Electrónica para Ingenieros Bjt-14.0

Contenido
1
CAPTULO 1
ZONAS Y PUNTOS DE OPERACIN
PROBLEMAS RESUELTOS
Ejercicio 1
Ejercicio 2
Ejercicio 3
Ejercicio 4
Ejercicio 5
12
Ejercicio 6
14
Ejercicio 7
19
Ejercicio 8
23
Ejercicio 9
27
PROBLEMAS PROPUESTOS
31
Problema 1
31
Problema 2
32
Problema 3
33
Problema 4
34
Problema 5
35
Problema 6
36
Problema 7
37
Problema 8
38
Problema 9
39
Problema 10
40
Problema 11
41
Problema 12
42
Problema 13
43
Problema 14
44
Problema 15
45
CAPTULO 2
46
REGULADORES DE VOLTAJE
46
Ejercicio 1
46
Ejercicio 2
47
Ejercicio 3
49
Ejercicio 4
52
Ejercicio 5
56
59
Problema 1
59
Problema 2
60
CAPTULO 3
61
AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL
61
Ejercicio 1
61
Ejercicio 2
66
Ejercicio 3
68
Ejercicio 4
70
Ejercicio 5
73
Ejercicio 6
76
Ejercicio 7
79
Ejercicio 8
81
83
Ejercicio 1
83
Ejercicio 2
84
Ejercicio 3
85
Ejercicio 4
86
Ejercicio 5
87
Ejercicio 6
88
Ejercicio 7
89
Ejercicio 8
90
CAPTULO 1
ZONAS Y PUNTOS DE OPERACIN
PROBLEMAS RESUELTOS
Ejercicio 1
En el siguiente circuito, determinar la potencia disipada por el transistor
cuando:
a) V=0
b) V=5 [V]
Datos:
V BE =0.7 [ V ] , =100, V CE ( sat )=0 [ V ]
R1=100 K , R2 =1 K ,V CC=10 [ V ]
Solucin:
a)
V =0 :
El transistor trabaja en la zona de corte y por lo tanto:
I B=I C =I E =0
PQ=V CE I C =(5.7)(0)=0
b)
V =5 [V ]
I B=
50.7
=0.043 mA
100
I C = I B =100 ( 0.043mA )=4.3 mA

V CE =104.3 ( 1 )=5.7[V ]
PQ=V CE I C =(5.7)( 4.3)=24.5[ mW ]
Ejercicio 2
Calcular el valor de
I LED
en el circuito de la figura1.
Considere = 100
V1
12 V
R2
200
R1
680
Q1
2N1132A
LED1
R3
620
Solucin:
Se asume
I B 0
porque:
R2 ( +1 ) R3
200 ( +1 ) 620
200 ( 100+1 ) 620
20200 620
Por divisor de voltaje se tiene:
o
V R 3=12
620
=5.72 [V ]
620+680
Siguiendo la malla formada por 12[V], R2 y R3 se tiene:
12200 I E 1V EBV R 3=0

5.6=200 I E 1
1
http://www.slideshare.net/aicvigo1973/polarizacin-y-estabilizacin-deltransistor-bipolar
I 1 E=I LED=27.88 mA
Ejercicio 3
En el siguiente circuito, determine el mnimo valor de para que el transistor
Q1 se sature.
Datos:
V BE =0.7 [ V ] ; V CE(sat) =0.2 [ V ]
R1=200 K , R2 =100 K ,
Solucin:
Siguiendo la malla del circuito de salida, desde
V CC =
IC
RC +V CE
En el lmite de las regiones activa-saturacin:
V CC
hasta tierra:
IC
I Cmx =
V CE =
min I Bmx
V CE(sat )
Lo que significa que por el circuito circula la mxima corriente de colector y

que para que el an sea vlido, I B=I Bmx .
Reemplazando:
V CC =
min I Bmx R C +V CE(sat)
En el circuito de entrada:
I B=I Bmx =
V BBV EB
RB
Y por lo tanto:
V CC = min
Despejando
V BBV EB
RC +V CE(sat)
RB
min :
min =
min=142
R B V CCV
R C V BBV EB
CE ( sat)
Ejercicio 4
En el siguiente circuito, determinar los puntos de operacin de los
transistores Q1 y Q2.
Datos: 1 = 2 = 100
C1, C2, C3 ideales
Rin=36k, R1= 60 k, R2= 90 k, R3= 8 k, R4= 0.5 k
R5= 17.5 k, R6= 2 k, R7= 3.5 k
Solucin:
Redibujando el circuito, teniendo en cuenta que los capacitores se abren en el
anlisis DC y sumando las fuentes de 18V y 12V, se tiene el siguiente
circuito:
En la Figura se puede observar que:
I B 1 0, porque :
I B 2 0, porque :
( R4 + R 5 )( 1 +1 ) R 2
R6 ( 2+1 ) R3
( 0.5 k +17.5 k ) ( 100+1 ) 90 k
2 k (100+ 1 ) 8 k
1818 k 90 k
202 k 8 k
Lo que cumple con la caracterstica de la configuracin tipo H.

Encontrando
V 1 , I E 1 , IC 1 :
V B 1=30
I E 1=
o
R2
90
=30
=18 [V ]
R 1+ R 2
60+ 90
) (
V B 1 V BE 180.7
=
=0.96 mA
R 4 + R5
0.5+17.5
( + 1 ) I
Ic 1=
E1
=0.95[mA ]
Siguiendo la malla que va desde 30V hasta GND y aplicando LVK:
30( 8 ) Ic 1V CE 1( 18 ) I E 1=0
308 ( 0.95 )V CE 18 k ( 0.96 ) =0
o
V CE1 = 5.01 V
Analizando
PQ 1=(0 . 95 mA ,5 . 01V )
Q2 :
V C 1=308 ( 0.95 )=22.4 V

V E 2=22.4+ 0.7=23.1 V
3023.1
I E 2=
=3.45mA
2
o
I C 2=
I =3.41mA
+1 E 2
V CE2 = 302 I E 2 3.5 I c 2
o
V CE2 = 10.94 V
PQ 2=(3.41mA ; 10.94 V )
Ejercicio 5
En el siguiente circuito, para cada transistor, determine su punto de
operacin y la zona en que se encuentran operando.
Datos:
Q 1 , Q 2 :V BE=0.7 [ V ] , =100,V CE ( sat )=0 [ V ]
R1=200 K , R2 =100 K , R3=9 K , R 4=3 K , R 5=0.8 K , R 6=0.1 K,

V CC =20 [ V ] , V Z =3.3 [ V ]
Solucin:
Aplicando Thevenin
V Th=
V cc R 2
R 2R1
RTh =R 1 R2
V Th=
20100
=6.67 V
100+200
6.670.7
=0.0161 mA
66.67 +303
V V BE
I B 1 = th
Rth + R =
I E 1=( +1 ) I B=1.626 mA
I c1= I B=100I B=1.61 mA
I R 3=I c 1I B 2=1.47 mA
R3 I R 3=R5 I E 2 +0.7
R3 ( I C 1I B 2 ) =R5 ( +1 ) I B 2 +0.7
I B 2=0.159 mA
Aplicando Kirchhoff:
V CC R 3 I C 1V CE 1R4 I E 1=0
V CE1 =V CCR 3 I R 3 R 4 I E 1=1.9 V
PQ 1=( 1.61 mA ; 1.9V )
I C 2= 2 I 2=15.9 mA
I E 2=( 2 +1 ) I 2=16.059mA
20R 5 I E 2 V CE2R 6 I C 2V Z =0
V CE2 =13.50V
PQ 2=( 15.9 mA ; 13.50 V )
Ejercicio 6
En el siguiente circuito, considerando las seales
V1 y V2
determine:
Las zonas de operacin de los transistores.

