Cobrizado -------------------Tratamiento electroltico de color cobre brillante, su cometido es aumentar la conductividad elctrica en aceros, evita la deposicin de proyecciones de soldadura,

y como base posteriores recubrimientos, con pequeos espesores (4-10 um.). Aplicable sobre los siguientes materiales: hierro, acero, zamac. Recomendable para los siguientes campos de aplicacin: 1. Armas 2. Construccin de maquinaria 3. tiles y moldes 4. Decoracin 5. Mobiliario El Cobrizado es un proceso electroltico que se emplea como recubrimiento final y tambin como etapa intermedia del Niquelado. Se aplica sobre todo tipo de piezas metlicas, para dar apariencia de cobre, y sus terminaciones pueden ser Cobre Brillante, Satinado o Envejecido. Como proteccin final la pieza es sellada con una capa de LACA INCOLORA, que puede ser a la Piroxilina o Laca al Horno. APLICACIONES Objetos Decorativos como: Jarrones, Manillas, Lamparas, Muebles, Tornillios, etc. RECOMENDACIONES. Piezas completamente desarmadas. Todo adhesivo, pintura, relleno, escoria de soldaduras, etc, que no sea conductor, no permite la adherencia del cobre en el material. Recubrimiento que se realiza mediante electro-deposicin de cobre sobre piezas metlicas el cual permite aumentar las propiedades tcnicas y decorativas del material. Incrementa la resistencia a la corrosin del material base con capa de recubrimiento intermedia o final, aumenta la conductividad elctrica del material recubierto y proporciona un aspecto de gran brillo. Se aplica sobre piezas metlicas para obtener una ornamentacin con apariencia al cobre, sus terminaciones pueden ser brillantes o envejecidas. Se puede utilizar como base para posteriores recubrimientos como el cromado o niquelado, el proceso es electroltico a granel o esttico. El cincado1 es el recubrimiento de una pieza de metal con un bao de cinc para protegerla de la oxidacin y de la corrosin, mejorando adems su aspecto visual. El principio de funcionamiento se basa en que los tomos de cinc reaccionan con las molculas del aire (especialmente oxgeno), oxidndose ms rpido (por estar en la superficie) que el metal componente de la pieza, retardando la corrosin interna. Cincado-------------------------------El cincado puede obtenerse por procesos electrolticos o mecnicos. Las partes metlicas se sumergen en un bao de cinc lquido a temperatura de fusin de 900 a 950 grados centgrados, consiguiendo un galvanizado. El cinc tambin puede adsorberse si se aplica como polvo y se coloca en un horno adecuado (sheradizacin), o se pulveriza a presin (metalizacin). Tambin existe el cincado cido y el alcalino. La diferencia entre ambos es que en el alcalino se utilizan compuestos con cianuro. Debido a la toxicidad de este grupo qumico se ha incrementado la utilizacin de la variante cida, a pesar de requerir mayor control de la composicin y la pureza. Segn sea el tamao de las piezas se emplean diversos mtodos de cincado. Las piezas pequeas se tratan a granel en tambores rotativos, mientras que para las de mayor tamao se utiliza el cincado en bastidor, para disminuir el rozamiento en la superficie del material. En este caso, la pieza se limpia y se cuelga en un bastidor acorde a su forma. Despus del bao electroltico se

