Лабораторная работа №6. Исследование биполярного транзистора.

Цель:
1. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока
коллектора.
2. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.
3. Получение входных и выходных характеристик транзистора.
4. Определение коэффициента передачи по переменному току.
5. Исследование динамического входного сопротивления транзистора.

1. Краткие сведения из теории

Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с двумя
взаимодействующими выпрямляющими p-n-переходами и тремя выводами,
усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции
неосновных носителей заряда. В биполярном транзисторе используются
одновременно два типа носителей заряда – электроны и дырки (отсюда и название
– биполярный). Переходы транзистора образованы тремя областями с
чередующимися типами проводимости.
При включении биполярного транзистора с ОЭ цепь базы является входной,
а цепь коллектора – выходной. Схема включения транзистора с ОЭ в активном
режиме показана на рисунке 1.
Физические процессы в транзисторе с ОЭ аналогичны при включении
транзистора с ОБ. Под действием напряжения Uбэ в цепи эмиттера проходит ток
Iэ. В базе этот ток разветвляется. Основная его часть идет в коллектор, создавая
управляемую составляющую тока коллектора, другая часть – в цепь базы,
определяя ток базы рекомбинации. Навстречу току рекомбинации в базе проходит
обратный ток коллектора Iкбо.

Iк
К
Б

Iб
Uбэ Э Uкэ
Iэ

Рисунок 1 - Схема включения транзистора с ОЭ в активном режиме

Выходными статическими характеристиками транзистора с ОЭ является
семейство характеристик Iк = f (Uкэ) при Iб = const
Вид этих характеристик отражает особенности работы транзистора с ОЭ в
различных режимах (рисунок 2).
 Iк Pmax
I II Iб3 III

Iб2

Iб1

Iб=0

0 -Uкэ
Режим отсечки

Рисунок 2 – Выходные характеристики транзистора с ОЭ

В активном режиме и режиме насыщения эмиттерный переход включается в

прямом направлении. Под действием напряжения в цепи базы проходит ток Iб. За
счет напряжения Uбэ при нулевом напряжении коллектора оба p-n– перехода
транзистора смещены в прямом направлении. Транзистор работает в режиме
насыщения и через коллектор проходит ток инжекции, направление которого
противоположно направлению коллекторного тока в активном режиме. В базе
накапливаются неосновные носители заряда.
С появлением небольшого отрицательного напряжения на коллекторе ток
инжекции из коллектора уменьшается, а ток обусловленный экстракцией дырок из
базы в коллектор увеличивается. Поэтому при увеличении отрицательного
напряжения коллектора до значения Uкэ = Uбэ наблюдается значительный рост
коллекторного тока. При |Uкэ| > |Uбэ| транзистор из режима насыщения переходит
в активный режим. Рост коллекторного тока при дальнейшем увеличении
отрицательного напряжения Uкэ замедляется. Но наклон выходных характеристик
в схеме с ОЭ оказывается больше, чем в схеме с ОБ.
Увеличение тока базы вызывает увеличение коллекторного тока, то есть
смещение выходных характеристик вверх.
Входные характеристики. Входные характеристики транзистора с ОЭ
(рисунок 3) отображают зависимость Iб = f (Uбэ) при Uкэ = const

Iб
Uкэ=0В
-5В

-10В

Iко 0
Uбэ

Рисунок 3 – Входные характеристики транзистора с ОЭ

 При Uкэ = 0 оба p-n-перехода транзистора оказываются включенными в
прямом направлении. Из эмиттера и коллектора осуществляется инжекция дырок в
базу. В цепи базы проходит ток рекомбинации обоих переходов. Поэтому входная
характеристика представляет собой ВАХ двух параллельно включенных p-n-
переходов.
При Uкэ < 0 коллекторный переход включается в обратном направлении и в
цепи базы проходит ток Iб>0.
Если Uбэ = 0, то Iэ = 0 и в цепи базы проходит ток Iб = – Iкбо. Увеличение
напряжения Uбэ сопровождается рекомбинационной составляющей тока базы, и
при некотором напряжении Uбэ ток базы становится равным нулю. Дальнейшее
увеличение напряжения Uбэ сопровождается ростом тока базы. При увеличении
отрицательного напряжения коллектора наблюдается смещение характеристик в
сторону оси токов. Это связано с прохождением обратного тока коллектора Iкбо.
Статический коэффициент передачи транзистора по постоянному току
определяется как отношение тока коллектора IК к току базы IБ:

Статический коэффициент передачи транзистора по переменному току

определяется как отношение приращения тока коллектора IК к приращению тока
базы IБ:
Выходными статическими характеристиками транзистора, включенного с ОЭ
является семейство характеристик
IК = f(UКЭ)/ IБ=const
Входными статическими характеристиками транзистора, включенного с
ОЭ является семейство характеристик
IБ = f(UБЭ) / UКЭ=const
Дифференциальное входное сопротивление RВХ транзистора в схеме с общим
эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения
коллектор-эмиттер UКЭ. Оно может быть найдено как отношение приращения
напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока базы:
RВХ = ΔUБЭ/ΔIБ = (UБЭ2 – UБЭ1)/(IБ2 –IБ1)
Дифференциальное входное сопротивление транзистора RВХ в схеме с ОЭ
через параметры транзистора определяется следующим выражением:
RВХ = RБ + βRЭ,
где RБ - распределенное сопротивление базовой области полупроводника, RЭ
- дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из
выражения: RЭ = 25/IЭ, где IЭ - постоянный ток эмиттера в миллиамперах. Первое
слагаемое RБ в выражении много меньше второго, поэтому им можно пренебречь:
RВХ = βRЭ
Дифференциальное сопротивление RЭ перехода база-эмиттер для
биполярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным
сопротивлением RВХ транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при
фиксированном значении напряжения база-коллектор UБК. Оно может быть
найдено как отношение приращения напряжения UБК к вызванному им
приращению тока эмиттера IЭ:
RВХОБ = ΔUБЭ/ΔIЭ = (UБЭ2 – UБЭ1)/(IЭ2 –IЭ1)
Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:
RВХОБ = RБ/β + RЭ
Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно
считать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер
приблизительно равно: RВХОБ = RЭ
В режиме отсечки полярности и значения напряжений UКЭ и UБЭ таковы, что
коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении. В этом
случае через эмиттерный переход проходит обратный ток IЭБО, а через
коллекторный переход – ток IКБО. Во входной цепи проходит ток базы
IБ = IЭБО+ IКБО

