Estructura Cristalina de Los Materiales
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Base
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nA
VcN A
Donde
= Densidad
n= Nmero de tomos asociado a cada celda unitaria
A= Peso atmico
Vc= Volumen de la celda unitaria
NA= Es el nmero de Avogadro (6.023x1023 tomos/mol)
En este punto surgen varios conceptos importantes, como el nmero de tomos
por celda y volumen de la celda unitaria.
El nmero de tomos por celda unitaria (n) se estima de acuerdo al nmero de
tomos vecinos en una red cristalina. Los tomos localizados en las esquinas de la
red son compartidos con ocho celdas unitarias y toman el valor de 1/8; los tomos
que se encuentran en las caras slo son compartidos por dos celdas y toman el
valor de 1/2 y los tomos en el centro del cubo no se comparten con ninguna
otra celda y toman el valor de 1. Si se quiere determinar el nmero de tomos que
comparte una celda cbica simple tenemos lo siguiente:
La celda cbica simple tiene ocho esquinas que compartirn el mismo tomo
con ocho celdas unitarias, por lo tanto cada tomo por vrtice toma un valor de
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Figura tomada de
Callister 7 Ed.
Figura 2.4 Modelo de esferas rgidas para una celda unitaria FCC
Dado que se est trabajando con un cubo, el volumen de ste estara dado por
a3. Es decir, elevar al cubo el parmetro de red; sin embargo, el parmetro de red
est en funcin del radio atmico R. Por consiguiente, hay que determinar el
parmetro de red a en funcin de R.
El tringulo que se forma por los dos catetos del parmetro de red a y la
hipotenusa que es igual a 4R nos permite plantear la siguiente expresin utilizando
el teorema de Pitgoras (a2+b2=c2). Ponindolo en trminos de la celda, tenemos
lo siguiente:
a2+a2=(4R)2
Resolviendo para a
a 2R 2
La expresin anterior representa el parmetro de red de la celda FCC; por lo tanto,
si elevamos al cubo este parmetro tendremos su volumen.
Vc a 3 (2R 2 ) 3 8R 3 ( 2 ) 3 16R 3 2
Vc 16R 3 2
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FEA
Fuera del sistema cbico, pero no menos importante para los metales, tenemos a
la celda hexagonal compacta. Dentro de este tipo de celda tenemos ubicados
metales de mucha importancia, como son el Titanio (Ti), Magnesio, Cadmio y Zinc.
Esta celda se caracteriza por tener una base hexagonal. En cada arista del
hexgono y en el centro del mismo se localiza un tomo. Este arreglo se repite
para la tapa superior de un poliedro. En la parte central de ste se encuentran
tres tomos ms dispuestos en forma de tringulo, como se muestra en la figura
2.5.
Figura tomada de
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Sistema
Relaciones
axiales
ngulos
interaxiales
Geometra de la
celda unitaria
Nmero
redes
Cbico
Hexagonal
de
Tetragonal
Rombohdrico
(Trigonal)
Ortorrmbico
Monoclnico
Triclnico
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Figura adaptada de
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Figura tomada de
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Direcciones cristalogrficas
Una direccin cristalogrfica est dada por un vector que va desde el origen a
un punto con coordenadas x,y,z ubicado dentro de la red o de la celda unitaria.
Para determinar la direccin cristalogrfica hay que seguir los siguientes pasos.
1. Trazar un vector con la longitud apropiada desde el origen del sistema de
referencia hasta el punto en cuestin con coordenadas (x,y,z). Hay que
recordar que este vector se puede trasladar si se mantiene la condicin de
paralelismo.
2. Determinar la longitud del vector proyeccin en cada uno de los ejes en
trminos de las dimensiones del la celda unitaria a,b y c. En otras palabras,
calcular la resta de las coordenadas del punto final menos el punto inicial
que definen al vector trazado. El resultado son tres nmeros que pueden
ser enteros o fracciones.
3. Estos tres nmeros son reducidos al multiplicarlos o dividirlos por un factor
comn de tal manera que quedan reducidos al nmero entero ms
pequeo.
4. Los tres nmeros enteros obtenidos se encierran entre corchetes y no van
separados por comas [uvw], obteniendo as la direccin cristalogrfica.
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DAL
DAP
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# Atomosporcara
AreadelaCa ra
a
h2 k 2 l 2
Donde
a es el parmetro de red de la celda unitaria
(hkl) son los ndices de Miller para el plano cristalogrfico estudiado
De la expresin anterior es claro que, si podemos medir la distancia entre planos
entonces podremos determinar el parmetro de red. Para medir la distancia entre
planos se recurre a una tcnica experimental llamada difraccin de rayos X. El
aparato que hace posible esta medicin se llama difractmetro y su funcin es
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Planos (hkl)
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Ley de Bragg
Difractograma indexado
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surge un nuevo cristal o grano; por lo tanto, podemos definir a los monocristales y
policristales.
