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- Tunelová (Esakiho) dioda je dioda využívající tunelový jev v propustném směru PN přechodu, který je vyvolaný stavem degenerace zvyšováním koncentrací, při kterém přecházejí až do valenčního, respektive . Tunelové diody se vyrábějí nejčastěji z galliumarsenidu (GaAs), u kterého dosahuje poměr proudu v maximu a minimu nejvyšších hodnot (20 až 65; u křemíku jen 3, u germania 5 až 15). Protože tunelový jev je vlastně kvantově mechanický jev související s relacemi neurčitosti, při kterém se v propustném směru uplatňují jen majoritní nositelé, kteří tunelují přes zakázaný pás rychlostí blízkou rychlosti světla ve vakuu, je tunelová dioda extrémně rychlým použitelným do frekvencí v řádu několika desítek GHz. Malá závislost na vnitřní ionizaci je příčinou malé citlivosti na ionizující záření i na teplotní změny. Proto se počítalo s využitím tunelových diod v kosmickém výzkumu, oscilátorech, zesilovačích pro vysoké frekvence, čítačích atd. Ovšem s rozvojem bipolárních a unipolárních tranzistorů se tunelové diody přestaly sériově vyrábět pro jejich značné nedostatky – potřeba zdroje napětí s velikostí několika desetin voltu a malým vnitřním odporem, malá stabilita v oblasti záporného diferenciálního odporu, malá odolnost proti opačné polaritě napětí. (cs)
- ثنائي المساري النفقي (بالإنجليزية: Tunnel Diode) ويعرف أيضا باسم صمام إيزاكي وهو نوع من الصمامات الثنائية تكون له مقاومة ظاهرية سالبة ، وذلك بسبب ظاهرة في ميكانيكا الكم تسمى بالنّفْق الكمومي. اخترعه ليو إيساكي في عام 1957 الحاصل على جائزة نوبل في الفيزياء. أهم مميزات هذا الصمام هو أنه يتصرف كمقاومة سالبة في نطاق معين ولهذه الخاصية عدة تطبيقات في دوائر المذبذبات. (ar)
- El díode túnel és un díode semiconductor que té una unió PN, en la qual es produeix l'efecte túnel que dona origen a una conductància diferencial negativa en un cert interval de la característica corrent - tensió. Per la presència del tram de resistència negativa es pot utilitzar com a component actiu (amplificador o oscil·lador). També es coneixen com a díodes Esaki, en honor de l'home que va descobrir que una forta contaminació amb impureses podia causar un efecte de tunelització dels portadors de càrrega al llarg de la zona d'esgotament de la unió. Una característica important del díode túnel és la seva resistència negativa en un determinat interval de voltatges de polarització directa. Quan la resistència és negativa, el corrent disminueix en augmentar el voltatge. En conseqüència, el díode túnel pot funcionar com a amplificador, com oscil·lador o com biestable. Essencialment, aquest díode és un dispositiu de baixa potència per a aplicacions que impliquen microones i que estan relativament lliures dels efectes de la radiació. (ca)
- Die Tunneldiode, 1957 entdeckt vom japanischen Wissenschaftler Leo Esaki (deshalb auch Esaki-Diode genannt), ist ein Hochfrequenz-Halbleiterbauelement, das in bestimmten Spannungsbereichen einen negativ differentiellen Widerstand darstellt. Das heißt, in diesem Bereich führt eine ansteigende Spannung zu einer absinkenden Stromstärke, anstatt – wie in allen gewöhnlichen Materialien – zu einer ansteigenden Stromstärke. Zum Beispiel kann damit ein angeschlossener Schwingkreis entdämpft werden (Oszillator). Sie gehört daher zu den aktiven dynamischen Bauelementen. (de)
- El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador). También se conocen como diodos Esaki, en honor del físico japonés Leo Esaki quien descubrió que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de deplexión en la unión. Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación. (es)
