WS5921S

WS5921S Product Description
WS5921S 应急检测控制芯片
特点
概述
 极简的外围应用电路
WS5921S 是一款应急检测控制专用芯片。芯片采用特殊
 精准的交流阻抗输入检测
的高压隔离和检测技术，无需任何外围元件直接监测交流输入
 85-265Vac 全电压输入信号状态，并直接或间接驱动 LED 灯珠。同时支持全电压
 过温保护 85-265Vac 输入。
 完善的电池保护及管理 WS5921S 内部集成了高精度单节锂电池管理。具有过充
 高精度电压检测保护、过放保护、过流保护以及短路保护功能。
 兼容 ROHS 和无铅标准 WS5921S EN 端支持高达 1A 驱动能力。可以直接串联限

流电阻来直接驱动单串 LED 灯珠，同时也支持外接升压电路来
 SOP8 封装
驱动多串 LED 灯珠。
WS5921S 采用符合 ROHS SOP-8 封装，工作温度范围
-40℃至 120℃。
应用领域
 应急灯
典型应用图（非隔离结构）
WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS
www.winsemi.com Tel : +86-755-8250 6288 Fax : +86-755-8250 6299 A4/14 1/7

典型应用图（隔离结构）
引脚定义与器件标识
WS5921S 提供了 8-Pin 的 SOP8 封装，顶层如下图所示：
WS5921S：Product Code
A：产品编码
X：内部代码
BCY：内部品质管控代码
YMX：D/C
封装引脚功能说明
引脚名引脚号功能说明
VL 1 交流火线输入端
NC 2 悬空脚
EN 3 应急驱动输出端
GND 4 芯片地
BTN 5 电池负极
BTP 6 电池正极
NC 7 悬空脚
VN 8 交流零线输入端
电路内部结构框图

订购信息
封装形式芯片表面标识采购器件名称
8-Pin SOP-8,Pb-free WS5921S WS5921SS8P
推荐工作范围
参数值单位
供电电压（BTP） 3~6 V
操作温度 -40~100 ℃
极限参数
参数极限值单位
供电电压（BTP） -0.3~6 V
应急驱动脚（EN） -0.3~6 V
交流输入脚（VL，VN） 400 V
工作结温 125 ℃
存储温度 -65~150 ℃
结到环境的热阻 85 ℃/W
注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个
别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上
下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
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电气特性参数条件：T=25℃.(除非特别注明)
参数符号条件最小值典型值最大值单位
启动部分
静态电流 Iqc BTP=4V 10 20 40 uA
应急驱动 mos 部分
EN 脚 mos 的阻抗 Rdson1 BTP=3.6V，IEN=1A 220 mΩ
交流检测部分
交流检测输入阻抗 Rvl-vn 400 500 650 kΩ
BTP=4V
交流检测阈值电压 Vvn 11 14.5 16 V
VN=11V~16V
应急检测部分
应急开启检测阈值 VEN BTP=4V 0.75 0.9 1.05 V

应急检测迟滞电压 VEN_HYS BTP=4V - 200 - mV
BTP=4V，
应急灯开启检测延迟时间 TEN - 500 - ms
VN=0.6V~1.1V
温度保护部分
过温保护 OTC 130 ℃
电池管理部分
过充电检测电压 VCU BTP=3.6V~4.4V 4.25 4.3 4.35 V
过充电释放电压 VCL -- 4.05 4.1 4.15 V
过放电检测电压 VDL BTP=3.6V~2V 2.7 2.8 2.9 V
过放电释放电压 VDR -- 2.9 3.0 3.1 V
充电器检测电压 VCHA -- 0.3 0.4 0.5 V
过充电电流检测 IIOCC BTP=3.6V 2.5 3.5 4.5 A
过放电电流检测 1 IIOV1 BTP=3.6V 2.5 3.5 4.5 A
过放电电流检测 2 IIOV2 BTP=3.6V 5.5 7 8.5 A
负载短路检测电流 IIOCC BTP=3.6V - 15 - A
过充电流检测延时时间 TOCC BTP=3.6V 5.6 8 10.4 ms
过充电检测迟延时间 TCU BTP=3.6V~4.4V 125 150 185 ms
过放电检测迟延时间 TDL BTP =3.6V~2.0V 30 40 50 ms
过电流 1 检测迟延时间 TIOV1 BTP 1=3.6V 5.6 8 10.4 ms
过电流 2 检测迟延时间 TIOV2 BTP =3.6V 0.7 1 1.3 ms
负载短路电流检测延迟时间 TSHORT BTP 1=3.6V - 100 300 us
开关管等效导通阻抗 RDS BTP =3.6V，IGND=1A 70 100 mΩ