Los puntos de operacin de los transistores.
Los valores de V A , V B , V C .
Nota: El transistor Q4 es NPN

20V
R3
Q1
VC
VA
R1
Q3
R2
Q2
VB
R5
R6
R4
V1
Q4
V2
R1=33 K , R2 =930 K, R3=10 K , R 4=1 K , R5 =100 , R6 =33 K ,

V CC =20 [ V ] .
Paratodos los transistores =100 ,|V BE|=0.7[V ] , V sat =0[V ]
Datos:
Solucin:
Realizando el anlisis DC del circuito, se tiene el siguiente grfico:
Independientemente del intervalo de tiempo, el transistor Q 1 -qu est

configurado como diodo-, est en la zona de corte, porque la fuente de 20
[V] lo polariza inversamente. La corriente I B 1=0 y por lo tanto:
I C 1= 1 I B 1=0
Para
t=[ 0,1 ] seg .
El transistor Q 4 esta en la zona de corte porque si

que I B 4 =0 y por lo tanto:
I C 4= 4 I B 4 =0
Para el transistor
Q2 :
V 1R1 I B 2V BE 2 =0
I B 2=
V 1V BE 2 50.7
=
=0.13[mA ]
R1
33
I C 2= 2 I B 2=100 ( 0.13 )=13 [mA ]
V 2=0 , significa
Como el transistor
Q1 est en la zona de corte:
I B 3=I C 2=13[mA ]
V EC 2=2010 I E 30.7930 I C 2
V EC 2=25 [KV ]
Al ser el V EC 2 negativo, se concluye que el transistor
saturado y por lo tanto:
Q2
est
V EC 2=0
V EC 1=20 [V ]
V A =0
Analizndo desde otro punto de vista, el voltaje en la resistencia de
R2=930 [ K ] es:
V R 2=13 ( 930 )=12,090 [V ]

Valor que no es posible, puesto que la fuente V CC =20[V ]
y a menos
que el circuito sea un multiplicador de voltaje, las cadas de tensin en los
elementos del circuito son menores a 20V.
Debido a que no pueden existir voltajes de 12,090 V en el circuito, se
concluye que el transistor Q2 est saturado y que por el mismo no circula
I C 2=13[mA ] , sino una corriente mucho menor, que se la
una corriente
determina considerando que V EC 2=0 .
El anlisis anterior permite observar que las corrientes I B no pueden ser
altas (son de A no de mA), a menos que se esten analizando circuitos
electrnicos de potencia.
Suponiendo que el transistor
Q3
esta en la zona activa:
V CC R 3 ( 3+ 1)I B 3V BE 3 R2 I B 3 =0
2010 ( 100+1 ) I B 30.7930 I B 3=0
19.3=1940 I B 3 I B 3=
19.3
=0.01 [ mA ] =I C 1
1940
I C 3 =3 I B 3=100 ( 0.01 )=1 [mA ]

I E 3=( 3+ 1) I B 3=101 ( 0.01 )=1.01[mA ]
Y finalmente:
V C =V CC R3 I E 3=2010 ( 1.01 )=9.9 [V ]

VB :
Para determinar
V B =R4 I C3 =1 ( 1 ) =1[V ]
Y a partir de V B se determina:
V CE3 =V C V B=9.91=8.9 [V ]
V CE 4=V B=1[V ]
Resumiendo, en el primer intervalo se tiene:
Q1 : abierto ; Q2 : saturacion ; Q3 : activo ;Q 4 : corte

PQ 1 ( 0,20 V ) ; P Q 2 ( 0.01 mA , 0 V ) ; PQ 3 ( 1 mA , 8.9V ) ; PQ 4 ( 0, 1V )
V A =0 [ V ] ; V B =1 [ V ] ; V C =9.9 [V ]
Para
t [1,2]seg
V 1=0 [ V ] V 2=0 [V ]
Q1 est en corte
V 1=0 V I B 2 =I C 2=I E 2=0 Q2 est en corte
V 2 =0 I B 4 =I C 4=I E 4=0 Q4 est en corte
Como
I C 2=I B 3=0 I C 3=I E 3=0 Q3 est en corte
En estas condiciones:
PQ 1 ( 0,0 ) ; PQ 2 ( 0, 0 ) ; PQ 3 ( 0, 20 V ) ; PQ 4 ( 0,0 )
V A =0 ; V B =0 ; V C =20 V
Para
t [ 2,3 ] seg :
V 1=0 [V ] V 2=5[V ]
Q1 est en corte
V 1=0 [V ] I B 2=I C2 =I E 2=0 Q2 est en corte
Como I C 2=I B 3=0 I C 3=I E 3=0 Q 3 est en corte
Como I C 3 =I C 4 =0 Q 4 est en corte
As:
PQ 1 ( 0,0 ) ; PQ 2 ( 0, 0 ) ; PQ 3 ( 0, 20 V ) ; PQ 4 ( 0,0 )
V A =0 ; V B =0 ; V C =20 V
Ejercicio 72
En el siguiente circuito, determinar los puntos de operacin
Datos:
Q1 y Q2 .
paraQ 1 y Q2 V saturacin =0.3 [ V ] , =100
R1=40 [ K ] , R2=0.5 [ K ] , R 3=1 [ K ] , R4 =2 [ K ] , R5=2[K ]
Solucin:
Definiendo las corrientes en el circuito se tiene el siguiente grfico:
2
Ejercicio tomado del libro: Electrnica I Teora y solucionario de problemas.
Figura 6.2
Siguiendo la malla formada por
R3 ( I E 1 + I B 2 ) +0.7+ R1 I B 1=15
1 ( 101 I B 1 + I B 2 ) +40 I B 1=14.3
I B 2+ 141 I B 1=14.3
R3 ,Q1 , R 1 y 15[V ]
(1)
Puesto que se necesita otra ecuacin en funcin de

tomar la malla formada por
se tiene:
R3 ,Q2 , R5 y 5[V ]
R3 ( I E 1 + I B 2 ) +0.7+ R5 ( +1) I B 2=5
1 ( 101 I B 1 + I B 2 ) +2(101) I B 2=4.3
101 I B 1 +20 I B 2=4.3
I B1 e
se tiene:
(2)
Resolviendo el sistema de ecuaciones (1) y (2) se tiene:
Ya que
I B 1 = 101.63 A
I B 2 = -29.83 A
I B 2 <0 , el transistor
I B 2 se puede
Q2 est en zona de corte.
El punto de operacin de
Q2
V CE =V 1V 2
V CE =5(5 ) =10[V ]
I B 2=I E 2 =I C 2=0
PQ 2=(0 A ,10 V )
Al retirar
Q2 del circuito se tiene:
R3 I E 1+ 0.7+ R1 I B 1=15
1(101 I B 1 )+40 I B 1=14.3

141 I B 1 =14.3
o
o
o
Calculando
ser:
I B 1=101.41 A
I C 1=10.14 mA
I E 1=10.24 mA
V EC :
V EC =151.5 I C1
o
V EC =0.32[V ]
Puesto que
tanto:
V EC <0,
el transistor
Q1 est en zona de saturacin y por lo
V EC =151.5 I C1
0.3=151.5 I C 1
o
I c1=9.8 mA
Siendo su punto de operacin:

o
PQ 1=(9.8 mA , 0.3V )
Ejercicio 8
En el siguiente circuito, encuentre los puntos de operacin de
( I C , V CE ) .
Datos:
1= 3=50 , 2 =40,|V BE 1|=|V BE 2|=|V BE 3|=0.7 [V ]
Solucin:
Puntos de operacin
Q1 , Q2 ,Q3
Se realiza el anlisis DC
Para el transistor
Q1 :
10 I B 10.74.7 I E 1 +10=0
10 I B 10.74.7( 1 +1) I B 1 +10=0
10 I B 10.7( 4.7 ) (51) I B 1 +10=0
249.7 I B 1=9.3 I B 1=
9.3
=0.037[mA ]
249.7
I C 1= 1 I B 1=50 ( 0.037 )=1.9[mA ]

V CE1 =204.7 ( 1.90 )=11.1 [V ]
Q1 es:
PQ 1 : (1.9 mA ,11.1 V )
Para el transistor
I B 2=
Q 2 , realizando el anlisis de una forma directa:
100.7
=0.046 [mA ]
10+4.7 (40+1)
I C 2= 2 I B 2=40 ( 0.046 )=1.8[mA ]

V CE2 =20( 2.2+ 4.7 ) 1.8=7.1[V ]
Q 2 es:
PQ 2 : (1.84 mA , 7.1V )
Para el transistor
V Th=10
RTh =
Q3 :
39
( 15+1539 )10 ( 39+15
)=4.4 [V ]
39(15)
=10.8[ K]
39+15
Puesto que:
I E3
( 3 +1)
RTh + 1.5 3 +1
V ThV BE +10
I B 3=
=0.03[mA ]
I B 3=
I C 3 3 I B 3=3 [mA ]
V CE3 =101.5 I E 3 0.5 I C 3 +10=14.0 [V ]
PQ 3 : (3.0 mA , 14.0V )
Q3
es:
Ejercicio 9
En el siguiente circuito, determine:
El Valor de V 0
Los puntos de operacion de los transistores
El estado de los diodos
Si:
a V i=0 [V ]
b V i=3 [V ]
c V i =3 [V ]
d V i=10[V ]
Datos:
R1=0.1 K , R2 =5 K , R3=5 K , R 4=5 K , R5 =5 K, R6=0.1 K ,V CC=10 [ V ] . ,