- Comhchumar leathsheoltóra ina mbíonn na leathsheoltóirí dópáilte go tiubh ionas go mbíonn an crios comhchumarach an-tanaí ar fad. Tarlaíonn an cliseadh ag voltas beag cúl-laofachta, agus níl aon raon ina bhfuil an fhriotaíocht cúl-laofachta an-ard. Bíonn friotaíocht dhiúltach aici thar chuid dá raon feidhmithe, agus úsáidtear í in aimplitheoirí is ascaltóirí ardmhinicíochta. Leo Esaki a cheap an dé-óid thollánach sa bhliain 1957 agus é ag obair le Tokyo Tsushin Kogyo (ar a dtugtar Sony anois). (ga)
- Une diode à effet tunnel, ou diode Esaky est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu’à 5 GHz). (fr)
- Diode terobosan atau sering disebut diode esaki adalah diode pertemuan P-N yang dibuat dengan menggunakan taraf pengotoran sangat tinggi. Hasilnya adalah suatu daerah hampa ultra tipis dan suatu efek yang disebut terobosan. Dalam daerah maju, arus meningkat sangat cepat untuk tegangan panjar yang harganya masih rendah. Setelah arus mencapai titik puncak, penambahan tegangan maju justru menurunkan arus hingga titik lembah sebelum akhirnya naik lagi. Jatuhnya arus terobosan ke arah maju menunjukkan adanya suatu karakteristik yang memungkinkan diode terobosan digunakan untuk sakelar cepat dan osilator frekuensi tinggi. (in)
- A tunnel diode or Esaki diode is a type of semiconductor diode that has effectively "negative resistance" due to the quantum mechanical effect called tunneling. It was invented in August 1957 by Leo Esaki, Yuriko Kurose, and Takashi Suzuki when they were working at Tokyo Tsushin Kogyo, now known as Sony. In 1973, Esaki received the Nobel Prize in Physics, jointly with Brian Josephson, for discovering the electron tunneling effect used in these diodes. Robert Noyce independently devised the idea of a tunnel diode while working for William Shockley, but was discouraged from pursuing it. Tunnel diodes were first manufactured by Sony in 1957, followed by General Electric and other companies from about 1960, and are still made in low volume today. Tunnel diodes have a heavily doped positive-to-negative (P-N) junction that is about 10 nm (100 Å) wide. The heavy doping results in a broken band gap, where conduction band electron states on the N-side are more or less aligned with valence band hole states on the P-side. They are usually made from germanium, but can also be made from gallium arsenide and silicon materials. (en)
- De tunneldiode of Esaki-diode is een diode met een speciale karakteristiek die bekendstaat als negatieve weerstand. De diode ontleent zijn naam aan Leo Esaki, en wordt onder andere gebruikt in oscillatoren, LC-kringen en hoogfrequente toepassingen met microgolven. (nl)
- 터널 다이오드(영어: Tunnel diode)는 반도체 다이오드의 일종이다. 에사키 다이오드(Esaki diode)로도 불린다. 1957년 8월 일본의 물리학자인 에사키 레오나에 의해서 발명됐다. 에사키는 터널 효과와 관련하여 1973년 노벨 물리학상을 수상한다. 이 다이오드도 PN 접합을 이용하고 있는데, N형 반도체와 P형 반도체 두 영역의 첨가 불순물의 농도를 1019/cm3 정도 이상으로 높여 주면 두 영역 사이에서 터널효과, 즉 전류반송파의 양자역학적인 관통현상효과가 생겨 p-n 접합을 통한 전류반송파의 이동이 발생되며, 부성저항(전압은 증가하는 데 전류는 감소되는 특성)을 나타낸다. 순방향 전압을 늘려 가면 전류가 일단 늘어나서 마루를 이루었다가 줄어들어 골이 되고, 다시 늘어나 보통의 다이오드 특성에 가까워진다. 이 전류의 마루가 형성되는 까닭은 불순물이 많이 들어 있어서 접합부의 장벽이 얇아지고 양자역학적인 터널 효과에 의해 전류가 흐르기 때문이다. 이렇게 터널 효과를 이용하기 때문에 이 다이오드를 터널 다이오드라고 한다. 마루와 골 사이의 전압-전류는 부성저항형이며, 고주파 특성이 양호하므로 마이크로파의 발진, 증폭, 고속 스위칭(논리회로)에 이용된다. 반도체 재료로서는 저마늄, 갈륨비소, 규소가 주로 쓰이며, 고주파 영역에서 사용할 것을 고려하여 직렬 인덕턴스가 작은 용기에 넣어져 봉해 있다. (ko)
- トンネルダイオード（tunnel diode）または江崎ダイオード（Esaki diode）は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。 (ja)
