Análisis Del Comportamiento de Los Transistores Informe 2
Análisis Del Comportamiento de Los Transistores Informe 2
Análisis Del Comportamiento de Los Transistores Informe 2
I. Transistores:
El transistor es un dispositivo
semiconductor que consta de tres zonas de
dopado. El material con que esté constituido en
cada una de sus capas definirá el tipo de transistor.
Existen dos tipos de transistores: transistor tipo
PNP y transistor tipo NPN. La capa del emisor es
frecuentemente dopada, la base ligeramente y el
colector solo un poco. La capa del centro (o sea la
base) tendrá un menor dopado que las capas Figura 2: esquema de un transistor. Tomado de:
externas, lo mismo ocurre en un transistor de tipo http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans
PNP pero de manera contraria. Esto para reducir _bipolar.htm.
la conductividad, aumentándose la resistencia del
material conformando la base, al limitar el número
de portadores libres. Un transistor es similar a dos
diodos conectados, el transistor consta de dos
uniones: una entre el emisor y la base y la otra
entre la base y el colector. El emisor y la base
forman un diodo, mientras que el colector y la
base forman el segundo diodo. Ambos Figura 3: los tres estados de un transistor. Tomado
denominados diodo emisor y diodo colector. de www.areatecnologica.com
El transistor PNP, la corriente resultante El funcionamiento de los transistores consiste
entra por el por el emisor y sale por el colector. en tres estados: en corte, en saturación y en activo:
En el transistor NPN, la corriente En activo, deja pasar una corriente
resultante entra por el colector y sale por el variable.
emisor. En corte, no deja pasar corriente, se tiene
En la figura 1 se muestran los dos tipos una corriente cero.
de En saturación, deja pasar toda la
transi corriente, por lo tanto se tiene una
stores corriente máxima.
: Obteniendo un funcionamiento como el de
una llave de agua.
Funcionamiento en corte:
Funcionamiento en saturación:
Montaje 1A:
Grafico 1
Descripción: el montaje 1A funciona
Relación intensidad de la corriente Ib vs voltaje
utilizando una fuente de 10V, un interruptor o
(V)
suiche, una resistencia variable de 10 kΩ, para
variar la cantidad de voltaje que recibe la base del
transistor, una resistencia fija de 1 kΩ y un
transistor tipo PNP, el voltaje del emisor – tierra
Ib (A) vs Voltaje (V)
siempre será 0V, como se muestra en la siguiente 0.01
figura (Figura 2): 0.009
y = 18.267x2 - 1.0566x + 0.0162
0.008
R² = 0.9501
Corriente Ib (A)
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
0.0000 0.0100 0.0200 0.0300 0.0400
Voltaje (V)
Se muestra la curva característica del 5: Montaje 2A. Por seguridad, se ha modificado el
comportamiento no lineal del transistor cuando se valor de la fuente debido a su alcance, con un
mide la corriente de la base y el voltaje. valor de 22V. Tomado de Romero Garavito
Miguel Ángel.
Tabla 2:
Colector - Emisor -
Ic (A) Ie (A) tierra (V) tierra (V)
Grafico 2 0,00322 0,00326 10,35 3,04
0.00999 figura
(Figura
0.00998 4):
0.00998
0.00997
0.00997
0.0000 0.0200 0.0400
Voltaje (V)
Montaje 2A
Figura 6: Montaje 2B, guarda similitud
Descripción: el montaje 2A cuenta con una
con el anterior montaje en cuanto a las resistencias
batería de 22 V, cuenta con cuatro resistencias
R1, R2 y Re, la fuente es de un voltaje menor a la
fijas (R1: 10 kΩ, R2: 2.2 kΩ, Rc: 3.6 kΩ y Re: del montaje 2A. Tomado de Romero Garavito
1 kΩ), y un transistor tipo PNP, como se muestra Miguel Ángel.
en la siguiente figura (Figura 3):
Tabla 3:
Tabla 5:
Montaje 2D:
https://www.sparkfun.com/datasheets/Component
s/2N3906.pdf
https://www.sparkfun.com/datasheets/Component
s/2N3904.pdf
https://www.ieee.org/conferences/publishing/temp
lates.html