Величина тока id в этом случае определяется соотношением
М &) = ы Г j W ) - £ J d 9 . (5.16)
<4
На интервале протекания тока id можно выделить два характерных подынтер
вала: увеличение тока id на подынтервале 9 j— 9 2, уменьшение тока id до нуля на
подынтервале 9 2— 9 3. Угол 9 2 соответствует моменту наступления равенства
мгновенного значения напряжения источника е(9) и источника противоЭДС Ed.
Этим подынтервалам соответствуют разнополярные участки напряжения на реак
торе индуктивностью Ld, интегральные значения площадей которых S j и S2
(заштрихованные на рис. 5.3, <)) равны, что соответствует балансу накапливаемой
и расходуемой энергий в реакторе, т.е.
(5.17)
(5.18)
а
(5.19)
тиристор VS1 продолжает проводить ток и после того, как напряжение иа0 станет
отрицательным (рис. 5.4, а). В результате длительность протекания токов через
тиристоры увеличивается, а в кривой выпрямленного напряжения появляется
участок отрицательного напряжения от 0 до момента спадания тока в тиристорах
до &J. С ростом индуктивности Ld время проводимости тиристоров X станет рав
ным к, а угол Sj будет равным а . Такой режим называется режимом гранично
непрерывного выпрямленного тока id, при котором каждый из тиристоров прово
дит ток половину периода л, достигая нулевых значений в начале и конце каждого
полупериода. Индуктивность Ld, при которой возникает гранично-непрерывный
режим, называется граничной или критической. При увеличении индуктивности
или нагрузки выпрямителя выпрямленный ток остается непрерывным, а его пульса-
сoL,
ции сглаживаются. При больших значениях ----- > 5 ток id становится практически
Rd
полностью сглаженным, а в тиристорах протекают токи прямоугольной формы
(рис. 5.4, б). Очевидно, что при увеличении угла а площадь отрицательных участков
на кривой выпрямленного напряжения увеличивается, а следовательно, среднее зна
чение выпрямленного напряжения уменьшается. Среднее значение выпрямленного
напряжения является его постоянной составляющей и при соLd = °°, приложенной к
сопротивлению Rd, а переменная составляющая — индуктивности Ld. Учитывая, что
форма выпрямленного напряжения повторяется на интервале углов от а до к ч- а,
среднее значение выпрямленного напряжения можно найти по формуле
Fi
£/.rd = - J а/ 2С/2 sin $ d $ = — U2 cos а = Ud0 cos а . (5.20)
I - i - —/
JcpVS\ - 1cpVSl - 2 *d '
Рис. 5.6. Регулировочные характеристики однофазного
двухполупериодного выпрямителя:
а — при активной нагрузке; б — при активно-индуктив
ной нагрузке
им = <5-22>
где U2 — действующее значение напряжения во вторичной обмотке трансформатора.
Выражение (5.22) полностью соответствует (5.18) при значении а = 0 с учетом
разницы значений напряжений, подаваемых на вентильную часть схемы (У2.
В (5.18) напряжение U2 соответствует действующему значению напряжения на
полуобмотках, а в (5.22) действующему значению напряжения вторичной обмотки.
С учетом этих различий процессы в схемах со средней точкой и мостовой сходны.
В зависимости от характера нагрузки — активной или активно-индуктивной —
схема характеризуется следующими соотношениями для определения среднего
значения выпрямленного напряжения ud:
при активной нагрузке
Ud = V dQ l ± ^ 1SL> (5-23)
где Ud0 — среднее значение выпрямленного
напряжения на выходе схемы при угле управле
ния а = 0;
при активно-индуктивной нагрузке (когда
соLd имеет такое значение, при котором выпрям
ленный ток непрерывен)
Регулировочные характеристики схемы зависят от отношения со/^/ЛДсм. рис. 5.6).
В рассматриваемой схеме расчетная мощность элементов, так же как и в схеме
со средней точкой, увеличивается при увеличении угла а при активной нагрузке и
активно-индуктивной в режиме прерывистых токов. Это необходимо учитывать в
расчетах силовых элементов схемы.
Т р е х ф а з н а я с х е м а со с р е д н е й т о ч к о й . Работа схемы с углом управления а = 0.
Трехфазную схему со средней точкой (рис. 5.8) называют трехфазной однотактной
схемой, так как выпрямлению подвергается только одна из полуволн переменного
напряжения каждой фазы. Рассмотрим принцип действия схемы, когда первичные
обмотки трансформатора соединены в треугольник, а вторичные в звезду. Допус
тим, что ключ К замкнут, т.е. нагрузка схемы активная.
В интервале 0 < Э < (рис. 5.9) тиристор VS1, соединенный с фазой а, находится в
проводящем состоянии. В момент времени потенциал фазы b становится выше
потенциала фазы а и анод тиристора VS2 оказывается под воздействием положитель
ного напряжения относительно его катода. Если в момент времени на тиристор VS2
поступает импульс управления, он включается, а тиристор VS1 выключается, так как к
нему приложено запирающее напряжение иаЬ. Ток нагрузки id начинает протекать
через тиристор VS2, соединенный с фазой Ь.
Тиристор VS2 находится в проводящем состоянии в течение времени 2 л /3 до
момента времени &2, когда потенциал фазы а станет выше потенциала фазы b и на
тиристор VS3 поступит импульс управления. В момент времени Э2 тиристор VS3
находится в проводящем состоянии, а тиристор VS2 выключается. В момент вре
мени тиристор VS1 включен и т.д.
Очевидно, что каждый тиристор будет проводить ток в течение одной трети каж
дого периода (2л/3) напряжения питающей сети. Остальную часть периода тиристор
выключен и к нему приложено обратное напряжение. Когда тиристор VS1 выключен,
к нему на интервале проводимости тиристора VS2 приложено линейное напряжение
иЬа, а на интервале проводимости тиристора VS3 — напряжение иса. В результате
к тиристору VS1 приложено обратное напряжение (см. кривую uvsl на рис. 5.9).
Среднее значение выпрямленного напряжения
определяется интегрированием напряжения на вто
ричной обмотке трансформатора в интервале повто
ряемости выпрямленного напряжения:
5_Я
3 6
Ud = f n l <JlU2 sin » d $ =
Я
= h / £ u 2 = l , n u 2, (5.25)
ксх = 3 л /б / 2 л ; (5.26)
^ < 5 -2 8 )
среднее значение тока тиристора, если учитывать, что каждый тиристор прово
дит ток одну треть периода:
W = V 3. (5.29)
*АВ “ *VS\ ~ 3 А /’
1 т
lBC - l VS2 ~ з ” (5.30)
1т
1СА ~ l V S 3 ~ з V
Anax - А / / 3 ;
U = 1Т = /у /З ;
( 5 . 31 )
1 72,
'■ ■ Ттт ‘ “-
Расчетные мощности первичной и вторичной обмоток трансформатора составляют
5, = 3 £ /,/,„ = 2JL р ■
зТз ^
(5.32)
2п_
*2 = 3 U2I2H =
зТ2 ^
6 +а
При угле а = п/6 кривая мгновенных значений выпрямленного напряжения в
моменты переключения тиристоров приближается к нулю (рис. 5.11, слева). Такой
режим работы называется гранично-непрерывным. Дальнейшее увеличение угла
(а > л/6) при активной нагрузке приводит к прерыванию выпрямленного тока id и
появлению в выпрямленном напряжении ud участков с нулевым значением
(рис. 5.11, справа). Интервал проводимости тока тиристоров становится меньше 2л/3.
Среднее значение напряжения в этом случае выражается следующим образом:
6+а
1 + cos + а)
7з
Рис. 5.10. Диаграммы тока и напряжения трехфазного выпрямителя со средней точкой при
я
угле а < -
о
^m ax = ^ U 2,
U F max = Л Щ S in <XJ
(5.36)
^ Л т ах= Л Щ .
Рис. 5.14. Диаграммы тока и напряжения трехфазного мостового выпрямителя при угле а = О
мени импульса управления на тиристор VS2 он проводит ток, а тиристор VS6
выключается (происходит коммутация между тиристорами VS6 и VS2). Для
выключенного тиристора VS6 напряжение ubc является обратным, т.е. в проводя
щем состоянии окажутся тиристоры VS1 и VS2, а остальные будут выключены.
В момент Э3 подается импульс на тиристор VS3 и он включается, а тиристор
VS1 выключается, так как потенциал фазы b становится выше потенциала фазы а.
Далее через интервалы времени, равные я/3, происходят коммутации следующих
тиристорных пар: VS2— VS4, VS3— VS5, VS4— VS6, VS5— VSL Таким образом, в
течение периода питающего напряжения происходят шесть коммутаций через
интервал я/3 каждая, причем три из них — в катодной группе тиристоров VS1, VS3
и VS5 (имеющих объединенные катоды) и три — в анодной группе тиристоров
VS4, VS6 и VS2 (имеющих объединенные аноды). Следует отметить, что нумера
ция тиристоров в данной схеме носит не случайный характер, а соответствует
порядку их вступления в работу при условии соблюдения фазировки трансформа
тора, указанной на рис. 5.13.
Поочередная работа различных пар тиристоров в схеме приводит к появлению
на сопротивлении Rd выпрямленного напряжения, состоящего из частей линейных
напряжений вторичных обмоток трансформатора (см. рис. 5.14). Видно, что
моменты коммутации совпадают с моментами прохождения через нуль линейных
напряжений (когда равны два фазных напряжения, например иа и ub). Длитель
ность прохождения тока через каждый тиристор составляет 2л/3, остальное время
к нему приложено обратное напряжение, состоящее из частей соответствующих
линейных напряжений.
Постоянная составляющая выпрямленного напряжения (среднее значение) вычис
ляется для интервала повторяемости выпрямленного напряжения, равного л/3:
2л
(5.37)
Л
3
где U2 — действующее значение напряжения вторичной обмотки трансформатора.
Выражение (5.37) справедливо для активной и активно-индуктивной нагрузок. При
a)Ld = оо работа тиристоров в схеме характеризуется следующими параметрами:
• максимальным значением обратного напряжения на тиристоре, равным амп
литуде линейного напряжения вторичной обмотки
(5.38)
Апах — А/ ’
• средним значением тока тиристора
/ Л з •
l TAV~ (5.40)
Рис. 5.15. Диаграммы тока и напряжения трехфазного мостового выпрямителя при угле а = ~
6
В результате задержки моментов коммутации тиристоров на угол а среднее
значение выпрямленного напряжения, образованного из соответствующих частей
линейных напряжений, снижается. До тех пор пока кривая мгновенных значений
выпрямленного напряжения ud остается выше нуля (что соответствует диапазону
изменения угла управления 0 < а < л/3), выпрямленный ток id будет непрерывным
вне зависимости от характера нагрузки. Поэтому при таких значениях угла а сред
нее значение выпрямленного напряжения для активной и активно-индуктивной
нагрузки будет равно
2л
з 3 +<Х
л/З U2 sin $ d 3 = U2 cos а = UdQ cos а . (5.41)
f
- - +а
Я
Рис. 5.16. Диаграммы тока и напряжения трехфазного мостового выпрямителя при углах
к к
з иа>з
Рис. 5.17. Регулировочные характеристики трехфаз
ного мостового выпрямителя:
1 — при активной нагрузке; 2 — при активно-индуктив
ной нагрузке
ud = u d\ ~ + (5.42)
ud2
“d
(5.46)
т2п2 - 1 ’
где Ud — постоянная составляющая (среднее значение выпрямленного напряжения).
Согласно (5.46) наибольшее значение имеет амплитуда первой гармоники (п = 1),
а остальные убывают обратно пропорционально квадрату порядкового номера
гармонической составляющей.
Действующее значение переменной составляющей выпрямленного напряжения
можно выразить формулой
иж
п (5.47)
(5.48)
Sc = K / k l (5.49)
Ld
JYV\.
vsi2 \~ vs2 2 ^ vs/2 \~ vs2 2 ^
ф с Rd
a) 6)
JVYV
vsiJ'C vs22\~
c i Rd
\т_
5с п ’ (5.50)
1т
tt u [ mRd
U 1т ~ hm^-d ~ (5.51)
SС J* (5.52)
Rd
Из (5.52) следует, что с приближением к режиму холостого хода (при увеличе
нии R d) коэффициент сглаживания Sc стремится к единице. Поэтому расчет индук
тивности фильтра Ld производят для режима минимальной нагрузки:
xd max
Ld = (5.53)
СО,
(5.55)
S (5.56)
с z'
Обычно выбирают емкость конденсатора так, чтобы С0 | С » l/Rd. В этом случае
(5.56) принимает вид
Sc « (OjRdC - 1. (5.57)
Рис. 5.22. Диаграммы тока и напряжения однофазного мостового выпрямителя на диодах
с емкостным фильтром
Рис. 5.23. Спектральный состав выходного тока однофазного мостового выпрямителя на дио
дах с емкостным фильтром
(5-58)
где Id — постоянная составляющая выпрямленного тока.
т ^ d max
L d кр - (5.59)
<°1 Ud
Далее из рассчитанного по (5.58) произведения LdC определяется емкость С-филь-
тра. Полученные значения параметров фильтра проверяются при выполнении
условия отсутствия резонансных явлений. При невыполнении этого условия сле
дует увеличить емкость С.
Общий коэффициент сглаживания многозвенного фильтра можно представить
как произведение коэффициентов сглаживания его звеньев.
Отрицательное влияние выпрямителя на качество напряжения сети проявля
ется в искажении его входных токов. Особенно заметно это наблюдается при соиз
меримости мощностей выпрямителя и источника переменного тока. Если мощ
ность сети значительно (более чем на порядок) превышает мощность полностью
загруженного выпрямителя, то несинусоидальность потребляемого им тока прак
тически не сказывается на напряжении сети. При соизмеримой мощности напря
жения сети и выпрямителя высшие гармоники тока вызывают искажения напряже
ния и тем булыние, чем ближе значения мощности нагрузки к значению мощности
источника. Искаженные токи вызывают искажения напряжения сети из-за возник
новения несинусоидальных напряжений на внутреннем сопротивлении источника
и линии, к которой подключен выпрямитель. Степень искажения напряжения (его
несинусоидальность) оценивается коэффициентом гармоник по напряжению
UZ
_ УЛ7= 2 1 00%. (5.60)
К ги “ и,
Значение этого коэффициента регламентируется в нормативных документах.
Для сетей низкого напряжения коэффициент гармоник по напряжению не превы
шает 5 %.
Выпрямитель в электрической системе | Выпрямитель !11'
обычно рассматривают как генератор гармо I ——► ---- ►
ник тока. В этом случае он может быть пред I 1п ! 11 1сп
hn - K z г , + г + /илг (5.61)
вн с J с
Соответственно напряжение на сопротивлении линии сети от каждой п -й гар
моники тока выпрямителя будет равно
. rm(rQ+j " x с)
и сп ^сп^сп (5.62)
г ь н+ rc + j "xс
Суммарное напряжение от высших гармоник в сети можно определить, исполь
зуя принцип наложения, предварительно рассчитав по (5.62) напряжение каждой
гармоники тока. Зная содержание высших гармоник в напряжении питающей
сети, можно рассчитать коэффициент гармоник по напряжению. В большинстве
случаев расчет ведется для гармоник не выше / 7=13, так как амплитуды токов и
напряжений более высоких порядков относительно невелики, а эквивалентное
сопротивление сети существенно уменьшается за счет влияния емкостей кабеля и
другого оборудования.
Одним из основных средств снижения влияния высших гармонических на сеть
является подключение выпрямителей большой мощности к отдельным секциям
шин, питающихся через понижающий трансформатор. Тогда влияние выпрямите
лей на других потребителей будет сказываться только на стороне высокого напря
жения, где уровень высших гармонических существенно снижен.
Большое значение для снижения уровня высших гармонических имеет приме
нение схем выпрямления с пониженным потреблением мощности искажения. При
выполнении выпрямителя по многофазной схеме значительно уменьшаются
высшие гармоники первичного тока.
Снижение гармонических составляющих токов и напряжения может быть обес
печено с помощью резонансных LC-фильтров, настроенных на основной ряд гар
моник, присутствующих в токах выпрямителя (рис. 5.25). Приближенно пара
метры каждой резонансной ветви фильтра рассчитываются по формуле
1
(5.63)
wee, CV.
где п — номер гармоники, на которую настраивается резонансная ветвь.
Рис. 5.25. Однофазный мостовой выпрямитель с резонансным фильтром (a>Ld = 00):
а — схема; б — форма тока Ail и его спектральный состав
а)
.„ Л и2
(5.65)
— С05а’
Д и,
1к = ‘к + гк = [ cos а + cos ( а + $ ) ] . (5.66)
V2 U2
Id = ------- [ cos а - cos ( а + у ) ] . (5.68)
Jd x s
1 - cos у0 (5.69)
Л и2
Подставляя в исходное уравнение значение у0, получаем
у = arcos(cos а + cos у0 - 1) - а . (5.70)
При увеличении угла а уменьшается угол коммутации у. Физическая сущность
этого явления состоит в том, что при увеличении угла а возрастает напряжение,
под действием которого развивается ток /к в контуре коммутации и, следова
тельно, до значения Id он нарастает быстрее.
Следует отметить, что длительность протекания тока в тиристорах схемы с уче
том коммутации по сравнению с идеализированной схемой увеличивается на угол
у и становится равной п + у.
Процесс коммутации влияет на выпрямленное напряжения Ud, так как на
интервалах коммутации мгновенное значение выпрямленного напряжения снижа
ется до нуля (см. рис. 5.26, б). В результате этого происходит уменьшение сред
него значения выпрямленного напряжения на значение A Ux, определяющее дли
тельность коммутации
ди = — . (5.72)
71
Среднее значение выпрямленного напряжения равно
и d = и dо cos а - ^ . (5.73)
а) б)
Wd (5.75)
Л=
U d 1d + A P i + A P VS + А /> в
О L j __ I ■» ■ ■ ■■ ■ *■
0,1 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 /к Г ц
Рис. 5.28. Формы тока однофазного мостового выпрямителя (при Ld = оо) и его спектральный
состав
s = ЦЛ = u jf* + £ (5.77)
' п— Ъ
р / с , c° s ф,
(5.78)
X = $ cos а . (5.79)
Из этой формулы следует, что коэффициент мощности тиристорных выпрями
телей носит индуктивный характер, так как угол а соответствует отставанию тока
от напряжения.
Для режима работы с несинусоидальным входным током помимо активной и
реактивной мощности вводится понятие «мощности искажения». Для рассматри
ваемого случая форма кривой напряжения сети синусоидальная, а тока прямо
угольная, поэтому мощность искажения отлична от нуля.
Традиционные способы улучшения коэффициента мощности. При увеличе
нии угла управления увеличивается реактивная мощность, потребляемая выпря
мителем из сети, а его коэффициент мощности становится меньше, т.е. ухудша
ется. Это явление снижает технико-экономические характеристики электрической
сети, к которой подключены управляемые выпрямители. Поэтому на практике
часто принимают меры по повышению коэффициента мощности управляемых
выпрямителей [49, 50].
Простейшим способом повышения коэффициента мощности является уста
новка источников реактивной мощности, например конденсаторов, на входе
выпрямителя. Этот способ не экономичен, так как связан с введением дополни
тельного дорогостоящего оборудования. Другим, сравнительно простым способом
является использование в выпрямителе трансформатора с отпайками на различные
напряжения. В этом случае вместо увеличения угла управления при регулирова
нии выходного напряжения переключают тиристорную схему на отпайку обмотки
трансформатора с более низким напряжением. Такое переключение вызывает
изменение выпрямленного напряжения, эквивалентное увеличению угла управле
ния. Поскольку переключение с одного отвода на другой может осуществляться
только дискретно, а не плавно, то данный способ обеспечивает грубое регулирова
ние выпрямленного напряжения. Кроме того, наличие переключающих устройств,
обычно механического типа, снижает надежность и долговечность самого уст
ройства.
Для повышения коэффициента мощности однофазных выпрямителей может
быть успешно использована схема с нулевым диодом (рис. 5.29, а ). Принцип дей
ствия такой схемы во многом подобен принципу действия однофазной двухполу-
периодной схемы. Однако наличие нулевого диода изменяет характер электромаг
нитных процессов, протекающих в схеме. Так, если в схеме без нулевого диода
ток нагрузки id после прохождения напряжения ис через нуль в момент времени
9 = п продолжает протекать через тиристор VS1, то в схеме с нулевым диодом VD0
он в этот момент включается (потенциал анода становится положительным по
отношению к потенциалу катода), а тиристор VS1 выключается. Ток id будет про
текать через нулевой диод до тех пор, пока не будет подан (с задержкой на угол а )
импульс управления на тиристор VS2, после чего VS2 включается, a VD0 выключа
ется. На интервале проводимости диода VD0 цепь постоянного тока отключена от
трансформатора и ток id в цепи нагрузки поддерживается за счет энергии, накоп
ленной в сглаживающем реакторе L d. Отключение цепи постоянного тока от вто
ричной обмотки трансформатора предотвращает возврат энергии, запасенной в
А В
о о
Контрольные вопросы
1. Определите средние значения выходных напряжения Ud и тока Id в тиристорном
однофазном, однополупериодном выпрямителе при угле управления тиристором а = л/4,
активно-индуктивной нагрузке R = 100 Ом, L = 0,1 Гн при действующем значении вход
ного напряжения U = 220 В и частоте/ = 50 Гц.
2. Как изменится выходное напряжение однофазной мостовой схемы неуправляемого
выпрямителя, если эквивалентная входная индуктивность сети увеличится в 2 раза при
неизменном значении входного напряжения?
3. Во сколько раз изменится среднее значение выходного напряжения однофазного мос
тового выпрямителя, работающего с углом управления а = к/3, при изменении нагрузки
с активной на активно-индуктивную в режиме непрерывного выпрямленного тока?
4. Рассчитайте составляющие мощности на входе однофазного мостового выпрями
теля при работе на активно-индуктивную нагрузку (при допущении соLd = оо) с углом
управления а = л/6.
5. Выходное напряжение трехфазного мостового выпрямителя имеет пульсацию
основной гармоники на частоте 300 Гц ип = 10 % Ud при работе на активную нагрузку R =
= 10 Ом. Какую индуктивность Ld должен иметь реактор, включенный в качестве фильтра
последовательно с нагрузкой, чтобы эта пульсация уменьшилась в 5 раз?
