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SIMILITUDES Y DIFERENCIAS ENTRE

TEGNOLOGIAS DE POWER MOSFET
William Gerónimo Solarte Rosas, 440
Escuela de Ingeniería Electrónica en Control y Redes Industriales, ESPOCH
[email protected]

 forma una región de inversión, es decir, una región con dopado

Resumen— En este espacio se presenta una evaluación opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término
comparativa entre diferentes tecnologías de fabricación de
MOSFETs, concretamente se estudia el uso de MOSFETs de enriquecimiento hace referencia al incremento de la
carburo de silicio (SiC) frente a la tecnología convencional de silicio conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de
(Si), sus curvas características frente a determinadas aplicaciones, portadores de carga en la región correspondiente al canal. De
además, se revisara sus características estáticas y dinámicas y sus
este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo
aplicaciones. Se considerará el dispositivo de canal n por ser el de
mayor aplicación. Se inicia una revisión del funcionamiento del
p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se
MOSFET de potencia con su estructura y sus características construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p. Los
específicas. MOSFET de enriquecimiento tienen mayor aplicación en
Palabras Clave: MOSFET, Potencia, Voltaje, Saturación. circuitos digitales y sobre todo en la construcción de circuitos
integrados, debido a su pequeño consumo y el reducido espacio
Abstract—In this space presents a comparative evaluation que ocupan. En la Fig. 1 se muestran los símbolos esquemáticos
between different manufacturing technologies of MOSFETs, del E-MOSFET. [2].
specifically the use of MOSFETs of silicon carbide (SiC) compared
to conventional silicon technology (Si), its characteristic curves
against certain applications, plus, its static and dynamic
characteristics and its applications will be reviewed. The channel n
device will be considered as the most applicable. A review of the
operation of the power MOSFET with its structure and its specific
characteristics is initiated.

I. INTRODUCCIÓN

E l transistor de efecto de campo MOS o MOSFET es un

transistor utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria
Fig. 1 Símbolos esquemáticos del E-MOSFET.

En la Fig. 2 se puede visualizar la representación de la

microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. construcción y operación de un E-MOSFET básico canal n.
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la
estructura MOS. Los primeros son los MOSFET de
enriquecimiento o acumulación los cuales se basan en la
creación de un canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una
tensión en la puerta. Los MOSFET de empobrecimiento o
deplexión tienen un canal conductor en su estado de reposo, que
se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión
eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona una disminución de la
cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de
la conductividad. Tienen un gran campo de aplicación como
amplificadores de señales débiles en alta frecuencia o
radiofrecuencia (RF) debido a su baja capacidad de entrada. [1].
Fig. 2 Características de un E-MOSFET de canal n.
II. DESARROLLO B. MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET)
A. MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET) El D-MOSFET es otro tipo transistor en el que el drenaje y la
fuente se difunden en el material del sustrato y luego se conectan
En los MOSFET de tipo enriquecimiento la tensión de la puerta
mediante un canal angosto adyacente a la compuerta aislada. En
atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se
la Fig. 3 se muestran tanto dispositivos de canal n como de canal
p. Se utilizara el dispositivo de canal n para describir la
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operación básica. La operación de canal p es la misma, excepto induce verticalmente a lo largo de ambos lados de la ranura en
porque las polaridades del voltaje se oponen a las del canal n. forma de V entre el drenaje y las conexiones de fuente. El
Imagínese la compuerta como la placa de un capacitor de placas espesor de las capas establece la longitud del canal, lo cual se
paralelas y el canal como la otra placa. La capa aislante de controla mediante las densidades y el tiempo de difusión del
bióxido de silicio es el dieléctrico. Con un voltaje negativo en la dopado en lugar de las dimensiones del enmascaramiento. [3].
compuerta, las cargas negativas en ésta repelen los electrones de En la Fig. 5 se observa la sección transversal de la estructura
conducción provenientes del canal y dejan a los iones positivos vertical del canal n de un V-MOSFET.
en su lugar. Por esto, el canal n se queda sin algunos de sus
electrones, por lo que disminuye la conductividad del canal. En
la Fig. 1 se muestran los símbolos esquemáticos del D-
MOSFET.

Fig. 3 Símbolos esquemáticos del D-MOSFET.