consigue un espesor de recubrimiento medio de 6-12 micras. Para una mayor proteccin anticorrosiva del material, se aplica un pasivado cromatizado que le da adems el aspecto final de la pieza, pudiendo ser blanco, amarillo o verde dependiendo de la proteccin y matiz que se desee obtener. V. PROCESO DE RECUBRIMIENTO DE COBRE El cobreado electroltico es un proceso que permite aplicar un recubrimiento de cobre sobre materiales como el acero, hierro, latn y zamak. Con un espesor variable segn las necesidades, tiene como objetivo mejorar las propiedades del material base gracias a su elevada maleabilidad, ductilidad y conduccin de la electricidad. Frecuentemente, el cobre forma la primera capa en un sistema decapas de recubrimiento, puesto que es fcil de depositar en metales y plsticos, ya que presenta una elevada conductividad; adems, la capa de cobre es muy resistente, econmica de aplicar y forma una buena base adhesiva para otros metales. El cobrizado puede aplicarse a partir de baos alcalinos cianurados y baos cidos con cido sulfrico. El cobrizado cido con sulfatos, generalmente requiere un control ms estricto del bao a fin de mantener los parmetros en el rango ptimo, sin embargo, se evita el uso de cianuro. El bao cido, tambin puede utilizarse como primer revestimiento metalizado en plsticos, por su gran ductilidad. En un bao cido, el sulfato de cobre CuSO4 representa la fuente de iones de cobre que se deposita en la superficie a recubrir. Para este proceso se recomienda sulfato de cobre qumicamente puro. El bao de cobre tpico contiene sulfato de cobre, cido sulfrico, iones de cloruro y aditivos de brillo. Slo dos son los tipos de solucin que se utilizan en gran escala, esto es, las soluciones de cianuro y las soluciones cidas. El primer tipo consiste esencialmente en una solucin de cianuro cuproso en un cianuro de metal alcalino, con o sin varios agentes de adicin. Las soluciones de cianuro tienen un excelente poder de penetracin; no obstante, en general, son inapropiadas para la obtencin dedepsitos de un espesor apreciable, pero tienen la ventaja de poder ser aplicadas directamente a los metales ferrosos. Las soluciones cidas consisten en una solucin de sulfato de cobre y cido sulfrico, y se utilizan principalmente para recubrir aquellos metales que no son atacados qumicamente por la solucin, y especialmente cuando se requiere un espesor apreciable, como en galvanoplastia. Conductor elctrico Un conductor elctrico es un material que ofrece poca resistencia al movimiento de carga elctrica. Descripcin Son materiales cuya resistencia al paso de la electricidad es muy baja. Los mejores conductores elctricos son metales, como el cobre, el oro, el hierro y el aluminio, y sus aleaciones, aunque existen otros materiales no metlicos que tambin poseen la propiedad de conducir la electricidad, como el grafito o las disoluciones y soluciones salinas (por ejemplo, el agua de mar) o cualquier material en estado de plasma. Para el transporte de energa elctrica, as como para cualquier instalacin de uso domstico o industrial, el mejor conductor es la plata, pero debido a su elevado precio, los materiales empleados habitualmente son el cobre (en forma de cables de uno o varios hilos), o el aluminio; metal que si bien tiene una conductividad elctrica del orden del 60% de la del cobre, es sin embargo un material tres veces ms ligero, por lo que su empleo est ms indicado en lneas areas de transmisin de energa elctrica en las redes de alta tensin.1 A diferencia de lo que mucha gente cree, el oro es levemente peor conductor que el cobre, sin embargo, se utiliza en bornes de bateras y conectores elctricos debido a su durabilidad y resistencia a la corrosin. La conductividad elctrica del cobre puro fue adoptada por la Comisin Electrotcnica Internacional en 1913 como la referencia estndar para esta magnitud, estableciendo el International Annealed Copper Standard (Estndar Internacional del Cobre Recocido) o IACS. Segn esta definicin, la conductividad del cobre recocido medida a 20 C es igual a 58.0 MS/m.2 A este valor es a lo que se llama 100% IACS y la conductividad del resto de los materiales se expresa como un cierto porcentaje de IACS. La mayora de los metales tienen valores de conductividad inferiores a 100% IACS pero existen excepciones como la plata o los cobres especiales de muy alta conductividad designados C-103 y C-110.3 Usos Aplicaciones de los conductores: Conducir la electricidad de un punto a otro (pasar electrones a travs del conductor; los electrones fluyen debido a la diferencia de potencial). Crear campos electromagnticos al constituir bobinas y electroimanes. Modificar el voltaje al constituir transformadores. El aislamiento elctrico se produce cuando se cubre un elemento de una instalacin elctrica con un material que no es conductor de la electricidad, es decir, un material que resiste el paso de la corriente a travs del elemento que alberga y lo mantiene en su desplazamiento a lo largo del semiconductor. Dicho material se denomina aislante elctrico.