= (5-83)
Другие соотношения также подобны приведенным в § 5.2 для активно-индук
тивной нагрузки однофазного выпрямителя при непрерывном токе в реакторе.
В режиме работы с прерывистым током id (рис. 5.34, в) аналитические выражения
связи между параметрами схемы значительно усложняются, так же как и в выпря
мительном режиме.
Т рехф азны й мостовой инвертор. На рис. 5.35 представлены схема трехфаз
ного мостового тиристорного инвертора и диаграммы токов и напряжения на ее
элементах при идеальной сглаженности тока ld. В этой схеме (рис. 5.35, а), так же
как и в однофазной, импульсы управления подаются на тиристоры с опережением
на угол Р относительно моментов времени, соответствующих началу коммутации
тиристоров при работе схемы в режиме неуправляемого выпрямителя ( а = 0, а = л,
а = 2л и т.д.). Эти моменты времени соответствуют прохождению через нуль
линейных напряжений вторичных обмоток трансформатора, т.е. пересечению
синусоид напряжений фаз ua, иь и ис. На интервале Э0 - под воздействием
напряжения источника Е ист ток I d проходит через тиристоры VS1, VS2 и вторичные
обмотки трансформатора (фазы а и с). При этом мгновенное значение противо
ЭДС инвертора (рис. 5.35, б) равно разности напряжения ис и иа.
В момент времени Bj, определяемый углом опережения Р, который задается
системой управления инвертором, подается импульс управления на тиристор VS3.
Этот тиристор включается, в результате чего фазы а и Ь вторичных обмоток транс
форматора оказываются замкнутыми накоротко и в них протекает ток короткого
замыкания, направленный встречно току iVSI. Начинается процесс коммутации,
аналогичный процессу коммутации в трехфазной мостовой схеме выпрямителя
(см. § 5.2), длительность которого выражается углом у. Напряжение Ud на интер
вале коммутации становится равным напряжению мс минус полусумма напряжений
Рис. 5.35. Трехфазный мостовой инвертор:
а — электрическая схема; б — диаграммы тока и
напряжения на элементах схемы
А
В
иа и иь. После окончания процесса коммута
ции ток Id будут проводить тиристоры VS2 и
VS3, а к тиристору VS1 будет приложено
обратное напряжение в течение времени,
определяемого углом 5.
Далее коммутация тиристоров идет в
соответствии с их нумерацией, указанной на
N рис. 5.35, б. Длительность проводящего интер
вала каждого вентиля равна 2л/3 + у.
\ ,
(6 \ / К - Процессы коммутации как в инвертор
7 ^
ном, так и в выпрямительном режимах
Ч Л у \ у '2 р | \ 4 , 6J
работы преобразователей вызывают перио
VS5 V'S1 VS3 VS5S' VSJ
-p f— V дические провалы напряжения на стороне
;* У >
постоянного тока. Кроме того, одновре
> 4- 5 - V - . :) -A-' 6 менно появляются провалы и всплески в
VS6 VS2 VS4г VS6
VSJ сетевом напряжении переменного тока.
1 Л Например, полагая эквивалентную индуктив
ность фазы (включающую в себя в основном
индуктивность рассеяния трансформатора)
/ подключенной непосредственно к выводам
.и в схемы преобразователя на рис. 5.36, я, полу
0 чаем напряжение на выводах схемы, которое
и ш
ш
Цu б)
будет соответствовать диаграммам
рис. 5.36, б. Площади провалов и всплесков
напряжения определяются углом коммута
на
tfrfo = ^ r ^ c ° s p . (5.85)
А
В
С
P = U dId9 (5.86)
Р = U J Ql COS (р - \ ) , (5.87)
/ = / Ud (5.88)
с1 d Uc cos срj ’
(5.92)
иа=1/Л+Аи. (5.93)
Ud = — Е2 c o s Р + — . (5.94)
а Л z к
Ud = ~ ~ ^2 co s 5 mln + ~ ~ ■ (5.95)
Контрольные вопросы
1. Поясните причину повышения входного напряжения U d инвертора при увеличе
нии тока l d.
2. Чем ограничено минимальное значение угла инвертирования р в зависимом инверторе?
3. Рассчитайте значение полной мощности зависимого трехфазного мостового инвер
тора при следующих условиях: соL d = действующее значение фазового напряжения =
= 220 В; активная мощность, поступающая от источника постоянного тока, P d = 100 кВт;
угол р = п /6 . Силовые элементы схемы инвертора считать идеальными, угол у = 0.
4. В задаче с условиями п. 3 определите мощность искажения и реактивную мощность
основной гармоники.
5. Однофазный преобразователь переменного/постоянного тока работал в выпрями
тельном режиме при непрерывном токе реактора с коэффициентом сдвига первой гармо
ники coscpj и углом коммутации у. Как изменится угол управления тиристорами после
перехода преобразователя в инверторный режим при сохранении неизменными парамет
ров сети переменного тока, напряжения источника постоянного тока и среднего значения
тока реактора IJ>
ц = (5-96)
/2 = (5.97)
2+ w’
где/ j и / 2 — частоты входного и выходного (основной гармоники) напряжения.
Из (5.97) видно, что частота выходного напряж ения^ может принимать только
дискретные значения при изменении числа п. Например, при числе фаз питающей
сети т = 3 и частоте / j = 50 Гц частота / 2 может принимать значения 30; 23,5;
2
16 - Гц и т.д. Для обеспечения плавного изменения частоты необходима пауза фп
между окончанием работы предыдущей группы и началом работы последующей
группы тиристоров. В этом случае связь частот f x и / 2 может быть выражена соот
ношением
0—
о—
0—
51Л О О 1 5 О 1. ^ О о S з 1Л 1. ^ Г2 O s
yvvv^__ / V V 4 ^ _ J ----- 1—
А«в,/2 Aub/2 1 “с/2
а)
"ZOOS "Z O O S
В о-
h
"ZOOS T 5ZJZJZ. "ZOOS T "ZOOS T IZJIJSZ.
| , ^ y V T Y \ _ , ., j, |[ ,I , I |I !, ,I I, I
6)
а)
е) г)
Рис. 5.45. Схемы однофазных тиристорных регуляторов напряжения переменного тока
di
4аЪ *нЛ н 9 (5.101)
*н *н.св *н.уст*
и- > ©
а)
а
сот
и » ) = Ае (5.103)
а = Фн X= я О)-
-Й Г
VS2
а)
‘ч - J ; - т si” 2“ ) ■ <5-107>
Um П
где 1т = — ------ амплитуда тока в установившемся режиме при а = — .
(OLq Z
Из (5.107) видно, что с ростом угла а от 0 до к / 2 первая гармоника тока
уменьшается, что эквивалентно увеличению индуктивного сопротивления цепи
нагрузки. На рис. 5.50, в приведена зависимость эквивалентной индуктивности
от угла а на частоте сети.
Из графической зависимости Х экв = / ( а ) (см. рис. 5.50, в) видно, что тиристор
ный регулятор с индуктивностью L0 на выходе можно рассматривать как индук
тивность, регулируемую системой электронного управления в диапазоне от Х 0 =
=ю10 до*экв= оо.
Такой способ регулирования, широко распространенный в электроэнергетике,
применяется для компенсации реактивной мощности в устройствах, состоящих из
параллельно соединенных групп конденсаторов и реактора со встречновключен-
ными тиристорами. Следует отметить, что приведенные зависимости справедливы
для первой гармоники тока реактора. Более подробно о компенсирующих устрой
ствах см. ч. III.
Трехфазные тиристорные регуляторы. На рис. 5.51 приведены схемы трех
фазных регуляторов при соединении нагрузки по схеме звезда с изолированной
нейтралью и по схеме треугольник. Переход от однофазной схемы к трехфазной
усложняет топологию последней и, следовательно, анализ процессов в регуляторе.
Некоторые общие закономерности в работе схем могут быть определены для отдель
ных интервалов углов управления [12]. Так, в схеме звезда (рис. 5.51, а) с изолиро
ванной нейтралью в зависимости от угла а при активной нагрузке могут иметь
место три различных режима работы тиристоров регулятора. При этом будем счи
тать, что импульсы управления поступают через интервалы к/3 на тиристоры
соответственно нумерации на рис. 5.51, а\ за начало отсчета 0 = 0 принимаем
момент перехода напряжения фазы через нуль из отрицательного значения в поло
жительное.
Режим I (0 < а < В этом режиме существуют интервалы, на которых в
проводящем состоянии будут находиться либо два тиристора, либо три, например
тиристоры VS5, VS6, либо тиристоры VS5, VS6 и VS1 и т.д.
Режим I I ( ^ < а < этом режиме посто
янно находятся в проводящем состоянии два
Л В С
тиристора, например тиристоры VS5 и VS6, а
затем тиристоры VS1 и VS6.
Режим I I I (% < а <У?) . В проводящем
2 о
состоянии периодически находятся либо два
тиристора, либо все тиристоры выключены,
например ток проводят тиристоры VS1 и VS6,
затем они выключаются и наступает интервал
времени, когда все тиристоры выключены, затем а)
включаются тиристоры VS2 и VS1 и т.д. Л В С
Из приведенных примеров видно, что при
активной нагрузке процессы в регуляторе
(рис. 5.51, б) значительно усложняются по срав
нению с процессами в однофазном регуляторе.
Следует отметить, что более широкое практиче
ское применение имеют регуляторы, работаю
щие на активно-индуктивную нагрузку, но в
этом случае сложно получить приемлемые для
анализа зависимости. Поэтому для этих целей
используют компьютерное моделирование с
применением программ Pspice.
По сравнению с однофазными трехфазные
схемы улучшают спектральный состав выход б)
ного напряжения. В схеме треугольник гармо Рис. 5.51. Трехфазные тиристор
ники тока кратные трем замыкаются в цепи ные регуляторы напряжения пере
нагрузки, не попадая в сеть. менного тока
Для уменьшения искажения выходного напряжения и выходного тока, а также
для повышения коэффициента мощности %целесообразно использовать в качестве
стабилизатора напряжения тиристорный регулятор в сочетании с переключением
отпаек обмоток трансформатора. На рис. 5.52, а представлена упрощенная схема
стабилизатора напряжения, в которой отпайки автотрансформатора переключа
ются тиристорами VS1— VS4. Стабилизация выходного напряжения в этой схеме
осуществляются изменением моментов переключения отпаек трансформатора.
В положительный полупериод входного напряжения в проводящем состоянии могут
находиться тиристоры VS1 или VS2, а в отрицательный полупериод — тиристоры
VS3 или VS4. Коммутация тиристоров в такой схеме происходит под воздействием
напряжения трансформатора. Для обеспечения естественной коммутации тиристо
ров необходимо, чтобы переключение производилось на отводы более высокого
потенциала. Например, в положительную полуволну выходного напряжения сна
чала включается тиристор VS2, а затем VS1. В этом случае при включении тирис
тора VS1 образуется короткозамкнутый контур, в котором развивается ток,
направленный встречно току нагрузки, протекающему через тиристор VS2. Тирис
тор VS2 выключается, и ток проводит тиристор VS1. Регулирование действующего
Контрольные вопросы
1. Какой вид коммутации используется в тиристорных регуляторах?
2. Как влияет коэффициент мощности нагрузки cosфн на диапазон регулирования угла
а в тиристорном регуляторе переменного тока?
3. Можно ли использовать один тиристор в схемах регуляторов переменного тока?
4. В чем заключается основной недостаток регулятора реактивной мощности на
основе схемы со встречновключенными тиристорами?
5. Какое максимальное быстродействие имеют контакторы переменного тока на
основе встречновключенных тиристоров?
6. Какими преимуществами обладает схема регулятора со встречновключенными
тиристорами, переключающими обмотки автотрансформатора, по сравнению со схемой,
содержащей только встречновключенные тиристоры.
Гл а в а ш е с т а я
ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА
В ПОСТОЯННЫЙ
AUn , х )’ и
№ ь вых
(^ СТ ц) и (6.1)
£/„ и.
где UBX, UBblx — установленное входное и выходное напряжение; AUBX— отклоне
ние входного напряжения; ( A t / ^ ) ^ — отклонение выходного напряжения,
вызванное изменением входного напряжения.
Следует отметить, что в устройствах постоянного тока, как правило, рассмат
риваются средние значения напряжения, а так как коэффициент (Ксти)ц в общем
случае зависит от UBX и С/вых, то его значения определяют для конкретного режима
работы (как правило, номинального), т.е. в (6.1) подставляют номинальные значе
ния UBX и UBblx.
Влияние на выходное напряжение нагрузки учитывается внутренним сопро
тивлением регулятора :
( Д С /в ы х )/
R вых ( 6 .2)
Л/
где (А и вых){ — установившееся отклонение выходного напряжения, вызванное
изменением нагрузки Л/ВЬ1Х.
Значение Лвн в статических режимах, определенное по (6.2), называют также
статическим внутренним сопротивлением.
Сопротивление RBH зависит от режима работы устройства. Его определяют для
конкретных значений нагрузки и выходного напряжения, обычно равных номи
нальным. В общем случае это сопротивление является нелинейным.
Отклонение выходного напряжения, вызванное изменением температуры эле
ментов регулятора, характеризуют коэффициентом стабилизации напряжения по
температуре (К сти)Т, измеряемой при неизменных значениях входного напряже
ния и тока нагрузки:
(Д^вых)г
(*с т )Г
(6.3)
АТ
где (А(7ВЫХ)Г — отклонение выходного напряжения, вызванное изменением темпера
туры; АТ — изменение температуры окружающей среды (в установившемся тепловом
режиме соответствует изменению температуры элементов регулятора).
Важным показателем качества электроэнергии на постоянном токе является
коэффициент пульсаций выходного напряжения
КП (6.4)
и ср ’
где мп — переменная составляющая выходного напряжения (пульсация); t/cp —
среднее значение выходного напряжения.
Уровень пульсаций ип по различным методикам оценивается по-разному.
Наиболее распространенными являются следующие определения:
• действующее значение переменной составляющей Un\
• разность максимального и минимального мгновенных значений выходного
напряжения;
• амплитуда первой гармоники переменной составляющей UXm.
Иногда среди показателей качества электроэнергии используют показатели
частотного спектра пульсаций .
Для оценки качества регулирования в динамических режимах используют клас
сические методы теории автоматического регулирования [31]. Основными возму
щающими факторами в динамических режимах работы регуляторов постоянного
тока принято считать скачкообразное изменение входного напряжения или тока
нагрузки. Среди основных показателей качества регулирования в этих режимах
следует выделить следующие:
• максимальное Д£/тах и минимальное A[/min значения отклонения выходного
напряжения в переходных режимах;
• длительность переходного процесса регулирования /р, рассчитываемая как
время от момента начала переходного процесса до момента вхождения в зону
допустимого отклонения выходного напряжения в статическом режиме.
При более детальном анализе учитываются запас устойчивости регулятора,
показатель колебательности переходного процесса и другие показатели.
Оценка качества регулирования чаще всего проводится на основе частотных
методов теории автоматического регулирования, которые хорошо согласуются с
экспериментальными результатами.
На практике динамические свойства регуляторов иногда оцениваются внутрен
ним динамическим или дифференциальным сопротивлением. Оно определяется ана
логично статическому по (6.2), но при малых отклонениях тока нагрузки в широ
ком частотном диапазоне. При таком определении внутреннее сопротивление
является частотно-зависимым и по существу является частотным параметром, свя
зывающим в линеаризованном приближении выходное напряжение с нагрузкой.
( 6 ' 5 )
щ
К.ст U ' 1 + TJ~ гс
СЕ Р2
еУ ( 6.6)
r }r 2
r*E + R, + Л П
Вход Выход
СУ
т т
а) б)
а)
иs
Г5/ Ts2
. ч
б)
а)
б)
Рис. 6.7. Принцип релейной модуляции:
а — структурная схема; б — диаграммы напряжения и сигнала управления
",вых
S
",вых н вкл
VT L
Е - UD ( 6 .8 )
а)
интервал II
и вых (6.9)
^вых
/, =1 L max t.
L
В установившемся режиме работы регулятора ток iL на интервале I протекает
во включенном транзисторе VT, диод VD заперт обратным напряжением первич
ного источника. На интервале II транзистор VT выключен и ток iL протекает через
диод VD. Таким образом, на вход фильтра поступает импульсное напряжение
u VD{t). Учитывая, что на обоих интервалах внутреннее сопротивление источника
u VD(t) мало (для идеализированной схемы равно нулю), изменение тока iL можно
определить из эквивалентной схемы (рис. 6.10, в ), в которой первичный источник
представлен источником напряжения импульсной формы uVD(t) на обоих интерва-
лах. Среднее значение выходного напряжения {Увых при LC-фильтре будет опреде
ляться так же, как и при активной нагрузке. Это решение будет справедливо
только в режимах работы при непрерывном токе iL.
Оценку уровня пульсаций выходного напряжения LC-фильтра можно прибли
женно провести следующим методом. Согласно одному из принятых определений
пульсации можно записать
и вых шах - и вых min
Д^вых = (6.11)
где А £/вых — абсолютное значение пульсации; 1УВЫХтах, £/вых min — максимальное и
минимальное значения напряжения на выходе регулятора.
Учитывая, что переменная составляющая тока iL протекает в конденсаторе
Z-C-фильтра, можно считать, что пульсация напряжения на конденсаторе определя
ется переменной составляющей тока, и тогда связь изменения заряда ДQ с током
может быть представлена в виде
AI,TS
AQ = 2AUBblxC = (6.12)
Л^ ь.х = 1 ^ ( 1 - Г ) . (6.13)
Е Е
а) б)
U_ -
= ЕУ (6.15)
2 , 2 /HL
£Тр
ЕТ~
7н.гр = Л Y(l-Y), (6.16)
R4
R2
VD
R6
KEWC <S)
ш г с \ = ________£__сч ______ (6.18)
раз1 ' I + WC4( S ) K W ( S ) K MK ’
а ) б)
Д^ в ых = A . (6.19)
".’н
\ Г
Рис. 6.16. Диаграмма напряжения в переходном про- Рис. 6.17. К определению пара-
цессе в транзисторном последовательном регуляторе метров фильтра в регуляторе
Этот тип регулятора называют также повышающим (англ, step-up или boost
converter). Силовая часть схемы регулятора с транзисторным ключом VT и емкост
ным выходным фильтром С приведена на рис. 6.18. Принцип действия регулятора
основан на периодическом накоплении энергии и передаче ее из реактора L в цепи
фильтра С и нагрузки RH. Так же как и регулятор с последовательным ключом,
этот регулятор может работать в режимах с непрерывным и прерывистым током
реактора.
Режим работы с н еп реры вн ы м током реактора. В этом режиме чередуются
два состояния схемы: транзистор VT включен (интервал I) и транзистор VT выклю
чен (интервал II). При построении диаграмм и дальнейшем рассмотрении схемы
принято допущение, что выходное напряжение £/вых идеально сглажено. Длитель
ности интервалов I и II составляют /вкл = yTs и /выкл = (1 - y)Ts соответственно.
На рис. 6.19 представлены эквивалентные схемы на интервалах работы схемы с
учетом принятых допущений. Диаграммы, иллюстрирующие этот режим работы,
показаны на рис. 6.19. Согласно схемам ток реактора на интервалах I и II изменя
ется по линейному закону:
интервал I
(6.21)
L УО
£ СУ
Рис. 6.18. Схема параллельного импульс Рис. 6.19. Схемы замещения параллель
ного регулятора ного импульсного регулятора в режиме
работы с непрерывном током реактора
интервал И
*£ ^L шах ( 6.22)
£'вкл = - ( Е - Ц,ыхКыкл> ( 6 -2 3 )
или
Еу = - ( Е - и въп) ( \ - у ) . (6.24)
Из (6.24), пренебрегая потерями мощности в схеме, можно записать
^ВЫХ 1_ ’
1 I (6.25)
W bxO - y),
_AQ_ №
AU (6.26)
с С С
Режим работы с п рер ы в и сты м током реакто р а (см. рис. 6.11, в). При сниже
нии тока нагрузки / н до определенного параметрами схемы уровня регулятор пере
ходит в режим работы с прерывистым током iL. В этом режиме на интервале
выключенного состояния транзистора VT ток iL спадает до нуля раньше начала
следующего периода. Наступление граничного режима возможно при условии:
Т$ U вых 2
/ н.гр = ^ 2 1 ^ У ( 1 - У ) , (6-27)
LI L max
= p J s = R., ' S' (6.28)
= El . (6.29)
Интервал I Интервал II
Рис. 6.24. Схема замещения импульс Рис. 6.23. Диаграммы напряжения и тока
ного регулятора с инверсией выход импульсного регулятора с инверсией выход
ного напряжения в режиме работы с ного напряжения в режиме работы с непре
непрерывным током реактора рывным током реактора
фильтр (интервал И). Длительность интервала II соответствует времени выклю
ченного состояния транзистора tQblKJl = (1 - y ) T s . Интервалы I и II отражают эквива
лентные схемы, представленные на рис. 6.24. Согласно этим схемам изменение
тока реактора определяется уравнениями:
для интервала I
= »» + ! ' . (МО)
для интервала II
'W lm a x (6-31)
Основные соотношения при принятых допущениях для установившегося
режима работы с непрерывным током реактора могут быть получены из условия
равенства нулю среднего значения напряжения UL на реакторе L (см. рис. 6.23):
вых
II
и
1-у
(6.32)
'н 1 - у
'вх Y
где / вх — среднее значение тока, потребляемого от первичного источника.
Из (6.32) следует, что выходное напряжение может изменяться в диапазоне от
нуля при у = 0 до бесконечности при у = 1. Эта схема позволяет регулировать
выходное напряжения в широком диапазоне, причем как понижать, так и повышать
его относительно напряжения входного источника. Следует отметить, что в реаль
ных схемах потери мощности ограничивают выходное напряжение, но не устра
няют опасность выхода из строя элементов под воздействием повышенного напря
жения. Неблагоприятным является режим холостого хода, когда нагрузка
отсутствует.