Paralos transistores =100 ,|V BE|=0.7 [ V ] , V sat =0 [ V ] ; paralos diodos V D =0.7 [V ]
Nota: Los valores de las resistencias se encuentran en K.
VI
D1
D2
Q1
Q2
D3
R6
D4
R1
Rth1
-10V
V0
Rth2
R7
Vth1
+10v
Vth2
Observando las configuraciones de Q 1 y Q 2 , se aprecia que no cumplen con

las caracteristicas de una configuracion tipo H, puesto que:
Q1 : R1 ( 1+ 1 )=0.1 ( 100+1 )=10.1 [ K ] no es muchomayor que R2=5 [K]

Q2 : R6 ( 2 +1 )=0.1 ( 100+1 ) =10.1 [ K ] no es mucho mayor que R5 =5[ K]
Por lo que habra que resolver el problema por Thevenin:
R3
V CC
R3
5
5
+
=10
+5
=7.5 [V ]
R 2+ R 3
2 R2 + R3
5+5
5+5
R4
V
R5
5
5
V Th2=V CC
CC
=10
5
=7.5 [V ]
R 4 + R5
2 R4 + R 5
5+5
5+5
V Th1=V CC
) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
RTh1=R 2 R 3=2.5[ K]
RTh2=R 4 R5=2.5[ K]
Asumiendo que
I E 1=
Q1 Q 2 estn en zona activa:
V CC V EB 1V Th1
R
R 1+ Th1
1+1
2.5
100+ 1
100.77.5
I E 1=
=14.4 [mA ]
0.1+
I E 2=
V Th1V BE 1+ V CC
RTh2
R6 +
2+1
2.5
100+1
7.50.7+ 10
I E 2=
=14.4[mA ]
0.1+
Despues de realizar los analisis de las configuraciones de

tiempo de comprender que sucede cuando se aplica la seal de
Q1 y Q2 , es
Vi .
a V i=0 [V ]
V i=0 , ambos transistores conducen, los cuatro diodos tambien lo
Si
hacen y por cualquier camino que se tome:
V 0=V i V D +V D
V 0=V i =0
V EC 1=V CC V i V D R1 I E 1=10V i0.70.1 (14.4 )
V EC 1=V CE 2=7.9V i=7.9 [ V ]
V CE2 =V iV CC V D R6 I E 2=V i+100.70.1 (14.4 )
V CE2 =7.9+ V i=7.9 [ V ]
b V i=3 [V ]
V i=3 [ V ] , tanto los dos transistores como los cuatro diodos siguen
Si
conduciendo y:
V 0=V i =3[V ]
V EC 1=7.9V i=4.9 [ V ]
V CE2 =7.9+ V i=10.9 [ V ]

Q2
no est saturado porque entre sus extremos ( V i ,V CC ), hay 13
[V].
c V i =3 [V ]
V i=3 [ V ] , nuevamente, tanto los 2 transistores como los cuatro

Si
diodos conducen y:. ambos transistores siguen conduciendo:
V 0=V i =3 [V ]
V EC 1=7.9V i=10.9 [ V ]
V CE2 =7.9+ V i=4.9 [ V ]
d V i=10[V ]
V i=10 [ V ] , el diodo D 1 se abre, porque no puede polarizarse
Si
directamente ( V D 1< 0 ) y el transistor Q 1 conduce a travs de D 3 .
En lo que respecta a Q 2 , este transistor conduce a travs de D 2 y el
D4 se abre. Por lo tanto:
V 0=R7 I C 1=0.1 (14.4 )=1.4 [ V ]
V EC 1=V CC V D 3( R 1+ R 7 ) I C 1=100.7( 0.1+ 0.1 )( 14.4 )
V EC 1= 6.4 [V ]
V CE2 =7.9+ V i=17.9 [ V ]
Resumiendo:
Vi
V0
D1
D2
D3
D4
PQ 1
PQ 2
[V]
0
3
-3
10
[V]
0
3
-3
1.4
C
C
C
NC
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
NC
(mA, V)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
(mA, V)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
(14.4, 7.9)
C: conduce; NC: no conduce
Problema 1
Para el circuito mostrado a continuacin determinar el estado de los
transistores.
Rb 1=100 K , R b2 =50 K , Rc 1=5 k, Rc 2=2.7 K , R e2=2 K , Re 1=3 K

Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V , V CEsat . =0.2 V
Problema 2
Determinar el punto de operacin de cada uno de los transistores.
Datos:
|V BE|=0.7 V
=100 (para los dos transistores)
+12v
R6
R2
R4
Q2
+12v
R1
Q1
R7
15k
R5
R3
R1=10 K , R2 =0.1 K , R3=1 k, R4 =100 K , R5=100 K , R 6=R R7=0.5 K

Problema 3
Dado V1 Y V2, grafique las formas de onda de Vi y Vo. Considere diodos
ideales.
+15
D4
V1
R1
D1
D3
V2
R2
Q1
R3
C1
D2
R4
R5
R1=5 K , R2 =5 K , R3=15 K , R 4=20 K , R 5=5 K, R6=0.1 K

V z =5 V , =100
V 1=15 V ,V 2 =0, para 0 t<1( seg)
V 1=0 V , V 2=15 V , para 1 t <2(seg )
Problema 4
Graficar V o vs V x
Vo
Vi
R6
R1=5 , R 2=3.3 K , R3 =400 , R4 =50 , R5 =4.7 , R6=6 K ; R7=6 K

+36v
D1
C1
+15v
R3
L1
R4
R2
Q2
R5
R1
Q3
Q1
R7
Vx
R6
Vx=2V 0 V
Paratodos los transistores: =200 ,|V BE|=0.7 V , V CEsat . =0.2 V
V0
Problema 5
Graficar V o vs t .
+15v
R1
C1
L1
R3
R5
D1
R4
R7
V1
R2
Q2
Q1
R6
V0
R8
-15v
R1=5 K , R 2=2 K , R3=10 k , R4 =10 K , R5=6.8 K , R6=10 K ; R7=15 K

Problema 6
Encuentre el valor de RC para que:
a)
b)
V CE =10 V
Q2
est en el borde de saturacin.
Rc
V1
R1
Q1
V
R2
R1=20 K , R 2=0.3 K ,V =2V V 1=20 V

Problema 7
Graficar V o 1 vs t ;
V o 2 vs t ;V o 3 vs t
Q1
Vx1
V01
R4
V02
L1
D2
1BH62
R2
V03
D1
R1
Q2
Vx2
R3
R1=1 K , R2 =10 K , R3=2 k , R4 =1 K ,

Problema 8
Graficar V o 1 vs t .
+30v
R2
R1
R5
Q1
Q2
R6
+20v
Vx
R3
V01
R4
R1=430 K , R2=5 K , R 3=0.1 k , R 4=5 K , R 5=5 K , R 6=430

Problema 9
En el siguiente circuito, determinar:
a) La regin de operacin (corte, activa, saturacin) de los transistores
Q1, Q2.
b) El rango de
Rd
para que Q3 est en la regin activa.
Ra=1.7 K , Rb=0.4 K, Rc =6 k ,
Problema 10
Para el siguiente circuito. Determinar el estado de los transistores.
R6
15 V1
V
Vo
C4
R5
Q2
C3
R4
R1
15 V
Q1
C1
R2
C2
Vi
R3
R1=53 K , R2 =10 K , R3=2 k, R4 =39 K, R5=83 K , R6=5 K

