REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA

FUERZA ARMADA

NÚCLEO MÉRIDA.

FUENTES ÓPTICAS.

PROFESORA: ESTUDIANTES:

ASTRID ROJAS CONTRERAS MORA, ENDERSON RAUL

C.I.:25.703.838

ANGARITA ZERPA, JOSE RAFAEL

C.I.: 25.150.389

ITC-7S-D01
 MAYO, 2019.

Introducción

La teoría de bandas de energía permite apreciar las diferencias entre metales, semiconductores

y aisladores. En los primeros, todos los efectos ocurren en una sola banda parcialmente ocupada

por electrones; en los aisladores y semiconductores los fenómenos físicos de interés se deben a

transiciones electrónicas que se producen entre las bandas de valencia y conducción.

Uno de los componentes principales en las comunicaciones ópticas es la fuente de luz. En

sistemas de comunicaciones ópticas, las fuentes de luz deben ser compactas, monocromáticas,

estables y de larga duración, es decir que tengan una vida útil considerable. En la práctica no hay

fuentes de luz monocromáticas; hay solo fuentes que emiten luz dentro de una banda estrecha de

longitudes de onda. Las fuentes de luz utilizadas en espectrografía (estudio detallado de la luz)

no son ni prácticas, ni económicas para las comunicaciones ópticas, ya que estas pueden emitir

longitudes de ondas diferentes. La estabilidad de una fuente de luz implica un nivel de corriente

constante (sobre las variaciones de tiempo y temperatura) y una longitud de onda constante.

La tecnología de estado sólido hizo posible tener dichas fuentes de luz. Hay dos diferentes

grupos de fuentes de luz. El primer grupo transmite longitudes de ondas continuas. El láser de

emisión continua y los diodos de emisión de luz (LED) son ejemplos de fuentes de luz continuas.

Este grupo de fuentes requieren de un modulador externo en su salida óptica. Una señal eléctrica

representando una secuencia de datos actúa en el modulador, el cual modula la luz que pasa a

través él. El segundo grupo de fuentes de luz transmite luz modulada; esto no necesita modulador

externo. Este grupo de fuentes recibe una secuencia de datos eléctricos que directamente modula

la fuente de luz. El láser y el LED son ejemplos de fuentes de luz modulada.

 Tópicos De Física De Semiconductores: Bandas De Energía

El objetivo principal de la teoría de las Bandas es el de encontrar un modelo analítico o

matemático, que describa cuantitativamente el comportamiento de una partícula cargada en el

cristal, como si se estructurara del que tiene una partícula libre como una peculiar masa

denominada masa efectiva.

Cuando el electrón pasa cerca de un átomo es acelerado y cuando se aleja es desacelerado,

hasta que entra dentro del campo eléctrico del siguiente átomo. Este proceso se repite átomo tras

átomo, por lo que el campo de energía potencial del cristal ideal es periódico.

Se sabe por la mecánica cuántica que la expresión que proporciona los niveles de energía

discretos de un electrón en un pozo unidimensional y simétrico es:

2
1 ђ2π
En=
2m
x( )
a

Donde n= 1, 2, 3…

Considerando analíticamente el comportamiento del electrón en redes periódicas (Redes de

Bravais) mediante un modelo basado en un potencial periódica de forma cuadrada en un cristal

unidimensional de dimensiones infinitas se describe el potencial periódico de forma cuadrada.

Para algunos valores de energía E, el primer miembro resulta mayor que la unidad por lo que

el electrón no puede tener estas energías. Esta es la explicación de que aparezcan bandas de

energía prohibida.
 Materiales Intrínsecos Y Extrínsecos

Semiconductores Intrínsecos

Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del

carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por

simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden

absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente

hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12

ev y 0,67 ev para el silicio y el germanio respectivamente.

Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer,

desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de

valencia liberando energía. A este fenómeno se le denomina recombinación. Sucede que, a una

determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se

igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece constante.

Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos

(cargas positivas), se cumple que:

Ni = n = p

Siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura

y del tipo de elemento.

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 ºc):

 Ni (Si) = 1.5 1010cm-3

Ni (Ge) = 1.73 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos

tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se somete el cristal a una

diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al

movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al

desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos

próximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la dirección contraria

al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.

Semiconductores Extrínsecos

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de

impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina

extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la

estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio. Hoy en día se han logrado

añadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificación del

material.

Semiconductor Tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un

cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga

libres (en este caso negativos o electrones).

 Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente vinculados a los

átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material

donante, ya que da algunos de sus electrones.

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el

material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio

(Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace

covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de

valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica (ej. Fósforo (P), arsénico (As) o

antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese

átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como

resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera

ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y

los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de

valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada

electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el

material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

Semiconductor Tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un

cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga

libres (en este caso positivos o huecos).

 Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los

átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los

átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.

El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un

átomo tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une un átomo con tres

electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se

incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres

enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición de aceptar un electrón

libre.

Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la

red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve

equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son

añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los

huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores

minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo iib), que contienen impurezas de

boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Unión P-N

Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos

comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Está

formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque también

se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos

tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,

normalmente con algún otro metal o compuesto químico.

Polarización Directa de la Unión P – N

Polarización directa del diodo p-n.

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,

permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo

polarizado directamente conduce la electricidad.

Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unión P - N y la

negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos

electrones se dirigen hacia la unión p-n.

El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es

equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de

potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la

unión p-n.

Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga

espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia.

Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de

átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y

llega hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de

valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.

Polarización inversa de la unión P - N

Polarización inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona

n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza

el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del

cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A

medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran

neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad: 8

electrones en la capa de valencia, y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en

iones positivos.

El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p.

Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han

formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de

valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones

libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los

átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga

eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el

mismo potencial eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de

la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos lados de la unión produciendo una

pequeña corriente (del orden de 1 μa) denominada corriente inversa de saturación. Además,

existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre

indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los

átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces

covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del
diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los

electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa

de saturación, la corriente superficial de fugas es despreciable.

Diodos emisores de luz led

El LED (Light-EmittingDiode: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor que

emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN en la

cual circula por él una corriente eléctrica. Este fenómeno es una forma de electroluminiscencia,

el LED es un tipo especial de diodo que trabaja como un diodo común, pero que al ser

atravesado por la corriente eléctrica, emite luz. Este dispositivo semiconductor está comúnmente

encapsulado en una cubierta de plástico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se

emplean en las lámparas incandescentes. Aunque el plástico puede estar coloreado, es sólo por

razones estéticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED es una

fuente de luz compuesta con diferentes partes, razón por la cual el patrón de intensidad de la luz

emitida puede ser bastante complejo.

Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el

LED y evitar que este se pueda dañar; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de

operación va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que está relacionado con el

material de fabricación y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe

circular por él varía según su aplicación. Los Valores típicos de corriente directa de polarización

de un LED están comprendidos entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo

y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LED. Los diodos LED tienen enormes

ventajas sobre las lámparas indicadoras comunes, como su bajo consumo de energía, su
mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas. Para la protección del

LED en caso haya picos inesperados que puedan dañarlo. Se coloca en paralelo y en sentido

opuesto un diodo de silicio común

En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por

ellos, con lo cual, en su operación de forma optimizada, se suele buscar un compromiso entre la

intensidad luminosa que producen (mayor cuanto más grande es la intensidad que circula por

ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos).

Símbolo del LED

Estructura de un diodo led

Un diodo LED común se compone de las siguientes partes:

 1.- Extremo superior abovedado de la cápsula de resina epoxi, que hace también función de

lente convexa. La existencia de esta lente permite concentrar el haz de luz que emite el chip y

proyectarlo en una sola dirección.

2.- Cápsula de resina epoxi protectora del chip.

3.- Chip o diodo semiconductor emisor de luz.

4.- Copa reflectora. En el interior de esta copa se aloja el chip emisor de luz.

5.- Base redonda de la cápsula de resina epoxi. Esta base posee una marca plana situada junto

a uno de los dos alambres de conexión del LED al circuito externo, que sirve para identificar el

terminal negativo (–) correspondiente al cátodo del chip.

6.- Alambre terminal negativo (–) de conexión a un circuito eléctrico o electrónico externo.

En un LED nuevo este terminal se identifica a simple vista, porque siempre es más corto que el

terminal positivo.
 7.- Alambre terminal positivo (+) correspondiente al ánodo del chip del diodo, que se

utiliza para conectarlo al circuito externo.

8.- Alambre muy delgado de oro, conectado internamente con el terminal positivo (+) y con el

ánodo del chip.

Estructura interna del chip de un diodo LED. En esta ilustración el chip se compone de nitruro

de galio (GaN) como elemento semiconductor. Aquí la corriente de electrones “I” que parte del

polo negativo (–) de la batería “B”, penetra en el diodo LED por el cátodo (negativo),

correspondiente a la región “N”. Cuando a este chip se le aplica un voltaje adecuado que lo

polarice de forma directa, los electrones adquieren la energía extra necesaria que les permite

circular y atravesar las dos regiones que lo componen. Desde el mismo momento que la batería

“B” suministra a los electrones la energía suficiente para vencer la oposición que les ofrece a su

paso la barrera de potencial que se crea en el punto de unión o juntura que limita las dos regiones

del diodo, estos pueden pasar a ocupar los huecos existentes en la región “P” (positiva). Acto

seguido los electrones continúan su recorrido por esa otra parte del diodo, circulan por el circuito
externo, atraviesan la resistencia limitadora de corriente “R” y alcanzan, finalmente, el polo

positivo (+) de la batería o fuente de energía de corriente directa, completando así su recorrido

por todo el circuito. Una vez que los electrones comienzan a circular por el interior del diodo, en

el mismo momento que cada uno de ellos atraviesa la barrera de potencial y se une a un hueco en

la región “P”, el exceso de energía extra previamente adquirida procedente de la batería la libera

en forma de fotón de luz. En el caso del diodo LED de este ejemplo, la luz emitida será

ultravioleta (UV), invisible al ojo humano, por ser nitruro de galio (GaN) el componente químico

del material semiconductor que compone este chip.