- Dioda tunelowa – dioda półprzewodnikowa charakteryzująca się niewielką grubością złącza "p-n", bardzo wysokim stężeniem domieszek w obu złączach (półprzewodniki domieszkowane "p" i "n") oraz ujemną wartością rezystancji dynamicznej dla pewnego zakresu napięcia dodatnio polaryzującego. Została ona wynaleziona w 1957 roku przez japońskiego fizyka Leo Esaki (stąd też alternatywną nazwą diody tunelowej jest określenie "dioda Esakiego"). W trakcie przeprowadzania badań nad złączami półprzewodnikowymi p-n zauważył, że gdy dioda jest silnie domieszkowana, to po przekroczeniu pewnej wartości napięcia przewodzenia, w pewnym przedziale napięć wykazuje ujemną wartość rezystancji dynamicznej. W 1973 roku Leo Esaki został laureatem Nagrody Nobla z fizyki za odkrycie zjawiska tunelowania elektronów w diodzie tunelowej. Zjawisko to polega na przenikaniu nośników prądu przez wąską warstwę przy bardzo małym napięciu. Typowa dioda tunelowa jest wykonana z krzemu (Si), antymonku galu (GaSb) czy arsenku galu (GaAs). Można, chociaż coraz rzadziej, spotkać jeszcze diody germanowe (Ge). (pl)
- O diodo túnel ou díodo Esaki é um tipo de diodo semicondutor extremamente rápido, que opera na casa dos GHz, através da utilização dos efeitos da mecânica quântica. Recebeu o nome do físico Leo Esaki, que em 1973 recebeu o Prêmio Nobel em Física pela descoberta do efeito túnel utilizado neste tipo de diodo semicondutor. Ele funciona somente na área de resistência negativa, ou seja diminui a tensão e aumenta a corrente, somente quando tem-se uma tensão muito próxima de zero (chamada de avalanche, do diodo zener), ou seja, ele só funciona como diodo túnel quando polarizado diretamente e sob tensões bem baixas, para tensões fora dessa região ele funciona como um diodo comum. Resumidamente, o diodo túnel só atua com propriedades especificas em baixas tensões. (pt)
- Тунне́льный дио́д или диод Эсаки (изобретён Лео Эсаки в 1957 году) — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, на вольт-амперной характеристике которого при приложении напряжения в прямом направлении имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный туннельным эффектом. (ru)
- En tunneldiod eller Esaki-diod är en typ av halvledare som är kapabel till att användas högt upp i frekvens, väl inom mikrovågsfrekvensområdet, genom att använda sig av kvantmekaniska effekter. Den uppfanns i augusti 1957 av Leo Esaki när han jobbade för Tokyo Tsushin Kogyo, numera Sony. Esaki fick 1973 fick nobelpriset i fysik för att ha upptäckt tunneleffekten som används i dessa dioder. Dessa dioder har en kraftigt dopad PN-övergång som bara är typiskt 10 nm eller 100 Å bred. Den hårda dopningen resulterar i ett brutet bandgap där ledningsbandselektroner på n-sidan är mer eller mindre i nivå med valensbandet på p-sidan. Tunneldioder används bland annat för att upprätthålla oscillationer i och med sin negativa resistans. (sv)
- Тунельний діод — напівпровідниковий активний елемент електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, на якій існує ділянка з від'ємною диференційною провідністю. (uk)
- 隧道二極體（英語：Tunnel Diode），又稱江崎二極體、穿隧效應二極體、穿隧二極體、透納二極體，是一種可以高速切換的二極體，其切換速度可到達微波頻率的範圍，其原理是利用量子穿隧效應。 隧道二極體是日本物理學家江崎玲於奈在1958年8月時發明的，當時他任職於東京通訊工業株式會社（現在的索尼）。1973年時江崎玲於奈和布赖恩·约瑟夫森因為發現上述半導體中的量子穿隧效應而獲得諾貝爾物理獎。羅伯特·諾伊斯在為威廉·肖克利工作時也有有關隧道二極體的想法，但沒有繼續進行研究。 此種二極體是由高摻雜的PN接面所形成（空乏區通常只有10奈米寬），常用的材料包括鍺、砷化鎵等窄能隙的材料，由於高摻雜會產生晶格的破壞，使得能隙間的缺陷變多，加上窄能隙材料縮小量子穿隧的障礙，所以能夠增加量子穿隧的電流。隧道二極體常用於和偵測器上，由於隧道二極體的負微分電阻的特性，其也可應用於振盪器、放大器以及的遲滯。 (zh)