Problema 11
Hallar los puntos de operacin, VO, V1.
+20v
R2
R5
Q1
R1
C1
Q2
R3
C2
V1
R4
Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V
Problema 12
Hallar los puntos de operacin y graficar VC1
V0
R6
+20v
R4
D2
R1
R2
Q2
C1
Q1
C2
D1
R5
R3
Paratodos los transistores: =100 ,|V BE|=0.7V
Problema 13
En el siguiente circuito dado:
a) Calcular el punto de operacin del transistor, si el
como se indica en las caractersticas.
Transistor de silicio
|V BE|=0.6 V
vara con
IC
+6v
R1
R5
Q3
Q1
R8
R2
R6
R3
R9
R10
Q2
R11
Q4
R4
R7
+6v
Problema 14
En el siguiente circuito, determinar los puntos de operacin de los
transistores.
Datos: Q1: |V BE|=0.6 V
=100
;
Q2 |V BE|=0.6 V , =130
+25v
R4
R2
C1
V0
Q2
Q1
R1
R7
Vi
R3
R6
R5
C2
C3
Problema 15
Determinar el punto de operacin de cada uno de los transistores
Datos: |VZ1|
= 6.7V
|V BE|=0.7 V
=100 (para todos los transistores)
15 V
R1
R2
Z1
R6
Q1
Q2
Q5
7V
Vi2
7V
R3
R4
R5
Vi1
Q3
R7
Q4
CAPTULO 2
REGULADORES DE VOLTAJE
Ejercicio 1
El siguiente diagrama corresponde a una fuente de voltaje lineal regulada con
una corriente de salida de 0 a 2 Amperios. Determinar:
a)
b)
c)
V 0 mx y V 0 mn
Pot Q 2 mx
Pot D 3 mx
Datos:
Paralos transistores =100,|V BE|=0.7 [ V ] . Paralos diodos V D =0.3 [ V ]
V Z =15 [ V ] ,V =20[V ]
D1
Vo
D4
V1
T1
120 Vrms
60 Hz
0
C1
Q2
R1
270
Q1
3.300F
D2
D3
R3
50k
Key=A
C2
470F
0%
Solucin:
a) El V 0 mx y V 0 mn se los obtiene observando el funcionamiento del zener y
los extremos del resistor variable:
V 0 mx =151.4=13.6 [V ]
V 0 mn =0[V ]
b) La potencia mxima de
Q 2 ( Pot Q 2 mx )
es:
Pot Q 2 mx =V CE2 I C 2 =( 2013.6 )( 2 )=12.8 [W ]

c) La potencia mxima del diodo zener
Pot D 3 mx=V D 3 I D3 =15
D3 (Pot D 3 mx )
=0.28[W ]
( 2015
0.27 )
es:
Ejercicio 2
a) V0
b) PQ2
c) VEC1
Datos:
Paratodos los transistores, =50 ,|V BE|=0.7 [ V ] .

V Z 1=6 [ V ] ,V Z 2=6.2, [ V ] ; Considere adems , I B 3 I 1
Vo
IB3
I1
a) Del anlisis del circuito, se puede determinar que D2 est encendido, por
lo que:
V B 3 =V Z 2 +0.7=6+0.7=6.7 [V ]
I R 6=
6.7 V
=6.7 [mA ]
1 K
De los datos del problema IB3<<I1, lo que significa que la corriente que circula
por R6 es aproximadamente igual a la corriente que circula por R3 , por
lo que:
I R 3=6.7 [mA ]
Y por lo tanto:
V 0=I R 3 R3 +V B 3=6.7 ( 0.79 ) +6.7

V 0=12 V
b) La potencia de
Q 2 es:
Pot Q 2=V CE2 I C 2

I C 2 I E 2=I R 3 + I RL =I R 3 +
V0
12
=6.7+
=56.7 [mA ]
RL
0.24
V CE2 =2512R 4 I C 2=130.068 ( 56.7 ) =9.1[ V ]

Pot Q 2=56.7 ( 9.1 )=0.52 W
c) El voltaje
V CE1 es:
V CE1 =V C 1V E 1
V E 1=256.2+ 0.7=18.1[V ]
I E 1=
25V E 1 2518.1
=
=2.6 [mA ]
R2
2.7
V C 1=V 0 +0.7+ R 5 I C 1=12+0.7+1(2.6)=15.3[V ]

V CE1 =15.318.1=3.1[V ]
Ejercicio 3
a) V0.
b) La corriente mxima en la carga R L .
RSmn y RSmx para que el circuito regule (asuma
c)
R L=20 [ ] )
Datos: Paralos transistores y los diodos |V BE|=V D=0.7 [ V ] .

1=60 , 2 =80 , P otenciaQ 1 mx =5 [ W ]
I Z 1mn =2 [ mA ] , P Z 1mx =0.5 [ W ] ; 8 V i 10.
V Z 1=6.9 [ V ] ,
D1
Q1
Vi
C1
1F
Vo
Rs
RL
Q2
D2
D3
Z1
6.9V
Solucin:
a) El valor de V o se lo obtiene directamente del circuito, asumiendo que el
diodo zener opera adecuadamente y que el diodo D1 est abierto, puesto
que V i V 0 (D1 es un diodo que se lo utiliza como proteccin de Q1):
V Z +V D V D V BE V BE V o=0
1
V o=6.91.4=5.5[V ]
b) La corriente mxima en la carga
I Lmx =I E 1 mx I C1 mx =
I Lmx =
5
=2[W ]
85.5
P otencia Q1 mx
V imn V 0
I
R L ( Lmx)
es:
c) Los valores de
RSmn y RSmx
para que el circuito regule, asumiendo que
R L=20 [ ] , se los determina de la ecuacin de

V V Z 1V D 3
RS = i
I Z 1+ I B 2
RS :
V imx V Z 1V D 3
I Z 1 mx + I B 2
V imx V Z 1V D 3
RS 2 =
I Z 1 mn + I B 2
V imn V Z 1V D 3
RS 3 =
I Z 1 mx + I B 2
V imnV Z 1V D 3
R S 4=
I Z1 mn + I B 2
RS 1 =
La corriente maxima a travs del zener, se la puede obtener de la forma:
I Z 1mx =
PZ 1 mx 0.5[W ]
=
=0.072 [ A ] =72[mA ]
V Z1
6.9[V ]
Y la corriente a travs de la base del transistor
Q2
mediante:
V0
I E1
RL
V0
I B 2=
=
=
( 1+1 ) ( 2 +1 ) ( 1+1 ) ( 2 +1 ) RL ( 1 +1 ) ( 2 +1 )
I B 2=
5.5
=20 [ A ]=0.020[mA ]
55 ( 60+ 1 )( 80+1 )
Los posibles valores de
RS
son:
RS 1 =
106.90.7
=0.033[ K]
72+0.020
RS 2 =
106.90.7
=1.19[ K]
2+ 0.020
RS 3 =
86.90.7
=0.006 [K]
72+ 0.020
R S 4=
86.90.7
=0.198[ K]
2+0.020
Y por lo tanto, los valores de

asumiendo que
RSmn y RSmx
R L=20 [ ] , son:
0.033 R S 0.198 [K]
para que el circuito regule,
Si se toman como valores
RSmn =0.006 [ K ] y RSmx =1.19[ K ] , el circuito
Vi
es un voltaje que depende del tiempo. Si de:
no regula. Puesto que
RS =
V iV Z 1V D 3
I Z 1+ I B 2
IZ1 :
Se despeja
I Z 1=
V i V Z 1V D 3
I B 2
RS
S iV i=10 [ V ] y R Sm n =0.006 [ K ] :
I Z 1=
106.90.7
0.002=435[mA ]
0.006
Y el zener se quema porque no puede soportar una corriente mayor a
I Z 1=72.5 [ mA ] .
S iV i=8 [ V ] y R Sm x =1.19 [ K ] :
I Z 1=
86.90.7
0.002=0.32[mA ]
1.19
Y el zener se abre porque no puede funcionar con una corriente menor a
I Z 1=2 [ mA ] .
RSmn y RSmx , se puede observar que:
Finalmente, de los valores de
RSm n=
V x V Z 1V D 3
I Z 1 m x+ I B 2
RSm x =
V n V Z 1V D 3
I Z 1 m n+ I B 2
RSmn
se produce cuando
I Z 1mx y V imx
RSmx
se produce cuando
I Z 1mn y V imn
Ejercicio 43
a) Vo
b) Potencia en Q1
c) Potencia en el zener
Datos:
Paralos transistores y los diodos =40,|V BE|=0.7 [ V ] ; V Z =3.3 [ V ]