El chip de un diodo LED común no se considera una “lámpara” propiamente dicho como

ocurre con otras fuentes de iluminación o bombillas más tradicionales. Para que sea considerado

como tal, además del chip emisor de luz en sí, tiene que contener también otros elementos

adicionales, como son: un controlador electrónico o driver, un disipador de calor y componentes

ópticos apropiados, tal como poseen las “lámparas LED” de alta potencia luminosa utilizadas

para su uso en alumbrado general.

Materiales para fuentes de luz

En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiación cuando los

pares electrón-hueco se recombinan; es decir, cuando los electrones caen desde la banda de

conducción (de mayor energía) a la banda de valencia (de menor energía) emitiendo fotones en el

proceso. Indudablemente, por ende, su color dependerá de la altura de la banda prohibida

(diferencias de energía entre las bandas de conducción y valencia), es decir, de los materiales

empleados. Los diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiación infrarroja muy

alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse
longitudes de onda visibles. Los leds e IRED (diodos infrarrojos), además, tienen geometrías

especiales para evitar que la radiación emitida sea reabsorbida por el material circundante del

propio diodo, lo que sucede en los convencionales.

Compuestos empleados en la construcción de leds

Los primeros leds construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo, permitiendo el

desarrollo tecnológico posterior la construcción de diodos para longitudes de onda cada vez

menores. En particular, los diodos azules fueron desarrollados a finales de los años noventa por

ShujiNakamura, añadiéndose a los rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que permitió

—por combinación de los mismos— la obtención de luz blanca. El diodo de seleniuro de cinc

puede emitir también luz blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y verde creada por

fotoluminiscencia. La más reciente innovación en el ámbito de la tecnología led son los leds

ultravioleta, que se han empleado con éxito en la producción de luz negra para iluminar

materiales fluorescentes. Tanto los leds azules como los ultravioletas son caros respecto a los
más comunes (rojo, verde, amarillo e infrarrojo), siendo por ello menos empleados en las

aplicaciones comerciales.

Los leds comerciales típicos están diseñados para potencias del orden de los 30 a 60 mW. En

torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de trabajar con potencias de 1 vatio

para uso continuo; estos diodos tienen matrices semiconductoras de dimensiones mucho mayores

para poder soportar tales potencias e incorporan aletas metálicas para disipar el calor (véase

convección) generado por el efecto Joule.

Hoy en día se están desarrollando y empezando a comercializar leds con prestaciones muy

superiores a las de hace unos años y con un futuro prometedor en diversos campos, incluso en

aplicaciones generales de iluminación. Como ejemplo, se puede destacar que NichiaCorporation

ha desarrollado leds de luz blanca con una eficiencia luminosa de 150 lm/W utilizando para ello

una corriente de polarización directa de 20 miliamperios (mA). Esta eficiencia, comparada con

otras fuentes de luz solamente en términos de rendimiento, es aproximadamente 1,7 veces

superior a la de la lámpara fluorescente con prestaciones de color altas (90 lm/W) y

aproximadamente 11,5 veces la de una lámpara incandescente (13 lm/W). Su eficiencia es

incluso más alta que la de la lámpara de vapor de sodio de alta presión (132 lm/W), que está

considerada como una de las fuentes de luz más eficientes.

Eficiencia cuántica y potencia de los leds

La eficiencia cuántica interna de un LED se define como la fracción de pares electrón-hueco

que se recombinan emitiendo radiación óptica. Ésta se calcula mediante la expresión:

 Donde R y R son respectivamente las razones de recombinación radiativas y no-radiativas.
r nr

Esto puede expresarse en función del tiempo total de recombinación y el tiempo de

recombinación radiativa de la forma:

Donde el tiempo total de recombinación es:

La potencia interna generada en el LED en función de la corriente inyectada al dispositivo (I)

está dada por:

Donde q es la carga del electrón y λ es la longitud de emisión pico.

La eficiencia externa se calcula considerando que no todos los fotones generados saldrán del

dispositivo. Para esto se consideran los efectos de reflexión en la superficie del LED (interfase).
Esto se simplifica considerando únicamente los fotones con ángulo de incidencia normal a la

interfase con lo que se utiliza el valor del coeficiente de transmisividad de Fresnel. Considerando

que el medio externo es aire (n=1), la eficiencia externa está dada por:

Donde n es el índice de refracción del material semiconductor. De aquí, la potencia de

emisión del LED puede obtenerse mediante:

La sensibilidad o responsividad (responsivity) de un LED es la razón de poder emitido (P) a

corriente inyectada (I). Generalmente se expresa en unidades de W/A, y cuando la longitud de

onda se expresa en micrometros puede calcularse como:

La potencia de salida es proporcional a la corriente inyectada en un intervalo limitado por la

saturación del dispositivo. El ancho espectral de la emisión (en μm) puede calcularse como:

-19
Donde k T está dado en eV y la longitud de onda en μm (1.24eV=1.99x10 J).
B
 Modulación óptica

La modulación óptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada directamente por

una inyección de corriente electrónica, proveniente del circuito “driver”, o ella puede ser una

modulación externa, donde la luz es primero generada por la fuente óptica y después a través de

un modulador externo es modulada. En este caso es posible, pero no usual, modular, además de

la amplitud, la fase, la frecuencia o la polarización de la señal óptica. La ventaja de la

modulación externa es la posibilidad de minimizar el efecto de lo “chirp” de la señal óptica,

característicos das señales ópticas moduladas directamente. Sin embargo, la mayoría de los

sistemas de comunicación por fibras ópticas comercializados actualmente utiliza la modulación

directa, debido a su simplicidad y bajo costo. Estos sistemas son llamados de sistemas del tipo

IM o sea, la potencia óptica emitida por la fuente de luz (intensidad óptica) es modulada por la

corriente electrónica inyectada en la fuente óptica.

Modulación con led

 La modulación óptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada directamente por

una inyección de corriente electrónica, proveniente del circuito “driver”, o ella puede ser una

modulación externa, donde la luz es primero generada por la fuente óptica y después a través de

un modulador externo es modulada. En este caso es posible, pero no usual, modular, además de

la amplitud, la fase, la frecuencia o la polarización de la señal óptica. La ventaja de la

modulación externa es la posibilidad de minimizar el efecto de lo “chirp” de la señal óptica,

característicos das señales ópticas moduladas directamente. Sin embargo, la mayoría de los

sistemas de comunicación por fibras ópticas comercializados actualmente utiliza la modulación

directa, debido a su simplicidad y bajo costo. Estos sistemas son llamados de sistemas del tipo

IM o sea, la potencia óptica emitida por la fuente de luz (intensidad óptica) es modulada por la

corriente electrónica inyectada en la fuente óptica.

Circuito de modulación led

 Esta aplicación de amp-op es un amplificador sumador donde la señal de entrada tiene una

ganancia de -1, y el suministro de 12V se amplifica por -3/7 para proporcionar voltaje suficiente

para encender el LED y llevarlo a su rango lineal. El cambio en la salida de luz es entonces

proporcional al voltaje de la señal.

Diodo láser

Los Diodos láser, emiten luz por el principio de emisión estimulada, la cual surge cuando un

fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado de reposo,

este proceso está acompañado con la emisión de un fotón, con la misma frecuencia y fase del

fotón estimulante. Para que el número de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos

de forma espontánea, para que se compensen las perdidas, y para que se incremente la pureza

espectral, es necesario por un lado tener una fuerte inversión de portadores, la que se logra con

una polarización directa de la unión, y por el otro una cavidad resonante, la cual posibilita tener

una trayectoria de retroalimentación positiva facilitando que se emitan más fotones de forma

estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo más angosto al espectro emitido.

La presencia de una inversión grande de portadores y las propiedades de la cavidad resonante

hacen que las características de salida (potencia óptica como función de la corriente de

polarización) tenga un umbral a partir del cual se obtiene emisión estimulada, el cual es función

de la temperatura.

Un diodo láser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo que significa que

todas las ondas luminosas están en fase entre sí. La idea básica de un diodo láser consiste en usar

una cámara resonante con espejos que refuerza la emisión de ondas luminosas a la misma
frecuencia y fase. A causa de esta resonancia, un diodo láser produce un haz de luz estrecho que

es muy intenso, enfocado y puro.

El diodo láser también se conoce como láser semiconductor o también conocidos como

láseres de inyección, Estos diodos pueden producir luz visible (roja, verde o azul) y luz invisible

(infrarroja).Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.

Modos de un diodo laser

Un láser puede ser clasificado como operar en modo continuo o pulsado, dependiendo de si la

salida de potencia es esencialmente continua en el tiempo o si su salida toma la forma de pulsos

de luz en una o en otra escala de tiempo. Por supuesto, incluso un láser cuya salida es

normalmente continua se puede girar intencionalmente dentro y fuera a una tasa con el fin de

crear pulsos de luz. Cuando la velocidad de modulación es en escalas de tiempo mucho más

lento que el tiempo de vida cavidad y el período de tiempo durante el cual la energía se puede

almacenar en el mecanismo de acción láser o medio de bombeo, a continuación, todavía se

clasifica como un "modulada" o "pulsada" láser de onda continua. La mayoría de los diodos láser

utilizados en los sistemas de comunicación caen en esa categoría.