Режим работы с прерывистым током реактора. При малых нагрузках схема
переходит в режим работы с прерывистым током реактора. Ток на интервале
выключенного состояния транзистора спадает до нуля раньше начала следующего
периода работы (рис. 6.25). Граничные средние значения токов реактора IL и
j ТSМ ВЫХ , л ч
А = 2--L О - у ) ;
гр
(6.33)
ТМ 2
/ = 5 вых (1 - у)
НГР 2L К Г)
Рис. 6.25. Диаграммы тока и напряжения импульсного регулятора с инверсией выходного
напряжения в режиме работы с прерывистым током реактора
Контрольные вопросы
О ■о
ь d
б)
*г="вых
в)
г)
Рис. 6.29. Обратноходовой преобразователь с гальванической развязкой:
а — схема однотактного преобразователя; б — эквивалентная схема реактора-трансформатора; в —
схемы замещения на интервалах; г — диаграммы тока
v ( 0 = /ц(0 ) + Y t\
(6.34)
на нтервале II (у Ts < t< Ts )
^вых
*ц(0 = 1ц(.ут5) -
L
и
где i (yTs) — максимальное значение тока / в момент выключения ключа VT\ Кт=
= N1 /N 2 — коэффициент трансформации.
Диаграммы токов реактора транзистора I VT(t) и диода I VD(t) в режиме
непрерывного тока представлены на рис. 6.29, г. Параметры гранично-непрерыв
ного режима могут быть определены по соотношениям, приведенным в § 6.2 для
схемы повышающего регулятора с параллельным ключом.
Схема на рис. 6.29 имеет наиболее простую топологию и хорошие технико-эко
номические показатели в диапазоне малых мощностей. Эти показатели могут быть
улучшены посредством введения двух ключей при соблюдении принципов преоб
разования, в частности, за счет параллельного соединения двух преобразователей.
При этом объединяются как входные, так и выходные цепи силовых схем. Оче
видно, что при этом повышается выходная мощность преобразователя и уменьша
ются пульсации напряжения.
Преобразователь с трансформаторным выходом на основе последовательно
понижающей схемы с одним ключом представлен на рис. 6.30. В нее входят транс
форматор 7/7, соединенный последовательно с транзистором VT, и LC-фильтр,
подключенный к выходной вторичной обмотке. Принцип действия преобразова
теля, как и в схеме на рис. 6.29, основан на импульсном управлении коэффициен
том заполнения у, т.е. регулировании длительности импульсов напряжения прямо
угольной формы амплитудой Е на первичной обмотке трансформатора Тр. В
идеализированной схеме на рис. 6.30 отсутствует индуктивность рассеяния в
трансформаторе, т.е. коэффициент вза
Тр vdi L имной индуктивности обмоток М = 1.
Кроме того, необходимо принять во
внимание наличие тока намагничивания
трансформатора. Практически обеспечить
такое значение М невозможно, и поэтому
для исключения перенапряжения на
ключе при его выключении необходимо
применить снаббер для поглощения энер
гии, накапливаемой в индуктивностях
рассеяния реальной схемы. Эту задачу
Рис. 6.30. Идеализированная схема понижаю
щего преобразователя с гальванической раз можно решить и другими способами,
вязкой например введением третьей, дополни-
тельной обмотки, выполняющей функции возврата накопленной энергии
в источник напряжения или подключенный к нему конденсатор. Другим суще
ственным недостатком схемы является возникновение процесса подмагничивания
магнитопровода, обусловленного наличием постоянной составляющей в импуль
сах, поступающих на трансформатор. В результате подмагничивания рабочее зна
чение индукции в магнитопроводе смещается в сторону насыщения, вызывая
дополнительные потери в ее элементах и ухудшение использования стали магни
топровода.
Указанные недостатки ограничивают применение однотактной схемы, форми
рующей однополярные импульсы на трансформаторе, областями малых мощно
стей и невысоких требований к удельным массогабаритным показателям преобра
зователя. Поэтому при мощности боле 100 Вт применяют двухтактные схемы на
основе двух или более ключей, работающие также по принципу понижающего
последовательного регулятора. На рис. 6.31 приведен пример такой схемы, выпол-
S1 S2
а)
Рис. 6.32. Двухкаскадный (повышающий
и понижающий) импульсный регулятор
А В
\S1
Рис. 6.33. Переход от схемы с двумя переключающими
элементами к схеме с одним переключающим элементом:
а — схема с двумя ключами; б — схема с одним ключом б)
входного и выходного токов. Снижение пульсаций тока позволяет уменьшить
емкости входного и выходного фильтров. Кроме того, в схеме используются один
транзистор и один диод. Таким образом, сохраняя положительные свойства схемы
на рис. 6.32, новая схема имеет лучшие энергетические показатели (КПД и удель
ные значения массы и объема).
В режиме непрерывных токов iLX и iL2 средние значения напряжения связаны:
v .m = Е . (6.35)
и a L2 и
-TVY-V
а) а)
LI Cl VD
б)
Рис. 6.35. Схемы с низкими пульсациями
входного тока:
а — вариант 7; б — вариант 2
б)
t
Рис. 6.34. Регулятор Мука:
а — принципиальная схема; б — диаграммы напряжения и тока
L1 L2
-nrv>-
__ СЗ
YI vd i
Рис. 6.36. Схема регулятора Чука Рис. 6.37. Схема регулятора с гальваниче
с объединенной магнитной системой ской развязкой
Тр
ВЫХ ] _ у ’
8/ = 2
= A it ТО-Г) V
(6.36)
' 21L 2 ( 2 - у ) f sL>
_ А^вых _ 1- у
5" 2 и. 2Л„С2/ 5 ’
„ тО-т)Ч
°/1 - з ’
2 ( 2 - у ) 3/ 5 £,
Т (1 -Г )Ч
12 2 (2 - у ) / j t 2 '
5 = -■ ~ Y
и 2Л„С4f s
где 8П, 8/2 — коэффициенты пульсаций тока в реакторах Ы и L2.
Таким образом, если число ячеек в схеме, включая базовую, равно п , то основ
ные соотношения могут быть записаны в виде:
^вы х ^С2п Е;
1 -У
,л ч 2 (и- m + 1) D
s = Y ( 1 ~ Y ) _________
(6.38)
‘m = 2(2 - y)2^” “ m) + 1f s K
6 = '- - y-
U 2 R nC i n f s '
где 8im — коэффициент пульсаций тока в реакторе Lm (m = 1, 2, 3, ..., n)\ C2n —
емкость конденсатора выходного фильтра (при принятой системе обозначений
индекс этого конденсатора совпадает с удвоенным числом количества ячеек п).
Из (6.38) следует, что даже при n = 1, т.е. с одной базовой ячейкой, преобразо
ватель основной подгруппы позволяет получить, например, для у = 0,5 коэффици
ент повышения напряжения К= 3, что больше в 1,5 раза по сравнению с традици
онной схемой с индуктивным накопителем. Незначительным увеличением
количества элементов можно еще больше повысить этот коэффициент. Так,
дополнительная подгруппа рассматриваемых преобразователей состоит из ячеек,
аналогичных ячейкам основной подгруппы, но дополненных двумя конденсато
рами и двумя диодами. На рис. 6.41 представлены схема базовой ячейки дополни-
0
7
7
7
7
13
| Е
6
7 ------------- 4 7 --------------4 7 4 ^ ;
"вы*
Рис. 6.42. Диаграммы тока и напряжения на основных элементах базовой ячейки основной
подгруппы преобразователей
иш (6.40)
Контрольные вопросы
1. Перечислите основные преимущества схемы Чука и поясните их диаграммами элек
тромагнитных процессов.
2. Какие положительные результаты дает интеграция реакторов в схеме Чука?
3. В каких случаях целесообразно использовать схемы регуляторов постоянного тока с
многоканальным повышением выходного напряжения?
4. Поясните принцип действия базовой ячейки регулятора по схеме Луо.
5. Чем отличается схема базовой ячейки дополнительной подгруппы от схемы базовой
ячейки основной подгруппы и какие преимущества дает это отличие?
6.5. Структурные и схемотехнические разновидности
регуляторов постоянного тока
О;
V =Bs ь а
?
1^__ 2___ ^
1
1
1
1
1
1 с 1
1
1
1с[ 1
АО t
а) б) в)
Рис. 6.48. Схемы замещения на интервалах регулятора с магнитным ключом:
а — интервал /0— /,; б — интервал t ]— /2; в — интервал /2— /3
равно нулю. В этом случае ток реактора iL равен току магнитного ключа /м
и можно записать
d ir
MB x " MH = Z' - d 7 .
(6.41)
а) б) в)
d /L
U-,
н’
dt L
(6.46)
du^ lL ин
dt С RHC
(6.50)
Контрольные вопросы
1. Какие преим ущ ества им еет ком бинированны й регулятор с бестрансф орм аторны м
входом ?
2. П оясните принцип действия м агнитного ключа, используя диаграммы тока и напря
жения в реж им е им пул ьсного регулирования.
3. Как изм енится угол управления (время задерж ки при вклю чении) м агнитного
ключа, если число витков в нем увеличится в 2 раза, а сеч ен и е м агнитопровода ключа
уменьш ится в 1,5 раза?
4. В каких случаях ц ел есо о б р а зн о использовать схем ы регуляторов с магнитными
ключами?
5. В чем принципиальное отличие принципа регулирования вы ходного напряжения
в тиристорном регуляторе с дозированной передачей энергии от Ш ИМ и чем это обусловлено?
Г л ав а с е д ь м а я
ИНВЕРТОРЫ, ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЧАСТОТЫ
И РЕГУЛЯТОРЫ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА НА ПОЛНОСТЬЮ
УПРАВЛЯЕМЫХ КЛЮ ЧАХ
а)
б)
Рис. 7.2. Однофазный полумостовой инвертор напряжения:
а — схема; б — диаграммы тока и напряжения
Ud U d Пе
Л » = ' ’.« = i f = P»<9 > d 8 <7'3>
H 0
Средние и действующие значения тока в диодах VD1, Г£)2 и транзисторах VT1,
РТ2 можно получить, предварительно проинтегрировав выходной ток /н на интерва
лах (0— $ 0) и (Э0— я) с учетом скачков тока в моменты коммутации & = 0 и $ = я.
Наиболее распространенной является однофазная мостовая схема (рис. 7.3).
Рассмотрим ее работу на активно-индуктивную нагрузку, в которой реактор LH
и резистор RHсоединены последовательно.
ld
Т=2к в
СОТ
'■« = ± F + Ае
при 9 = 0 1н = - / нтах;
(7.6)
при 9 = 71 /„= / нтах.
R 1+ е
. JL ^
сот
2е
1- (7.8)
" я»
, (ОТ ,
1+ е /
= (7-9)
я - а
ии = и, (7.10)
я
тт 4Vd ■ п ( к - а )
U„ mav = sin — -, (7.11)
" max ил 2
где и — номер гармонической составляющей (и = 1, 3, 5 ,...) .
На практике часто требуется стабилизация действующего значения первой гар
моники выходного напряжения при изменении входного напряжения в диапазоне
от 6'rfmin до t / j max • Для этого необходимо изменять угол управления от 0 (при Ud =
= ^ d m in ) Д ° a m ax ( ПР И Ud = Udmax):
^ d min
^ d max
__________________ п
а тс тс + а 2л £
е)
Из диаграмм на рис. 7.7 видно, что за один период через интервал к изменяется
шесть комбинаций структур, соответствующих состояниям трех транзисторов,
одновременно находящихся в проводящем состоянии. Причем в чередующихся
комбинациях поочередно проводят сначала один транзистор из группы транзисторов
с общим коллектором и два из группы с общим эмиттером, а затем наоборот —
иа Uhо иг
с
: r v
я о
U VT2
t
a
U VT3
1
U VT4
t
U VT5
U VT6
a)
6)
Рис. 7.7. Диаграммы напряжения на элементах схемы трехфазного мостового инвертора при
управлении импульсами длительностью я:
а — диаграммы импульсов управления; б — диаграммы напряжения фаз
Чл (7.13)
Щ = iaR = 3
Режим I Режим II
Режим V Режим VI
Rb
ГГ/, VT2 и JT6. В этой эквивалентной схеме напряжение фазы а в режиме II опре
деляется
п U Jt 2 t/j
u l = ia* = — V - (7.14)
2
Аналогичным способом для интервала ^ < Э < я , когда проводят ток тран
= ijt = (7.15)
U.I. = и * = U'. = Д и*
(7.16)
и. = и„ = и, = £■ и„.
(7.17)
Я - ф
*VT2
Г
ЛУТЗ
VT4 t
VT5 i
ЛУТ6 ‘
а)
_______
2я
3
J "
б)
Рис. 7.10. Диаграммы напряжения на элементах схемы трехфазного мостового инвертора при
управлении импульсами длительностью 2л/3:
а — диаграммы импульсов управления; б — диаграммы фазного и линейного напряжения
.. , ud
иь= ~ Т ’ u c = °;
я ^ л 2я
на интервале - < У < —
(7.18)
,п ud .1 ud
U a = -? \ и ь=о-,
ди ди ud ,,ш Ud
Ua = 0; £/Г = т : Uc =-Т-
Рис. 7.11. Структурная схема инвертора Рис. 7.12. Структурная схема инвертора
с регулятором входного напряжения с регулятором выходного напряжения
и С1
пы}Ь ------- —
1 wcOj C j
К, п (7.20)
HCDj C j
где coj — угловая частота первой гармоники фильтруемого напряжения.
Из (7.20) видно, что коэффициент ослабления прямо пропорционален квадрату
порядкового номера гармоники.
Точный расчет параметров фильтра производится из условия обеспечения
заданного коэффициента гармоник напряжения KrU на нагрузке и является
довольно сложным, так как при этом приходится учитывать много различных фак
торов, включая массогабаритные показатели фильтра. Для ориентировочной
оценки параметров фильтра следует задаться значением падения напряжения пер
вой гармоники AUl на индуктивности L от тока наибольшей нагрузки инвертора
/ н тах и определить индуктивность:
(7.21)
° V h max
В действительности первая гармоника напряжения на индуктивности фильтра
будет больше, чем от тока нагрузки, так как через нее протекает еще первая гармо
ника тока конденсатора С1. Далее, задаваясь коэффициентом ослабления самой
большой по амплитуде гармоники (для напряжения с нечетными гармониками это
будет третья гармоника), определим из (7.20) емкость фильтра. Коэффициентом
ослабления следует задаваться из условия обеспечения требуемого значения коэф
фициента выходного напряжения К rU.
Однозвенный Z-C-фильтр, являясь наиболее простым по структуре, имеет
существенные недостатки. Во-первых, он ослабляет не только высшие гармоники,
но и основную. Это ослабление пропорционально нагрузке инвертора и зависит
от коэффициента мощности нагрузки. Кроме того, ослабление амплитуды основ
ной гармоники сопровождается изменением фазы выходного напряжения фильтра
относительно фазы входного напряжения. Во-вторых, емкость фильтра создает
дополнительную нагрузку для инвертора, увеличивая токи, в его основных эле
ментах. Поэтому использование такого фильтра целесообразно при незначитель
ном содержании высших гармоник в инвертируемом напряжении или при высоких
(10— 15 %) допустимых значениях коэффициента K rU на нагрузке.
Недостатки, присущие простому LC-фильтру, практически устранены в филь
тре, схема которого представлена на рис. 7.14, б. Основными звеньями фильтра
являются последовательная L1C1- и параллельная L2C2-цепи. Оба звена настро
ены в резонанс на частоте основной гармоники coj, т.е.
(7.22)
1
со |Z,2
(Оj С2
Контрольные вопросы
1. Перечислите характерные различия инверторов напряжения и тока.
2. Какую функцию выполняют «обратные» диоды в инверторах напряжения?
3. Запишите в общем виде выражение для определения среднего значения тока в дио
дах и транзисторах инверторов напряжения, выполненных по однофазной бестрансформа-
торной мостовой схеме для установившегося режима работы при заданных значениях
входного напряжения, частоты основной гармоники выходного напряжения и нагрузки,
состоящей из параллельно включенных сопротивления R и индуктивности L.
4. Как влияет на гармонический состав выходного напряжения широтно-импульсное
регулирование?
5. Определите параметры LC-фильтра в схеме однофазного мостового инвертора,
обеспечивающего уменьшение третьей гармоники выходного напряжения на холостом
ходу (без нагрузки) в 10 раз при ограничении падения напряжения основной гармоники
не более 10 % номинального действующего значения выходного напряжения первой гар
моники (с частотой / = 50 Гц) при номинальном действующем значении нагрузки 10 А
и коэффициенте мощности cos(pH= 1 (влияние емкости конденсатора фильтра С не учи
тывать).
7.3. Инверторы тока
где знак «плюс» соответствует интервалу & < я, а знак «минус» — интервалу в > п.
В общем виде решение уравнения (7.24) можно записать в форме
_ _9_
Un = ± I dR H+ Ае “ \ (7.25)
где т = Сн7?н.
Постоянная интегрирования определяется из условия непрерывности напряже
ния на конденсаторе Сн в моменты коммутации ключей. С учетом значения посто
янной интегрирования окончательно решение уравнения имеет вид
А ^
(ОТ
2е
мн = ±7А 1- (7.26)
1 2т.
1+ е J
(7.28)
0н = />н1ё Ф н; (7.29)
Q„ = Q c ~ Q h = и н«>ск - P Ht g ф н>.
где Рн — активная мощность нагрузки; Qc — реактивная мощность конденсатора;
QH— реактивная мощность нагрузки; — реактивная мощность, потребляемая
инвертором.
Из соотношений (7.29) видно, что реактивная мощность, потребляемая инвер
тором, равна разности мощностей конденсатора Ск и реактивной (индуктивной)
мощности нагрузки. Иначе говоря, рассматриваемый тип инвертора работает
при условии полной компенсации индуктивной составляющей нагрузки. Поэ
тому конденсатор Ск в схемах подобного типа инверторов называют иногда ком
пенсирующим.
Так как в рассматриваемом случае учитывается только первая (основная) гар
моника выходного напряжения, то действующее значение напряжения можно
выразить соотношением, используемым при анализе инверторов, ведомых сетью:
7Г U,
и = — -------- (7.30)
н 2 л C0SP
Учитывая (7.28), соотношение (7.30) можно записать в следующем виде:
(7.31)
(7.33)
Ur = Л U , sin |1.
2. М аксимальное / тах, среднее I TAV и действующее IRMS значения тока тирис
торов:
/ max - / d- - *jj• ’
1ТА V (7.34)
2иА
‘ TRMS
Л Л Л
U
и н\ ~ г- ’
(7.35)
2 Л cos(pH
с„ =С К2> ^ . (7.36)
VT2
г
4 VT3
VT4 I
VT5
V T6
б)
Рис. 7.19. Трехфазный инвертор тока:
а — схема; б — диаграммы импульсов управления
Q c 0Н ^к.у /п
р = a rc tg --------- -------- *, (7.37)
L
образным использовать запираемые тиристоры, позволяющие создавать инвер
торы большой мощности. При этом преимуществом схемы инвертора тока явля
ется наличие сглаживающего реактора на стороне постоянного тока, который
ограничивает скорость нарастания аварийных токов. В то же время в инверторах
большой мощности становится эффективным использование многоуровневых
схем с применением методов АИМ и ШИМ. Кроме того, применение полностью
управляемых ключей позволяет успешно использовать метод селективного исклю
чения высших гармоник выходного тока.
Контрольные вопросы
1. Какими сп особ а м и м ож н о регулировать вы ходное напряж ение инвертора тока?
2. Как изм енится вы ходн ое напряж ение инвертора тока, если угол м еж д у первыми гар
мониками вы ходн ого тока и напряж ением изм енится от п / 6 д о к/3?
3. В чем принципиальное различие алгоритм ов ш и р отно-и м п ульсного регулирования
напряжения инверторов тока и напряж ения?
4. Чем ограничено м иним альное знач ение угла р?
5. О п редели те знач ение угла р в о д н оф азн ом инверторе тока, им ею щ его сл едую щ и е
параметры: д ей ст в ую щ ее знач ение си н усои дал ь н ого вы ходного напряжения равно 2 2 0 В,
частота составляет 50 Гц, нагрузкой являются параллельно соеди н ен н ы е резистор со п р о
тивлением R = 10 О м, конден сатор ем костью С = 10 мкФ и реактор индуктивностью L =
= 10 мкГн.
Г -Й —
I 1 0 0 0 1 0 0 0 1 UAB ивс Ы
СА
0 0 1 1 0 0 0 1 0 ивс иСА Ы
АВ
II -а 1 0 0 0 0 0 0 1 1 ~UCA 0 иСА
0 0 0 1 0 0 0 1 1 ивс 0 ~ивс
0 1 1 1 0 0 0 0 0 ~иАВ 0 иАВ
0 1 1 0 0 0 1 0 0 UCA 0 ~иСА
0 0 0 0 1 1 1 0 0 ~ивс 0 иВС
II -Ь 1 0 0 0 1 1 0 0 0 UAB 0 ~UAB
0 1 0 0 0 0 1 0 1 UCA ~UCA 0
0 0 0 0 1 0 1 0 1 ~ивс ивс 0
1 0 1 0 1 0 0 0 0 иАВ ~UAB 0
1 0 1 0 0 0 0 1 0 ~иСА иСА 0
0 0 0 1 0 1 0 1 0 ывс ~ивс 0
11-с 0 1 0 1 0 1 0 0 0 ~иАВ иАВ 0
0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 иСА ~UCA
0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 ~ивс ивс
1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 иАВ ~иАВ
1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 ~иСА ЫСА
0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 Ы
ВС ~иВС
1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0
£
и а п $ А а $ В а $ С а
- (7.38)
и Ь п $ А Ь $ В Ь $ С Ь ^ 0
L ^ _
с ?
и с п $ А с $ В с $ С с
1
Такая схема создает непрерывный ток в активно-индуктивной нагрузке.
Однако входной источник, подключаемый к преобразователю, имеет индуктивное
сопротивление, значение которого обусловлено различными факторами. Поэтому
«жесткая» коммутация силовых ключей преобразователя может создавать импульс
ные перенапряжения. Для их подавления, а также сглаживания пульсаций вход
ных токов обычно используются входные LC-фильтры, конденсаторы которых
подавляют эти перенапряжения. При необходимости для подавления перенапря
жений могут быть использованы специальные диодно-конденсаторные накопи
тели, твердотельные ограничители перенапряжения (варисторы) и др.