Q1
Vi = 16V
Vi
16 V
Vo
R1
1k
R2
100k
Q2
Vy
R4
500
+
Q3
Vx
R3
50k
3.3V
Solucin:
a) Para encontrar el voltaje
V0 :
V X =V Z +V BE =3.3+0.7=4 [V ]
Si se asume que
I R 3 I R 2=
I B 3 I R 3 , se puede decir que:
VX 4
= =0.08[mA ]
R3 50
Y por lo tanto:
R
( 2+ R3 ) I R 2 =( 100+50 ) 0.08=12[V ]
V 0=
Para verificar si lo asumido es correcto ( I B 3 I R 3 :
3
Ejercicio tomado del libro: Electrnica I Teora y solucionario de problemas.
I B 3=
IC 3 I R 1 + I B 2
=
V
( 0+ 2V BE) 16(12+1.4)
V i
=
=2.6 [mA ]
R1
1
I R 1=
I B2 :
Para determinar
I L=
V0
=24 [mA ]
RL
I E 1= 0.08+ 24=24.08[mA ]
I B 2=
I E1
( +1 )
24.08
=14.3 [ A ] =0.014 [mA ]
2
41
Y por lo tanto:
I B 3=
2.6+0.014
=0.06[mA ]
40
Comparando:
I B 3=0.06 [ mA ] no es I R 3=0.08[mA ] :
Por lo que lo asumido no es correcto y hay que nuevamente realizar los
clculos, aplicando Thevenin en la base de Q 3 . Esto es:
Vi = 16V
Vi
16 V
Q3
Rth3
3.3V
V Th3=V 0
R2
50
=V 0
=0.33V 0
R2 + R3
100+50
) (
VTH3
RTh3=R 2 R 3=33.3[ K]
Y la corriente en la base y en el colector de
I B 3=
Q3
son:
V Th30.73.3 0.33 V 04 V 012

=
=
RTh3
33.3
100
I C 3 = I B 3=40
V 012 2V 024
=
=0.4 V 04.8
100
5
Por su parte, la corriente en el emisor de
Q1 es:
I E 1=I R 2+ I L
V
=2V 0
0.5
V
V 12
I R 2=I R 3 + I B 3= X + 0
=0.08+0.01 V 00.12=0.01 V 00.04
50
100
I L=
En donde:
Y por ello:
I E 1=0.01 V 00.04+2 V 0=2.01 V 00.04

I B 2=
I E1
( +1 )
2.01V 00.04
2
(41)
=1.196 x 103 V 0 2.38 x 105
I R 1=I B 2 + I C 3=1.196 x 103 V 02.38 x 105+ 0.4 V 04.8=0.401 V 04.8

Por otro lado:
I R 1=
V i[V 0+2 ( 0.7 ) ]

=16V 01.4=14.6V 0
R1
Igualando las ecuaciones de
I R1
y despejando
V0 :
0.401V 04.8=14.6V 0
V 0=13.8 [V ]
b) La potencia que disipa
Q1 es:
Pot Q 1=V EC 1 I E 1
V CE1 =1613.8=2.2[V ]
Pot Q 1=2.2 ( 27.7 ) =60[mW ]
I E 1=2.01 ( 13.8 )0.4=27.7[mA ]
c) La potencia que disipa el zener es:
PZ =V Z I Z
I Z =I E 3 =( +1 ) I B 3=( +1 )
PZ =3.3 ( 0.76 )=2.5[mW ]
] [
V 012
13.812
=41
=0.76[mA ]
100
100
Ejercicio 5
Disear una fuente regulada serie que cumpla con las siguientes
especificaciones:
V o=5 [ V ]
I 0 mx =500 [ mA ]
Y considere la siguiente informacin:
Voltaje de alimentacin de 120 Vrms y frecuencia de 60 Hz.

Relacin de vueltas del transformador N1/N2 =15
Puente de diodos de silicio con V AK =0.7 [ V ]
Transistores en configuracin Darlington con =50 y|V EB|=0.7 [ V ]
Potencia mxima del zener de 1 [ W ] y corriente mnima del zener de 8
[ mA ]
Porcentaje de rizado del 5%
El diseo debe incluir:

a) El diagrama del circuito, utilizando la cantidad de transistores y
resistencias que considere necesario.
b) El voltaje del zener V Z y el rango de la resistencia R que lo polariza.
c) El valor del capacitor C (considere una Req =V DC /I DC ).
Solucin:
a) El diagrama del circuito es:
V0 es -5 [V], es VNR, (NR en mayscula) en el transformador VP, VS; LA
FUENTE ES VI
V Z viene dado por:
b) El voltaje del zener
V Z =V 0+ 2V BE
V Z =5+ 2 ( 0,7 )=6,4 [ V ]
y el rango de la resistencia R que lo polariza estaria dado por
R=
|V NR|V Z 1
I Z + I B2
En donde se ha tomado el valor absoluto de V NR , para facilitar la

solucin del problema, puesto que en realidad, en el circuito, los voltajes
de los nodos son negativos. Los posibles valores de R son:
R1=
R2=
|V NRmx|V Z 1
I Z 1mx + I B 2 mx
|V NRmx|V Z 1
I Z1 mn + I B 2 mn
|V NRmn|V Z 1
R3=
I Z 1 mx + I B 2 mx
|V NRmn|V Z 1
R4 =
I Z 1 mn + I B 2 mn
La corriente maxima a travs del zener, se la puede obtener de la forma:
I Zmx =
P Zmx 1[W ]
=
=152.2[mA ]
VZ
6.4 [V ]
Y la corriente a travs de la base del transistor
I B 2 mx=
I E 1 mx
2
( 2 +1 )
Q2
mediante:
500
=0.19 [mA ]
(50+ 1 )2
I B 2 mn =0
La corriente I B 2 mn =0 es un valor ideal, puesto que si esto llegase a
suceder los transistores dejan de funcionar y a la salida ya no se tendra
V 0=5 [ V ] sino V 0=0 [ V ] .
El voltaje
VP
pico
VS
pico
N1
N2
|V NRm x|
se lo determina de los datos del transformador:
VS =
pico
VP
120 2
=
=11,3 [V ]
N1
15
N2
pico
|V NRmx|=V S
Y el voltaje
|V NRmn|=
pico
2 V D=11.32 ( 0.7 ) =9.9[V ]
|V NRm n|
del porcentaje de rizado ( %r ) :
1 3
|V NRmx|= 13 9.9=8.3[V ]
1+ 3
1+ 3
Los posibles valores de R son:
R1=
9.96.4
=0.022[ K]
156.3+0.2
R 2=
9.96.4
=0.435 [K]
8
R3=
8.36.4
=0.012[ K]
156.3+0.2
R4 =
8.36.4
=0.238[ K]
8
Y por lo tanto, los valores de

son:
0.022 R<0.238 [K]
RSmn y RSmx
para que el circuito regule,
Problema 1
Utilizando el siguiente circuito, disee una fuente con regulacin de voltaje
en paralelo, que cumpla las especificaciones:
V RL =
12 [V];
I RL=1 [ A ]
V NRmx =16 [ V ] ,V NRmn =18 [ V ] ; PZmx =1 [ W ] , I Zmn=5 [ mA ] ;

1=50 ,|V BE 1|=|V BE 2|=0.7[V ]
Fuente N.R.
16 y 18 V
Vin
Q1
Vout
ADJ
R
RL
DZ
Problema 2
Utilizando el siguiente circuito, disee una fuente con regulacin de voltaje
en paralelo, que cumpla las especificaciones:
V RL =
9 [V];
I RL=1 [ A ]
V NRmx =15 [ V ] ,V NRmn =12 [ V ] ; PZmx =0.5 [ W ] I Zmn=2 [ mA ] ;

1=50, 2=100 ,|V BE 1|=|V BE 2|=0.7 [V ]
Fuente
N.R.
Rs
Q2
Q1
Dz
RL
CAPTULO 3
AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL
Ejercicio 1
Realizar el anlisis DC y calcular la ganancia de voltaje de forma literal para
el siguiente circuito.
Datos : I f =0.5 [ mA ] , R =50, R1 =1 [ K ] , R2=100 [ K ] , R L=1 [ K ]