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- ثنائي المساري النفقي (بالإنجليزية: Tunnel Diode) ويعرف أيضا باسم صمام إيزاكي وهو نوع من الصمامات الثنائية تكون له مقاومة ظاهرية سالبة ، وذلك بسبب ظاهرة في ميكانيكا الكم تسمى بالنّفْق الكمومي. اخترعه ليو إيساكي في عام 1957 الحاصل على جائزة نوبل في الفيزياء. أهم مميزات هذا الصمام هو أنه يتصرف كمقاومة سالبة في نطاق معين ولهذه الخاصية عدة تطبيقات في دوائر المذبذبات. (ar)
- Die Tunneldiode, 1957 entdeckt vom japanischen Wissenschaftler Leo Esaki (deshalb auch Esaki-Diode genannt), ist ein Hochfrequenz-Halbleiterbauelement, das in bestimmten Spannungsbereichen einen negativ differentiellen Widerstand darstellt. Das heißt, in diesem Bereich führt eine ansteigende Spannung zu einer absinkenden Stromstärke, anstatt – wie in allen gewöhnlichen Materialien – zu einer ansteigenden Stromstärke. Zum Beispiel kann damit ein angeschlossener Schwingkreis entdämpft werden (Oszillator). Sie gehört daher zu den aktiven dynamischen Bauelementen. (de)
- Comhchumar leathsheoltóra ina mbíonn na leathsheoltóirí dópáilte go tiubh ionas go mbíonn an crios comhchumarach an-tanaí ar fad. Tarlaíonn an cliseadh ag voltas beag cúl-laofachta, agus níl aon raon ina bhfuil an fhriotaíocht cúl-laofachta an-ard. Bíonn friotaíocht dhiúltach aici thar chuid dá raon feidhmithe, agus úsáidtear í in aimplitheoirí is ascaltóirí ardmhinicíochta. Leo Esaki a cheap an dé-óid thollánach sa bhliain 1957 agus é ag obair le Tokyo Tsushin Kogyo (ar a dtugtar Sony anois). (ga)
- Une diode à effet tunnel, ou diode Esaky est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu’à 5 GHz). (fr)
- Diode terobosan atau sering disebut diode esaki adalah diode pertemuan P-N yang dibuat dengan menggunakan taraf pengotoran sangat tinggi. Hasilnya adalah suatu daerah hampa ultra tipis dan suatu efek yang disebut terobosan. Dalam daerah maju, arus meningkat sangat cepat untuk tegangan panjar yang harganya masih rendah. Setelah arus mencapai titik puncak, penambahan tegangan maju justru menurunkan arus hingga titik lembah sebelum akhirnya naik lagi. Jatuhnya arus terobosan ke arah maju menunjukkan adanya suatu karakteristik yang memungkinkan diode terobosan digunakan untuk sakelar cepat dan osilator frekuensi tinggi. (in)
- De tunneldiode of Esaki-diode is een diode met een speciale karakteristiek die bekendstaat als negatieve weerstand. De diode ontleent zijn naam aan Leo Esaki, en wordt onder andere gebruikt in oscillatoren, LC-kringen en hoogfrequente toepassingen met microgolven. (nl)
- トンネルダイオード（tunnel diode）または江崎ダイオード（Esaki diode）は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。 (ja)
- Тунне́льный дио́д или диод Эсаки (изобретён Лео Эсаки в 1957 году) — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, на вольт-амперной характеристике которого при приложении напряжения в прямом направлении имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный туннельным эффектом. (ru)
- Тунельний діод — напівпровідниковий активний елемент електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, на якій існує ділянка з від'ємною диференційною провідністю. (uk)
- 隧道二極體（英語：Tunnel Diode），又稱江崎二極體、穿隧效應二極體、穿隧二極體、透納二極體，是一種可以高速切換的二極體，其切換速度可到達微波頻率的範圍，其原理是利用量子穿隧效應。 隧道二極體是日本物理學家江崎玲於奈在1958年8月時發明的，當時他任職於東京通訊工業株式會社（現在的索尼）。1973年時江崎玲於奈和布赖恩·约瑟夫森因為發現上述半導體中的量子穿隧效應而獲得諾貝爾物理獎。羅伯特·諾伊斯在為威廉·肖克利工作時也有有關隧道二極體的想法，但沒有繼續進行研究。 此種二極體是由高摻雜的PN接面所形成（空乏區通常只有10奈米寬），常用的材料包括鍺、砷化鎵等窄能隙的材料，由於高摻雜會產生晶格的破壞，使得能隙間的缺陷變多，加上窄能隙材料縮小量子穿隧的障礙，所以能夠增加量子穿隧的電流。隧道二極體常用於和偵測器上，由於隧道二極體的負微分電阻的特性，其也可應用於振盪器、放大器以及的遲滯。 (zh)
- El díode túnel és un díode semiconductor que té una unió PN, en la qual es produeix l'efecte túnel que dona origen a una conductància diferencial negativa en un cert interval de la característica corrent - tensió. (ca)
