1 Teoría de Semiconductores

TEORÍA DE SEMICONDUCTORES
La conducción eléctrica en un material implica la aplicación de un voltaje entre dos puntos

del mísmo, que se traduce en su interior en un campo eléctrico, el cual “arrastra” a los
portadores de carga a lo largo de la trayectoria del campo, como se muestra en la
siguiente figura.
Los electrones, portadores de carga más conoci-
dos, son arrastrados en dirección contraria a la
dirección del campo eléctrico.
La conductividad de un material depende de la cantidad de electrones libres que tenga

su estructura atómica disponibles para la conducción.
CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES DE ACUERDO A SU CONDUCTIVIDAD

Las siguientes tablas muestran valores relativos de conductividad y resistividad de
distintos materiales
A 300 oK (27 oC), las concentraciones de electrones libres y las conductividades son:
En conductores: 9X1028 e/cm3,  5X107/(m)
En aislantes: 10 e/cm3, (cuarzo fundido o dimante) 10-22/(m)
En semiconductores intrínsecos: Si 1.5 X1010e/cm3  3.3X10-4/(m), Ge 2.5X1013 e/cm3
La teoría de bandas explica los niveles de energía que pueden tener los electrones en el
interior de un material. Existen dos bandas: a) la de conducción, en donde se sitúan
energéticamente los electrones disponibles para la conducción, y b) la de valencia, en
donde se sitúan los electrones no disponibles para la conducción. Observe que hay un
espacio de energías , a lo que se le denomina generalmente banda prohibida, donde no
pueden situarse los electrones en términos de energia.
ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES (Si y Ge):
Los atomos de materiales semiconductores poseen cuatro electrones de valencia, que se

comparten con su átomos vecinos en enlaces covalentes, formando estructuras muy
estables electrónica y físicamente.
ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS: Son aquellos que están constituídos únicamente por
átomos de un solo tipo de material semiconductor, y cuyos procesos de fabricación son
tales que la estructura cristalina se define con mucha exactitud. A 0 oK son muy buenos
aislantes pues todos los electrones están formando parte de los enlaces covalentes y no
están disponibles para la conducción.
Cuando aumenta la temperatura por encima de los 0 oK o se hace incidir luz, algunos
electrones de la banda de valencia adquieren suficiente energía para alcanzar la banda de
conducción, lo que convierte al material de un aislante a un semiconductor. Se dice que la
energía aplicada rompe enlaces covalentes y se generan pares electrón-hueco. El
electrón es un portador de carga negativo, y el hueco, o ausencia de un electrón el enlace
covalente es considerado como portador de carga positiva.
Como la generación de pares electrón hueco es un proceso continuo en el tiempo, y no se

pueden generar infinitamente pares electrón-hueco, existe también un proceso de
recombinación por el cual los electrones pierden energía y regresan a la banda de valencia
(la energía que pierden la ceden al sistema). Ambos procesos son tales que la
concentración de huecos y electrones en el material es constante para una temperatura
específica. Obviamente, la concentración de electrones y huecos en un material
eléctricamente neutro son del mismo valor.
𝒏𝒊(𝑻) = 𝒑𝒊(𝑻) a 300 oK ni(Si) = 1.5 X1010e/cm3, ni(Ge) = 2.5X1013 e/cm3.
Como referencia, la densidad de átomos/cm3 = 5X1022 para Si, 4.4X1022 para Ge.
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
El dopamento consiste en la adhesión de átomos de valencia 5 (donadores, P, As, Sb) o
valencia 3 (aceptores, Al, Ga, In) a la estructura cristalina de un material semiconductor
para que posea una concentración mayor de portadores de carga (electrones o huecos)
disponibles para la conducción a la temperatura ambiente. De esta manera se controla la
conductividad del semiconductor, que pasa de ser intrínseco a extrínseco tipo n o tipo p
respectivamente.
Si se adhiere 1 átomo de impureza donadora por cada 10 8 átomos de silicio intrínseco, la

conductividad del semiconductor se multiplica por 24,100; si se adhieren 10 9 X241,000.
Es lógico pensar que en la misma proporción en que se aumenta la concentración de un
tipo de portador en un semiconductor intrínseco se aumenta el nivel de recombinación y
por lo tanto la concentración del otro tipo de portador disminuye de forma inversamente
proporcional. La concentración de portadores en cualquier semiconductor obedece a la
ecuación 𝒏𝒑 = [𝒏𝒊(𝑻)]𝟐
Para un material semiconductor tipo n se dice que los electrones son los portadores
mayoritarios, cuya concentración corresponde prácticamente con el nivel de
dopamiento Nd que se le haya dado, siendo n  Nd  ni(T), y la concentración de
huecos, que son los portadores minoritario, será 𝒑 = [𝒏𝒊(𝑻)]𝟐 ⁄𝑵𝒅 ≪ 𝒏𝒊(𝑻).
De manera semejante, en un semiconductor tipo p, los huecos son los portadores

mayoritarios cuya concentración es 𝒑 = 𝑵𝒂 ≫ 𝒏𝒊(𝑻), y los electrones los minoritarios
cuya concentración es 𝒏 = [𝒏𝒊(𝑻)]𝟐 ⁄𝑵𝒂 ≪ 𝒏𝒊(𝑻).
CORRIENTES ELÉCTRICAS EN SEMICONDUCTORES
CORRIENTES DE ARRASTRE: Son debidos a la presencia de campos eléctricos en los
materiales semiconductores. Debido a su carga, los electrones libres se mueve hacia
regiones de mayor potencial eléctrico, y los huecos, de carga positiva, hacia regiones de
menor potencial.
El movimiento de huecos es en realidad movimiento de electrones que forman parte de

enlaces covalentes; al momento de pasar un electrón de un enlace a un hueco, el
movimiento del electrón se puede pensar también como el movimiento del hueco pero
en sentido contrario.
En semiconductores tipo N las corrientes de arrastre son de mayoritariamente de
electrones, y en el de tipo P son de huecos.
CORRIENTES DE DIFUSIÓN: Se producen cuando los portadores de carga no se encuentran

distribuídos uniformemente dentro de los materiales semiconductores. Los portadores de
carga de un mismo tipo de carga se repelen entre sí, y se mueven formando las corrientes
de difusión para distribuírse uniformemente en todo el cuerpo del material, de manera
semejante a como se dispersa con el tiempo una pila de arena.

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TEORÍA DE SEMICONDUCTORES

La conducción eléctrica en un material implica la aplicación de un voltaje entre dos puntos

Los electrones, portadores de carga más conoci-

dos, son arrastrados en dirección contraria a la

dirección del campo eléctrico.

La conductividad de un material depende de la cantidad de electrones libres que tenga

CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES DE ACUERDO A SU CONDUCTIVIDAD

En conductores: 9X1028 e/cm3,  5X107/(m)

En aislantes: 10 e/cm3, (cuarzo fundido o dimante) 10-22/(m)

En semiconductores intrínsecos: Si 1.5 X1010e/cm3  3.3X10-4/(m), Ge 2.5X1013 e/cm3

Los atomos de materiales semiconductores poseen cuatro electrones de valencia, que se

ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Como la generación de pares electrón hueco es un proceso continuo en el tiempo, y no se

𝒏𝒊(𝑻) = 𝒑𝒊(𝑻) a 300 oK ni(Si) = 1.5 X1010e/cm3, ni(Ge) = 2.5X1013 e/cm3.

Si se adhiere 1 átomo de impureza donadora por cada 10 8 átomos de silicio intrínseco, la

De manera semejante, en un semiconductor tipo p, los huecos son los portadores

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