Operación de onda continúa

Algunas aplicaciones de los láseres dependen de un haz cuya potencia de salida es constante

en el tiempo. Tal un láser se conoce como onda continua. Se pueden hacer muchos tipos de láser

para operar en el modo de onda continua para satisfacer este tipo de aplicación. Muchos de estos

láseres en realidad laser en varios modos longitudinales al mismo tiempo, y tiempos entre las

frecuencias ligeramente diferentes ópticas de las oscilaciones, de hecho, producir variaciones de

amplitud en escalas de tiempo más cortas que el tiempo de ida y vuelta, típicamente de unos

pocos nanosegundos o menos. En la mayoría de los casos, estos láseres son todavía llaman "onda

continua" como su potencia de salida es estable cuando se promedian sobre cualquier periodo de

tiempo más largos, con las variaciones de energía de muy alta frecuencia que tienen poco o

ningún impacto en la aplicación prevista.

Para el funcionamiento de onda continua que se requiere para la inversión de población del

medio de ganancia que ser repuesto continuamente por una fuente de bombeo constante. En

algunos medios de acción láser es imposible. En algunos otros láseres que requeriría de bombeo

del láser a un nivel muy alto de potencia continua que sería poco práctico o destruir el láser

mediante la producción de calor excesivo. Estos láseres no se pueden ejecutar en modo CW.

Operación pulsada

Operación de pulsado de los láseres se refiere a cualquier láser no clasificados como onda

continua, de modo que la potencia óptica aparece en pulsos de una cierta duración en algún tasa

de repetición. Esto abarca una amplia gama de tecnologías que aborden un número de diferentes

motivaciones. Algunos láseres son pulsadas simplemente porque no se pueden ejecutar en el

modo continuo.

En otros casos, la aplicación requiere la producción de impulsos que tienen una energía tan

grande como sea posible. Puesto que la energía del pulso es igual a la potencia media dividida

por la tasa de repetición, este objetivo a veces puede ser satisfecha mediante la reducción de la

tasa de impulsos de modo que más energía puede ser construida en entre pulsos. En la ablación

con láser, por ejemplo, un pequeño volumen de material en la superficie de una pieza de trabajo

se puede evaporar si se calienta en un tiempo muy corto, mientras que el suministro de la energía
gradualmente permitiría el calor para ser absorbido en la mayor parte de la pieza, nunca alcanzar

una temperatura suficientemente alta en un punto particular.

Otras aplicaciones se basan en la potencia de cresta del impulso, especialmente con el fin de

obtener efectos ópticos no lineales. Para un pulso de energía dada, esto requiere la creación de

pulsos de duración más breve posible la utilización de técnicas como el Q-switching.

El ancho de banda óptica de un pulso no puede ser más estrecha que el recíproco de la

anchura del impulso. En el caso de pulsos extremadamente cortos, que implica la acción láser en

un ancho de banda considerable, muy al contrario de los anchos de banda muy estrechos típicos

de los láseres de CW. El medio de emisión láser en algunos láseres de colorante y los láseres de

estado sólido vibrónicas produce ganancia óptica en un amplio ancho de banda, lo que hace

posible un láser que puede así generar pulsos de luz de tan sólo unos pocos femtosegundos.

En un láser de Q-conmutado, se permite la inversión de población para construir mediante la

introducción de la pérdida en el interior del resonador que excede la ganancia del medio, lo que

también puede ser descrito como una reducción del factor de calidad o "Q" de la cavidad.

Entonces, después de la energía de bombeo almacenada en el medio de láser se ha acercado al

nivel máximo posible, el mecanismo de pérdida introducido se elimina rápidamente, permitiendo

que la acción láser para comenzar que obtiene rápidamente la energía almacenada en el medio de

ganancia. Esto se traduce en un impulso corto que la incorporación de la energía, y por lo tanto

una alta energía máxima.

Un láser de modo bloqueado es capaz de emitir pulsos extremadamente cortos, del orden de

decenas de picosegundos reduce a menos de 10 femtosegundos. Estos pulsos se repetirá en el

tiempo de ida y vuelta, es decir, el tiempo que la luz tarda en completar un viaje de ida y vuelta
entre los espejos que componen el resonador. Debido al límite de Fourier, un pulso de tal

longitud temporal corto tiene un espectro extendido sobre un ancho de banda considerable. Por

lo tanto un medio de dicha ganancia debe tener un ancho de banda de ganancia suficientemente

amplia para amplificar esas frecuencias. Un ejemplo de un material adecuado es de titanio

dopado, crecido artificialmente zafiro que tiene un ancho de banda de ganancia muy amplia y por

lo tanto puede producir pulsos de sólo unos pocos femtosegundos duración.

Tales láseres en modo bloqueado son una herramienta más versátil para procesos que ocurren

en escalas de tiempo extremadamente cortos investigación, para maximizar el efecto de la no

linealidad en materiales ópticos debido a la gran potencia de pico, y en aplicaciones de ablación.

Una vez más, debido a la duración extremadamente corta del impulso, tal láser producirá

impulsos que alcanzan una potencia extremadamente alta pico.