В настоящее время разработаны различные методы управления выходным
напряжением и входными токами матричных преобразователей частоты, напри
мер метод модуляции пространственного вектора. Этот метод применяется при
разработке систем управления автономными инверторами. Диаграммы токов и
напряжений, полученные одним из методов модуляции [68], представлены на
рис. 7.26 для следующих основных параметров:
• частоты м о д у л я ц и и ^ = 3 550 Гц;
• входного коэффициента мощности cos(pBX= 1;
• входного напряжения t/BX= 400 В;
• индекса модуляции т = 0,58;
• частоты входного н ап ряж ен и я/^ = 50 Гц;
• частоты выходного напряж ения/ВЬ1Х= 25 Гц.
В качестве нагрузки использовался асинхронный двигатель мощностью 15 кВт.
Применение этого метода модуляции позволило снизить потери мощности на 15—
30 % в зависимости от нагрузки по сравнению с потерями в схемах с традицион
ным управлением, что свидетельствует о перспективности этого направления в
преобразовательной технике.
Одним из способов повышения выходного напряжения является применение
повышающе-понижающих преобразователей, схемы которых используются в пре
образователях постоянного тока в постоянный [6]. На рис. 7.27 показана упрощен
ная схема трехфазно-однофазного преобразователя, в котором для повышающего
звена использована схема с промежуточным накопителем электроэнергии.
Периодическая работа ключей позволяет изменять полярность напряжения на
реакторе L с учетом знака формируемой полуволны выходного напряжения. Пере
дача накопленной в реакторе энергии в нагрузку осуществляется «порциями» при
О 20 40 60 80 t, мс
а)
® в)
Рис. 7.26. Диаграммы напряжения и тока в трехфазном матричном преобразователи частоты:
а — входное напряжение и ток; б — выходное напряжение; в — выходной ток
S1
Контрольные вопросы
1. На чем основан принцип действия матричных преобразователей?
2. Приведите пример упрощенной функциональной схемы выпрямителя на основе
применения матричного преобразователя.
3. Какие энергетические показатели преобразователя частоты могут быть улучшены
методами ШИМ?
4. Какое основное преимущество имеет схема непосредственного преобразователя
частоты перед преобразователем частоты с промежуточным звеном постоянного тока?
5. Какими способами можно обеспечить превышение выходного напряжения относи
тельно входного в схеме матричного преобразователя?
б)
Рис. 7.28. Регулятор с непосредственным регулированием выходного напряжения:
а — схема регулятора; б — диаграммы выходного напряжения и тока
Контрольные вопросы
1. Определите зависимость действующего значения выходного напряжения от коэф
фициента заполнения при ШИМ входного напряжения регулятора, выполненного по схеме
на рис. 7.28, а при активной нагрузке.
2. Какие функции выполняет в схеме на рис. 7.28, а ключ 52?
3. Начертите схему регулятора переменного тока с ШИМ, повышающего выходное
напряжение.
4. Можно ли посредством схемы на рис. 7.28, а уменьшить коэффициент гармоник
напряжения Kr(j ?
5. Какие функции в схеме на рис. 7.29, е выполняет входной реактор Ы
6. Каким образом следует изменить схему регулятора переменного напряжения
(см. рис. 7.28, а) для обеспечения работы на емкостную нагрузку, состоящую из парал
лельно соединенного конденсатора и резистора?
Гл а в а в о с ь м а я
Ш ИРОТНО-ИМ ПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ
В ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
ПЕРЕМЕННОГО/ПОСТОЯННОГО ТОКА
и„
м. ( 8. 1)
и..
U.ат 1 (8.3)
{Л (8.4)
к 2 к
Эта величина ограничивается значением индекса Л/а, изменяющегося в диапа
зоне от 0 до примерно 3. Очевидно, что функция на интервале а— б значений от 1
до 3,2 является нелинейной (рис. 8.2). Режим работы на этом участке называется
сверхмодуляцией.
Значение М^ определяется выбором частоты несущего сигнала ин(&) и сущест
венно влияет на технические характеристики преобразователя. С ростом частоты
увеличиваются коммутационные потери в силовых ключах преобразователей, но при
этом улучшается спектральный состав выходного напряжения и упрощается реше
ние задачи фильтрации высших гармоник, обусловленных процессом модуляции.
Важным фактором выбора значения / н во многих случаях является необходимость
обеспечения его значения в звуковом диапазоне частоты более 20 кГц. При выборе/н
следует также учитывать уровень рабочих напряжений преобразователя, его мощ-
Рис. 8.2. Зависимость относительного значе
ния амплитуды основной гармоники выход
ного напряжения от индекса амплитудной
модуляции для однофазной полумостовой
схемы
Контрольные вопросы
1. П еречислите основны е м етоды Ш ИМ для обесп еч ен и я си н усои даль н ости тока или
напряжения.
2. В чем отличие однопол яр ной м одуляции напряж ения от двухп оляр ной?
3. П еречислите основны е параметры Ш ИМ .
4. С какой целью используется Ш ИМ со стохастич еским и процессам и ?
Т аб л и ц а 8.1
Состояние ключей
Номер состояния
S1 S2 S3 S4
ключа
1 1 1 0 0
II 0 0 1 1
III 1 0 1 0
IV 0 1 0 1
Т аб л и ц а 8.2
Значения напряжений
Uj vd
I S1,S2 D1,D2 Vd
2 2
II D3 , D4 S3, S4 и* и*
-v d
2 2
U иj ud
Ci
III 5У, D3 D1, S3 0
2 2
U иj Ud
и
IV S2, D4 S4, D2 0
" 2 ‘ 2
ud
ных ключах S2, S4 (состояние IV). Потенциал узла b относительно 0 равен — при
ud
включенных ключах S3, S4 (состояние II) и —— при включенных S1, S3 (состоя
(8.7)
“ l^-H
Фн = arctg — — ( 8 .8 )
k= 1, 3, 5, ..., при / = 2, 4, 6,
к = 1, 3, 5, ..., для / = 2, 4, 6,
00 4£/. „к
иоь= Z у г sin у sin и д » (8Л °)
л=1, 3, 5
Таблица 8.3
Состояние ключей и напряжений фаз а и b в схеме трехфазного инвертора напряжения
(О — выключенное, 1 — включенное)
VIII 0 0 0 1 1 1 0 0 0
I 1 0 0 0 1 1 и„ v*
Ud
2 2
II 1 1 0 0 0 1 u d
0
2 2
III 0 1 0 1 0 1 u d -U d
и*
2 2
IV 0 1 1 1 0 0 - v d
v d u d
2 2
V 0 0 1 I 1 0 u d 0
2 2
VI 1 0 1 0 1 0 u d u d Ud
2 2
VII 1 1 1 0 0 0 0 0 0
В состояниях VII и VIII выходное напряжение равно нулю. Смена состояний клю
чей во времени происходит в зависимости от соотношения текущих значений
опорного и несущего сигналов. Рассмотрим формирование линейных напряжений
на выходе инвертора. В целях единообразия трехфазной и однофазной схем будем
рассматривать линейное напряжение иаЪ как разность напряжений фаз а и 6, опре
деленных относительно точки 0. Выбор общей точки не имеет принципиального
значения. Например, в качестве такой точки можно взять точку с потенциалом
минусовой шины постоянного тока или какую-нибудь другую. С учетом выбора
общей точки 0 линейное напряжение иаЪ равно разности фазных напряжений иа0 и
иьо, т.е. иаЪ = иа0 - иьо. Напряжения фаз иа0и и Ь0 могут принимать следующие зна
чения:
• на интервалах включенного состояния ключа S1 фаза а соединяется с шинами
Т
г)
ntHJLWUL
Рис. 8.9. Диаграммы синусоидальной ШИМ в трехфазном инверторе:
а — н а п р я ж ен и е м о д у л и р у ю щ и х сигн алов; б — н ап р я ж ен и е ф аз и а 0 ; в — н ап р я ж ен и е ф аз u b0; г —
л и н ей н о е н а п р я ж ен и е u ab
v.t.l = Л И . Т ( 8. 11)
4~Ъ1а
^а т 1 2 ’ О < М < 1;
R 4-73/j
^ - 1 < / , < ------- Ма > 1 .
2 d awl 2к
Таблица 8.4
Состояние ключей и напряжений фаз а и Ь в схеме трехфазного инвертора тока
(О — выключенное состояние ключа, 1 — включенное)
1 1 0 0 0 0 1 h 0
II 0 1 0 0 0 1 0 Id -id
III 0 1 0 1 0 0 -Id Id 0
IV 0 0 1 1 0 0 -u
0 Id
V 0 0 1 0 1 0 0 -Id Id
VI 1 0 0 0 1 0 Id -Id 0
VII 1 0 0 1 0 0 0 0 0
VIII 0 1 0 0 1 0 0 0 0
IX 0 0 1 0 0 1 0 0 0
1а + 1ь + *с = 0- (8-14)
В цепях без нулевого проводника системы токов две переменные являются
независимыми и достаточными для описания состояния трехфазной электриче
ской системы, иначе, достаточно использования двухкоординатной плоскостной
системы для анализа трехфазной системы. Как уже отмечалось, идея представле
ния трехфазной системы в виде двухфазной с различным смысловым значением
координатных осей оказалась плодотворной в теории электрических машин [82].
С развитием микропроцессорной техники методы, реализующие такое преобразо
вание координат, стали использоваться для управления трехфазными преобразова
телями электроэнергии. Рассмотрим некоторые из них.
Преобразование трехфазной системы в двухфазную с неподвижными
осями а и р. Предположим, что имеется трехфазная сбалансированная система
напряжений
Ua = U m S in
Uc = U m s in ( d " f Л) ’
2 4 ма (&)
1 cos — n cosj
= knn
np (8.17)
»ь(&)
. 2 . 4
0 S in у n sinT Мс ( 3 )
1 0
Ив( » )
2 . 2
= COS — Л sin - л
И*(»)
^ р (Э )
4 . 4
«с(») cos — л sin — л
3 3
( у ) = ^ « sin (Э );
Usfi(v)=Usm cos ( 9 ) ,
или
7»
Пространственный вектор Us( 9 ) вращается в комплексной плоскости относи
тельно неподвижных осей а и р е круговой частотой со. При этом конец вектора
перемещается по траектории окружности радиусом, равным модулю вектора Usm.
Таким образом, каждая точка окружности соответствует мгновенным значениям
состояния трехфазной системы напряжений. В этом случае появляется возмож
ность оценки состояния сбалансированной трехфазной системы по модулю и фазе
одного вектора t/ Д З ) .
Преобразование трехфазной системы в двухфазную с осями, вращающи
мися с синхронной скоростью. В неподвижной системе а , Р-координат согласно
(8.20) составляющие пространственного вектора (У5( 3 ) изменяются по гармони
ческим законам: синусоидальному по оси а и косинусоидальному по оси р.
Иногда вектор £/Д З) целесообразно представлять в двухфазной системе при
неизменных значениях ортогональных составляющих. Для этого используется
система координат с осями d и д, которые вращаются со скоростью со, равной ско
рости вращения пространственного вектора, представляющего трехфазную сба
лансированную систему напряжений а , Р-координат. Преобразование вектора
t/Д З ) из системы а , Р-координат в систему d , g-координат может быть представ
лено в виде
U s d = - U smC0S ф ;
(8.24)
U g = - U sm s i n <P-
P = u a'a + W l
(8.25)
9 = * V 'p -«p * a - J
Уравнение (8.25) может быть записано в следующей матричной форме:
■ - - 1г
— «а Мр Р
-м р Я.
/э. ма
- - 1 - - 1— “
= ма мр Р + «а мр 0 — *ар
+ '« 4 (8.26)
- мр wa
0 - мр wa я. }*Ч_
где / , iaq, ipp и ipq — составляющие тока, определяющие действительную и мни
мую мгновенную мощность, находятся из (8.26):
JaP —u _ “ pP
1ар (8.27)
2’ 2 2 ’ 1VP ~ 2 2 ’ 'P<7 = 2 2 '
u\ + u Ma + MB Ma + Mp Ua + MP
Р= Р + р \
(8.28)
q = l + q,
Номер Ключ
Пространственный вектор Ui
состояния S1 S3 S5
VIII 0 0 0 0
I 1 0 0 2 IT '■
3 U d e
.л
II 1 1 0 2 ,, 'I
3 Ud e
. 2n
III 0 1 0 2 ,r
3 u d e
2 TT in
IV 0 1 1 2 Ud*
. 4л
V 0 0 1 2 rr 1^
3 ^ e
. 5л
VI 1 0 1 2 TJ
3 ^ e
VII 1 1 1 0
б)
Рис. 8.17. Состояние ключей трехфазного моста:
а — диаграммы основных гармоник выходного фазного напряжения; б — схема соединения ключей
ния принято состояние, при котором линейное напряжение иаЬ имеет максимальное
значение. Каждому состоянию ключа соответствует интервал длительностью тг/З,
т.е. на границе этих интервалов происходит дискретное изменение состояния клю
чей S1— S6. Следует отметить, что при такой длительности интервалов учитываются
только шесть активных состояний и не учитываются нулевые, при которых выход
ные напряжения равны нулю. Поэтому в плоскости а , p-координат можно выделить
векторы C/j— U6, отражающие положение пространственного (обобщенного) век
тора трехфазной системы на границах смены состояний ключей S1— S6. В резуль
тате на плоскости в а , Р-координатах образуется шесть секторов, разграниченных
векторами U]— U6 (рис. 8.18). Если учесть, что рассматривается сбалансированная
трехфазная система напряжений, в которой модули фазных напряжений равны
между собой, а фазовые сдвиги соответствуют 2 л / 3 и 4 л / 3 , то концы векторов
на диаграмме могут быть соединены между собой прямыми линиями, образовав
правильный шестиугольник. Векторы будут разделять его площадь на секторы,
соответствующие активным состояниям I— VI ключей. Центр шестиугольника, объ
единяющий начало векторов, может отражать состояния VII и VIII с нулевыми зна
чениям напряжения. Обычно длина векторов равна максимальным значениям моду
лирующих функций. В частности, в предельном случае модуляции, когда выходное
напряжение в инверторах напряжения приобретает прямоугольно-ступенчатую
форму, максимальное значение напряжения фазы, определяющего длину векторов,
2
равно - Ud, где \Jd — напряжение на шинах постоянного тока.
fk + tk + \ + h + t& = ь ( 8-29)
где ук, ук+] — относительное время нахождения в состояниях векторов Uk n U k+l;
у7, у8 — относительное время нахождения в состояниях VII и VIII с нулевыми зна
чениями пространственного вектора в к-м секторе.
Пространственный вектор Us вращается со скоростью, соответствующей час
тоте выходного напряжения со в системе неподвижных а , Р-координат. Модуль и
фаза этого вектора для сбалансированной трехфазной системы полностью определя
ются координатами (Jsa, Usp в осях а , р. В этом случае значения времени / 1? t2 в
первом секторе могут быть определены из тригонометрических соотношений в
ортогональных осях а с учетом принятых значений /7 и /8, рекомендуемых для раз
личных модификаций рассматриваемого метода модуляции [72].
На рис. 8.18, б приведен фрагмент рис. 8.18, а , из которого можно определить
значения времени t x и /2 при расположении пространственного вектора Us в пер
вом секторе под фазовым углом а . Так как обычно частота модуляции / н значи
тельно превышает частоту выходного напряжения инвертора / и, можно считать
параметры вектора Us неизменными на интервале периода Тн. Согласно рис. 8.18, б
ь 'т , " м^ Щ у
МгТн sin а
получаем t2
sin ( л /3 )
Аналогично для определения tx можно записать:
1 0
1 7з
—
2 2 (8.32)
и ь(& )
ис( » ) 1 _ 7з
2 2
^ = , 1 + /2 + , 7 + ,8; ^
(8.33)
*7 = *8*
Контрольные вопросы
1. Д айте оп р едел ен и е пр остр анственном у вектору тр ехф азной систем ы напряж ений.
2. Как производится Ш ИМ в си стем ах с управлением пространственны м вектором
напряжения?
3. П оясните принцип организации Ш ИМ в си стем ах с пространственны м вектором.
4. Какое предельное значение им еет индекс м одуляции при Ш ИМ пространственного
вектора?
5. М ож но ли использовать Ш ИМ пространственного вектора в си стем ах с н есбал ан си
рованной трехф азной си стем ой напряж ений?
е)
s L *
е)
руемого тока /н до его фильтрации. Этот ток можно представить в виде гармони
ческого ряда
сю
hn = ----- • <8-35)
® /ф С ф - 1
Из (8.35) видно, что высшие гармоники тока с частотами со^ » со, могут быть
отфильтрованы конденсатором фильтра Сф при малых значениях индуктивности Lф.
Это становится возможным благодаря тому, что основные функции сглаживания
тока между источниками переменного и постоянного тока, имеющими разные
значения напряжения, выполняет реактор, включенный на стороне постоянного
тока, индуктивность которого Ld достаточно велика. По этой причине в преобра
зователе со свойствами инвертора тока сравнительно просто обеспечить защиту
ключей в аварийных режимах, например при возникновении КЗ на стороне пере
менного тока. Схема эффективно работает с индуктивными накопителями элект
роэнергии. Недостатком схемы является инерционность процессов, связанных
с изменением тока в реакторе большой индуктивности. На рис. 8.20, в приведена
упрощенная структурная схема связи изменения индекса модуляции ДА/а с током
основной гармоники Д/н. Эти связи показаны для малых отклонений указанных
параметров. Динамические характеристики преобразователя будут определяться
значением индуктивности L d , представленной на рис. 8.20, в в виде интеграль
ного звена в операторной форме. Влияние /,фСф-фильтра на динамические харак
теристики существенно меньше, чем индуктивности L d, и в структурной схеме не
показано.
Преобразователь со свойствами инвертора напряжения (рис. 8.20, г).
В этой схеме реактор фильтра L ф является основным элементом, сглаживающим
ток, обусловленный разностью модулированного напряжения преобразователя
Uah (рис. 8.20, д) и напряжения сети переменного тока. При мощности источника
сети, значительно превышающей мощность преобразователя, высшие гармоники
тока преобразователя (без учета первой) могут быть приближенно представлены
следующим гармоническим рядом:
оо и
/н »((01/ ) = У — ^7" sin ( т в , / + фи), (8.36)
„= 1 П0)|ЛФ
где UHп — амплитуда п -й гармоники напряжения инвертора.
В отличие от преобразователя со свойствами инвертора тока, в рассматривае
мой схеме уровень высших гармоник определяется индуктивностью фильтра L ф.
Это вызывает необходимость повышать ее значение по сравнению со значением
индуктивности выходного фильтра в инверторе тока. В то же время из-за повы
шенных частот модуляции индуктивность £ф в этой схеме значительно меньше
индуктивности Ld в схеме на рис. 8.20, а. Поэтому процессы при управлении
выходным током будут менее инерционными. Структурная схема, отражающая
динамические характеристики преобразователя при управлении током /н1, пред
ставлена на рис. 8.20, е. Быстродействие преобразователя со свойствами инвер
тора напряжения часто является определяющим при сравнении с преобразовате
лем со свойствами инвертора тока.
В заключение краткого сравнения преобразователей можно сделать вывод
о том, что обе схемы благодаря применению полностью управляемых ключей
и принципов широтно-импульсной модуляции будут успешно работать совместно
с сетью переменного тока в четырех квадрантах комплексной плоскости. Более
подробно работа преобразователей в выпрямительном режиме рассматривается
ниже.
8.5.2. Выпрямление
Импульсная модуляция в режимах выпрямления используется в целях:
• выделения в спектральном составе тока основной гармоники на стороне сети
методом ослабления уровней высших гармоник;
• повышения коэффициента мощности за счет уменьшения реактивной мощ
ности основной гармоники тока и мощности искажения.
Этих целей можно достичь применением схемы преобразователей перемен-
ного/постоянного тока, выполненной на базе полностью управляемых ключей
(см. рис. 8.20), переходом к формированию токов в области выпрямления. При
переходе к режимам выпрямления углы фаз первых гармоник тока соответствуют
расположению их векторов в I и IV квадрантах комплексной плоскости. Следует
также отметить, что режимы выпрямления и инвертирования в преобразователях
переменного/постоянного тока на тиристорах реализуются на основе схем со
свойствами инвертора тока. Преобразователи со свойствами инверторов напряже
ния, работающие совместно с сетью, стали применяться сравнительно недавно
в связи с созданием мощных управляемых ключей.
Рассмотрим более подробно режим выпрямления на примере схемы, представ
ленной на рис. 8.20, г. Для построения векторной диаграммы представим первые
гармоники токов и напряжений в виде комплексных амплитуд, полагая напряже
ние сети синусоидальным, а ток конденсатора фильтра Сф равным нулю:
в режиме выпрямления
(8.37)
в режиме инвертирования i
ческим местом точек концов вектора основной гармоники напряжения [/н1 преоб
разователя при изменении фазы вектора тока / н1 в диапазоне углов 0 < <р < 2я.
Геометрическим местом точек концов вектора тока / н1 будет окружность 2. Из
(8.35) следует, что радиусу окружности 1 соответствует напряжение на реакторе
фильтра AUL = /jnCDjZ^. Из диаграммы видно, что при работе в областях с опере
жающим током / н1 (области II, IV) напряжение преобразователя увеличивается на
значение напряжения на реакторе AUL, а в областях I, III при работе с отстающим
током уменьшается.
Регулирование реактивной мощности. Работа преобразователя на границе
областей I, II и III, IV соответствует обмену его с сетью реактивной мощностью,
обусловленной основными гармониками тока и напряжения. При этом на границе
I, II мощность носит индуктивный характер, а на границе III, IV — емкостной.
Такой обмен используется для регулирования реактивной мощности в сети или
компенсации реактивной мощности определенного характера. Например, при
передаче электроэнергии индуктивность линии передачи вызывает появление
реактивной мощности, для компенсации которой требуется мощность емкостного
характера. Если в сети имеет место избыток реактивной мощности емкостного
характера, то для компенсации требуется источник реактивной мощности индук
тивного характера. В преобразователях, выполняющих функции компенсаторов
реактивной мощности, вместо источника постоянного тока включается конденса
тор или индуктивный накопитель энергии. Естественно, что в этом случае актив
ная мощность требуется только для компенсации потерь активной мощности в
элементах схемы, включая накопитель энергии на стороне постоянного тока.
