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JFET

Este documento describe diferentes tipos de transistores FET, incluyendo JFET, MOSFET, MESFET, VMOS y CMOS. Explica que los FET son controlados por voltaje en lugar de corriente, y dependen de la conducción de electrones más que de huecos. También compara las características y ecuaciones de los diferentes tipos de FET.

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Jefferson Cabezas
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JFET

Este documento describe diferentes tipos de transistores FET, incluyendo JFET, MOSFET, MESFET, VMOS y CMOS. Explica que los FET son controlados por voltaje en lugar de corriente, y dependen de la conducción de electrones más que de huecos. También compara las características y ecuaciones de los diferentes tipos de FET.

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Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE

Nombre: Jefferson Cabezas Materia: Electrónica Fundamental


Fecha: 10/08/2020 NRC: 8710

Transistores FET
En este caso el Transistor FET es controlado por voltaje, lo que lo hace más conveniente,
pues tener un voltaje de control es más eficiente que una corriente de controle en el caso de un
BJT, las Siglas FET significan Transistor de Efecto de Campo (Field Effect Transistor).
El dispositivo FET es un dispositivo Unipolar que depende no sólo tanto de la conducción
de electrones como la condición de huecos.

JFET: Transistor de efecto de campo de unión.


MOSFET: Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico.
MESFET: Transistor de efecto de campo semiconductor de metálico.
Los transistores tipo FET tienen un tiempo de respuesta mucho más rápido que un BJT de
modo que son más eficiente en los circuitos a los que se integren, otra característica de los
transistores tipo FET es la alta impedancia de entrada.
Un transistor tipo FET viene dado de una forma física de la siguiente manera
De manera que cuando conectamos una fuente de voltaje en los puertos D y S lograríamos
una polarización inversa en los transistores tipo p de manera que la región de
empobrecimiento de los mismo aumenta, y esto genera que el canal tipo n se haga más
angosto conforme el voltaje que se envíe en los puertos D y S, este proceso llevado al extremo
se conoce como Estrangulamiento donde VGS=0 y VDS=VP.
Características de transferencia.
Para el transistor BJT la corriente de salida Ic y la corriente e control de entrada Ib están
relacionadas por beta, la cual se considera constante para el análisis que se va a realizar. En
forma de ecuación, sin embargo esta relación en los JFET. De modo que la ecuación de
Shockley define la relación entre I_D y V_GS

A partir de la ecuación de Shockley obtenemos dos gráficas, con la escala vertical en


miliamperios:
En resumen cuando V gs=0 , I D=I DSS y cuando V GS=V P , I D=0, aunque es posible
solucionar la ecuación de Shockley de la manera convencional para obtener los valores de las
corriente existe también el método gráfico, por el cual trazamos la recta y ubicamos los
voltajes para obtener sus valores, para ellos nos valdremos de la siguiente tabla.

Instrumentación
En el caso de este tipo de transistor no existe un instrumento definido para medir
manualmente los niveles de I DSS y V p , sin embargo, un trazador de curvas presentado para el
BJT también puede mostrar en pantalla las características de drenaje del transistor JFET,
mediante un ajuste adecuado.
Relaciones Importantes
Existen algunas características que nos pueden ayudar a entender el funcionamiento de un
JFET mediante su relación con el transistor ya conocido BJT.
JFET BJT

V GS 2
(
I D =I DSS 1−
VP )
⇔ I C =β I B

I D =I S ⇔ I C ≅ I E

I G=0 ⇔ V BE=0,7 v
Mosfet tipo Empobracimiento de canal n
En este tipo de mosfet de canal n se forma una placa de material tipo p a partir de una base de
silicio y se conoce como sustrato, base sobre el cual se construye el dispositivo

Operación y Características Básicas


Para este tipo de dispositivo también se hace presente la ecuación de Shockley mencionada
anteriormente, solo poniendo el signo apropiado en Vgs y teniendo especial cuidado en la
ecuación por esta misma razón puesto que en este caso se produce una polarización negativa
que se refleja en Vgs.
Mosfet tipo Empobracimiento de canal p
La construcción de este tipo de dispositivo es exactamente la inversa de la que aparece en
el mosfet de tipo empobrecimiento de canal p, es decir ahora el sustrato es tipo n, y el canal es
tipo p, mientras los terminales no cambian sin embargo se invierten las corrientes.
Mosfet de tipo enriquecimiento
Aunque existan algunas semejanzas en la construcción y modo de operación entre el tipo
empobrecimiento y el tipo enriquecimiento, las características de este último son muy
diferentes, ya que la curva de transferencia no está definida por la ecuación de Shockley y la
corriente de drenaje ahora es la de corte hasta que el voltaje de la compuerta a la fuente
alcance una magnitud específica.
La relación entre las variables está dada por:

Para valores de V GS >V T la corriente de drenaje está relacionada con el voltaje de la


compuerta a la fuente aplicado por la siguiente relación no lineal:

El término k es una constante que es una función de la construcción del dispositivo, este
valor se determina a través de la siguiente ecuación:

MOSFET tipo enriquecimiento de canal p


Este es exactamente el opuesto del MOSFET tipo enriquecimiento de canal n. Es decir, ahora
hay un sustrato tipo n y regiones tipo n dopadas bajo las conexiones del drenaje y la fuente.
Las terminales no cambian, pero todas las polaridades del voltaje y las direcciones e la
corriente se invierten.
VMOS
En este caso todos los elementos del MOSFET plano están presentes en el FET de silicio
de óxido metálico vertical (VMOS), el nombre proviene de su parecido con la letra V tallada
en la base del semiconductor
CMOS
Este tipo de MOSFET se crea construyendo un MOSFET de canal p y uno de canal n en el
mismo sustrato como, conocido como MOSFET complementaria y se usa principalmente en
lógica de computadoras

MESFET
Las barreras de Schottky son barreras establecidas mediante la depositación de un metal
como el tunsteno sobre un canal de tipo n, al haber una unión de metal semiconductora es la
razón de que a FET se los conosca como transistores de efecto de campo de metal
semiconductor MESFET
Los MESFET tipo empobrecimiento y enriquecimiento se hacen con un canal n entre el
drenaje y la fuente, por ende, solo los MESFET tipo n son comerciales. En estos últimos se
pueden aplicar las mismas técnicas de análisis de cd y ca que se aplicaron a los JFET.

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