Cinta aislante elctrica. La diferencia de los distintos materiales es que los aislantes son materiales que presentan gran resistencia a que las cargas que lo forman se desplacen y los conductores tienen cargas libres y que pueden moverse con facilidad. De acuerdo con la teora moderna de la materia (comprobada por resultados experimentales), los tomos de la materia estn constituidos por un ncleo cargado positivamente, alrededor del cual giran a gran velocidad cargas elctricas negativas. Estas cargas negativas, los electrones, son indivisibles e idnticas para toda la materia. En los elementos llamados conductores, algunos de estos electrones pueden pasar libremente de un tomo a otro cuando se aplica una diferencia de potencial (o tensin elctrica) entre los extremos del conductor. A este movimiento de electrones es a lo que se llama corriente elctrica. Algunos materiales, principalmente los metales, tienen un gran nmero de electrones libres que pueden moverse a travs del material. Estos materiales tienen la facilidad de transmitir carga de un objeto a otro, estos son los antes mencionados conductores. Los mejores conductores son los elementos metlicos, especialmente el oro, plata (es el ms conductor),1 el cobre, el aluminio, etc. Los materiales aislantes tienen la funcin de evitar el contacto entre las diferentes partes conductoras (aislamiento de la instalacin) y proteger a las personas frente a las tensiones elctricas (aislamiento protector). Ley de Ohm: V = I x R El voltaje hace que la electricidad fluya a lo largo de los alambres de cobre, mientras que el aislamiento que cubre dichos alambres ejercen una resistencia al paso de corriente, que es mucho menor a lo largo del alambre. Al aplicar la Ley de Ohm al alambre, tendremos que a menor resistencia del alambre, se tendr ms corriente con el mismo voltaje. Es importante tener presente que ningn aislamiento es perfecto (su resistencia no es infinita), de modo que cierta cantidad de electricidad fluye a lo largo del aislamiento a travs de la tierra. Esta corriente puede ser de millonsimas de amperios, pero se debe medir con un buen instrumento de prueba de aislamiento, como el meghmetro, popularmente conocido como "Megger". En resumen, un buen aislamiento es el que no se deteriora al aumentar el voltaje y por ende, la corriente, obtenindose una resistencia alta, la cual se debe mantener en el tiempo. Esto se visualiza al realizar mediciones peridicas y estudiando la tendencia que provoca que un aislamiento se deteriore. Existen diferentes tipos de solicitaciones:

Sobretensiones en rgimen permanente, o sobretensiones permanentes o en sus proximidades). Se caracterizan por un frente escarpado de duracin comprendida entre microsegundos y milisegundos: Frente lento: Frente de 20 microsegundos a 500 microsegundos, cola de hasta 20 milisegundos. Frente rpido: Frente de 0`1 microsegundos a 20 microsegundos, cola de hasta 300 microsegundos. Frente muy rpido: Frente menor(que haya contacto elctrico) Los materiales utilizados ms frecuentemente son los plsticos y las cermicas.

El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las bandas de valencia y conduccin, que dificulta la existencia de electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material (para ms detalles ver semiconductor). Un material aislante de la electricidad tiene una resistencia tericamente infinita. Algunos materiales, como el aire o el agua son aislantes bajo ciertas condiciones pero no para otras. El aire, por ejemplo, aislante a temperatura ambiente y bajo condiciones de frecuencia de la seal y potencia relativamente bajas, puede convertirse en conductor. Materiales conductores: metales, hierro, mercurio, oro, plata, cobre, platino, plomo, etc. Materiales aislantes: plstico, madera, cermicas, goma. Semiconductor Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta. Electrones en la ltima capa

Elemento

Grupos

Cd

12

2 e-

Al, Ga, B, In 13

3 e-

Si, C, Ge

14

4 e-

P, As, Sb

15

5 e-

Se, Te, (S)

16

6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp. ndice [ocultar]

1 Tipos de semiconductores

o o

1.1 Semiconductores intrnsecos 1.2 Semiconductores extrnsecos

1.2.1 Semiconductor tipo N 1.2.2 Semiconductor tipo P

2 Vase tambin 3 Enlaces externos 4 Semiconductores y electrnica Tipos de semiconductores[editar editar cdigo]

Semiconductores intrnsecos[editar editar cdigo] En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el

correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y elgermanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento. Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27c): ni(Si) = 1.5 1010cm-3 ni(Ge) = 1.73 1013cm-3 Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin. Semiconductores extrnsecos[editar editar cdigo] Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material. Semiconductor tipo N[editar editar cdigo] Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el

nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el materialdopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero. Semiconductor tipo P[editar editar cdigo] Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.