Такая незначительная мощность потребляется преобразователем из сети. Поэтому
преобразователь в режиме работы обмена реактивной мощностью между накопи
телем энергии на стороне постоянного тока и сетью будет работать с учетом ком
пенсации потерь активной мощности вблизи границ указанных выше областей со
стороны потребления активной мощности из сети. На рис. 8.21 эта граница пока
зана штриховкой в сторону областей I и IV.
Таким образом, применение полностью управляемых ключей и импульсной
модуляции позволяет обеспечить работу преобразователей переменного/постоян-
ного тока совместно с сетью с любым значением коэффициента мощности при
синусоидальной форме тока. Эти возможности реализуются в преобразователях со
свойствами инвертора тока и инвертора напряжения, что имеет большое значение
для создания экологически чистых преобразователей электроэнергии, не создаю
щих высших гармоник тока и напряжения, а также реактивной мощности на час
тоте основной гармоники. Однако для наиболее многочисленного класса выпря
мителей малой мощности, например однофазных, такое решение проблемы
совместимости с сетью, как правило, неприемлемо из-за существенного повыше
ния их стоимости. Для этих целей применяются методы коррекции коэффициента
мощности на стороне постоянного тока выпрямителей.
Корректоры коэффициента мощности выпрямителей. Наиболее распро
страненная схема коррекции мощности для однофазного неуправляемого преобра
зователя приведена на рис. 8.22. Основой схемы является повышающий преобра-
tfH(»)=t/lM s i n O -Ф,);
оо
U c = i u nm sin (иЭ - <p„);
П=1 (8.38)
ОО
или
С/н(») = С/с(») - С/Аф(»),
где &п — угловая частота 1-й гармоники.
Полагая потери в АФ и его элементах равными нулю, а нагрузку линейной,
определим активную мощность АФ на интервале периода основной гармоники
1 2л р оо -1
оо
W ) = Ъ ! тп sin ( я д - ф ,„ );
П= 1
ОО
гА ф ( Э ) = Z J mn sin
ПФ1 > (8.40)
г'с(9 ) = гн(9 ) - гАф(^) = / т1 Sin ( Э - Ф л ) ;
в
Ж ™ К ™
\ Z VD4 \ZVD2
а)
(аФср' UAB
б)
Рис. 8.25. Активный фильтр с индуктивным накопителем:
а — однофазная схема; б — диаграммы тока и напряжения; /3, /5 — 3-я и 5-я гармоники тока
мировании выходного тока /Аф , равного сумме токов 3-й и 5-й гармоник по
отношению к основной частоте напряжения сети. Диаграммы приведены для идеа
лизированной в соответствии с общепринятыми допущениями схемы при прене
брежении пульсациями тока id (Ld = оо). Изменяя функцию модуляции, можно
получить выходные токи с различными мгновенными значениями во времени.
Основным ограничением точности воспроизведения заданной функции изменения
тока является значение рабочей частоты инвертора, соответствующее частоте
м одуляции/н. В первом приближении можно считать, что значение/н должно быть
на порядок и более выше верхнего предела диапазона частотного спектра форми
руемого тока или напряжения.
Схема АФ с емкостным накопителем (рис. 8.26) обладает свойствами источ
ника напряжения и поэтому является дуальной по отношению к рассмотренной
выше схеме. В этой связи процессы формирования выходного напряжения иаЬ
в схеме на рис. 8.26, а и тока /Аф в схеме на рис. 8.25, а подобны. Очевидно, что
АФ с емкостным накопителем может формировать на выходе напряжение задан
ной формы. В этом случае АФ включается последовательно с источником напря
жения сети. Диаграммы выходных напряжений и токов в АФ с емкостным накопи
телем для работы с модулирующей функцией, определяемой суммой 3-й и 5-й
гармоник выходного тока, приведены на рис. 8.26, б .
б)
Рис. 8.26. Активный фильтр с емкостным накопителем:
а — однофазная схема; б — диаграммы тока и напряжения
В схемах на рис. 8.25 и 8.26 активные фильтры подключаются параллельно
шинам сети, что обычно соответствует представлению их эквивалентными источ
никами несинусоидального тока требуемой формы. Эти же схемы могут быть
включены в сеть последовательно и рассматриваться как эквивалентные источ
ники несинусоидального напряжения. При последовательном, обычно через
трансформатор, включении в сеть АФ с индуктивным накопителем необходимо
подключать на выходе АФ сопротивление ■^АФ’ обеспечивающее протекание тока
основной гармоники нагрузки /н в цепи: источник напряжения сети — нагрузка
(рис. 8.27). Такая необходимость обусловлена высоким внутренним сопротивле
нием АФ с индуктивным накопителем. Естественно, что подключаемое сопротив
ление должно незначительно понижать напряжение основной гармоники сети.
Очевидно, что в последовательном АФ предпочтительно использовать схемы
с емкостным накопителем, обладающим небольшим входным сопротивлением.
Таким образом, с учетом вида накопителя можно выделить четыре схемы АФ:
с параллельным и последовательным подключением к сети при индуктивном или
емкостном накопителе. Наибольшее практическое применение получили схемы
АФ с емкостным накопителем благодаря их более высокому быстродействию
и лучшим технико-экономическим показателям. Следует отметить, что схемы
с индуктивным накопителем находятся вне конкуренции при использовании
сверхпроводящих индуктивных накопителей (СПИН) для решения задач не только
компенсации реактивной мощности или мощности искажения, но и обеспечения
резерва электрической энергии при исчезновении напряжения сети. Естественно,
что в таких случаях рассматриваются фильтрокомпенсирующие устройства боль
шой мощности.
На рис. 8.28 представлена однофазная схема АФ, емкостной накопитель кото
рого параллельно подключен к сети. Такая схема обычно используется для устра
нения искажений токов, создаваемых нелинейной нагрузкой, например выпрями
телем с большой индуктивностью на стороне постоянного тока, обусловленной
б)
иАФ
“АФ
Р
б)
v = — 100% , (8.42)
“ #»
где CDj и со,, — угловые частоты основной (1-й) и фильтруемой (л-й) гармоник тока
или напряжения.
Обычно значения v составляют 5— 15 % в зависимости от степени искажения
фильтруемых параметров. Расстроенные фильтры рассчитаны не только на филь
трацию высших гармоник, но и на компенсацию реактивной мощности на частоте
основной гармоники. Поскольку частота фильтруемой гармоники расстроенного
фильтра больше основной частоты, возникновение резонанса в системе сеть —
фильтр практически исключается. Обычно основной функцией расстроенного
фильтра является компенсация реактивной мощности основной гармоники, что и
определяет критерий выбора емкости его конденсатора. Реактор фильтра может
рассматриваться как ограничитель тока конденсатора, выполняющий функции его
защиты в переходных процессах, связанных с изменением напряжения сети.
Настроенные фильтры используются для фильтрации гармоник с частотой,
соответствующей резонансной частоте фильтра. Хотя в этом случае также имеет
место эффект компенсации реактивной мощности основной частоты, но он не
является определяющим для выбора параметров фильтра. Критериями выбора
параметров обычно являются минимизация удельных массогабаритных или стои
мостных показателей фильтра. Обычно емкость конденсатора фильтра значи
тельно меньше емкости конденсатора расстроенного фильтра, рассчитанного на
компенсацию реактивной мощности. Настроенные фильтры широко применяются
для обеспечения синусоидальности напряжений и токов и уменьшения пульсации
в преобразователях электрической энергии. Пассивные фильтры являются про
стыми и надежными устройствами повышения качества электроэнергии. Однако
неуправляемость параметров в процессе функционирования является их недостат
ком, и, как следствие, становится невозможным разрешить противоречивость тре
бований, предъявляемых к фильтрам в различных режимах работы, и производить
коррекцию их параметров в процессе эксплуатации. Рассмотрим негативные
качества пассивных фильтров более подробно.
Одним из основных параметров пассивного LC-фильтра является его доброт
ность Q , определяемая как отношение максимальной энергии, накапливаемой
в реактивных элементах (конденсаторе или реакторе), к энергии рассеяния
в активных элементах фильтра. Из приведенного определения следует, что доб
ротность LC-контура может быть выражена посредством различных аналитиче
ских соотношений и, в частности, для последовательного резонансного контура
(рис. 8.32) в виде
Q = р/*ф, (8.43)
ГГ
где р = / —2 — характеристическое сопротивление цепи; /?ф — эквивалентное
н сф
активное сопротивление фильтра.
Добротность определяет повышение напряжения на конденсаторе Сф и реак
торе относительно напряжения цепи фильтра. При увеличении добротности
крутизна зависимости полного сопротивления от частоты возрастает, а полоса
пропускания относительно резонансной частоты сор становится более узкой.
Следствием этого является возникновение противоречий в требованиях к фильтру,
прежде всего, в статических, установившихся режимах работы. С одной стороны,
рост добротности повышает эффективность фильтрации высших гармоник на час
тоте настройки сор, с другой стороны, возрастает отрицательное влияние на реак
тивное сопротивление контура отклонений от частоты настройки. Такие отклоне
ния возникают в результате старения элементов фильтра. Возможно также
отклонение частоты фильтруемой гармоники от значения сор и т.п. Более того,
может происходить не только снижение эффективности, но и возникновение явле
ния «антирезонанса», при котором происходит возрастание сопротивления фильтра
на частоте «антирезонанса» и увеличение соответствующей гармоники напряжения
на шинах системы электроснабжения. Это явление связано с возникновением
резонанса токов в параллельной цепи, включающей в себя индуктивность сети Lc,
к которой подключен фильтр (рис. 8.33, а). Согласно этой схеме частота, на кото
рой возникает «антирезонанс», при пренебрежении активным сопротивлением R ф
может быть определена из соотношения
(8.44)
toap = M ^ w
ч
_rm _
а)
“ аф (0 _ u dm ( ‘ )
(8.45)
'Аф(') ~ W ' ) ’
где m(t) — модулирующая функция (гладкая составляющая); Ud — среднее значе
ние напряжения на стороне постоянного тока активной части (на емкостном нако
пителе).
Из (8.45) следует, что при соответствующей модулирующей функции m(t)
нию. Причем значение его может быть как положительным, так и отрицательным.
Положительное значение активного сопротивления соответствует потреблению
энергии из накопителя, а отрицательное — ее истоку. Изменению 2АФ(/) с усред
ненным интегральным значением за период основной частоты, равным нулю,
соответствует обмен неактивной мощностью (реактивной на частоте основной
гармоники и мощностью искажения) между активной частью фильтра и системой,
содержащей его пассивную часть. Таким образом, управляя функцией m(t), можно
получить изменение 2 АФ(/), обеспечивающее получение желаемой частотной
характеристики ГФ. Подобное управление можно рассматривать как введение
в пассивный фильтр эквивалентного полного сопротивления. Основными ограни
чениями для решения задач в рассматриваемом случае являются частотные харак
теристики ключей и емкости накопителя. Последняя ограничивает скорость стока
или истока энергии при реализации активного сопротивления. Характер эквива
лентного сопротивления г АФ(/) определяется топологией ГФ, местом подключе
ния активной части, входным сигналом регулятора и модулирующей функцией.
Следует отметить, что место включения этого сопротивления в эквивалентной
схеме не обязательно совпадает с местом его фактического подключения в реаль
ной схеме, что не противоречит теории электрических цепей.
Наличие в ГФ регулятора на основе схемы активного фильтра позволяет
решить следующие задачи:
• повысить эффективность фильтрации в статических режимах работы посред
ством коррекции его частотной характеристики;
• уменьшить негативное влияние изменения параметров фильтра и отклонения
частоты фильтруемой гармоники в процессе эксплуатации;
• исключить возникновение «антирезонанса» в системе электроснабжения на
частотах, близких к частоте фильтруемой гармоники;
• демпфировать нежелательные резонансные явления, обусловленные пассив
ными элементами фильтров;
• снизить гармонические составляющие тока сети, обусловленные различными
источниками высших гармоник.
Задачи, решаемые ГФ, связаны со спектральным составом входного сигнала
регулятора. Для повышения качества фильтрации пассивным фильтром на частоте
его настройки достаточно «отслеживать» только гармонику входного сигнала этой
частоты. В этом случае установленная мощность активной части фильтра значи
тельно меньше, чем при отработке сигнала во всем его частотном спектре. Кроме
того, упрощается процедура модуляции сигнала. В то же время демпфирование
активным сопротивлением фильтра резонансных явлений в системе возможно
только при использовании широкого спектра входного сигнала регулятора ГФ [112].
Контрольные вопросы
1. Какие устройства и элементы леж ат в основе силовой части схемы активных фильтров?
2. На какую максим альную м гновенн ую м ощ ность долж ны быть рассчитаны о д н о ф а з
ный активный фильтр и элем енты его силовой схем ы для фильтрации тока в ф орм е м еан
дра вы сотой Id = 30 А при дей ствую щ ем синусои дальн ом напряж ении 2 2 0 В? Фильтр
выполнен по схем е источника напряж ения. При оценк е м ощ ности учитывать только у с р е д
н енн ое значение тока, пренебрегая пульсациям и, возникаю щ им и при м одуляции.
3. Какую миним альную частоту м одуляции д о л ж ен иметь активный фильтр, чтобы
фильтровать 11-ю гарм онику напряжения в сети с частотой 50 Гц?
4. П еречислите основны е недостатки пассивны х фильтров, обусл овл ен н ы е их неуп
равляемостью .
5. Чем определяется максимальная м ощ ность активной части ги бр и дн ого фильтра?
6. Какие основны е ф ункции вы полняет гибридны й фильтр?
l\
\ \
\ V
в)
/
10
0 _л л АЛ
-10
0 0,005 0,010
V/V
0,015 0,020 0,025 0,030
V/\ Г
0,035 Э
а)
1
10
0 ЛА .— , гА г- А [\
-10
V V Т ^ Ч/
б)
Рис. 8.44. Выделение высших гармоник тока нагрузки:
а — ток нагрузки фазы А ; б — сум м а вы сш их гар м они к тока нагрузки фазы А
• характеристическое сопротивление р =
кс -
cOoL
• добротность последовательного контура Q = — —
C0qCR R ’
R
добротность параллельного контура Qp = (о0С Я ;
ю0L
L С
6)
Рис. 9.1. Схемы резонансных контуров:
а — последовательный; б — параллельный
•коэффициент затухания в последовательном и параллельном контурах
, 1 , 1
as = Yq и "р - Yq соответственно»
R
тельном (Од = со0 II - и параллельном (Од = со0 1 - контурах.
2 2 2
4со 0L 4 (0 0С R
Контрольные вопросы
1. Какие преим ущ ества им ею т р езонан сны е инверторы ?
2. У каж ите элем енты , которы е входят в резонансны й контур инвертора.
3. Из каких условий вы бирается резонансная частота инвертора?
тиристоров сдвинуты друг относительно друга на время равное Ts/2. Для обеспе
чения естественной коммутации необходимо, чтобы включение очередного тирис
тора происходило после окончания предыдущего переходного процесса, т.е.
режим тока в /Л?С-контуре должен иметь прерывистый характер. В этом случае
частота импульсов управления тиристоров со5 должна быть меньше собственной
частоты контура соЛ, т.е. со5 < соЛ. За начало периода примем момент включения
тиристора VS1. Предположим, что к моменту подачи импульса на включение
тиристора VS1 конденсатор С был заряжен на предыдущем интервале до напряже
ния Uco. После включения тиристора VS1 процессы в инверторе протекают
согласно схеме замещения для интервала I (рис. 9.2, б) и описываются уравнением
Е+ _ g.
ic(t) = -------- —^ е sin (oR t, (9.2)
СО^ L 5
s R Гг Гг
ГДС 8 = 2 L ’ ° Ч = /v (0° “ 8 ‘
Из (9.2) с учетом ic (tx) = 0 на интервале I определяется момент времени / 1?
после которого схема переходит в режим работы в соответствии со схемой заме
щения на интервале II. В течение этого интервала ток ic (t) = 0, а напряжение
uc {t) = t/c (/j) = f/c l , значение которого также вычисляется с учетом (9.2).
В момент времени t - T J 2 импульс управления поступает на тиристор VS2 и он
включается, переводя инвертор в режим работы, которому соответствует схема
замещения на интервале III. Процессы, протекающие на этом интервале, также
определяются по (9.1), но при условии отсутствия в нем ЭДС Е и нового началь
ного условия для напряжения на конденсаторе, которое равно t/c l, так как его зна
чение не изменяется на интервале II. Решение этого уравнения на интервале III
имеет следующий вид:
~ ^7L е 8‘ sin
*с(0 = СО s
t. (9.3)
vsi VS1
s s
j - T 0 > tq , (9.4)
где ta
ч — время выключения тиристора.
Режим непреры вного ток а при cos < со0. Упрощенный анализ режимов работы
с непрерывным током резонансного контура ic может быть выполнен методом
основной гармоники (см. гл. 4). Согласно этому методу учитывается только основ-
“ j < °.*»о
^в*1Л
Up\ — (9.6)
|Ж (у Ч )| (9.7)
Рис. 9.6. Эквивалентная схема
мостового последовательного
резонансного инвертора
На основании (9.7) можно построить зависимости значений выходных напря
жений от коэффициента кратности частот v. Для этого целесообразно использо
вать относительные единицы, приняв за базовые значения действующее значение
первой гармоники входного напряжения f/Bxl и резонансную частоту со0. При ука
занных базовых единицах на оси ординат показан модуль передаточной функции
| W(j<os)\ по напряжению, а по оси абсцисс — коэффициент кратности рабочей и
резонансной частот v = со5/со 0 . Примеры таких зависимостей для разных значе
ний добротности Qs в схеме мостового инвертора приведены на рис. 9.7. Регули
рование выходного напряжения посредством изменения частоты является эффек
тивным способом, особенно при высоких значениях добротности контура. Однако
при низких ее значениях диапазон регулирования становится достаточно широ
ким, что снижает технико-экономические показатели инвертора. Для устранения
указанного недостатка может быть использован метод широтно-импульсного
регулирования выходного напряжения, для реализации которого следует приме
нить мостовую схему инвертора (см. рис. 9.4, в). Принцип ШИР мостового инвер
тора напряжения состоит в формировании выходного напряжения прямоугольной
формы, длительность полуволн которого Х = п - а (рис. 9.8), где а — угол регули
рования, реализуемый алгоритмом коммутации ключей инвертора. В этом случае
действующее значение первой гармоники напряжения, подаваемой на RLC -контур
инвертора, может быть представлено в виде
а
1
R
а
t
Рис. 9.7. Зависимость модуля передаточной функции | W^(yC0s)| от коэффициента кратности
рабочей частоты v при различных значениях добротности Qs
На интервалах нулевых значений напряжения должна обеспечиваться проводи
мость тока резонансного контура.
Недостатком этого способа регулирования является ухудшение гармониче
ского состава тока в контуре. В то же время его использование одновременно с
частотным регулированием — хорошее компромиссное решение, при котором
недостатки обоих методов регулирования не вызывают существенного ухудшения
технико-экономических характеристик инвертора. Оценивая в целом рациональ
ную область применения инверторов с последовательным резонансным контуром,
включающим в себя нагрузку, можно сделать вывод, что наиболее эффективно
они могут использоваться для формирования высокочастотного напряжения в
установках высокого напряжения и с мало изменяющейся нагрузкой, не критич
ной к гармоническому составу напряжения.
б)
dw и 1
^ = c ~d7 + 7 + z H (9.9)
-5 1 .
ин е sin сод t , (9.10)
(9.11)
ин
IZ 0 4 (9.12)
гвх: 1
4Id
где / вх1 = ----------действующее значение первой гармоники входного тока прямо-
J ln
угольной формы.
При этом необходимо учитывать, что амплитуда переменного тока в устано
вившемся режиме без учета потерь в элементах схемы является функцией актив
ной мощности нагрузки:
ин
1 - — (9.13)
d RE
tl'c' ми*
б)
в)
Рис. 9.14. Инвертор класса Е:
а — схема; б — эквивалентные схемы замещения; в — диаграммы тока и напряжения
торе Cd в конце предыдущего интервала и, следовательно, в начале рассматривае
мого при t = t0 было равно нулю, т.е. конденсатор Cd полностью был разряжен к
моменту времени t = t0. Следует отметить, что средние значения UVT = Uc = Е,
так как на других элементах схемы постоянная составляющая напряжения в уста-
новившемся режиме работы равна нулю. В момент времени t = Т, транзистор VT
выключается и процессы в инверторе соответствуют эквивалентной схеме для
интервала II (см. рис. 9.14, б). В конденсатор Cd поступает ток ic , но так как
напряжение на емкости является интегральной функцией от протекающего в ней
тока, то его значение плавно увеличивается от нулевого значения. Следовательно,
выключение транзистора VT происходит практически без потерь мощности. Пока
ток > 0, напряжение ис ^ увеличивается, достигая максимального значения в
а)
Интервал II
б)
Контрольные вопросы
1. Какой принцип положен в основу резонансных преобразователей и какими преиму
ществами они обладают по сравнению с другими схемами?
2. Полумостовой инвертор с последовательным резонансным контуром работает в
режиме прерывистого тока с частотой^ = 1 000 Гц. Определить емкость C s контура при
следующих параметрах: L = 10 мГн; R = 10 Ом; время выключения тиристоров tq =
= 100 мкс. Коммутация тиристоров естественная под воздействием колебательных про
цессов в £С7?-контуре.
3. Для чего и в каких схемах используются двунаправленные ключи в резонансных
инверторах?
4. Перечислите способы регулирования выходного напряжения в инверторах с после
довательным резонансным контуром.
5. Как влияет на выходное напряжение снижение нагрузки в схеме с последователь
ным резонансным контуром?
6. Как изменится собственная частота в параллельном резонансном контуре с парамет
рами L = 1 мГн, С = 10 мФ; R = 10 Ом, если сопротивление нагрузки уменьшится до 5 Ом?
7. Назовите преимущества схемы резонансного инвертора класса Е.
8. Какие факторы ограничивают максимальную рабочую частоту резонансных инвер
торов?