Sin duda, ahora debemos recordar la clasificacin de los materiales segn su
cristalinidad: cristalinos y de los no cristalino o amorfos. Un material cristalino es
aqul en el cual su estructura se encuentra perfectamente ordenada en arreglos
simtricos y repetitivos como los son las celdas unitarias. Por otro lado, un material
amorfo es aquel material que no presenta estructura cristalina y por lo tanto no
existe orden ni simetra en su disposicin atmica.
Silicio
Oxgeno
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a)
b)
Figura tomada de
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[111]
[100]
Figura adaptada de
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Tipos de imperfecciones
Vacancia de tomos
Atomos intersticiales
Atomos sustitucionales
Defectos puntuales
Dislocaciones
Defectos de lnea
Fronteras de grano
Defectos de rea
Dentro de los defectos puntuales tenemos a las vacancias, los intersticios y los
defectos sustitucionales.
Vacancia
Este defecto puntual se refiere a la ausencia de un tomo en la red; por lo tanto,
existe una vacante en ese sitio donde se esperaba la presencia de un tomo con
las mismas caractersticas de los tomos vecinos.
Nv Ne(
Qv
)
kT
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N A
A
densidad.
Intersticio
Este defecto ocurre cuando en la red cristalina aparece un tomo extra en la red.
Ese tomo puede modificar sustancialmente la posicin de sus vecinos en la red.
Sustitucin
El defecto sustitucional ocurre, como su nombre lo indica, cuando un tomo en el
arreglo cristalino es remplazado por un tomo perteneciente a otro elemento.
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Figura 2.10 Defectos puntuales
Dentro de los defectos de lnea tenemos clasificadas a las dislocaciones.
Principalmente podemos hablar de tres tipos de dislocaciones. Las de borde, las
de tornillo y las mixtas. En breve describiremos las principales caractersticas de
estas dislocaciones.
Dislocaciones de borde
La dislocacin de borde ocurre cuando un conjunto de tomos es dispuesto en
forma de cua respecto al resto de la red. Esto causa la deformacin a lo largo
de una lnea.
Dislocaciones de tornillo
Las dislocaciones de tornillo surgen cuando la red cristalina sufre un pequeo
desplazamiento entre planos en una direccin determinada. Este pequeo
desplazamiento da lugar a un borde sobresaliente de la red ocasionando una
imperfeccin a lo largo de una lnea.
Dislocaciones mixtas
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Como su nombre lo indica, las dislocaciones mixtas son aqullas donde podemos
localizar, en la misma red, las dislocaciones de borde y de tornillo. En algunas
ocasiones, las podemos apreciar de forma independiente y en otras podemos
apreciarlas de manera combinada.
Dislocacin
de tornillo
Vector de Burgers
Dislocacin
de borde
Deslizamiento
de planos
Vista lateral
con apariencia
de la cuerda de
un tornillo
(a)
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(b)
Dislocacin
de tornillo
Dislocacin
de borde
Figura adaptada de
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(c)
Los defectos de superficie o tambin llamados interfaciales se forman por el
cambio de orientacin cristalina; es decir, son los lmites de grano, macla, fase
que separan a dos o ms regiones del material con diferente estructura cristalina
u orientacin cristalogrfica. La clasificacin de estos defectos se presenta de la
manera siguiente:
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Superficies externas
Lmites de grano
Defectos
superficiales
Lmites de macla
Defectos de apilamiento
Lmites de fase
Superficies externas
Los defectos de superficie externa son los ms evidentes y se localizan en la
superficie del material. Aqu los tomos superficiales no estn enlazados con el
mximo nmero de tomos vecinos.
Lmites de grano
Este defecto se localiza, como su nombre lo indica, en los lmites de grano. Este
defecto rompe la uniformidad de la orientacin cristalogrfica del conjunto de
celdas unitarias y beneficia la difusividad, reactividad qumica.
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Lmites de macla
Una macla es un defecto cristalino superficial que se caracteriza por presentar
estructuras cristalinas con simetra tipo espejo. El plano que divide a ese conjunto
de celdas simtricas es llamado plano de la macla o lmite de macla.
Defectos de apilamiento
Los defectos de apilamiento se observan en el acomodo atmico en la formacin
de estructuras ms complejas. Si la secuencia de apilamiento cambia, entonces
surge un defecto de apilamiento.
Lmites de fase
Los defectos de fase ocurren cuando un material est conformado por ms de
una fase. Si se da un cambio abrupto en la distribucin de las fases en el material,
entonces se origina un lmite de fase.
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Lmite de grano
Lmite de fase
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