2. Порядок проведения экспериментов

Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи
транзистора по постоянному току βDC в схеме с ОЭ.
Построить и включить схему, изображенную на рисунке 4.

Рисунок 4 - Схема включения биполярного транзистора с ОЭ

Записать результаты измерения тока коллектора IК, тока базы IБ и напряжения
коллектор-эмиттер UКЭ в таблицу 1 раздела "Результаты экспериментов". По
полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи тока βDC
транзистора. Повторить измерения и расчет коэффициента передачи для значений
Eb =2,68 В; 5 В. Результаты занести в таблицу.
Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.
На схеме рисунок 1 изменить номинал источника ЭДС Eb = О В. Включить
схему. Записать результаты измерения тока коллектора IК для данных значений
тока базы IБ и напряжения коллектор-эмиттер UКЭ в раздел "Результаты
экспериментов".
Эксперимент 3. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с
ОЭ.
а) В схеме (рисунок 4) провести измерения тока коллектора IК для каждого
значения ЕК и Еb и заполнить таблицу 2 в разделе "Результаты экспериментов". По
данным таблицы построить семейство выходных характеристик транзистора с ОЭ,
график зависимости IК от ЕК, при различных значениях тока базы IБ.
б) Собрать схему, изображенную на рисунке 5. Отобразить осциллограмму
выходной характеристики, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты
экспериментов". Повторить измерения для каждого значения Еb из таблицы 2.
Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы отобразить в
разделе "Результаты экспериментов" на одном графике.
в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи транзистора по
переменному току βAC при изменении базового тока с 10 мА до 30 мA, ЕК = 10 В.
Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".

Рисунок 5 – Схема для получения выходных характеристик транзистора с ОЭ

Эксперимент 4 Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) Собрать и включить схему, показанную на рисунке 4. Установить значение
напряжения источника ЕК равным 10 В и провести измерения тока базы IБ,
напряжения база-эмиттер UБЭ тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения
источника Еb в соответствии с таблицей 3 в разделе "Результаты экспериментов".
Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 3 построить
график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
в) Собрать схему, изображенную на рисунке 6. Включить схему. Отобразить
входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты
экспериментов".
 Рисунок 6 – Схема для получения входных характеристик транзистора с ОЭ
г) По входной характеристике найти сопротивление RВХ при изменении
базового тока с 10мA до 30 мA. Результат записать в раздел "Результаты
экспериментов".

3. Результаты экспериментов
Эксперимент 1. Определение коэффициента передачи транзистора по
постоянному току.
Таблица 1

Еb (В) IБ (мкА) UКЭ (В) IК (мА) βDC

2.68
5.00
5.70

Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.

Обратный ток коллектора Iко=
Ток базы транзистора Iб=
Напряжение коллектор-эмитер Uкэ=
Эксперимент 3 Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
Таблица 2 – Данные для выходных характеристик

ЕК(В)
Еb (В) IБ (мкА) 0.1 0.5 1 5 10 20
1.66
2.68
3.68
4.68
 5.7

График выходной характеристики транзистора.

Осциллограммы выходных характеристик транзистора для разных токов
базы.
Коэффициент передачи транзистора по переменному току βAC при изменении
базового тока с 10 мА до 30 мA, ЕК = 10 В. Выполнить расчет по результатам
измерений.
Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме ОЭ.
Таблица 3 – Данные для входных характеристики транзистора

Еb (В) IБ (мкА) UБЭ (мВ) IК (мА)

1.66
2.68
3.68
4.68
5.7
График входной характеристики транзистора.
Осциллограмма входной характеристики транзистора. Сопротивление
RВХ при изменении базового тока с 10мA до 30 мA.

4. Контрольные вопросы
1. Чем объяснить название биполярного транзистора? Как биполярные
транзисторы обозначаются в схемах? Какие основные физические
процессы лежат в основе принципа действия биполярного транзистора?
2. Какие вы знаете режимы работы биполярного транзистора? Показать на
схемах, назвать области применения.
3. Какие существуют схемы включения биполярного транзистора? Назовите
основные параметры биполярных транзисторов.
4. Какие зависимости называются статическими характеристиками
транзисторов? Назовите их разновидности, назначение.
5. Поясните работу схемы включения биполярного транзистора с общей
базой. Статические вольтамперные характеристики для этой схемы
включения (входные и выходные). Чему равны коэффициенты усиления?
6. Поясните работу схемы включения биполярного транзистора с общим
эмиттером. Выходные и входные статические характеристики. Чему равны
коэффициенты усиления?
7. Поясните работу схемы включения биполярного транзистора с общим
коллектором. Выходные и входные статические характеристики. Чему
равны коэффициенты усиления?