ет VT
VD VD
о__ ТИ- ■Я- -rv>r>_ JTIL- -Е*- -г г л _
СР -
а) б)
VD
— гз—
УТ VT
_ |_ lp h
/VV4 ттт
VD с - СР
И Ср1 11
N II
<>
VTj
_JIL_
VD
-W-
a) 6)
VTj VT
VD VD
_ ru _
-Ы-
CP ^
в)
L = Е; (9.15)
р d/
в)
duc
~di
(9.16)
dir
Ln- —£ = E - ur .
p dt CP
гс р( / ) = / i Ф
rfl + “р sin
(9.17)
ис (/) = £ ( ! - COS (D0 0 >
р
1
где р (о0 =
р
При t = t[ ток контура iL становится меньше тока нагрузки IL и не может в
р Ф
однонаправленном ключе изменить направление. Поэтому он протекает в конден
саторе Ср и эквивалентная схема для интервала II не меняется.
В момент времени t = t2 ток /7 спадает до нуля, транзистор VT выключается и
р
начинается интервал III {t2 < t < /3), которому соответствует новая схема замеще
ния преобразователя. Напряжение ис изменяется линейно:
<9|8)
б)
U (9.19)
ГДе U C m* x = 1L , k l r
Р <P/\j С!
ментами контура с резонансной частотой со0 = j L pCp » со5, где о 5 — частота ком
мутации транзисторов. Допустим, что элементы схемы идеальны и выходное
напряжение UHне имеет пульсаций. Последнее допущение позволяет представить
нагрузку R с фильтром Сф источником напряжения со средним значением £/н, что
и используется при составлении эквивалентных схем для разных интервалов
работы схемы.
В момент времени t = 0 транзистор VT1 включен и проводит ток iL . Этому
р
состоянию соответствует эквивалентная схема интервала I (0 < t < /j), в которой
ток изменяется линейно:
где у =
Т
Согласно (9.20) в схеме для регулирования выходного напряжения может быть
использован ШИМ.
Принцип коммутации в нуле напряжения в преобразователе постоянного тока в
постоянный может быть использован также в инверторе, работающем на индук
тивную нагрузку. В этом случае алгоритм управления с одним плечом, включаю
щим в себя параллельные конденсаторы, соответствует формированию перемен
ного напряжения. В зависимости от числа плеч инвертор может быть
полумостовым или, например, трехфазным.
6)
(9.23)
ис =Е( 1 - cos со0О-
р
Контрольные вопросы
1. В чем сост ои т принцип действия квазирезонансны х преобразователей?
2. П ри ведите примеры сх ем квазирезонансны х клю чей с КНН и КНТ.
3. Какой осн ов н ой сп о с о б регулирования вы ходного напряж ения в квазирезонансны х
преобразователях?
4. П ри ведите прим ер схем ы с КНН повы ш аю щ его преобразователя постоян ного тока
в постоянны й.
5. Какие факторы влияют на вы бор частоты р езо н а н сн о го контура?
6. П еречислите дост о и н ст в а и недостатки инверторов с резонансны м звеном на ст о
роне п остоян н ого тока.
Г л ав а д е с я т а я
МОДУЛЬНЫЕ, МНОГОУРОВНЕВЫЕ И ЯЧЕЙКОВЫЕ
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Контрольные вопросы
1. П еречислите преим ущ ества м одул ьн ого проектирования.
2. В чем заклю чается принцип ам п л и тудно-им пул ьсной м одуляции в м одульны х пре
образователях?
3. Какие преимущ ества дает сочетание амплитудной и ш иротной импульсной модуляции?
4. П еречислите основны е сп особы м одул ьн ого и ячейкового проектирования.
5. П риведите прим ер формы напряж ения ам плитудной м одуляции из четы рех уровней
напряжения прям оугольной формы м одул ей инверторов.
10.2. Параллельное соединение выпрямителей
и преобразователей постоянного тока в постоянный
тельно, малый статизм внешних характеристик. В связи с этим для данного вида
работы должно соблюдаться условие
! * * ! ,« * . ( 1 0 *)
где / н — ток нагрузки; / 7ном — номинальный ток /-го преобразователя (рис. 10.2, а).
Параллельная работа на общие шины с распределением мощности нагрузки
пропорционально номинальной мощности каждого преобразователя . При оди
наковых мощностях преобразователей распределение нагрузки между ними будет
равномерным при введении обратных связей между нагрузкой и каждым преобра
зователем (рис. 10.2, б). В этом случае сигнал с датчика тока нагрузки распределя
ется по каналам обратной связи, сравнивается с сигналом по току отдельного пре
образователя и их разность поступает в систему регулирования выходного
напряжения. В такой схеме оказывается возможным распределение тока нагрузки
между преобразователями согласно значениям токов преобразователей. В част
ности, может быть достигнуто равномерное распределение тока нагрузки между
работающими преобразователями, когда 7Z = 1н/ п . Статическая точность распре
деления будет определяться коэффициентом усиления обратных связей по току.
На практике такие системы обеспечивают точность распределения не менее ±10 %
при токе каждого преобразователя не более 50 % / ном. Для обеспечения устойчи
вой параллельной работы и исключения режима автоколебаний необходимо учи
тывать частотно-зависимые параметры каналов регулирования по току.
П а р а л л ел ьн а я р а б о т а на о б щ и е ш и н ы с п р о и зв о л ь н ы м р а с п р е д е л е н и е м м о щ
н ост и н а гр узк и м е ж д у о т д ел ь н ы м и п р е о б р а зо в а т ел я м и , н о с огр а н и ч ен и ем
за гр узк и к а ж д о го из н и х н а у р о в н е н о м и н а л ь н о й (или д о п ус т и м о й ) п ер егр у зо ч
н ой м о щ н о с т и может быть осуществлена для преобразователей, имеющих внеш
нюю характеристику, подобную изображенной на рис. 10.2, в. Участок 1 соответ
ствует режиму работы с «малым» статизмом. При достижении номинальной
нагрузки преобразователь переходит в режим работы с «большим» статизмом
(участок 2). Далее при перегрузках и внешних КЗ преобразователь функционирует
в режиме стабилизации выходного тока (участок 3) или происходит отключение
преобразователя. При параллельной работе преобразователей с такой внешней
характеристикой выходные напряжения устанавливаются равными с точностью,
определяемой параметрами установок (практически в пределах зоны стабилиза
ции). Преобразователи включаются по схеме, соответствующей рис. 10.2, а. Под
ключенная нагрузка распределяется между преобразователями неравномерно.
Однако по мере достижения номинальной нагрузки одним из преобразователей он
переходит в режим работы, соответствующий участку 2, и начинает снижать свое
выходное напряжение. При последующем увеличении нагрузки подключается
другой преобразователь и т.д. Такой способ реализации параллельной работы
является наиболее перспективным, так как не требуется введение дополнительных
обратных связей и каких-либо схемных и структурных ограничений на модульное
агрегатирование системы [105].
Переход преобразователя в режим работы с ограничением по току (участок 2 на
рис. 10.2, в) происходит при превышении выходным током установленного значе
ния, когда подключается контур ограничения тока параллельно главной обратной
связи по напряжению.
В § 5.2 рассмотрено параллельное и последовательное соединения двух трех
фазных мостовых выпрямителей на общие шины. При параллельном соединении
преобразователей и одинаковых трансформаторах и вентилях ток увеличивается
в 2 раза, а при последовательном соединении при тех же условиях удваивается
напряжение. Но наиболее часто параллельное соединение используется для улучше
ния гармонического состава входного тока и выходного напряжения. Входной ток
при соединении двух мостов становится трехступенчатым и содержит меньше
высших гармоник тока. В выходном напряжении уменьшается уровень пульсаций,
основная гармоника которых к тому же удваивается по частоте. Очевидно, что при
соединении трех, четырех и более выпрямителей с соответствующим изменением
схемы соединения трансформаторных обмоток можно улучшить гармонический ток
и выпрямленное напряжение. Они становятся эквивалентными токам и напряже
ниям, создаваемым 18, 24 и бульшим числом фаз выпрямителя. Однако более четы
рех выпрямителей соединяются редко, так как технологически сложно обеспечить
заданные значения коэффициента трансформации.
S1
вых!
и вых2‘
9
Т2
и вых
&
&
б)
Рис. 10.3. Параллельная работа ячеек преобразователя постоянного тока в постоянный:
а — схема; б — диаграммы напряжения и тока
= _Щ_ = *сxAUd
( 10.2)
у Щф 2«/,ф ’
Рис. 10.4. Эквивалентная схема (а) и векторная диаграмма выходного напряжения модулей
преобразователя
связь между выходным напряжением U]9 U2 и средним напряжением на входе
инвертора Ud.
При расфазировке векторов напряжения U{9 U2 появляется активная составля
ющая уравнительного тока между модулями. При небольших углах расфазировки
и равенства напряжений Ul9 U2 уравнительный ток приближенно определяется:
/ « к (10.3)
У с* 2coL 1
а) б) в) г)
б)
Рис. 10.6. Структурны е схемы соединения модулей АБП:
а — трехфазная система однофазных модулей; б — дублированная однофазная система
Контрольные вопросы
1. Какие условия необходимо выполнять при функционировании параллельно вклю
ченных инверторов?
2. Какими способами осуществляется синхронизация частоты параллельно работаю
щих инверторов?
3. Каким способом осуществляется деление нагрузки между параллельно работаю
щими инверторами?
4. Как может быть создан трехфазный инвертор на основе трех однофазных модулей?
S3
I II
Рис. 10.11. Эквивалентные схемы замещения плеча фазы а и диаграмма выходного напряже
ния при ЛИМ:
I, II, III — состояния ключей
fo r Ш1
..................... '" 1 11 1 11
J 1 I L J I 1 1 I I L9 11111Г 111111Г
\\
Рис. 10.12. Напряжение фазы многоуровневых преобразователей с ШИМ:
а — трехуровневой; б — четырехуровневой
напряжению Ud. В этой схеме (см. рис. 10.10) коммутируется напряжение Ud! 2,
следовательно, меньше потери на коммутацию и лучше гармонический состав
выходного напряжения. При этом напряжение на транзисторах равно Ud!2, если
напряжение на конденсаторах сбалансировано. Однако балансировка напряжения
в этих схемах является непростой задачей и частично может быть решена модуля
цией уровней напряжения. При увеличении числа уровней напряжения баланси
ровка напряжения затрудняется. На рис. 10.12 представлены диаграммы выходного
напряжения трех- и четырехуровневого инверторов, сочетающие ступенчатую
аппроксимацию с ШИМ.
Очевидными недостатками схем с диодной блокировкой являются большое
количество управляемых ключей, например транзисторов, и наличие блокирую
щих диодов. Однако эти недостатки компенсируются повышением мощности пре
образователя и уменьшением высших гармоник в выходном напряжении. При уве
личении числа ступеней напряжение на блокирующих диодах первой ступени
возрастает, что требует их последовательного соединения или увеличения класса
по напряжению. Использование в качестве блокировки управляемых ключей
основной схемы позволяет исключить диоды.
Такая схема является разновидностью схемы с
диодной блокировкой.
Преобразователи с ячейко-гнездовой струк
турой конденсаторов. Пример трехуровневого
инвертора с такой структурой представлен на
рис. 10.13. В этой схеме конденсатор С заряжа
ется до значения напряжения Ud!2 и, будучи после
довательно-встречно подключенным к основному
источнику создает третий уровень выходного
напряжения. Например, при включенных тран-
Контрольные вопросы
1. Какие достоинства и недостатки имеет АИМ?
2. Для чего используется модульное проектирование?
3. Рассчитайте количество ступеней, амплитуду и фазовый угол для формирования
напряжения с коэффициентом гармоник менее 5 %.
4. Какие преимущества имеет схема параллельной работы выпрямителя с внешней
характеристикой, имеющей ограничения по току?
5. Определите угол сдвига а между напряжениями положительной и отрицательной
величины, прямоугольной формы, исключающий третью гармонику напряжения.
6. Какое основное требование предъявляется к соединению параллельно работающих
ЗГ автономных инверторов?
7. Начертите схему четырехуровневого инвертора с диодной блокировкой.
8. Поясните принцип соединения многоуровневых инверторов без диодной бло
кировки.
9. Дайте сравнительную характеристику топологий многоуровневых инверторов.
10. Рассчитайте первую гармонику напряжения, сформированную из равносмещенных
пяти ступеней напряжения прямоугольной формы.
Часть третья
ПРИМЕНЕНИЕ УСТРОЙСТВ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Глава о д и н н а д ц а т а я
ЭЛЕКТРОПРИВОД
d /B
«в = /в * . + L B d7 ’ ( 1 1 .1 )
ея = кя 1 ^ = кя2Фв ^ О 1-3)
где Ля1, кя2 — коэффициенты пропорциональности; со — угловая скорость враще
ния ротора.
Момент, развиваемый на валу машины:
К = £ м | У я = * м 2 гяФ в’ ( И -4)
где км], км2 — коэффициенты пропорциональности.
Момент нагрузки Мн с учетом трения уравновешивается развиваемым момен
том на валу машины
М в = M H+ J ^ + kTсо, (11.5)
tw ,* , и. MR
03 ср
( 11.6)
*я2Ф в кя2Ф в
*я2*м2Ф в
Из (11.6) следует, что ток якоря / я и момент двигателя А/в являются независи
мыми переменными при управлении скоростью соср. В электроприводе принято
называть зависимости со(М) механическими характеристиками, а со(/я) —
электрическими. При этом предельные возможности длительной работы двига
теля ограничиваются номинальной мощностью
Р = К4 /V) (11.7)
ном ном^ном’
и Я„ - (Ra
v Я
+ R В7
j l ,я
(0 ср = (11.9)
*вкл h t
к 1
U --------С — Ч 1
1 1 1
а) и “
1 1
| 1 i 1 '
1 1 1
и н ;
h
1 1 1
1
U„ = yUd. (11.11)
и я = (1 -y )U d. (11.12)
ов
а) б)
Рис. 11.8. Схема импульсного управления скоростью и режимом торможения с рекуперацией
энергии:
а — схема; б — области управления в квадрантах I и II
Л 'Л Ч о - г ) . (П .13)
и яа /ут
d Л (
ЛЯ
г _В
со
+ iЯ 9 (11.14)
я <н Ля
(И .15)
Мя
где Тм = ---------- - — электромеханическая постоянная времени; = £я1Ув; к2 =
*мАЛ
Wy(s) = (11.17)
( T J , Ms + T s + l)s
• по возмущению
к2( Т ' $ + 1 )
(11.18)
( T J ^ + T^s + D s 1
Контрольные вопросы
1. Какие параметры машины постоянного тока влияют на момент, развиваемый на ее валу?
2. Укажите основные области режимов работы машин постоянного тока.
3. Назовите преимущество машин постоянного тока по сравнению с машинами пере
менного тока, которое определило их широкое применение.
4. Дайте сравнительную характеристику методов управления, основанных на преобра
зователях с коммутацией от сети переменного тока и импульсных преобразователях посто
янного тока.
5. Приведите и поясните пример схемы импульсного управления на полностью управ
ляемых ключах в четырех квадрантах.
= “о/р» (11-19)
где со0 — частота питающей трехфазной сбалансированной сети.
Электромагнитное поле, вращаясь со скоростью сос, индуцирует через воздуш
ный зазор в роторных обмотках ЭДС, а следовательно, и токи, значение которых
зависит от положения ротора. Электродвижущая сила в роторе зависит от скоро
сти вращения ротора и числа витков обмоток статора и ротора. Следует отметить,
что в асинхронном двигателе обычно ротор конструктивно выполнен в виде так
называемой «беличьей клетки». В этом случае он рассчитывается как обмотка
трансформатора с числом витков равным числу стержней клетки. Эквивалентная
схема замещения асинхронного двигателя может быть получена аналогично
схеме замещения трансформатора с учетом того, что электромагнитный поток
передается через воздушный зазор от статора к ротору. При этом считается, что
обмотка статора подобна первичной обмотке, а обмотка ротора — вторичной.
При скольжении s = 1, когда ротор находится в заторможенном состоянии, коэф
фициент трансформации определяется соотношением числа витков обмоток ста
тора и ротора. При вращении ротора индуцированная ЭДС зависит от скольжения
s. Скорость вращения ротора сор отличается от скорости изменения магнитного
потока в статоре сос и зависит от скольжения s , что выражается соотношением
s = ( 11.20)
( 11.21)
(11.26)
при низком искажении тока сети. При этом электропривод становится подобным
линейной активной нагрузке. Высшие гармоники, обусловленные модуляцией
напряжения, отфильтровываются «легким» LC-фильтром. Такой ПЧ можно счи
тать идеальным для регулирования, если не учитывать при сравнении вариантов
его стоимость.
Непосредственные преобразователи частоты (НПЧ), имеющие в тиристорном
исполнении низкий коэффициент входной мощности и ограниченный диапазон час
тоты регулирования, используются для управления двигателями большой мощ
ности.
Для управления асинхронными двигателями большой и средней мощности при
меняются ПЧ на основе инвертора тока. В таком ПЧ выпрямитель и инвертор раз
делены реактором большой индуктивности, придающим ему свойства источника
тока. Для двигателей большой мощности экономически выгодно применять обыч
ные, не полностью управляемые тиристоры. Поскольку двигатель работает с cos ср
индуктивного характера, возникает необходимость в принудительной, или искус
ственной, коммутации тиристоров. Для этих целей обычно используют схему с
«отсекаемыми» от нагрузки коммутирующими конденсаторами. В этом случае
габаритные размеры конденсаторов будут уменьшены из-за снижения их емкости.
Однако значительное искажение токов фаз приводит к увеличению пульсаций на
валу двигателя. Для осуществления синусоидальной ШИМ в инверторах тока при
меняются полностью управляемые ключи, коммутируемая мощность которых
ниже мощности традиционных тиристоров.
Основным достоинством инвертора тока является более простая защита в ава
рийных режимах, так как скорость изменения аварийных токов ограничена реак
тором на стороне постоянного тока. Однако при этом ухудшаются динамические
характеристики регулируемого электропривода.
11.2.3. Векторное управление
В настоящее время интенсивно развиваются методы векторного управления
асинхронным двигателем. Основой этих методов является управление вектором
тока статора 1Х, который представляется в виде двух ортогональных составляю
щих — тока 7lvj/, определяющего величину потокосцепления ротора, и тока / 1м,
образующего момент на валу двигателя (рис. 11.19) Одна из составляющих соот
ветствует значению магнитного потока, другая — моменту двигателя. В этом слу
чае можно провести аналогию с электрической машиной постоянного тока с неза
висимым возбуждением. Магнитный поток машины постоянного тока зависит от
тока возбуждения и расположения полюсов статора, а ток якоря — от значения
момента на валу двигателя. Координаты, в которых производится декомпозиция
тока статора, могут быть выбраны относительно потока ротора или статора.
Выбор координат вносит определенные, но не принципиальные различия в
методы, основанные на ориентации магнитного поля в пространстве и называемые
методами ориентации поля [72].
В [79] рассматривается метод векторного управления, основанный на модифи
цированной схеме замещения двигателя, в которой за счет выбора коэффициента
приведения индуктивное сопротивление ротора обращено в нуль. В схеме замеще
ния напряжение ротора на активном сопротивлении равно противоЭДС со сто
роны ротора. Вектор тока статора имеет по оси ординат составляющую, образую
щую момент / 1м, а по оси абсцисс образующую поток ротора 1Х . Момент
двигателя определяется по формуле [79]
w = 3 <1U7)
Контрольные вопросы
1. Какими недостаткам и обл адает п уск ор егул и р ую щ ее устр ой ств о на встречновклю -
ченны х тиристорах?
2. П оясните принцип ди нам ич еского торм ож ения.
3. Как осущ ествляется т ор м ож ен и е а си н хр он н ого двигателя с рекуперацией электро
энергии в сеть?
4. П оясните принцип векторного управления асинхронны м двигателем .
5. Как влияет на м еханич еские характеристики аси н хр он н ого двигателя увеличение
активного сопротивления ротора?
3 UEn sin 0
<1U8>
(11.29)
-0 — 71 71 0
В этом случае образуются полюса суммарного магнитного поля, оси которых про
ходят под углом по отношению к вертикальной и горизонтальной осям. Ротор с
новым числом полюсов будет занимать восемь позиций, перемещаясь при подаче
импульсов управления. Скорость перемещения ротора определяется частотой
подачи импульсов управления.
Шаговые двигатели используются для преобразования электронных импульсов
в пространственных перемещениях различных исполнительных механизмов сис
тем управления. В этом случае не требуется развития больших моментов на валу
ШД. Однако значение момента можно изменять, воздействуя на импульсный ток
статора и ток возбуждения ротора, т.е. устройствами силовой электроники.
Контрольные вопросы
1. Н азовите сп особы управления скоростью и м ом ентом синхрон ны х двигателей.
2. П оясните о со б ен н о ст и конструкции вентильны х двигателей.
3. Перечислите основны е достоинства и недостатки вентильных реактивных двигателей.
4. П оясните принцип управления ш аговы ми двигателям и.
5. У каж ите основны е обл асти прим енения различны х типов синхр он ны х двигателей.
Гл а в а д в е н а д ц а т а я
ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА И ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЕ
ровании мощности угол а может изменяться за время не более 0,01 с для основной
гармоники напряжения. Применение конденсаторов совместно с компенсирую
щим реактором позволило создать быстродействующее параллельное компенси
рующее устройство, реактивная энергия которого определяется по формулам
Qq- U соC s;
> ( 12.2)
а) б)
тельно (рис. 12.3, а). Для предотвращения выхода из строя полупроводниковых при
боров под воздействием разрядных токов конденсаторов приборы включаются при
переходе через нуль напряжения коммутируемой секции конденсаторов. Во второй
схеме последовательной компенсации конденсаторы и реакторы включаются после
довательно со встречновключенными тиристорами (рис. 12.3, б). Реакторы выпол
няют функции аналогичные тем, которые выполняют реакторы в схеме с параллель
ной компенсацией (см. рис. 12.2). Значение тока регулируется посредством
фазового управления тиристоров. В зависимости от значения угла управления
тиристорами реакторы компенсируют емкость последовательных конденсаторов
в линии. При отсутствии конденсаторной компенсации реакторы включены и шун
тируют конденсаторы, а при полной компенсации — выключены.
Быстродействие ФУ было повышено за счет замены механических ключей
тиристорами. Фазосдвигающие устройства используются в основном для регули
рования угла 8 для поддержания баланса мощности в системах. Использование
в ФУ тиристоров повышает эффективность их применения.