=99 ,|V BE|=0.7 [V ]
Anlisis DC
Considerando que los condensadores a bajas frecuencias se comportan como
un circuito abierto, se obtiene:
Del circuito, se deduce:
0.5mA I B I c I E
(1.1.1)
V E R1 I E R1 0.5mA 0.5V
(1.1.2)
V B 0.7 V E 0.7 0.5 1.2V
(1.1.3)
VC R2 I B V B R2 I B 1.2V
(1.1.4)
Del Transistor Bipolar, se tiene que:
IB Ic
(1.1.5)
Si se sustituye la ecuacin 1.1.5 en la ecuacin 1.1.1, resulta:
IB
0.5mA
1
(1.1.6)
Al reemplazar la ecuacin anterior en la ecuacin 1.1.4, se obtiene:
0.5mA
V B 1.7V
1
VC R2
(1.1.7)
Finalmente,
VCE Vc V E 1.7 0.5 1.2V
(1.1.8)
Anlisis AC
Solucin 1: modelo hbrido
(amplificador de transconductancia)
Considerando que los condensadores en baja frecuencia se comportan como

un corto circuito y la fuente de corriente DC se comporta como un abierto, se
obtiene:
Al sustituir el transistor bipolar por su modelo en pequea seal:
Donde gm: se llama transconductancia.
: la resistencia de entrada entre la base y el emisor, vista desde
la base.
Se calculan ambas de la siguiente manera:
gm=
Ic
VT
(Donde Ic es la corriente del colector en DC y
VT
es un voltaje trmico que
es aproximadamente igual a 25 mv a temperatura ambiente.)
r =
VT
=
gm I b
(Donde Ib es la corriente de la base en DC).
Si suponemos que
ro
tiende a infinito resulta:
Finalmente, se obtiene:
Del circuito se deduce:
Vo ( R2 // RL ) gmVbe
Rin R1 // r // gm 1
Vbe
Rin
Vin
Rin 50
Se obtiene la ganancia:
Vo ( R 2 // R L ) gmRin
Vin
Rin 50
Solucin 2: modelo hbrido

parmetros de BC)
(amplificador de corriente-
hib =r e
h fb= =
hfe
h fe +1
Z i=R 1 /
I e=
Vx
re
v X =v i
Zi
R i+ Z i
R1 r e Z i =r e
Z o =R2 / R L =RC
v o =I C R C = I e RC
v O =
vx
R
re C
R
( i+ Z i )(r e ) RC
vZ
v O= i i
R
( i+ Z i )RC
v
v O= i
A v =(
( Rc )
vo vx
Zi
(R2 / R L )
)( )=(
)(
)=
v x vi
Zi
Ri +Z i
Ri +r e
Ejercicio 2
En el siguiente circuito, determinar en banda media:
a) La impedancia de entrada Z i
b) La impedancia de salida Z 0
c) La ganancia v 0 / v i
Datos : R1=4 [ K ] , R2 =2 [ K ] , R3=1 [ K ] , R 4=R8 =0.4 [ K ] , R 5=0.1 [ K ] ,

R L=2 [ K ] , hfe1=hFE 1= =100,V CC =24 [V ]
Solucin:
a) La impedancia de entrada
Zi
Z i=R 1 R 2 (r e1 + R4 ) ( hfe 1+1 )

En donde:
re=
26 mV
I E( DC)
Del circuito se observa que:
( R E 1+ R E 2) ( +1 ) R2
Y por lo tanto:
se determina de la forma:
V B =V CC
R2
2
=24
=8[V ]
R1 + R 2
4 +2
I E 1=
re=
) ( )
V B 0.7 80.7
=
=9.1mA
R 4 + R8 0.4+ 0.4
26 mV 26 mV
=
=0.003 K
I E( DC) 9.1 mA
Reemplazando los valores:
Z i=4 2 ( 0.0028+0.4 )( 100+1 ) =1.3[ K]

b) La impedancia de salida
Z0
es:
Z O =R3=1[ K]
c) La ganancia
A v=
vo
v
= o
vi vb 1
v 0 / v i es:
vb 1
R3 R L
=
vi
re+ R 4
( )( ) (
A v = (1.65 ) ( 0.93 )=1.54
)(
Zi
1 2
=
R5 + Z i
0.003+0.4
)(
1.3
)( 0.1+1.3
)
Ejercicio 3
c) La ganancia v 0 / v i
Datos : R1=R3 =68 [ K ] , R2=R 4=33 [ K ] , R C 1=RC 2=15 [ K ] , R E 1=R E 3=0.33 [ K ] ,

R E 2=R E 4 =12 [ K ] RL =10 [ K ] , hfe 1=hfe2=hFE 1=hFE 2=100,V CC =25[V ]
Solucin:
Zi
Z i=R 1 R 2 (r e1 + R E 1) ( h fe 1+1 )
En donde:
r e 1=
26 mV
I E 1(DC )
( R E 1+ R E 2) ( h FE 1 +1 ) R2
Y por lo tanto:
V B 1=V CC
R2
33
=25
=8.2[V ]
R 1 + R2
68+ 33
) (
I E 1=
V B 10.7 8.20.7
=
=0.6 [mA ]
R E 1+ R E 2 0.33+12
Es importante verificar que el circuito est en la zona activa, esto es,

que en este caso, el V CE1 >0 :
R
( C 1+ R E 1 + R E 2 ) I C 1=25(15+0.33+12)0.6=8.4[V ]>0
V CE 1=V CC
Continuando con el anlisis:
r e 1=
26 mV 26 mV
=
=0.043 [K]
I E (DC ) 0.6 mA
Z i=68 33 ( 0.043+ 0.33 )( 100+1 ) =14[ K]

b) La impedancia de salida
Z0
es:
Z O =RC 2=15[ K]
c) La ganancia
A v=
v 0 / v i es:
vo
v
= o
vi vb 2
vb 2
RC 2 R L RC 1 R L1
=
vi
r e 2 + RE 3
r e 1+ R E 1
( )( ) (
)(
Por cuanto los transistores Q 1 y Q 2 estn polarizados de igual

forma, las dos etapas estan en la zona activa y:
r e 2=r e 1=0.043[ K]
R L1=68 33 ( 0.043+0.33 ) ( 100+1 )=14 [ K]
A v=
15 10
15 14
( 0.043+0.33
)( 0.043+
0.33 )
A v = (16.1 ) ( 19.4 )=312.1
Ejercicio 4
a)
b)
c)
d)
La
La
La
La
impedancia de entrada Z i
impedancia de salida Z 0
ganancia v 0 / v i
ganancia de corriente i o / ii
Datos : R1=82 [ K ] , R 2=22 [ K ] , R3=4.7 [ K ] , R4 =1 [ K ] , R5=2 [ K ] , R 6=10 [ K ] ,

R7=1 [ M ] , R8=10 [ K ] , hfe 1=hfe 2=h FE 1=h FE 2=100,V CC =22[V ]
Solucin:
Nota: puesto que todos los valores de resistencias estn en k y los voltajes
en voltios, las corrientes estarn en mA.
Zi
Z i=R 1 R 2 (r e1 + R4 ) ( hfe 1+1 )

En donde:
r e 1=
26 mV
I E 1(DC )
( R4 + R 5 )( hFE 1 +1 ) R 2
Y por lo tanto:
V B 1=V CC
R2
22
=22
=4.6 [V ]
R 1 + R2
82+22
I E 1=
) (
V B 1 0.7 4.60.7
=
=1.3 [mA ]
R 4 + R5
1+ 2
Es importante verificar que el circuito est en la zona activa, esto es,

que en este caso, el V CE1 >0 :
3+
R
+
R
(
4
5 )I C 1=22( 4.7+1+2)1.3=11.9[V ]>0
V CE1=V CC
Continuando con el anlisis:
r e 1=
26 mV 26 mV
=
=0.020[ K]
I E (DC ) 1.3 mA
Z i=82 22 ( 0.02+1 ) (100+ 1 )=14.8[ K]

b) Para determinar la impedancia de salida Z 0 , primero habra que separar
R7 en dos resistencias, aplicando el teorema de Miller: una a la entrada
R
( 7 out) . Adicionalmente, puesto que el
circuito tendra una ganancia | V M |1 :

(
7
) y una a la salida
R
7=
R7 out =
1000
1000
=
1 V M | V M|
R
1000
=1000 K
1
1
V M
Y ahora s:
Z o =R6 R7 out =10 1000=10 [K ]
| V M|1
Verificando que
v M = v 2=
R 6 R7 out R 8
r e2
Q2 :
Para el transistor
2210 I E 21000 I B 20.7=0

2210 I E 21000
I E 2=
r e 2=
I
( 101
)0.7=0
E2
220.7
=1.07 [ mA ]
10+ 9.9
26
=0.024 [K ]
1.07
v M = v 2=
10 1000 10
=208.3
0.024
Y por lo tanto, se verifica que
c) La ganancia
A v=
| V M|1
v 0 / v i es:
vo
v
= o
vi vb 2
vb 2
R3 R L1
=
v2
vi
r e1 + R 4
( )( ) (
Y analizando la carga
7 r e2 ( hfe 2+1 )
RL 1=R
R L1 que ve el transistor
Q1 :
7=
1000
=4.8 K
208.3
R
R L1=4.8 0.024 ( 100+1 )=1.6 K