Condiciones de disparo

Otro método de lograr la operación de láser pulsado es para bombear el material láser con una

fuente que es en sí mismo pulsada, ya sea a través de la carga electrónica en el caso de lámparas

de flash, u otro láser que ya está pulsado. Pulsos de bombeo se utilizó históricamente con láseres

de colorante en el tiempo de vida de población invertida de una molécula de colorante era tan

corto que se necesita una energía, bomba rápida alta.

La manera de superar este problema fue para cargar condensadores grandes que luego se

cambiaron a descargar a través de lámparas de destellos, la producción de un flash intensa.

Pulsos de bombeo también se requiere para láser de tres niveles en los que el nivel de energía

más bajo se convierte rápidamente en altamente poblada evitar una mayor acción láser hasta que
esos átomos se relajan al estado fundamental. Estos láseres, como el láser excimer y el láser de

vapor de cobre, no se pueden utilizar en el modo CW.

Ecuaciones de emisión

Para el análisis del funcionamiento del láser hay que partir de las ecuaciones de emisión (en

este caso, particularizadas para el caso de láseres monomodo), que son la solución a las

ecuaciones de Maxwell para el caso del láser:

[1]

[2]

Donde P y N representan la cantidad o número de fotones y portadores en la cavidad

respectivamente, tp es el tiempo de vida de los fotones, tn el tiempo de recombinación de los

portadores, Resp es la tasa de emisión espontánea y G es la tasa de emisión estimulada o ganancia

óptica de la cavidad.

La definición o el valor de cada uno de los parámetros que determinan el funcionamiento del

láser es:

La cantidad de fotones viene dada en función del campo eléctrico:

[3]
 Donde e0 es la permitividad del medio material, m es el índice del modo, mg es índice de los

portadores inducidos y ħw es la energía de un fotón.

El número de portadores en la zona activa se define como:

[4]

Donde n es la densidad de portadores y es prácticamente constante, V=Lwd es el volumen de

la cavidad siendo L la longitud, w el ancho y del grosor de la misma.

La ganancia óptica se halla a partir de:

[5]

donde G es el factor de confinamiento, vg es la velocidad de grupo definida como vg

= c/mg y g es una ganancia de la cavidad cuyo valor es: g = sg ·( n - n0 ) , donde sg es el

coeficiente de ganancia diferencial, n0 la densidad de portadores requerida para alcanzar el nivel

de transparencia y n la densidad de portadores. Como no se va a trabajar con densidad de

portadores por unidad de volumen, sino con número de portadores, se desarrolla un poco esta

definición para llegar a otra expresión que convenga mejor: G = GN ·(N-N0).

El tiempo de vida de los fotones:

[6]

Donde ae son las pérdidas en los espejos, aint otras pérdidas intrínseca de la cavidad.

El tiempo que tardan en recombinarse los portadores es:

 [7]

La tasa de emisión espontánea, viene dada por:

[8]

Donde todo lo contenido dentro del corchete se conoce como factor de inversión de la

población y Ef es la energía de separación entre los niveles de Fermi.

Si a [1] y [2] se le añade la ecuación de emisión de la fase, se tiene el sistema de ecuaciones

de emisión de láseres monomodo completo [9].

[9]

Eficiencia cuántica

La Eficiencia cuántica es una cantidad definida para un dispositivo fotosensible como la

película fotográfica o un CCD como el porcentaje de fotones que chocan con la superficie
fotorreactiva que producirá un par electrón-hueco. Es una medida precisa de la sensibilidad del

dispositivo. A menudo se mide sobre un rango de diferentes longitudes de onda para caracterizar

la eficiencia del dispositivo a cada energía. La película fotográfica tiene típicamente una

eficiencia cuántica de menos del 10%, mientras los CCDs pueden tener una eficiencia cuántica

sobre 90% en algunas longitudes de onda.

Frecuencia de resonancia

Se denomina frecuencia de resonancia a aquella frecuencia característica de un cuerpo o un

sistema que alcanza el grado máximo de oscilación.

Todo cuerpo o sistema tiene una, o varias, frecuencias características. Cuando un sistema es

excitado a una de sus frecuencias características, su vibración es la máxima posible. El aumento

de vibración se produce porque a estas frecuencias el sistema entra en resonancia.

La eficiencia de Acople es la medida de la cantidad de potencia óptica emitida desde una

fuente que puede ser acoplada con una Fibra Óptica

Pf= Potencia Acoplada a la Fibra

η = PF /PS
Ps= Potencia Emitida desde la Fuente de Luz

La eficiencia de Acople depende del tipo de fibra conectada a la fuente y del proceso de

acople (lentes u otro complemento).

Estructura y patrones de radiación

 El modo transversal de un frente de onda electromagnética es el perfil del campo

electromagnético en un plano perpendicular (transversal) a la dirección de propagación del rayo.

Modos transversales ocurren en las ondas de radio y microondas confinadas en una guía de

ondas, como también la luz confinada en una fibra óptica y en el resonador óptico de un láser.