Полностью управляемые приборы большой мощности: запираемые тиристоры,
силовые транзисторы и т.п. — позволили создать преобразователи с ШИМ высо
кого напряжения. В частности, появились схемы преобразователей переменного
тока с ШИМ со свойствами источников тока или напряжения. На основе схемы
инвертора напряжения был создан компенсатор реактивной мощности, получив
ший название СТАТКОМ (статический компенсатор). Учитывая, что реактивная
мощность носит обменный характер, в качестве временного накопителя энергии
использовали электролитические конденсаторы. Эти конденсаторы включаются
на стороне постоянного тока преобразователя, работающего в режиме инвертора
напряжения, осуществляя обмен реактивной мощностью с линией передачи элек
троэнергии (рис. 12.4). Такой компенсатор имеет хорошие удельные массогаба
ритные показатели и высокое быстродействие. Переход из потребления мощ
ности индуктивного характера в режим генерации емкостной мощности
и наоборот осуществляется за время меньшее половины периода на частоте
основной гармоники напряжения. Этот компенсатор не создает искажение тока
и в переходных режимах работы энергосистемы является идеальным устрой
ством. Однако, внедряя компенсаторы на базе электронных приборов, не следует
исключать использование традиционных компенсаторов на основе синхронных
генераторов, обладающих значительной механической инерционностью и, следо
вательно, устойчивостью к существенным кратковре
менным отклонениям малой длительности напряжения
сети от заданных значений.
Совершенствование ФУ на полностью управляемых
электронных ключах привело к созданию устройства
с применением только силовых электронных преобразо
вателей электроэнергии. Устройство называется объеди
ненным регулятором потока мощности (ОРПМ) электро
энергии. Принципиально ОРПМ объединяет функции
последовательного и параллельного компенсаторов
неактивной мощности, а также ФУ. По существу эта
схема является универсальной для создания «гибких»
линий переменного тока. На рис. 12.5, а приведена
структурная схема ОРПМ, подключенная к линии элект
Рис. 12.4. Схема ропередачи. Основой этого устройства являются преоб
СТАТКОМ разователи переменного/постоянного тока Пр1 и Пр2.
На стороне постоянного тока они объединены. Преобра
зователь Пр1 подключен параллельно к линии передачи, а преобразователь Пр2 —
последовательно с линией через трансформатор Тр1. Поскольку преобразователи
выполнены на основе инверторов напряжения с ШИМ, они могут работать в четырех
квадрантах комплексной плоскости на стороне переменного тока. В этом случае
можно представить, что преобразователь Пр1 является потребителем или генера
тором первой гармоники тока (рис. 12.5, б). Преобразователь Пр2 , вторичные
обмотки которого включены последовательно, генерирует или потребляет элект
роэнергию посредством последовательного добавления напряжения AU, первая
гармоника которого также может находиться в любом квадранте комплексной
Рис. 12.6. График затрат на передачу Рис. 12.7. Структурная схема вставки постоян-
электроэнергии в зависимости от рас- ного тока на преобразователях Пр1 и Пр2 между
стояния линиями Л1 и Л2 переменного тока
В настоящее время введено в эксплуатацию свыше 20 ВПТ, большая часть кото
рых расположена в США. Часто ВПТ используются для межгосударственных свя
зей: Бразилия — Аргентина (2 000 МВт), Канада — США (1 000 МВт), Россия —
Финляндия (1 420 МВт). В 1981 г. в СССР была введена в эксплуатацию вставка
постоянного тока для передачи электроэнергии в Финляндию. Схема вставки пред
ставляет собой 12-фазные преобразователи мощностью 350 кВт, в которых
использованы тиристоры Т-173-125. Работая в режиме естественной коммутации
тиристоров, один из преобразователей является выпрямителем, а другой — зави
симым инвертором с реактором на стороне постоянного тока. Применение 12-фаз
ных преобразователей позволило избежать сильного искажения токов сети. Фильт
рация высших гармоник выполняется пассивными фильтрами.
Контрольные вопросы
1. С оставьте уп р о щ ен н у ю м одель линии электропередачи на осн ов е соср едоточен н ы х
параметров и поясните их влияние на п р оц есс передачи электроэнергии.
2. Какие сп особы испол ьзую тся для управления потоком м ощ ности электроэнергии
при ее передаче?
3. П еречислите сп особы ком пенсации реактивной м ощ ности при ее передаче.
4. П оясните принцип действия о б ъ ед и н ен н о го регулятора потока м ощ ности.
5. К огда ц ел есоо б р а зн о использовать линии передачи постоян н ого тока?
К к = т— , (12.3)
1w max
Контрольные вопросы
АБ АБ
а) б)
Сеть
-W- РН
АБ
в)
Контрольные вопросы
/ . ы* = у / 1 + 0 - г ) / 2;
= Л " ^выху А/2 = / 2 - / вых;
(12.4)
Д/>, = С/с / Д /, = ( 1 - у ) С / с / ( / , - / 2); '
Е = аДГ, (12.5)
а 2А Т 2т
( 12.6)
*в„оW
На рис. 12.18 изображены статические характеристики выходного напряжения
и мощности в функции тока нагрузки / н.
Для получения необходимых электрических характеристик и требуемой мощ
ности используются различные схемы соединения элементарных ячеек ТЭГ в
один модуль. Очевидно, что конструкция влияет на характер внутреннего сопро
тивления ТЭГ, внося соответствующие емкостные и индуктивные его составляю
щие. Поэтому при комплексном проектировании системы с ТЭГ необходимо учи
тывать эти составляющие для обеспечения электромагнитной совместимости с
последующими преобразовательными звеньями.
При использовании ТЭГ в системе с изменяющейся нагрузкой требуются ста
билизация его выходного напряжения и согласование с параметрами нагрузки.
Кроме того, при наличии пиковых кратковременных перегрузок, превышающих
установленную мощность ТЭГ, необходимо иметь накопители энергии, например
аккумуляторные батареи.
Учитывая крутопадающий характер внешней
характеристики, в качестве стабилизатора можно Р v
использовать прямой импульсный стабилизатор
постоянного тока ППС с индуктивным накопите
лем на входе, который повышает и понижает вход
ное напряжение. Для снижения уровня пульсаций
на выходе ТЭГ, обусловленных большим значе-
В И Сеть
Контрольные вопросы
1. Какими методами согласно модели линии передачи электроэнергии можно управ
лять потоком мощности?
2. Поясните принцип регулирования компенсирующей мощности в схемах с реакто
ром и последовательно встречновключенными тиристорами.
3. За счет чего устройства современной силовой электроники могут повысить эффек
тивность передачи энергии на постоянном токе?
4. Проведите сравнительный анализ трех основных структур систем бесперебойного
электроснабжения.
5. Каким образом следует управлять элементами фотоэлектрических преобразователей?
6. Из каких основных устройств состоит ветроэнергетическая установка?
Глава т р и н а д ц а т а я
СВЕТОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИИ
13.1. Светотехника
в и
р п = uJ d = ’ ( 1 3 1 )
V„=\ud, ( 13.2)
где Unm — амплитуда напряжения на лампе.
Согласно (13.2) и учитывая, что в схеме на рис. 13.2, а к транзисторам прикла
дывается двойное значение выходного напряжения, можно считать, что значение
напряжения на транзисторах примерно в 3 раза выше значения входного напряже
ния. Такое повышение напряжения на транзисторах значительно увеличивает сто
имость лампы и ограничивает области ее применения.
В то же время напряжение разряда обычно превышает номинальное значение
в 5— 10 раз. Поэтому в пусковом режиме его следует повышать, а затем снижать.
Существуют различные способы решения этой задачи, один из которых является
относительно простым и не связан со значительными затратами. Этот способ
заключается в последовательном включении в схемы конденсатора и использова
нии повышающего трансформатора. Конденсатор в этой схеме выполняет функ
ции токоограничивающего электронного балласта повышенной частоты, обеспе
чивая повышенное пусковое напряжение и нормальное рабочее напряжение на
фиксированной частоте. Система управления транзистором в разрядных лампах
с минимальным количеством элементов выполнена по принципу самовозбужде
ния. Простейшая реализация этого принципа заключается во введении обратной
трансформаторной связи выходной цепи и входных транзисторов (см. рис. 13.1).
Схема инвертора напряжения представлена на рис. 13.2, в. В этой схеме воз
можны следующие соединения нагрузки и конденсаторов резонансного контура:
последовательное (СУ), параллельное (С2) и параллельно-последовательное (СУ и
С2). В зависимости от соотношения v = со0/со5 угол сдвига фазы между коммути
руемым напряжением и током может иметь емкостной или индуктивный характер
(см. гл. 9). При этом условия коммутации ключей изменяются, что влияет на
потери мощности в инверторе. В последовательном инверторе конденсатор
выполняет также функции электромагнитного балласта на повышенной частоте:
ограничивает разрядный ток и уменьшает напряжение на лампе. Поскольку пуско
вой режим обеспечивается при повышенном напряжении, такая схема использу
ется для питания ламп с высоким напряжением зажигания. В схеме параллельного
резонансного инвертора лампа включена параллельно конденсатору. Таким обра
зом, функции электромагнитного балласта выполняет последовательно включен
ный реактор. При этом пусковые и рабочие условия согласуются без изменения
частоты. После окончания пускового режима на повышенном напряжении оно
понижается, а добротность контура уменьшается.
Достоинством этой схемы является наличие последовательно включенного
инвертора, сглаживающего скачки напряжения сети и его высокочастотные коле
бания. Несмотря на прямоугольную форму выходного напряжения инвертора,
напряжение на лампе имеет сглаженную, близкую к синусоиде форму.
Параллельно-последовательная схема инвертора позволяет получить различ
ные характеристики электронного балласта в зависимости от типа лампы. В схеме
сочетаются функции параллельного и последовательного инверторов в зависи
мости от значений емкостей параллельно и последовательно подключенных кон
денсаторов.
Применение в электронном балласте входного неуправляемого диодного
выпрямителя без промежуточного фильтра на стороне постоянного тока является
простым и дешевым вариантом схемы. Однако входной коэффициент мощности в
этом случае мал, что существенно ухудшает характеристики балласта. В целях
повышения этого коэффициента разрабатываются различные схемы его коррек
ции. Большинство существующих схем корректоров мощности основано на при
менении повышающих входное напряжение схем преобразования постоянного
тока с последовательным индуктивным накопителем: в электронном балласте воз
можно их применение с емкостным фильтром. Фильтр, сглаживая входное напря
жение инвертора, одновременно повышает качество светового излучения, пред
отвращая появление мерцания и других отрицательных явлений.
Применение в лампах микропроцессоров позволяет успешно управлять режи
мом работы лампы, проводить диагностику и т.п.
Контрольные вопросы
1. Какую функцию в лампах выполняет электронный балласт?
2. Перечислите основные недостатки традиционных балластов газоразрядных ламп.
3. Начертите структурную схему электронного балласта повышенной частоты и пояс
ните принцип его действия.
4. Какие виды инверторов используются в современных электронных балластах и
почему?
5. Какими средствами уменьшают искажения тока сети в современных электронных
балластах?
13.2. Эдектротехнодогии
Применение электроэнергии в технологических процессах стало началом раз
вития различных электротехнологий с середины XIX в. Развитие элементной базы
и схемотехники силовой электроники оказало непосредственное влияние на совер
шенствование электротехнологических установок. В настоящее время большин
ство из них содержат силовые полупроводниковые преобразователи и регуляторы.
Например, основой индукционного нагрева металлов являются инверторы повы
шенной частоты. Силовые тиристорные регуляторы используются для управления
тепловыми режимами электропечей, выпрямители обеспечивают электропитание
постоянным током различных электролитических и электрохимических установок.
Э лектротерм ия. Электротермические установки используются для нагрева
и плавки различных материалов и, в первую очередь, металлов. Существуют рези
стивный, электродуговой, индукционный и другие принципы нагрева. Рассмотрим
в качестве примера применения силовой электроники резистивный и индуктивный
способы нагрева.
Резистивный нагрев осуществляется за счет тепловыделения, создаваемого
током при протекании его в обрабатываемых материалах или в нагревательных
элементах, передающих тепло обрабатываемому материалу.
Электропечи подразделяются на установки прямого (контактного) нагрева и
неконтактного резистивного нагрева. Установки прямого нагрева используются
для нагрева металлических заготовок, установки неконтактного нагрева — для
нагрева любых других материалов. В обоих случаях регулирование режима
нагрева осуществляется изменением значения тока в нагреваемом элементе. Регу
лирование значения тока можно осуществлять, например, переключением отпаек
обмоток трансформатора, питающего сеть. Более эффективное регулирование
обеспечивает тиристорный регулятор тока в нагрузке. Этот регулятор выполнен
на основе встречновключенных тиристоров. Управление током осуществляется
изменением отношения длительности включенного и выключенного состояний
тиристора. При резистивной нагрузке фазовым сдвигом тока и напряжения можно
пренебречь и обеспечить включение и выключение регулятора в момент прохож
дения через нуль напряжения и тока. Достоинством такого способа управления
является отсутствие коммутационных потерь и высших гармоник тока в питающей
сети, а существенным недостатком — создание дискретной нагрузки, изменение
которой происходит на низких частотах 4 — 10 Гц. Периодическая коммутация
нагрузки приводит к появлению низкочастотных колебаний напряжения. В этом
случае спектральный состав колебаний напряжения затрудняет его фильтрацию тра
диционными методами. Более эффективным способом является применение актив
ных фильтров.
Большое распространение в электротермии получил способ индукционного
нагрева металла, основанный на взаимодействии металла и электромагнитного
поля. В металле возникают вихревые токи, вызывающие потери активной мощ
ности, которые приводят к нагреву металла. Потери мощности зависят от напря
женности магнитного поля, глубины проникновения вихревых токов в металл, его
электромагнитных характеристик, формы и других параметров. Для питания
индукционных установок применяются преобразователи частоты с явно выражен
ным звеном инвертора повышенной частоты. В зависимости от типа индукцион
ной установки и ее технологического назначения используются инверторы с час
тотой, составляющей 50 Гц — 1 МГц. Глубина проникновения тока в металл
обратно пропорциональна корню квадратному значения частоты.
Структурная схема преобразователя частоты для питания типовой установки
индукционного нагрева приведена на рис. 13.3. Для создания на выходе преобра
зователя напряжения повышенной частоты используются схемы с резонансным
инвертором ИР , который может быть выполнен по схеме инвертора тока или
инвертора напряжения. Резонансные контуры в инверторах образуются подключе-
Рис. 13.3. Структурная схема преобразователя частоты с резонансным инвертором для пита
ния индукционной катушки и нагрузки:
В — вы прямитель
нием конденсатора одного или совместно с реактором, в данном случае с индукци
онной катушкой ИК . В инверторе напряжения конденсатор включается последова
тельно с нагрузкой Я. В инверторах тока колебательный контур образуется
последовательным включением реактора и параллельным включением конденса
тора и нагрузки. Регулирование частоты позволяет управлять мощностью в
нагрузке, а емкость и индуктивность колебательного контура определяют его резо
нансную частоту. Изменение соотношения рабочей и резонансной частот сущест
венно влияет на режим работы инвертора и его основные характеристики. Для
защиты преобразователя при авариях предпочтительней выбирать схему инвертора
тока, но удельные массогабаритные показатели лучше у инвертора напряжения.
Резонансные инверторы обеспечивают естественную коммутацию ключей, что
позволяет использовать в схеме обычные тиристоры. Естественная коммутация
инвертора может быть связана с ограничением на регулирование выходной час
тоты. Диапазон рабочих частот тиристорных инверторов обычно не превышает
10 кГц. Максимальное значение этой частоты определяется быстродействием
тиристоров. В модульных схемах частота увеличивается умножением частоты
одного модуля на количество модулей (см. гл. 10).
Частота инверторов может быть существенно повышена за счет использования
быстродействующих ключей, например силовых транзисторов МОПБТ (см. гл. 1).
При этом стоимость преобразователя возрастает, но диапазон рабочих частот
повышается примерно на порядок в зависимости от мощности. Еще больше рабочая
частота может быть увеличена при использовании вакуумных ламповых триодов
для возбуждения колебательных процессов в высокочастотном LC-контуре [88].
Э лектросварка. Для питания электросварочных аппаратов используются
схемы с входным трансформатором (рис. 13.4, а). Гальваническая развязка
с сетью необходима для обеспечения электробезопасности. Устойчивость горения
1 1
! В 1
тр 1
Сеть ! ГГП 1 *
1
'X
1
я)
Контрольные вопросы
1. Как осуществляется регулирование теплового режима в электрических печах?
2. На чем основан принцип действия индукционного нагрева?
3. Какие преимущества дает использование схемы с промежуточным звеном повышен
ной частоты в сварочных аппаратах?
4. Начертите структурную схему сварочного аппарата с промежуточным звеном повы
шенной частоты.
5. Какие устройства силовой электроники используются при электрофизических мето
дах обработки металла?
Глава ч е т ы р н а д ц а т а я
ТРАНСПОРТ, ДРУГИЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
И ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ
М, Р, v , f
Рис. 14.2. Диаграмма изменения параметров ТЭД трамвая на разных этапах движения вагона:
Мд — момент двигателя; Р — мощность; v — скорость;/р — частота скольжения
Для питания вагонов трамваев, троллейбусов и метро создан преобразователь
постоянного тока повышенной частоты. Основные характеристики его следующие:
Рабочий диапазон входного напряжения, В ....................................................... 250—400
Выходное напряжение, В ......................................................................................21,9—28,1
Максимальное значение тока нагрузки, А.......................................................... 235—365
Масса, кг................................................................................................................ 25
Из приведенной информации следует, что применение достижений силовой
электроники в электротехнических системах городского транспорта принципи
ально изменило и повысило их технические характеристики.
П И ЭМБ
Контрольные вопросы
1. Как осуществляется электроснабжение тяговых электродвигателей локомотивов в
автономном режиме?
2. Какие виды преобразователей электроэнергии используются на железнодорожном
транспорте?
3. Каким образом осуществляется электропитание современного трамвая?
4. Перечислите виды преобразователей электроэнергии и их функции в автомобиле.
5. Начертите структурную схему перспективной системы электроснабжения автомобиля.
Контрольные вопросы
1. Какие источники и преобразователи электроэнергии используются на судах?
2. Начертите структурную схему электроснабжения судна с основным источником
электроэнергии переменного тока.
3. Перечислите основные электроэнергетические подсистемы летательных аппаратов.
4. Начертите структурную схему электроснабжения летательною аппарата с основ
ным источником электроэнергии на переменном токе.
5. Какие виды преобразователей электроэнергии используются в системах космичес
ких аппаратов?
тке тки
а) б)
Рис. 14.8. Схемы тиристорных контакторов:
а — схема с естественной коммутацией тиристоров; б — схема с искусственной коммутацией
тиристоров и конденсатором для устранения перенапряжений
чающие устройства коммутации УК. В
этих контакторах происходит искусствен
ная (принудительная) коммутация при
выключении. Создание эффективного,
ИБП1 ИБП2
полностью запираемого тиристора поз
волило заменить традиционные схемы
ТКИ (рис. 14.8, б) схемами с запирае
А В1 АВ2
мыми тиристорами. При этом была
упрощена схема контактора и улучшены
его массогабаритные показатели. Быст
родействие тиристорного ключа явля
1
ется его основным преимуществом при
Рис. 14.9. Структурная схема резервирова использовании автоматических быстро
ния ИБП с тиристорными автоматическими действующих выключателей. Тиристор
выключателями
ные контакторы применяются в качестве
пускорегулирующих устройств асин
хронных двигателей для ограничения пускового тока.
Быстродействующие тиристорные выключатели выполняют те же функции,
что и электромеханические, например применяются в источниках бесперебойного
питания. Переключение питания потребителя от сети при выходе ее параметров за
допустимые значения на инвертор ИБП осуществляется тиристорными автомати
ческими выключателями (АВ). Структурная схема резервирования ИБП приве
дена на рис. 14.9. Автоматический тиристорный выключатель выполняет, в отли
чие от электромеханического контактора, функцию защиты от коротких
замыканий, перегрузок и отклонений от нормы основных параметров. Наиболее
подходящими для такой структуры являются тиристорные автоматы с искусствен
ной коммутацией. При питании активно-индуктивной нагрузки обеспечивается
синхронизация напряжения инверторов ИБП и моментов выключения тиристор
ных автоматов. Это позволяет исключить перенапряжения при быстром переклю
чении нагрузки с одного ИБП на другой.
Во многих случаях целесообразно использовать гибридные контакторы и авто
матические выключатели. В этих устройствах тиристоры шунтируются и (или)
цепь размыкается электромеханическими контакторами после завершения опреде
ленного этапа работы. Например, в пускорегулирующих устройствах двигателей
тиристоры шунтируются после завершения пуска двигателя. Гибридные аппараты
позволяют обеспечить бездуговую коммутацию традиционных электромеханичес
ких реле и контакторов. Например, практически исключается процесс появления
электрической дуги при включении и выключении обычного реле на базе последо
вательно-параллельных схем соединения полупроводниковых элементов с элект
ромеханическими [13]. В этом случае можно значительно увеличить напряжение
реле, т.е. коммутируемую мощность электромеханического реле или контактора.
14.3.2. Статические реле
На основе транзисторов типа МОП созданы реле для коммутации электрических
цепей постоянного и переменного тока с напряжением от единиц микровольт до
нескольких сотен вольт и токами от единиц микроампер до 1 А. Реле управляются
слаботочными сигналами, поступающими на транзисторы основной цепи через
оптопару, которая обеспечивает гальваническую развязку между управляющей и
силовой цепями. Реле выполняются в стандартном миниатюрном пластиковом кор
пусе, имеющем 6— 8 выводов для монтажа и связи с внешними цепями.
На рис. 14.10 приведены типовые схемы реле фирмы Siemens для коммутации
переменного или постоянного тока. Реле имеют следующие основные параметры:
Допустимое напряжение между цепямивхода/выхода, В ................... 3 750
Максимальное мгновенное значение напряжения
в цепи нагрузки (в зависимости от типа реле), В .............................. 200—400
Максимальное длительное значение тока нагрузки, мА:
двунаправленного............................................................................... 240
однонаправленного, м А ............................................. 450
Токи управления, мА:
включения...................................................................................... 1—2
выключения.................................................................................... 0,9
Напряжение, В ......................................................................................... 1,5
Время, мс:
включения...........................................................................................1—3
выключения........................................................................................ 0,5—3
Токоограничивающая цепь реле имеет отрицательный температурный коэффи
циент и уменьшает значение тока при увеличении температуры. При уменьшении
тока перегрузки реле возвращается в нормальный режим работы. Для подавления
перенапряжений, вызываемых индуктивностью нагрузки или возникающих в сило-
Рис. 14.11. Структурная схема основных узлов защиты реле при перегрузке и КЗ
Контрольные вопросы
1. Дайте сравнительную оценку электромеханических и полупроводниковых коммута
ционных аппаратов.