A v=
1.6
(208.3)
( 4.7
0.02+1 )
A v = (1.5 ) (208.3 )=312.5

d) La ganancia de corriente
i o / ii
es:
i
14.8
A i= o =312.5
=463
ii
10
( )
Ejercicio 5
En el siguiente circuito:
a) Dibuje el equivalente de parmetros hbridos, para amplificadores de
pequea seal.
b) Encuentre las expresiones literales para las impedancias
Zb3
, vistas desde las bases de los transistores
Q1 ,
Zb1
, Zb2
Q2
Q3
respectivamente.
c) Encuentre las expresiones literales para las impedancias de entrada y
salida de Miller que existan.
d) Encuentre las expresiones literales para las ganancias de Miller que
e)
f)
g)
h)
existan.
Encuentre
Encuentre
Encuentre
Encuentre
la
la
la
la
expresin
expresin
expresin
expresin
literal
literal
literal
literal
para
para
para
para
la
la
la
la
impedancia de entrada Z i .
ganancia de voltaje v o 1 / vi
ganancia de voltaje v o 3 / v i .
impedancia de salida Z o .
Datos:
Q1 :
hie 1 ,
h fe 1 ,
Q2 :
hie 2 ,
h fe 2
Q3 :
hie 3 ,
h fe 3
Asuma que los transistores estn operando en zona lineal y que las ganancias
de Miller son mucho mayores que 1.
A) Dibuje el equivalente de parmetros hbridos, para amplificadores de

pequea seal.
a) Dibuje el equivalente de parmetros hbridos, para amplificadores de

pequea seal.
b) Encuentre las expresiones literales para las impedancias

, Zb3
Q3
, vistas vistas desde las bases de los transistores
Zb1
, Zb2
Q1 ,
Q2
respectivamente.
Reflejando cada una de las resistencias hasta la base de cada

transistor:
Z b 3 =( Ro 3 R4 + r e3 ) ( hfe 3 +1 )
Z
( b 3 +r e 2) ( hfe 2+1 )
Z b 2=
Z b 1=( ( Z b2 R f 2 ) + Re 1 +r e1 ) ( h fe 1+ 1 )
c) Encuentre las expresiones literales para las impedancias de entrada y

salida de Miller que existan.
Asumiendo que la ganancia
A v 1 :
| || |
| || |
Z Mo=Rf
Z Mi=
Av
R A v
= f
=Rf
1A v
Av
Rf
R
R
= f = f
1 A v
Av Av
d) Encuentre las expresiones literales para las ganancias de Miller que

existan.
Asumiendo que Rf es muy grande:
A vM =
v 01
R o 1 R c1 R f
=
v b 1 ( Z b 2 R f 2 ) + Re 1 +r e 1
e) Expresiones literales para las ganancias de voltaje

Vo 3
Vi
Vo 1
Vi
V o1
Ro 1 R c1 R f
= A vM =
Vi
( Z b 2 Rf 2 ) + R e1 + r e1
V o3
R o 3 R4
=
V i r e 3 + Ro 3 R 4
f) Encuentre la expresin literal para la impedancia de entrada Zi y Zo
Z i= {[ ( R o 3 R4 +r e3 ) ( h fe 3 +1 ) +r e 2 ] [ h fe 2 +1 ] Rf 2+ R e1 +r e 1 } { h fe 1+ 1 } Z Mi R1 R2
Z i=
{[ {[ ( R
Zo=
[( (
o3
R 4 ) ( hfe 3+1 )+ hie 3 ] [ hfe 2+1 ]+ hie2 } R f 2 + Re 1 [ hfe 1 +1 ] +hie 1 Z Mi R 1 R 2
R 1 R2 Z Mi hie 1
+ R e1 R f 2 +hie 2
hfe 1 +1
hfe2 +1
) )
+ h ie 3
hfe 3 +1
R4
Ejercicio 6
En el siguiente circuito:
a) Realice el analisis DC y determine los puntos de operacin de
Q1 , Q2 y Q3
b) Realice el analisis AC y determine
Zi ,
Zo ,
Av
Datos : R1=R2 =R 3=5 [ K ] , R 4=0.5 [ K ] , R 5=1 [ K ] , V Z =4.2 [ V ] , r Z =0 [ K ] ,

V CC =12 [ V ] ,V EE=3 [ V ] , para lostransistores h FE=h fe= =600,|V BE|=0.7 [ V ]
a) Para determinar los puntos de operacin de Q 1 , Q 2 y Q 3 , se observa que

Q1 y
Q3 estn conectadas al zener y
las bases de los transistores
V
que la fuente
acta como cortocircuito.
1
Analizando
Q3 :
I C 3 I E 3=
Analizando
V CCV EBV Z 120,74,2

=
=1.42[mA ]
R3
5
Q2 :
I B 2 R 4V BE( I C 3 + I E 2 ) R5V EE=0

I B 2 R 4V BEI C 3 R5 + I B 2 ( 2+ 1 ) R5 V EE =0
I B 2=
V EE V BE I C 3 R 5
R 4+ ( 2+1 ) R5
30,71 ( 1.42 )
=1.47 [A ]
0.5+1( 600+1)
I C 2= I B 2=0.88 [mA ]
Como
I E 1=I C 2 , entonces:
I E 1=0.88 [mA ]
Determinando
V CE1 , V CE2 ,V CE3 :
V EC 3=V CCI E 3 R3 ( I C 3 + I E 2) R5 V EE
V CE3 =125(1.42)( 1.42+0.88 ) 1+3
V EC 3=5.6 [V ]
V CE2 =4.20.7( I C 3 + I E 2 ) R5V EE
V CE2 =4.20.7( 1.42+0.88 ) 1+3
V CE2 =4.2[V ]
V CE1 =V CCI C 1 R 2V CE2 ( I C 3 + I E 2 ) R5 +V EE
V CE1 =120.88(5)4,2( 1.42+0.88 ) 1+3
V CE1 =4.1[V ]
b) Para determinar
Zi ,
Zo
Av :
Z i=R 4 + [ r e2 + R5 ( hfe + 1 ) ]
r e 2=
26 mV 26 mV
=
=0.029 [ K ]
I E 2( DC ) 0.88 mA
Z i=0.5+17.7+1 ( 600+1 )=619.3 [K]
Z 0 =r e1 =
26 mV 26 mV
=
=0.029 [ K]
I E 1(DC) 0.88 mA
A v=
v0
r e 1
=
v i r e 2+ R 5
A v=
v0
0.029
=
v i 0.029+1
)(
(r e 2+ R 5)( +1)
R 4 +(r e2 + R5 )( +1)
(0.029+1)(600+1)
)( 0.5+(0.029+1)(600+1)
)=0.029
Ejercicio 74
c) La ganancia de voltaje v o /v i
Datos : R1=100 [ K ] , R 2=100 [ K ] , R3=1 [ K ] , R 4=2.2 [ K ] , R5 =1 [ K ] ,

V CC =10 [ V ] . para los transistoresh FE =hfe ==100,|V BE|=0.7 [ V ]
Antes de realizar el anlisis AC del circuito, se debe verifica que los

transistores esten en la zona activa, para que puedan amplificar:
V B 2=V CC
R2
270
=10
=7.3 [V ]
R1 + R2
100+270
) (
V E 2=V B 2 +2 V EB =7.3+2 ( 0.7 )=8.7[ V ]

I E 2=
V CC V E 2 108.7
=
=1.3[ mA ]
R3
1
V EC 2=V CC( R 3+ R 4 ) I E 2=10( 1+2.2 ) 1.3=5.8[V ]