Los modos transversales son debidos a las condiciones de frontera impuestas por la guía de

ondas. Por ejemplo una onda de radio que se propaga a lo largo de una guía hueca de paredes

metálicas tendrá como consecuencia que las componentes del campo eléctrico paralelas a la

dirección de propagación (eje de la guía) se anulen, y por tanto el perfil transversal del campo

eléctrico estará restringido a aquellas ondas cuya longitud de onda encaje entre las paredes

conductoras. Por esta razón, los modos soportados son cuantizados y pueden hallarse mediante la

solución de las ecuaciones de Maxwell para las condiciones de frontera adecuadas.

Laser monomodo

Las comunicaciones led se producen principalmente a partir de GaAsp o GaAs. Debido a que

los ledesGaAsp operan a una mayor longitud de onda que los ledesGaAs (1,3 micrómetros contra

0,81-0,87 µm), su espectro de salida es más ancho en un factor de alrededor de 1,7 veces. El

ancho de amplio espectro de los ledes causa una alta dispersión en la fibra, lo que limita

considerablemente su producto tasa de bits-distancia (medida común de utilidad). Los ledes son

adecuados principalmente para aplicaciones de red de área local con velocidades de 10 a 100

Mbit/s, y distancias de transmisión de unos pocos kilómetros. Los leds se han desarrollado para

usar varios pozos cuánticos para emitir luz en diferentes longitudes de onda en un amplio

espectro, y actualmente están en uso en redes de área local de multiplexado por división de

longitud de onda.

Un láser semiconductor transmite luz a través de la emisión estimulada en vez de emisión

espontánea, lo que da como resultado una alta potencia de salida (~100 mW), así como otros
beneficios de la luz coherente. La salida del láser es relativamente direccional, lo que permite un

acoplamiento de alta eficiencia (~50%) en fibras monomodo. La anchura espectral estrecha

permite altas tasas de transferencia de bits, ya que reduce el efecto de dispersión cromática. Los

láseres semiconductores pueden ser modulados directamente a altas frecuencias, debido a la

recombinación de tiempo corto.

A menudo, los diodos láser se modulan directamente, que es la salida de luz controlada por

una corriente aplicada directamente al dispositivo. Para tasas de datos muy altas o enlaces de

muy larga distancia, una fuente de láser puede ser de onda continua y la luz modulada por un

dispositivo externo como un modulador de electro-absorción.

Modulación

La respuesta general a los distintos métodos de modulación depende de factores intrínsecos y

extrínsecos del láser. Los límites extrínsecos son varios. Una restricción importante es el

sobrecalentamiento del láser debido a las altas corrientes de polarización del láser. Estas altas

corrientes son necesarias para poder hacer funcionar el láser a altas velocidades. El

sobrecalentamiento produce un deterioro de los parámetros del dispositivo como la ganancia,

corriente umbral, etc.

Otro aspecto importante en la polarización de láseres a alta potencia es la degeneración

"catastrófica" que se produce si se dañan los espejos. Esto destruye el láser al estropearse los

espejos de la cavidad. Por tanto el láser tiene un límite superior de inyección, hasta el cual puede

operar con seguridad y por encima del cual se destruye el láser.

Un último límite extrínseco del láser que limita la velocidad de éste es debido a los elementos

parásitos extrínsecos del diodo láser. El láser debe ser diseñado con cuidado para que la
resistencia, capacidad e inductancia no limiten la respuesta del dispositivo. Los límites

intrínsecos de modulación son debidos al diseño de la cavidad, arrastre y difusión de los

portadores que limitan la velocidad de la modulación de pequeña señal.

Modulación de gran señal

En este tipo de modulación el láser es puesto a ON y a OFF, es decir, la corriente pasa de estar

por encima del valor umbral a estar por debajo del valor umbral. Este tipo de modulación se

puede utilizar para interconexiones ópticas o para algunas aplicaciones lógicas. La respuesta del

láser es bastante lenta con esta modulación (~10ns). La modulación de gran señal no se utiliza

para comunicaciones ópticas debido a la respuesta tan lenta y debido a la anchura espectral de la

salida. De hecho la respuesta en gran señal de un láser.

Modulación de pequeña señal

En modulación de pequeña señal el láser está polarizado en un punto por encima del valor

umbral y se le aplica una pequeña señal ac. Este método presenta la mayor respuesta en

frecuencia pudiéndose alcanzar anchos de banda de hasta 50GHz.

Modulación de código de pulsos

Esta técnica de modulación es la más utilizada en las comunicaciones ópticas actuales. Es un

híbrido entre la modulación de gran señal y la de pequeña señal. El láser está polarizado por

encima de su valor umbral y se le aplican pulsos de corriente (o tensión) de forma que la

corriente va de un valor superior a otro inferior pero siempre, incluso en el estado bajo, por

encima del valor umbral. Con este tipo de modulación se alcanzan anchos de banda de hasta

10GHz.
 Efectos de la temperatura

Como en el LED la dependencia de la temperatura de la emisión de un láser es de suma

importancia. Tal y como hemos visto en una sección anterior, para aplicaciones de muy alta

velocidad necesitamos altas corrientes de inyección lo cual puede producir un calentamiento del

dispositivo aún con buena refrigeración. Los factores de mayor importancia en el estudio de la

dependencia con la temperatura son; i) efecto de la temperatura sobre la corriente umbral y la

intensidad óptica y ii) efecto de la temperatura sobre la frecuencia de emisión.