Fig. 4 Estructura vertical del canal n de un V-MOSFET.
En la Fig. 4 se muestra la estructura básica de un D-MOSFET.
La mayoría de los inconvenientes del MOSFET de estructura
plana pueden reducirse por medio de la estructura V-MOSFET,
como las conexiones de fuente y drenador del V-MOSFET están
en la parte superior e inferior, respectivamente, el flujo de
corriente es vertical y de esta forma los canales n se forman a
ambos lados del corte en V de la puerta (G). Esto ocurre por el
mismo fenómeno que en los MOSFET de estructura plana,
cuando se aplica una diferencia de potencial en la puerta (G) los
electrones se ven atraídos a la región situada bajo la puerta y se
induce un canal de material de tipo 𝑛 en la pastilla
Fig. 4 Estructura de un D-MOSFET. semiconductora 𝑝 que se encuentra entre el drenador y la fuente.
Vemos que se reduce la longitud del canal 𝑛 a valores muy
C. Estructuras de MOSFET de Potencia pequeños y también se elimina la capacidad de realimentación.
El MOSFET de Potencia es un dispositivo que, manteniendo el Gracias a su estructura vertical, con la Fuente y el Drenador
principio de funcionamiento del MOSFET de señal, se modifica ubicados en ambos extremos, este dispositivo tolera altos
para manejar corrientes y bloquear tensiones como las que se valores de corriente y voltaje lo que permite una muy eficiente
utilizan en conversión electrónica de potencia. Su aplicación utilización del MOSFET para potencias grandes [4].
está limitada a niveles de tensión correspondientes a redes de Aspectos Importantes de la Estructura de los V-MOSFET
baja tensión o menores 230 Vca o 400 Vca o sus valores  Corto entre región p y Source.
rectificados. Es el dispositivo de elección en fuentes de  Drain compuesto por dos capas: n+ y n- (epi layer).
alimentación de hasta algunos kW, para sistemas electrónicos  Extensión de la región de Gate sobre la región n- del
conectados a servicios de baja tensión. Su velocidad y manejo Drain.
comparativamente más simple ha permitido la reducción de  Estructura de celdas equivalentes a un gran arreglo de
tamaño y costo de esos equipos, al reducirse los componentes pequeños MOS de Potencia conectados en paralelo.
pasivos que los integran.  Geometría de la celda importante para la determinación
D. MOSFET de Potencia verticales (V-MOSFET) de ciertos parámetros de funcionamiento.
El MOSFET de ranura en V es otro ejemplo del E-MOSFET E. Características Generales de los MOSFET
convencional diseñado para alcanzar una capacidad de potencia Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por
más alta, creando un canal más corto y más ancho con menos voltaje, y solo requiere una pequeña corriente de entrada.
resistencia entre el drenaje y la fuente por medio de una
estructura de canal vertical. Los canales más cortos y anchos Características:
permiten corrientes más altas, y por lo tanto, una disipación de  La velocidad de conmutación es muy alta, y los tiempos
potencia más grande. También mejora la respuesta en de conmutación son del orden de los nanosegundos.
frecuencia. El V-MOSFET tiene dos conexiones de fuente, una  Tiene problemas de descarga electrostática por lo que
conexión de compuerta en la parte superior y una conexión de requieren de cuidados especiales en su manejo.
drenaje en la parte inferior, como muestra la Fig. 5. El canal se
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 Es muy difícil protegerlos en condiciones de falla por máxima entre drenador y surtidor (VDSmax) de
corto circuito. 1200V, baja resistencia de conducción (RDSon) y
 Requieren poca energía de compuerta para su capacidades parásitas (Ciss, Crss, Coss) pequeñas.
funcionamiento.  Los dispositivos de silicio que se seleccionan para la
 La resistencia de entrada es muy alta, de 109 ª 1011 Ω. comparativa deben aproximarse a nivel de capacidades
parásitas a las del carburo de silicio o bien a los
Desventajas: márgenes de tensión (VDS) y corriente (ID) máximos
soportados.
En su alta resistencia en sentido directo en estado activo y por  El encapsulado del dispositivo debe ser el mismo para
consiguiente grandes pérdidas este estado. poder intercambiarlos con facilidad y, además, poder
comparar el nivel de temperatura que alcanza el
Aplicaciones: encapsulado en cada caso.