功能描述
电池管理
交流检测 WS5921S 内部集成了完整的单节锂电池保护入管理模
WS5921S 是一颗专业应急检测控制芯片，可以根据 VL 块。电池保护管理包括：过充保护，过放保护，过流保护，
与VN 之间的阻抗状态来实现 EN 脚电平转换。当 VL 与VN 电池短路保护以及充电器检测线路。电池保护开关MOSFET已
之间正常输入 85-265Vac 电压时，内部的开关管截止，EN 内置，等效电阻典型值为70mΩ。
输出低电平；当 VL 与 VN 之间阻抗大于 500kΩ 时，内部
的开关管截止，EN输出低电平；只有没有交流输入，同时VL 与应急驱动电流
VN 之间阻抗小于 500kΩ 时，EN 输出高电平。 WS5921S 的EN脚和BTN脚分别内置一个等效200毫欧和
注：以上逻辑正常工作的必要前提条件是 BTP 与GND 66毫欧的开关。当EN输出高电平的时候，可以在EN脚和应急
之间电压在正常工作允许范围之内。另外应用端建议：在主照灯LED之间串一个限流电阻，来给应急灯LED负载供电。具体
明电路使用共地架构时建议输出端不加假负载电阻，防止影响电流ILED近似根据下面公式计算：
交流检测。
交流输入 EN 输出备注
AC 有高阻其中 VBAT 为电池电压，VLED 为应急灯珠压降，ILED 为预设

AC 开路高阻应急驱动电路；例如预设应急灯电流 ILED=500mA，假设电池
AC 短接高电平（电池电压） VL 与 VN 之间的阻抗小于 500K 电压 VBAT=3.8V,应急灯灯珠压降 VLED=3.3V，按照公式计算：
EN 输出的逻辑表

SOP8 封装外观图
Winsemi
Dimensions in Millimeters Dimensions in Inches
Symbol
Min Max Min Max
A 4.70 5.10 0.185 0.201
B 3.70 4.10 0.146 0.161
C 1.30 1.50 0.051 0.059
A1 0.35 0.48 0.014 0.019
A2 1.27TYP 0.05TYP
A3 0.345TYP 0.014TYP
B1 5.80 6.20 0.228 0.244
B2 5.00TYP 0.197TYP
C1 0.55 0.70 0.022 0.028
C2 0.55 0.70 0.022 0.028
C3 0.05 0.225 0.002 0.009
C4 0.203TYP 0.008TYP
D 1.05TYP 0.041TYP
D1 0.40 0.80 0.016 0.031

注意事项
1.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。
2.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。
3.本说明书如有版本变更不另外告知。
4.Winsemi对应用帮助或客户产品设计不承担任何义务，提供的设计方案及资料仅供参考。客户应对其使用我司的产品和应用自行
负责。为尽量减小与客户产品和应用相关的风险，客户应进行充分的设计验证、小批试产、批量试产及操作安全措施。
联系方式
深圳市稳先微电子有限公司
公司地址：深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场二期东座1002
邮编： 518040
总机：+86-755-8250 6288
传真：+86-755-8250 6299
网址：www.winsemi.com

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 兼容 ROHS 和无铅标准 WS5921S EN 端支持高达 1A 驱动能力。可以直接串联限

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应急开启检测阈值 VEN BTP=4V 0.75 0.9 1.05 V

过充电检测电压 VCU BTP=3.6V~4.4V 4.25 4.3 4.35 V

过充电释放电压 VCL -- 4.05 4.1 4.15 V

过放电检测电压 VDL BTP=3.6V~2V 2.7 2.8 2.9 V

过放电释放电压 VDR -- 2.9 3.0 3.1 V

充电器检测电压 VCHA -- 0.3 0.4 0.5 V

过充电电流检测 IIOCC BTP=3.6V 2.5 3.5 4.5 A

过放电电流检测 1 IIOV1 BTP=3.6V 2.5 3.5 4.5 A

过放电电流检测 2 IIOV2 BTP=3.6V 5.5 7 8.5 A

负载短路检测电流 IIOCC BTP=3.6V - 15 - A

过充电流检测延时时间 TOCC BTP=3.6V 5.6 8 10.4 ms

过充电检测迟延时间 TCU BTP=3.6V~4.4V 125 150 185 ms

过放电检测迟延时间 TDL BTP =3.6V~2.0V 30 40 50 ms

过电流 1 检测迟延时间 TIOV1 BTP 1=3.6V 5.6 8 10.4 ms

过电流 2 检测迟延时间 TIOV2 BTP =3.6V 0.7 1 1.3 ms

负载短路电流检测延迟时间 TSHORT BTP 1=3.6V - 100 300 us

开关管等效导通阻抗 RDS BTP =3.6V，IGND=1A 70 100 mΩ

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VN 之间阻抗小于 500kΩ 时，EN 输出高电平。 WS5921S 的EN脚和BTN脚分别内置一个等效200毫欧和

注：以上逻辑正常工作的必要前提条件是 BTP 与GND 66毫欧的开关。当EN输出高电平的时候，可以在EN脚和应急

AC 有 高阻 其中 VBAT 为电池电压，VLED 为应急灯珠压降，ILED 为预设

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AC 有高阻其中 VBAT 为电池电压，VLED 为应急灯珠压降，ILED 为预设