Dependencia de la corriente umbral con la temperatura

Conforme aumenta la temperatura del láser, su corriente umbral también aumenta y para un

nivel de inyección determinado, la salida de fotones cae. Se debe a dos razones principalmente:

El incremento de temperatura causa que puedan existir electrones y huecos con energías

mayores. En consecuencia, una mayor fracción de la carga inyectada podrá cruzar la región

activa y entrar en el recubrimiento o región de los contactos. Esta corriente de pérdidas ya la

vimos para el LED. La corriente de pérdidas depende del diseño del láser y se puede minimizar

utilizando una región activa más ancha o una estructura con variación gradual del índice en el

caso de láseres de pozo cuántico.

A mayor temperatura hay más electrones y huecos con energías superiores al valor energético

umbral necesario para que se produzca la recombinación de Auger. Esto, junto junto con el

incremento en la densidad de portadores umbral hace que la recombinación de Auger crezca

exponencialmente con la temperatura. Los procesos de Auger son especialmente importantes en

materiales de estrecha banda prohibida.

 Efecto auger:

La ya mencionada recombinación de Auger da lugar a calor en vez de a fotones por lo que una

fracción de la corriente no estará disponible para la creación fotones y, en consecuencia, habrá

que aumentar el nivel de inyección para alcanzar la misma densidad de fotones. Además se

produce un aumento del factor de amortiguamiento de la resonancia reduciendo el ancho de

banda.

Dependencia con la temperatura de la frecuencia de emisión

Para la mayoría de las aplicaciones es deseable que la frecuencia de emisión permanezca

estable. Pero en realidad si cambia la temperatura cambia la frecuencia de emisión del láser.

La variación de la banda prohibida hace desplazarse el espectro de ganancia completo a

energías menores conforme aumenta la temperatura. Esta variación de la banda prohibida es del

orden de −0,5meV/K en la mayoría de los semiconductores. Esto hace variar al espectro de

ganancia en 3Å o 4Å por K si no hay efectos adicionales como se muestra en la siguiente figura

(a). Sin embargo, en el láser la emisión no depende sólo de la posición del pico de ganancia si no

también del modo Fabry-Perot más cercano a este pico de ganancia. Esto nos conduce al segundo

efecto.

Conforme varía la temperatura, la expansión térmica de la cavidad láser y la variación del

índice de refracción altera la posición de los modos resonantes. Los modos resonantes vienen

dados por (q es un entero)

 Dondeq es la longitud de onda en el material y q0 la longitud de onda en el vacío. Si la

longitud efectiva de la cavidad aumenta con la temperatura, la posición de los modos se

desplazará con respecto al espectro de ganancia que a su vez se está desplazando debido a la

temperatura.

Linealidad de la fuente de luz

El transmisor de fibra óptica es un dispositivo híbrido electro-óptico. Convierte señales

eléctricas en ópticas y envía las señales ópticas a una fibra óptica. Un transmisor de fibra óptica

consiste de un circuito de interfaz, un circuito controlador de la fuente, y una fuente óptica. El

circuito interfaz acepta la señal eléctrica entrante, y la procesa para que sea compatible con el

circuito controlador de la fuente. La intensidad del circuito controlador de la fuente modula la

fuente óptica variando su propia corriente.

La señal óptica se junta, se acopla a la fibra óptica a través de la interfaz de salida del

transmisor. Hay dos tipos de diodos de juntura de emisión de luz que se usan como fuente óptica

del transmisor.

Esta el diodo emisor de luz (LED, acrónimo inglés de Light-EmittingDiode), y el diodo láser

(LD). Los LED son más simples y generan luz incoherente, y de potencia baja. Los LD son más

complejos y generan luz coherente, y de potencia alta.

 El gráfico ilustra la potencia de salida óptica, P, de cada uno de estos dispositivos en función

de la corriente eléctrica de entrada I, del circuito de modulación. En la figura se ve que el LED

tiene una característica P-I relativamente lineal, mientras que el LD tiene una característica no

lineal o efecto umbral. El LD también tiene una propensión a tener pliegues donde la energía

disminuye con el aumento del ancho de banda.

 Conclusión

Desde que se tiene documentación, el hombre ha usado fuentes ópticas para comunicarse con

sus semejantes, ahora no es sino hasta el mediados del siglo 20 en la que este tipo de

comunicación evoluciona hasta convertirse en algo factible a muy largas distancias dándonos la

ventaja de contar con la velocidad de la luz en dichas comunicaciones y esto gracias a

invenciones como el diodo emisor de luz (LED) y el láser, que nos ha permitido dar un salto

bastante grande en cuanto a comunicaciones ópticas se refiere.