IngProyecto Memristores
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Uno de los campos con mayor crecimiento en el mundo de la electrnica ha sido sin duda la
inteligencia artificial, la cual se ha visto envuelta en constantes desilusiones. Por ejemplo, en los
60s, la invencin del transistor llev a pensar que las maquinas superaran al hombre entre los
prximos veinte aos. Ahora, cincuenta aos despus no hay algo mejor que un sistema
automtico que sirva de soporte a clientes o quizs robots que puedan hacer hot-cakes segn las
indicaciones del cliente. Pero qu tal inteligencia artificial capaz de crear su propio
conocimiento, como en pelculas de ciencia ficcin? Esto todava no es posible debido al pobre
procesamiento de nuestras mquinas actuales, incluso el cerebro de un ratn posee mayor poder
de procesamiento que la computadora ms poderosa en la actualidad.
El reciente diseo de memristores fsicos nos ha llevado a darle vida a nuevas ideas, hasta ahora
imposibles pues la limitante siempre han sido los tan utilizados ceros y unos, lgica binaria. Pero
el memristor al ser un dispositivo analgico puede tener infinidad de aplicaciones, las cuales las
empresas y los gobiernos de los pases ms desarrollados y que invierten en tecnologa han visto
como este elemento elctrico puede servir como columna vertebral para sus actuales proyectos.
El memristor es un elemento capaz de reemplazar memorias RAM, Flash o discos duros pues es
un elemento construido a nivel nanomtrico que puede recordar informacin permanentemente,
conmutar en nanosegundos, podemos tener millones sustituyendo a transistores pues Stan
Williams estima que un solo memristor puede sustituir a 10 transistores. Williams igualmente
expone que los memristores alcanzan las velocidades de una clula DRAM y dependiendo el
material utilizado para su construccin, pueden tener una vida til similar a la de un disco duro
tradicional; actualmente los diseos de HP arrojan datos sobre la vida del memristor, donde su
vida til es mayor que la de una memoria Flash, pero ya se trabaja en extender esto. Chua prev
que los memristores, dentro de los prximos cinco a diez aos, puedan sustituir no solo
memorias RAM, sino tambin CDs o Blu-Rays aprovechando sus propiedades no-voltiles.
Las caractersticas del memristor han dado dolor de cabeza a los diseadores digitales, pues todo
el paradigma de almacenamiento y procesamiento tendr que variar. Cmo cambiara un diseo
si se pueden tener una gran cantidad de memoria similar a la SRAM a fin de guardar informacin
en el microprocesador sin necesidad de memorias DRAM? Pensemos ahora en grandes
cantidades de memoria cerca del procesador, como la cache o tener un mejor ancho de banda,
todo esto con poca potencia.
Nuestra sociedad ama el progreso, pero odia el cambio. Los memristores necesitan de un cambio
de paradigma, no son solamente una tecnologa plug-and-play pues se necesita un rediseo de la
arquitectura actual de computadoras. Los diseadores buscan hacer las computadoras ms
parecidas al cerebro de un mamfero, lo cual veremos con ms detalle cuando se aborde el
proyecto MoNETA. Tomar aos para que la industria adopte al nuevo integrante de la
electrnica como elemento dentro de sus diseos.
Pero de cuanto almacenamiento hablamos? Williams y su equipo estiman que se pueden
alcanzar mltiples petabits de memoria por cm2, siendo un petabit similar a 128 Terabytes. Esto
es increble considerando que un terabyte es igual a 128 DVDs o 250,000 imgenes de 4MB.
Igualmente Williams comenta durante su exposicin en la Universidad de Berkeley que HP se
encuentra trabajando en tecnologa ptica para eliminar ese cuello de botella que se ha vuelto el
mover informacin por cables en un circuito elctrico. Ahora se trabaja en interconexiones
fotnicas, las cuales sern usadas cada vez que un bit deba de viajar ms de 100 micras,
utilizando pulsos de luz. Williams estima que dentro de los prximos 10 aos un chip que utilice
memristores e interconexiones fotnicas sobrepase el rendimiento computacional de una
computadora por dos rdenes de magnitud por unidad de energa, superando lo que pueden hacer
los transistores.
5.1 Memristor Bi-Estable controlado por carga
La curva de un memristor Bi-estable controlado por carga se muestra en la figura 5.1. La
pendiente de la curva arroja el valor de la memristancia M. Los dos valores de la
memristancia pueden ser considerados como dos diferentes estados binarios. La caracterstica
importante es que el memristor guarda el valor lgico como una impedancia y no como voltaje.
La resistencia puede variar, as movindonos entre ambos estados, aplicando el voltaje
apropiado. En la figura 5.1, Chua pone como ejemplo variaciones de resistencia 1:10, donde
existe un estado de baja impedancia (1 ) y otro de alta impedancia (10 ).
Figura 5.1 Memristor Bi-estable controlado por carga
5.2 Configuraciones lgicas de memristores
5.2.1 Configuracin inversora
La figura 5.2 muestra los pasos a describir, esta figura fue adaptada por Ketaki Kerur a manera
de explicacin grfica para poder comprender el funcionamiento de la configuracin propuesta
por Raja y Mourad en su paper Digital Logic Implementation in Memristor-Based Crossbars.
Esta figura muestra dos memristores configurados como inversores. Memristor 1 (Mem1) es el
memristor de control y su valor no vara. Memristor 2 (Mem2) vara su valor para crear la lgica
inversora; este proceso se logra en tres pasos.
Figura 5.2 Configuracin inversora para memristores
La primer etapa es denominada etapa incondicional, Mem2 se configura para que est en estado
abierto forzando la alta impedancia en la terminal de control de Mem1 y aplicando un voltaje V
n
en la terminal de control de Mem2. El voltaje V
n
es mayor que el umbral requerido para abrir al
memristor y el estado lgico de Mem2 es 1 no importando su estado anterior. Esta etapa se
muestra en la figura 5.2(b)
Para la segunda etapa, denominada cerrado condicional y que se muestra en la figura 5.2(c), a
Mem1 se le aplica un voltaje V
read
en su terminal de control. Un voltaje V
wr
es aplicado a la
terminal de control de Mem2. Si Mem1 se cierra, la impedancia