 Se los aplica en convertidores de baja potencia y alta III. SIMILITUDES Y DIFERENCIAS ENTRE TECNOLOGÍAS DE
frecuencia. POWER MOSFETS
 Se los utiliza como elementos TTL, por el mismo hecho La motivación para conseguir sistemas de potencia más
de que con la inyección de poco voltaje permiten eficientes lleva al estudio de nuevas tecnologías de fabricación
obtener una corriente suficiente para mover ciertos de dispositivos de conmutación tales como ya conocida
elementos como motores. aparición de diodos, transistores J-FET y MOSFETs de Carburo
 El MOSFET de tipo incremental se usan como de Silicio (SiC) y de Nitruro Galio (GaN) [6]. Dichos
dispositivos de conmutación en la electrónica de dispositivos aparecen como la solución para obtener unas
potencia. mejores prestaciones en los actuales sistemas electrónicos de
 Se utilizan estos transistores en su región de saturación potencia, pero están teniendo una introducción lenta en la
para elaborar amplificadores de voltaje. [4]. industria debido a su reciente aparición y a que su coste todavía
es alto. La tecnología de SiC, por sus características materiales
inherentes, debe permitir trabajar a temperaturas más elevadas,
soportar tensiones de bloqueo mayores desde 1200V hasta
1700V en los dispositivos comerciales, reducir la resistencia de
canal en conducción minimizando las pérdidas de conducción,
F. Similitudes y Diferencias entre Tecnologías de Power
trabajar a frecuencias de conmutación mayores obteniendo
MOSFET
menores pérdidas de conmutación y, por tanto, reducir el
La motivación para conseguir sistemas de potencia más tamaño, peso y coste del sistema al mismo tiempo que se
eficientes lleva al estudio de nuevas tecnologías de fabricación mantiene o incluso maximiza la eficiencia.
de dispositivos de conmutación tales como ya conocida El diodo de carburo de silicio nos permite asegurar que podemos
aparición de diodos, transistores J-FET y MOSFETs de Carburo subir la tensión de trabajo hasta el mismo margen de trabajo que
de Silicio (SiC) y de Nitruro Galio (GaN) [5]. Dichos los MOSFETs comerciales de SiC que tienen una tensión de
dispositivos aparecen como la solución para obtener unas drenador surtidor máxima (VDSmax) de 1200V. Poniendo
mejores prestaciones en los actuales sistemas electrónicos de como referencia un estudio realizado en paneles fotovoltaicos la
potencia, pero están teniendo una introducción lenta en la comparativa entre las diferentes tecnologías de fabricación, ya
industria debido a su reciente aparición y a que su coste todavía sea la convencional de silicio o la emergente en carburo de
es alto. La tecnología de SiC, por sus características materiales silicio, se presentan los siguientes resultados:
inherentes, debe permitir trabajar a temperaturas más elevadas,
soportar tensiones de bloqueo mayores desde 1200V hasta  El dispositivo de carburo de silicio soporta una tensión
1700V en los dispositivos comerciales, reducir la resistencia de máxima entre drenador y surtidor (VDSmax) de
canal en conducción minimizando las pérdidas de conducción, 1200V, baja resistencia de conducción (RDSon) y
trabajar a frecuencias de conmutación mayores obteniendo capacidades parásitas (Ciss, Crss, Coss) pequeñas.
menores pérdidas de conmutación y, por tanto, reducir el  Los dispositivos de silicio que se seleccionan para la
tamaño, peso y coste del sistema al mismo tiempo que se comparativa deben aproximarse a nivel de capacidades
mantiene o incluso maximiza la eficiencia. parásitas a las del carburo de silicio o bien a los
El diodo de carburo de silicio nos permite asegurar que podemos márgenes de tensión (VDS) y corriente (ID) máximos
subir la tensión de trabajo hasta el mismo margen de trabajo que soportados.
los MOSFETs comerciales de SiC que tienen una tensión de
 El encapsulado del dispositivo debe ser el mismo para
drenador surtidor máxima (VDSmax) de 1200V. Poniendo
poder intercambiarlos con facilidad y además, poder
como referencia un estudio realizado en paneles fotovoltaicos la
comparar el nivel de temperatura que alcanza el
comparativa entre las diferentes tecnologías de fabricación, ya
encapsulado en cada caso.
sea la convencional de silicio o la emergente en carburo de
silicio, se presentan los siguientes resultados:
IV. CONCLUSIONES
 El dispositivo de carburo de silicio soporta una tensión
En este trabajo se ha presentado un estudio comparativo entre
diferentes tecnologías de fabricación de dispositivos de
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conmutación MOSFETs. Concretamente se han extraído

resultados de eficiencia y temperatura sobre el encapsulado para
tres MOSFETs, el primero de carburo de silicio y VDSmax
1200V, el segundo de silicio de 600V y el tercero de silicio a
950V. A partir de los resultados obtenidos puede afirmarse que
el uso de los dispositivos actuales de SiC quedaría enfocado a
aplicaciones que precisen de tensiones mayores de 600V y
potencias elevadas. A nivel térmico remarcar que el SiC, por sus
características, debería poder trabajar a temperaturas superiores
al silicio y que, debido al encapsulado, se queda limitado a un
rango de trabajo similar. Por tanto, es necesario seguir
trabajando para mejorar los encapsulados actuales y para
aumentar el abanico de dispositivos comerciales diseñados y
optimizados a fin de cubrir todo el rango de tensiones y
potencias de trabajo.

REFERENCIAS

[1] T. L. Floy, Dispositivos Electrónicos, México: PEARSON

EDUCACION, 2008.

[2] A. R. Hambley, Electrical Engineering: Principles and Applications.

Third Edition, Prentice Hal, 2005.

[3] B.Williams, Power Electronics: Devices, Drivers, Applications, and

Passive, Glasgow - UK. University of Strathclyde, 2006.

[4] J. e. Jan, «https://es.scribd.com,» 2018. [En línea]. Available:

https://es.scribd.com/document/369069690/Caracteristicas-de-Los-
Mosfet-de-Potencia. [Último acceso: 08 05 2018].

[5] L. Garcia-Rodriguez, E. Williams, J.C. Balda, J. Gonzalez-Lorente, E.

Lindstrom, A. Oliva, “Dual-Stage Microinverter Design with a GaNBased
Interleaved Flyback Converter Stage,” Energy Conversion
Congress and Exposition (ECCE), pp. 4496 - 4502, September 2013.