4
Ejercicio tomado del folleto: Electrnica I
V EC 1=V CC V EB( R 3+ R 4 ) I E 2=100.7( 1+2.2 ) 1.3=5.1[V ]

Lo que significa que ambos transistores trabajan en la zona activa.
Zi
se la determina de la forma:
R 3 R5 +r
( e 2) ( 2+1 ) + r e1
Z i=
r e 2 y r e 1 vienen dadas por:
En donde las resistencias
r e 2=
26 mV
I E 2(DC )
r e 2=
26 mV
=0.02[K]
1.3 mA
r e 1=
26 mV 26 mV
=
=r ( +1 ) =0.02 ( 100+1 )=2[k ]
I E 1(DC ) I E 2( DC) e2 1
1+ 1
Y por lo tanto:
Z i= [ (1 1+ 0.02 )( 100+1 ) +2 ] [ 100+ 1 ] 100 270=72[k]
b) Para la impedancia de salida
Z0=
Z0 :
re 1
2
+r e 2 R 3=
+0.02 1=0.038[ K]
2+1
100+1
c) Para la ganancia de voltaje
v o /v i
es:
A v=
vo
v
= o
vi vb 2
vb 2
= A v2 Av 1
vi
A v 2=
R3 R 5
0.5
=
=0.96
r e 2+ R 3 R5 0.02+ 0.5
( )( )
R 3 R5 +r
R 3 R5 +r
(1 1+ 0.02)(100+1)
r e 1+( e 2)( 2 +1)=
=0.96
2+(1 1+0.02)(100+1)
( e 2)( 2+ 1)
A v 1=
Y finalmente:
A v =0.96 ( 0.96 )=0.93
Ejercicio 8
En el siguiente circuito, determine:
c) La ganancia de voltaje v o /v i
Datos : R1=120 [ K ] , R 2=68 [ K ] , R3=3 [ K ] , R4 =100 [ K ] ,

V CC =12 [ V ] . para el transistor h FE=hfe ==140,|V BE|=0.7 [ V ]
ANALISIS DC
I B=
VccVBE
120.7
=
=18.6 A
608
( 120+68 ) +140(3)
I E =( B+1 ) I B=141 ( 18.6 A ) =2.62mA

r E=
26 mV
=9.92 ohmios
2.62 mA
ANALISIS AC
Av =
( R 4 ||R 3|| R 2 ) ( 100||3||68 )

=
=281.55
rE
9.92
1000
9.92
( 141 ))=1.38 K
|( 1000
Zi=R 1 |[ r E ( B+ 1 ) ]=120|
Zo=R 3||R 2=3|| 68=2.87 k
Ejercicio 1
En el siguiente circuito calcular la ganancia Vo/V1
Q1:
Q2:
hie1=0.524k,
hfe1 = 100
hie2=9.42k, hfe2 = 100
Vcc
R2
2k
R3
1.3k
12 V
Vo
Q1
C1
2N1711
R1
0.1k
V1
Q2
RL
2N1711
R4
1.8k
R5
3.9k
R6
3.9k
Ejercicio 2
Para el siguiente circuito mostrado, calcular:
a) La ganancia Vo/Vi.
b) Calcular impedancia de entrada Zi e impedancia de salida Zo.
R7
10k
12 V
C3
R6
R1
90k
R3
8k
700k
C2
12 V
Q2
RL
10k
Q1
C1
Zo
Vi
R2
20k
Zi
R4
0.5k
Considere 1 = 90 y 2 = 100
Ejercicio 3
Para el siguiente circuito. Determine:
a)
b)
c)
d)
Circuito equivalente en alterna.

Expresin literal para la impedancia Zb1 y Zi.
Expresin literal para la ganancia Vo/Vs.
Expresin literal para las impedancias Ze y Zo.
Vcc
Rc1
Rb1
Vo
Q1
Rs
Rc2
Vx
Vs
Zo
2N2222A
Rb2
Re1
Zi
Q2
Zb1
Re2
Datos:
Q1: hfe1, hie1
Q2: hfe2, hie2
Ejercicio 4
Dado el siguiente circuito, determinar de manera literal:
1. Impedancia de entrada Zi
2. Impedancia de salida Zo
3. Ganancia de Voltaje
Ze
RL
Ejercicio 5
Para el siguiente circuito, encuentre:
1. Ganancia de voltaje
2. Impedancia de entrada Zi
3. Impedancia de salida Zo
Ejercicio 6
Para el siguiente circuito calcular: Av, Zi, Zo
B1=B2=B3= 99
rb1=rb2=rb3= 1K
Nota:
Asumir que los transistores operan en regin activa.

Asumir que el diodo D1 es ideal.
La resistencia R4 de 6.8k solo est conectada entre el voltaje Vcc y el
zener D1. No est conectada a la base de Q1
Ejercicio 7
Dado el circuito de la figura
Calcular:
1. Ganancia de voltaje Vo/Vi (expresin literal)
2. Impedancia de entrada Zi (expresin literal)
Datos: Vcc= -15 [V] Vz= 7 [V] Vbe= 0.5 [V]
Hfe = 5
Ejercicio 8
Disear un amplificador transistorizado con las siguientes especificaciones:
Av = - 10
Zi = 10 K
Zo = 1k

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ZONAS Y PUNTOS DE OPERACIN

AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL

V BE =0.7 [ V ] , =100, V CE ( sat )=0 [ V ]

El transistor trabaja en la zona de corte y por lo tanto:

I C = I B =100 ( 0.043mA )=4.3 mA

Siguiendo la malla formada por 12[V], R2 y R3 se tiene:

12200 I E 1V EBV R 3=0

V BE =0.7 [ V ] ; V CE(sat) =0.2 [ V ]

En el lmite de las regiones activa-saturacin:

Lo que significa que por el circuito circula la mxima corriente de colector y

min I Bmx R C +V CE(sat)

En la Figura se puede observar que:

( 0.5 k +17.5 k ) ( 100+1 ) 90 k

Lo que cumple con la caracterstica de la configuracin tipo H.

Siguiendo la malla que va desde 30V hasta GND y aplicando LVK:

V C 1=308 ( 0.95 )=22.4 V

Q 1 , Q 2 :V BE=0.7 [ V ] , =100,V CE ( sat )=0 [ V ]

R1=200 K , R2 =100 K , R3=9 K , R 4=3 K , R 5=0.8 K , R 6=0.1 K,

Las zonas de operacin de los transistores.

Nota: El transistor Q4 es NPN

R1=33 K , R2 =930 K, R3=10 K , R 4=1 K , R5 =100 , R6 =33 K ,

Independientemente del intervalo de tiempo, el transistor Q 1 -qu est

t=[ 0,1 ] seg .

El transistor Q 4 esta en la zona de corte porque si

I C 2= 2 I B 2=100 ( 0.13 )=13 [mA ]

Q1 est en la zona de corte:

V R 2=13 ( 930 )=12,090 [V ]

esta en la zona activa:

I C 3 =3 I B 3=100 ( 0.01 )=1 [mA ]

V C =V CC R3 I E 3=2010 ( 1.01 )=9.9 [V ]

Q1 : abierto ; Q2 : saturacion ; Q3 : activo ;Q 4 : corte

I C 2=I B 3=0 I C 3=I E 3=0 Q3 est en corte

paraQ 1 y Q2 V saturacin =0.3 [ V ] , =100

R1=40 [ K ] , R2=0.5 [ K ] , R 3=1 [ K ] , R4 =2 [ K ] , R5=2[K ]

Siguiendo la malla formada por

1 ( 101 I B 1 + I B 2 ) +40 I B 1=14.3

Puesto que se necesita otra ecuacin en funcin de

R3 ( I E 1 + I B 2 ) +0.7+ R5 ( +1) I B 2=5

1 ( 101 I B 1 + I B 2 ) +2(101) I B 2=4.3

101 I B 1 +20 I B 2=4.3

Resolviendo el sistema de ecuaciones (1) y (2) se tiene:

Q2 est en zona de corte.

Q2 del circuito se tiene:

1(101 I B 1 )+40 I B 1=14.3

Q1 est en zona de saturacin y por lo

Siendo su punto de operacin:

1= 3=50 , 2 =40,|V BE 1|=|V BE 2|=|V BE 3|=0.7 [V ]

I C 1= 1 I B 1=50 ( 0.037 )=1.9[mA ]

Q 2 , realizando el anlisis de una forma directa:

I C 2= 2 I B 2=40 ( 0.046 )=1.8[mA ]

El estado de los diodos

R1=0.1 K , R2 =5 K , R3=5 K , R 4=5 K , R5 =5 K, R6=0.1 K ,V CC=10 [ V ] . ,

Nota: Los valores de las resistencias se encuentran en K.

Observando las configuraciones de Q 1 y Q 2 , se aprecia que no cumplen con

Q1 : R1 ( 1+ 1 )=0.1 ( 100+1 )=10.1 [ K ] no es muchomayor que R2=5 [K]

Q1 Q 2 estn en zona activa:

Despues de realizar los analisis de las configuraciones de