2. В каких схемах тиристорных аппаратов и для чего используется искусственная ком
мутация тиристоров?
3. Приведите примеры применения тиристорных аппаратов коммутации.
4. Какие возможности дает использование электронных ключей в электрических
аппаратах?
5. Начертите структурную схему «интеллектуального» реле?
Тр/
в Ф
-С 2Ь
±
т Тр2
б)
■-G D -
Контрольные вопросы
1. Какие функции выполняют вторичные источники питания?
2. Начертите структурную схему бестрансформаторного ВИП.
3. Приведите примеры схем преобразователей, используемых в ВИП.
4. Какие факторы влияют на искажение входного тока?
5. Приведите пример схем квазирезонансных преобразователей с коммутацией в нуле
тока и в нуле напряжения.
Контрольные вопросы
1. Перечислите основные входные и выходные параметры выпрямителя, к которым
предъявляются требования при проектировании.
2. Каким требованиям должна соответствовать конструкция силового электронного
устройства по обеспечению безопасности?
3. Что влияет на величину и частотный спектр ЭМИ полупроводниковых преобразо
вателей?
4. Какие виды электромагнитных помех различают в силовых электронных устрой
ствах?
5. Какие методы борьбы с помехами предусматриваются в силовых электронных
устройствах при их проектировании и изготовлении?
6. Для чего осуществляется сертификация устройств силовой электроники?
С П И С О К ЛИТЕРАТУРЫ
1- Каганов И Л . Промышленная электроника (общий курс). М. : Высш. шк., 1968.
2. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. М. : Высш. шк., 1982.
3. Руденко В.С., Сенько В.И., Чиженко И.М. Основы промышленной электроники. М. : Высш. шк.,
1980.
4. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. М. : Энергоатомиздат, 1988.
5. Розанов Ю.К. Основы силовой электроники. М. : Энергоатом издат, 1992.
6. Зиновьев Г.С. Основы силовой электроники. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2003.
7. История электротехники / под ред. И.А. Глебова. М. : Изд-во МЭИ, 1999.
8. Thomas G. Wilson. The evolution o f power electronics // IEEE Trans. Power. Electron. 2000. Vol. 15. № 3.
9. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи. М. : Додэка, 2001.
10. Bose Bimal К. Power electronics-technology review // IEEE Trans. Power. Electron. 1992. Vol. 80. № 6.
11. Лесков Л.В. Футуросинергетика: универсальная теория систем. М. : Экономика, 2005.
12. Уильямс Б. Силовая электроника: приборы, применение, управление : пер. с англ. М. : Энерго
атом издат, 1993.
13. Электрические и электронные аппараты / под ред. Ю.К. Розанова. М. : Информэлектро, 2001.
14. Силовые IGBT модули. Материалы по применению. М. : Додэка, 1997.
15. Диоды и тиристоры в преобразовательных установках / М.П. Абрамович, В.М. Бабайлов,
В.Е Л ибер и др. М. : Энергоатомиздат, 1992.
16. Запираемые тиристоры, быстродействующие диоды: Справочные материалы ABB Semiconductor
AG. М. : Изд-во АББ Индустри и Стройтехника, 1996.
17. Mohan N., Undeland Т.М., Robins W.P. Power electronics: converters, application and design. USA:
NYJohn Willey&Sons Inc., 1995.
18. Справочник по электрическим конденсаторам / под ред. В.В. Ермуратского. Кишинев: Штиинца,
1982.
19. Русин Ю.С., Гликман И.Я., Горский А.Н. Электромагнитные элементы радиоэлектронной
аппаратуры: Справочник. М. : Радио и связь, 1998.
20. Power electronics technology: Present trends and future developments. Proc. // IEEE. 2001. Vol. 89. № 6.
21. Шопен Л.В. Бесконтактные аппараты автоматики. М. : Энергоатомиздат, 1986.
22. Isolated current and voltage transducers. Characteristics-applications-calculations. Geneva: Lem, 1996.
23. Предко M. Руководство по микроконтроллерам. M.: Постмаркет, 2001.
24. Леоненков A.B. Нечеткое моделирование в среде MATLAB и fuzzy TECH. СПб. : БХВ-
Петербург, 2003.
25. Булгаков А.А. Новая теория управляемых выпрямителей. М. : Наука, 1970.
26. Стабилизированные автономные инверторы с синусоидальным выходным напряжением /
Ф.И. Ковалев, Г.П. Мосткова, В.А. Иванов, А.И. Толкачев // М. : Энергия, 1972.
27. Мерабишвили П.Ф., Ярошенко Е.Н. Нестационарные электромагнитные процессы в системах
с вентилями. Кишинев: Штиинца, 1980.
28. Вентильные преобразователи переменной структуры / В.Е. Тонкаль, В.С. Руденко, В.Я. Жуйков
и др. // под ред. А.К. Шидловского. Киев: Наукова думка, 1989.
29. Толстов Ю.Г., Теврюков А.А. Теория электрических цепей. М. : Высш. шк., 1971.
30. Деч Г. Руководство к практическому применению преобразования Лапласа и Z-преобразования :
пер. с нем. М. : Наука, 1971.
31. Попов Е.П. Теория линейных систем автоматического регулирования и управления. М. : Наука,
1989.
32. Цыпкин Я.З. Теория линейных импульсных систем. М. : Физматиздат, 1963.
33. Middlebrook R.D. Isolation multiple output extensions o f a new optimum technology switching DC-
DC converters // IEEE Power electronics specialists conference PESC’78. 1978.
34. Четти П. Проектирование ключевых источников электропитания. М. : Энергоатомиздат, 1990.
35. Ковалев Ф.И., Мустафа Г.Н., Барегамян Е.В. Управление по вычисляемому прогнозу импуль
сным преобразователем с синусоидальным выходным напряжением // Электротехническая про
мышленность. Преобразовательная техника. 1981. № 6.
36. Олещук В.И., Чаплыгин Е.Е. Вентильные преобразователи с замкнутым контуром управления.
Кишинев: Штиинца, 1982.
37. Уткин В.И. Скользящие режимы управления и их применение в системах с переменной струк
турой. М. : Мир, 1978.
38. Изосимов Д.Б., Р ыбкин С.Е. Скользящий режим в электроприводе. М. : ИПУ РАН, 1993.
39. Spiazzi G., Mattavelli Р. Sliding mode control o f switched-mode power supplies / Power electronics
handbook // Ed. Timothy L. Scvarenina. USA: CRC Press, 2002.
40. Прикладные нечеткие системы : пер. с яп. / под ред. Т. Тэрано, К. Асаи, М. Сугэно. М. : Мир,
1993.
41. Мустафа Г.М., Шаранов И.М., Тингаев В.Н. Система программ для моделирования устройств
преобразовательной техники // Электротехника. 1978. № 6.
42. Шипилло В.П. Применение Z-преобразования для нахождения фактора пульсаций в замкнутых
системах с вентильными преобразователями // Электричество. 1974. № 9.
43. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств.Designlab 8.0. М.:
Солон, 1999.
44. Гультяев A.K. Matlab 5.2. Имитационное моделирование в среде Windows. СПб.: Корона, 1999.
45. Международный электротехнический словарь. Силовая электроника». МЭК 60050 — 551. М.:
Изд-во стандартов, 1998.
46. Силовая электроника. Краткий терминологический словарь / под ред. Ф.И. Ковалева. М.: Изд-во
ОИСЭ, 2001.
47. Герман-Галкин С.Г. Компьютерное моделирование полупроводниковых систем в Matlab 6.0.
СПб.: Коронапринт, 2001.
48. Полупроводниковые выпрямители / под ред. Ф.И. Ковалева, Г.П. Мостковой. М. : Энергия,
1978.
49. Маевский О.А. Энергетические показатели вентильных преобразователей. М. : Энергия, 1978.
50. Зиновьев Г.С. Прямые методы расчета энергетических показателей вентильных преобразовате
лей. Новосибирск: Изд-во НГУ, 1990.
51. Баланс энергий в электрических цепях / В.Е. Тонкаль, А.В. Новосельцев, С.П. Денисюк и др.
Киев.: Наукова думка, 1992.
52. Жежеленко И.В. Высшие гармоники в системах электроснабжения М. : Энергоатомиздат, 1994.
53. Rudnick Н. Dixon J. Delivering clean and pure power // IEEE. 2003. Vol. 1. № 5.
54. Bose Bimal K. Expert system, fuzzy logic, neural network applications in power electronics and
motion control // IEEE. 1994. Vol. 82. N 8.
55. Глинтерник C.P. Тиристорные преобразователи со статическими компенсирующими устрой
ствами. Л.: Энергоатомиздат, 1988.
56. Лабунцов В.А., Ривкин Г.А., Шевченко Г.И. Автономные тиристорные инверторы. М. : Энер
гия, 1967.
57. Чванов В.А. Динамика автономных инверторов с прямой коммутацией. М. : Энергия, 1979.
58. Розанов Ю.К. Полупроводниковые преобразователи со звеном повышенной частоты. М. : Энер
гоатомиздат, 1987.
59. Раскин Л.Я. Стабилизированные автономные инверторы тока на тиристорах. М. : Энергия,
1970.
60 Булатов О.Г., Царенко А.И. Тиристорно-конденсаторные преобразователи. М. : Энергоатомиз
дат, 1982.
61. Мойн В.С. Стабилизированные тиристорные преобразователи. М. : Энергоатомиздат, 1986.
62. Поликарпов А.Г., Сергиенко Е.Ф. Однотактные преобразователи напряжения в устройствах
электропитания РЭА. М. : Радио и связь, 1989.
63. Гельман М.В., Лохов С.П. Тиристорные регуляторы переменного напряжения. М. : Энергия,
1975.
64. Rashid Muhammed Н. Power electronics. USA: Prentice — Hall, Inc., 1988.
65. Luo F.L.. Ye H. Positive output super-lift converters // IEEE. 2003. Vol. 18. N 1.
66. Espinoza Jose R. Inverters Power electronics: Handbook. / Ed. H. Rashid Muhammad. USA:
Academic Press, 2001.
67. Бернштейн И.Я. Тиристорные преобразователи частоты без звена постоянного тока. М. : Энер
гия, 1968.
68. Helle L., Larsen К.В., Jorgenson А.Н., Munk-Nilsen S. Evolution o f modulation schemes for three-
phase — to three phase converters // IEEE. 2004. Vol. 51. N 1.
69. Донской A.B., Кулик В.Д. Теория и схемы тиристорных инверторов повышенной частоты с
широтно-импульсным регулированием. Л. : Энергия, 1980.
70. Czarkovski D. Resonant converters. The Power electronics: Handbook / Ed. T.L. Skvorenina. USA:
CRC Press, 2002.
71. Hueng A.Q. Gate turn off thyristors. The Power electronics: Handbook / Ed. T.L. Skvorenina. USA:
CRC Press, 2002.
72. Control power electronics / Ed. M.P. Kazmierkowski, R. Krishnan, F. Blaabjerg. USA: Academic
Press, 2002.
73. Мыцык Г.С. Основы структурно-алгоритмического синтеза вторичных источников электропита
ния. М. : Энергоатомиздат, 1989.
74. Кобзев А.В. Многозонная импульсная модуляция. Новосибирск: Наука, 1979.
75. Булатов О.Г., Иванов В.С., Панфилов Д.И. Полупроводниковые зарядные устройства накопи
телей энергии. М. : Радио и связь, 1986.
76. Akagi Н. Active filters for power conditiong. The power electronics: Handbook / Ed. T.L. Scvorenina.
USA: CRC Press, 2002.
77. Corzine K. Multilevel converters. The power electronics: Handbook / Ed. T.L. Scvorenina. USA: CRC
Press, 2002.
78. Ильинский Н.Ф. Основы электропривода. M. : Издательство МЭИ, 2000.
79. Розанов Ю.К., Соколова Е.М. Электронные устройства электромеханических систем. М. : Ака
демия, 2004.
80. Бычков М.Г. Элементы теории вентильно-индукторного электропривода // Электричество. 1997.
№ 10.
81. Брускин А.Э., Зорохович А.Е., Хвостов В.С. Электрические машины и микромашины. М. :
Высш. шк., 1990.
82. Копылов И.П. Электрические машины. М. : Энергоатомиздат, 1980.
83. Жемеров Г.Г. Тиристорные преобразователи частоты с непосредственной связью. М. : Энергия,
1977.
84. Глазенко Т.А., Хрисанов В.И. Полупроводниковые системы импульсного асинхронного элект
ропривода малой мощности. Л.: Энергоатомиздат, 1983.
85. Основы современной энергетики. Современная электроэнергетика / под ред. А.П. Бурмана,
В.А. Строева. М. : Издательство МЭИ, 2004.
86. Шидловский А.К., Федий В.С. Частотно-регулируемые источники реактивной мощности. Киев:
Наукова думка, 1980.
87. Sood V.K. HVDC Transmission. Power electronics: Handbook / Ed. Muhammad H. Rashid. USA:
Academic Press, 2001.
88. Тиристорные преобразователи повышенной частоты для электротехнологических установок /
Е.И. Беркович, Г.В. Ивенский, Ю.С. Иоффе и др. Л.: Энергоатомиздат, 1986.
89. Феоктистов Н.А. Тиристорные устройства управления и защиты бытовых аппаратов и элект-
ротехнологических установок. М. : Изд-во ГАСБУ, 1996.
90. Преобразовательные устройства электропоездов с асинхронными тяговыми двигателями /
А.М. Солодинов, Ю.М. Иньков, Д.С. Коваливкер и др. Рига: Зинатне, 1991.
91. Электрооборудование судов / Д.В. Вилесов, В.А. Галка, Ю.Н. Киреев и др. СПб: Судострое
ние, 1996.
92. Системы электропитания космических аппаратов / В.П. Соустин, В.Н. Иванчура, А.И. Черны
шов и др. Новосибирск: Наука, 1994.
93. Бурман А.П. Розанов Ю.К., Шакарян Ю.Г. Гибкие линии электропередачи // Электротехника.
2005, № 8.
94. Электрооборудование летательных аппаратов / С.А. Грузков, С.Ю. Останин, А.М. Сугробов и др.
// под ред. С.А. Грузкова. М. : Издательство МЭИ, 2005.
95. Белов В.Ф. Автоматизация проектирования электромагнитной совместимости автономных
преобразовательных систем. Саранск: Изд-во Мордовского ун-та, 1993.
96. Рохлин Г.Н. Разрядные источники света. М.: Энергоатомиздат, 1991.
97. Хабигер Э. Электромагнитная совместимость. Основы ее обеспечения в технике. М. : Энерго
атомиздат, 1995.
98. Ajit К. Chattopadhayay. АС-АС converters. Power electronics: Handbook / Ed. Muhammed H.
Rashid. USA: Academic Press, 2001.
99. Хруслов Л.Л., Пузиков B.M., Ситников В.Ф. Современные бесконтактные электрические
аппараты с быстродействующими однообмоточными магнитными усилителями // Электротех
ническая промышленность. Сер. 07. Электрические аппараты. 1989. № 13.
100. Алферов Н.Г., Розанов Ю.К., Ситников В.Ф. Расчет систем управления электронными пре
рывателями и регуляторами. М. : Издательство МЭИ, 1993.
101. Розанов Ю.К. Анализ работы автономного параллельного инвертора тока при коротких замы
каниях. Тиристорные преобразователи / под ред. Ю.Г. Толстова. М. : Наука, 1970.
102. Зарядно-разрядные устройства с рекуперацией энергии в сеть / В.А. Окунев, А.И. Волков,
Ю.К. Розанов, А.А. Кудряшев // Преобразовательная техника. 1978. № 5.
ЮЗ. Несинусоидальность напряжения в автономных электрических системах / Ю.К. Розанов,
ЮП. Рыжов, А.М. Сухинин и др. // Электротехника. 1981. № 3.
104. Розанов Ю.К., Алферов Н.Г., Мамонтов В.Н. Инверторный модуль для систем гарантирован
ного электроснабжения // Преобразовательная техника. 1981. № 7.
105. Розанов Ю.К. Параллельная работа преобразователей постоянного тока // Электротехника.
1982. № 4 .
106. Львов Е Л ., Розанов Ю.К. Стационарные режимы преобразователей постоянного тока с
широтно-импульсной модуляцией // Электричество. 1983. № 8.
107. Розанов Ю.К., Никифоров А.А. Перспективы развития резонансных преобразователей //
Электротехника. 1990. № 11.
108. Proc. X-th Int. / Y. Rozanov, N. Alferov, M. Riabchitsky, A. Kvasnuk / Simposium on electrican
apparatus technologies STELLA’97 / Bolgaria, May, 1997.
109. Розанов Ю.К., Завгородний H.H. Применение нечеткой логики в силовой электронике //
Электротехника. 1997. № 11.
ПО. Розанов Ю.К. Силовая электроника в электроприводе // Приводная техника. 1997. № 5.
111. Rozanov Y., Kvasnuk A. Power quality regulators on active filters. Proc. IECON’98: Germany,
Aachen, 31 august. 1998.
112. Розанов Ю.К., Гринберг Р.П., Смирнов М.И. Управление гибридными фильтрами // Электри
чество. 2006. № 8.
113. Сазонов В.В. Кондиционеры сети на основе активных фильтров // Электротехника. 2007. № 5.
1 14. Управление качеством электроэнергии / И.И. Карташев, В.Н. Тульский, Ю.В. Шаров и др. М. :
Издательство МЭИ, 2006.
115. Основные характеристики и опыт использования системы программ ЭЛТРАН / Г.М. Мустафа,
А.А. Поскробко, В.Н. Тингаев и др. // Автоматизированный электропривод. 1983.
116. Инструкция по CASPOC / С.И. Вольский, Е.В. Сыроежкин, Д.В. Чуев / под ред. С.И. Воль
ского. М. : Издательство МАИ, 2003.
117. Могилевский Г.В., Райнин В.Е., Гребенник В.И. Полупроводниковые аппараты защиты. М. :
Энергия, 1980.
118. Розанов Ю.К., Соломатин А.В., Крюков К.В. // Электротехника. 2006. № 10.
119. Toshihisa Shimizi, Masaki Hirakata, Tomoya Kamezawa, Hisao Watanabe. Generation control
circuit for photovoltaic modules // IEEE. 2001. Vol. 16. N 3.
120. Статические преобразователи в системах электроснабжения постоянного тока / В.А. Окунев,
Ю.К. Розанов, А.М. Сухинин и др.// Электротехника. 1981. № 8.
121. Воробьев А.Ю. Электроснабжение компьютерных и телекоммуникационных систем. М.:
Эко-Трендз, 2002.
122. Преобразователи на IGBT-транзисторах для тягового электропривода трамвая. СПб: НТП
ООО «Чергос», 1993.
123. ГОСТ 13109—97. Электромагнитная совместимость. Нормы качества электроэнергии в систе
мах электроснабжения общего назначения.
124. Фред К. ЛИ. Высокочастотные квазирезонансные преобразователи : пер. с англ. М.: Мир, 1988.
Том 76.
125. Управляемые подмагничиванием электрические реакторы : Сб. статей / под ред. А.М. Брян
цева. М. : Знак, 2004.
126. Electrical engineer’s book / Ed. M.A. Laughton, D.F. Wame. USA: Newness, 2003.
127. Дьяконов В.П., Абраменкова И.В., Круглов В.В. MATLAB 5 с пакетами решений. М:
Нолидж, 2001.
Приложение
EUPEC
European Power Semiconductors and Electronics Company является одним из ведущих
мировых производителей силовых полупроводниковых приборов.
Продукция фирмы
Т ран зи ст оры I G B T
Транзисторы IGBT выполняются по NPT технологии,
ТО-220 ТО-247
которая позволила значительно улучшить рабочие характе
ристики приборов. Технология EmCon позволяет интегриро
вать в одном корпусе транзистор и быстродействующий
обратный диод. Транзисторы IGBT выпускаются на напряже
ния 600 и 1200 В и ток 1— 150 А.
American Power Conversion (APC)
Корпорация American Power Conversion была основана в марте 1981 г. В настоящее
время марка АРС во всем мире воспринимается синонимом качественных решений резерв
ного питания и управления питанием.
Продукция корпорации
Тип ИБП Back UPS ES Back-UPS CS Back-UPS RS Back-UPS HS
Мощность, В • А 400— 700 325— 650 500— 1500 500
Структура Off-line Off-line Line interactive Line interactive
Входное напряжение, В 160— 280 160— 278 176— 294 160— 280
Symmetra РХ 70 кВ • A Smart VT 40 кВ • А
Тип ИБП Silcon Symmetra MW AIS 3000 AIS 5000
М ощ н ость , В • А 6 0 -4 8 0 4 0 0 — 1 600 10— 4 0 10— 100
Продукция компании
Тиристор IGCT
IGCT (тиристор с интегрированным управлением) — это ключ с функциями включения
и выключения для современных преобразовательных устройств средней и высокой мощ
ности.
IGCT прижимаются с достаточно большим усилием к охладителям, которые обеспечи
вают тепловой и электрический контакт к выводам тиристора.
Так как тиристор IGCT подобен тиристору GTO, он интересен заказчикам, использую
щим GTO для перехода к новым системным разработкам или для совершенствования
существующего оборудования (с минимальными изменениями).
Драйвер, управляющий включением-выключением, интегрирован с прибором, но ему
требуется внешний источник питания. Драйвер прибора потребляет в среднем 20—50 Вт.
IGCT выпускаются на ток 340—5500 А и прямое напряжение 4500—6500 В.
Диоды
Рис. 1. Фототиристор:
а — общ и й вид; б — стр уктура
Н азначение стаби л и зац и я напряж ения стаби л и зац и я напряж ения в статическ ом
в статическ ом р еж и м е; и ди н ам и ч еск ом реж и м ах;