- Tunelová (Esakiho) dioda je dioda využívající tunelový jev v propustném směru PN přechodu, který je vyvolaný stavem degenerace zvyšováním koncentrací, při kterém přecházejí až do valenčního, respektive . Tunelové diody se vyrábějí nejčastěji z galliumarsenidu (GaAs), u kterého dosahuje poměr proudu v maximu a minimu nejvyšších hodnot (20 až 65; u křemíku jen 3, u germania 5 až 15). (cs)
- El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador). (es)
- A tunnel diode or Esaki diode is a type of semiconductor diode that has effectively "negative resistance" due to the quantum mechanical effect called tunneling. It was invented in August 1957 by Leo Esaki, Yuriko Kurose, and Takashi Suzuki when they were working at Tokyo Tsushin Kogyo, now known as Sony. In 1973, Esaki received the Nobel Prize in Physics, jointly with Brian Josephson, for discovering the electron tunneling effect used in these diodes. Robert Noyce independently devised the idea of a tunnel diode while working for William Shockley, but was discouraged from pursuing it. Tunnel diodes were first manufactured by Sony in 1957, followed by General Electric and other companies from about 1960, and are still made in low volume today. (en)
- 터널 다이오드(영어: Tunnel diode)는 반도체 다이오드의 일종이다. 에사키 다이오드(Esaki diode)로도 불린다. 1957년 8월 일본의 물리학자인 에사키 레오나에 의해서 발명됐다. 에사키는 터널 효과와 관련하여 1973년 노벨 물리학상을 수상한다. 이 다이오드도 PN 접합을 이용하고 있는데, N형 반도체와 P형 반도체 두 영역의 첨가 불순물의 농도를 1019/cm3 정도 이상으로 높여 주면 두 영역 사이에서 터널효과, 즉 전류반송파의 양자역학적인 관통현상효과가 생겨 p-n 접합을 통한 전류반송파의 이동이 발생되며, 부성저항(전압은 증가하는 데 전류는 감소되는 특성)을 나타낸다. 순방향 전압을 늘려 가면 전류가 일단 늘어나서 마루를 이루었다가 줄어들어 골이 되고, 다시 늘어나 보통의 다이오드 특성에 가까워진다. 이 전류의 마루가 형성되는 까닭은 불순물이 많이 들어 있어서 접합부의 장벽이 얇아지고 양자역학적인 터널 효과에 의해 전류가 흐르기 때문이다. 이렇게 터널 효과를 이용하기 때문에 이 다이오드를 터널 다이오드라고 한다. (ko)
- Dioda tunelowa – dioda półprzewodnikowa charakteryzująca się niewielką grubością złącza "p-n", bardzo wysokim stężeniem domieszek w obu złączach (półprzewodniki domieszkowane "p" i "n") oraz ujemną wartością rezystancji dynamicznej dla pewnego zakresu napięcia dodatnio polaryzującego. Została ona wynaleziona w 1957 roku przez japońskiego fizyka Leo Esaki (stąd też alternatywną nazwą diody tunelowej jest określenie "dioda Esakiego"). W trakcie przeprowadzania badań nad złączami półprzewodnikowymi p-n zauważył, że gdy dioda jest silnie domieszkowana, to po przekroczeniu pewnej wartości napięcia przewodzenia, w pewnym przedziale napięć wykazuje ujemną wartość rezystancji dynamicznej. W 1973 roku Leo Esaki został laureatem Nagrody Nobla z fizyki za odkrycie zjawiska tunelowania elektronów w di (pl)
- O diodo túnel ou díodo Esaki é um tipo de diodo semicondutor extremamente rápido, que opera na casa dos GHz, através da utilização dos efeitos da mecânica quântica. Recebeu o nome do físico Leo Esaki, que em 1973 recebeu o Prêmio Nobel em Física pela descoberta do efeito túnel utilizado neste tipo de diodo semicondutor. Resumidamente, o diodo túnel só atua com propriedades especificas em baixas tensões. (pt)
- En tunneldiod eller Esaki-diod är en typ av halvledare som är kapabel till att användas högt upp i frekvens, väl inom mikrovågsfrekvensområdet, genom att använda sig av kvantmekaniska effekter. Den uppfanns i augusti 1957 av Leo Esaki när han jobbade för Tokyo Tsushin Kogyo, numera Sony. Esaki fick 1973 fick nobelpriset i fysik för att ha upptäckt tunneleffekten som används i dessa dioder. Tunneldioder används bland annat för att upprätthålla oscillationer i och med sin negativa resistans. (sv)
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