Curva Caracteristica Del Transistor
Curva Caracteristica Del Transistor
Curva Caracteristica Del Transistor
RESUMEN
Palabras claves: Transistores, bipolar, ganancia del transistor, transistor de base positiva..
2. MARCO TEORICO
Figura 1. Partes de un transistor
El transistor bipolar es un dispositivo de tres
La zona superior es el "Colector", la zona terminales -emisor, colector y base-, que,
central es la "Base" y la zona inferior es el atendiendo a su fabricación, puede ser de dos
"Emisor". El Emisor está muy impurificado, la tipos: NPN y PNP. En la figura 2 se
Base tiene una impurificación muy baja, encuentran los símbolos de circuito y
nomenclatura de sus terminales. La forma de
distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP
es observando la flecha del ter-minal de elevada, y un diodo en inversa (unión base-
emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia colector), por el que, en principio, no debe-ría
fuera del transistor; en un PNP la flecha circular corriente, pero que actúa como una
apunta hacia dentro. Además, en estructura que recoge gran parte de la
funcionamiento normal, dicha flecha indica el corriente que circula por emisor-base.
sentido de la corriente que circula por el
emisor del transistor.
El montaje básico que se realiza para estudiar
el comportamiento de un transistor NPN es el
que se ilustra en la figura 4.
���+���+���=0 (2)
I C =β I B
(4)
Para IB=0, la corriente de colector también Observa que, en la mayor parte de las curvas,
debe ser nula. La región de corte está la tensión VCE afecta muy poco a la corriente
representada por el eje de abscisas. Por de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado
contra, para VCE=0 el transistor entra en (por encima de VCEO), la unión del colector
saturación, luego esta región queda entra en la región de ruptura y éste puede
representada por el eje de ordenadas. llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensión
VCE es muy pequeña (por debajo de los 0.7V),
Hasta aquí se presenta la característica ideal, la corriente de colector será muy débil,
pero como era de esperar, la realidad es un obteniéndose una ganancia de corriente muy
poco más compleja, y las curvas quedarán baja. En conclusión, para conseguir que el
como representa la siguiente figura: transistor trabaje como amplificador de
corriente, la tensión de polarización inversa
VCE debe mantenerse por encima de 0.7V y
por debajo de la tensión de ruptura.
Para VCE=0
Para IC=0
3. METODOLOGÍA
- 2 resistencias de 1KΩ.
- 1 transistor 2N3904.
- 1 Fuente.
- 1 Multímetro.
IC 0
β=
I B , donde la ganancia total será 0
0
n
β 0
∑ ni
i=1 0
0 f(x) = 0 exp( 53.03 x )
La ganancia promedio del capacitor es
entonces: 0
0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75
V CC V BE IC IB β
Gráfica 1. Curva característica experimental
0,6 0,000202 0,0000013 155,384615 del transistor VBE-IB para 5V.
0,61 0,000276 0,0000015 184 0.01
0,000399 0,0000026 153,461538
0,62
14,93 0,63 0,000621 0,0000034 182,647059 0.01
0,64 0,000947 0,0000052 182,115385
0,65 0,001625 0,0000082 198,170732 0
0,655 0,003478 0,000015 231,866667
0,67 0,00489 0,0000235 208,085106 0
0,68 0,00683 0,0000335 203,880597
0,69 0,00955 0,0000488 195,696721 f(x) = 0 exp( 52.1 x )
0,7 0,01195 0,0000625 191,2 0
0,725 0,01459 0,0001 145,9
n
β 0
∑ ni 186,03
i=1
0
Tabla 2. Valor de ganancia experimental del 0.56 0.61 0.66 0.71 0.76 0.81
transistor.
Gráfica 2. Curva característica experimental
β Teórico β Experimental de error del transistor VBE-IB para 10V.
0
Figura 15. Circuito simulado en Multisim para
14,93V. 0
0
0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75
0
Ib vs Ic (5V)
0.01
0
0.560.58 0.6 0.620.640.660.68 0.7 0.720.74 0.01
0
Gráfica 8. Curva característica teórica del
transistor VBE-IB para 10V. Curva azul- 0
Experimental, Curva roja-Teórica.
0
0 0
0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0
Ib vs Ic (10V)
0.01
0
0.01
0 0.01
0.01
0
0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0
0.02 0
0
0.01
0
0.01 0
0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0
Gráfica 13. Curva característica teórica del
Gráfica 12. Curva característica experimental transistor IB-IC para 5V.
del transistor IB-IC para 14,93V.