Universidad Autónoma de Baja California

Facultad de Ingeniería
Meta 1.1- Cuestionario sobre Semiconductores y Cristalografía

Nombre: Ramírez García Ricardo

SEMICONDUCTORES

1. ¿Qué es un material?
R=
La palabra material es un término de uso sumamente frecuente en nuestro idioma,
en tanto, nos encontramos con que presenta más de una referencia.
Aquello que es propio, intrínseco de la materia o está asociado a ella se denominará
material.
También, aquello que presenta características físicas y corpóreas se lo designa con
el término de material.
Por otra parte, la palabra material es empleada con frecuencia como sinónimo de
ingrediente y de componente.

2. ¿Cómo se clasifican las propiedades de los materiales?

R=
• Eléctricas
• Mecánicas
• Térmicas
• Magnéticas
• Ópticas

3. Enliste propiedades mecánicas y eléctricas de los materiales

R=

 Propiedades Eléctricas
o Conductores
o Semiconductores
o Aislantes

 Las propiedades mecánicas de los materiales refieren la

capacidad de cada material en estado sólido a resistir acciones
de cargas o fuerzas, las cuales son:
o Elasticidad
o Plasticidad
o Dureza
o Fragilidad
o Tenacidad
o Ductilidad
o Meabilidad
 4. ¿Cómo se clasifican los materiales de acuerdo a su conductividad?
R=
 Conductores
 Semiconductores
 Aislantes

5. ¿Qué es un semiconductor?
R=
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica
inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la
naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el
selenio.Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red
cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los
cuatro átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente,
algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse
del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en
electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les
somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

6. ¿Qué es un semiconductor extrínseco? ¿Qué es un semiconductor

intrínseco?
R=
 Intrínsecos
Los semiconductores son sustancias cuya conductividad oscila entre 10-3 y
103 Siemen/metro y cuyo valor varia bastante con la temperatura. Los
semiconductores más empleados son, por orden histórico, el Germanio y el Silicio.
Un átomo de cualquiera de estos elementos posee cuatro electrones en su última
capa y por ello se une a sus átomos vecinos mediante enlaces covalentes. A
temperaturas bajas los cuatro electrones están formando dichos enlaces, por lo que
permanecen ligados a los átomos y no pueden moverse aunque se aplique un
campo eléctrico exterior, esto es, se comportan como aislantes. A temperaturas
superiores, como la temperatura ambiente, hay electrones que poseen suficiente
energía térmica como para saltar de su enlace covalente a niveles energéticos
superiores donde no están ligados. Estos electrones sí pueden moverse en caso de
aplicarse un campo eléctrico exterior, y se comportan como conductores (aunque
no tan buenos como los metales). Si se aumenta mas aun la temperatura, mas
electrones se desligan de sus enlaces y contribuyen a la corriente eléctrica. Así pues
los semiconductores aumentan su conductividad al aumentar su temperatura.
Cuando un electrón salta de su enlace covalente, se dice que deja un hueco puesto
que es susceptible de ser llenado por otro electrón. Los electrones liberados por
energía térmica a veces también caen en los huecos que han dejado otros
electrones. Existe un equilibrio dinámico entre los electrones que se liberan por
energía térmica y los electrones que, vuelven a caer en los huecos, esto es, el
número de electrones libres (que será exactamente igual que el número de huecos)
es constante a temperatura constante.
  Extrínsecos
Son los semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas.
Hay 2 tipos dependiendo de que tipo de impurezas tengan:

Semiconductor tipo n

Es el que está impurificado con impurezas

"Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones
superan a los huecos en un semiconductor
tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se
les denomina "portadores minoritarios".

Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.
Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del
circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal,
donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.

Semiconductor tipo p

Es el que está impurificado con impurezas

"Aceptoras", que son impurezas trivalentes.
Como el número de huecos supera el
número de electrones libres, los huecos
son los portadores mayoritarios y los
electrones libres son los minoritarios.

Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los
huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres

dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos
portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.
 7. ¿Qué es un semiconductor ternario? De ejemplo de alguno
R=
En particular, los compuestos ternarios de la familia Cu2-IV-VI3 (IV= Ge Sn;
VI= S, Se, Te) han sido ampliamente estudiados debido principalmente a que
presentan aplicaciones potenciales como dispositivos fotovoltaicos y acusto-ópticos
en el infrarrojo cercano. Desde el punto de vista estructural, estos materiales
cristalizan en estructuras monoclínicas con grupo espacial Cc (N°9), u ortorrómbicas
con grupo espacial Imm2 (N°44).

Por otra parte, hasta el momento hay muy poca información sobre la familia de
compuestos de la familia II2-IV- □ -VI4. Para el ternario Cu2SnSe4 han sido
reportadas su estructura cristalina y sus propiedades eléctricas, ópticas y
magnéticas, resultando ser un semiconductor cúbico tipo-p. Más recientemente, se
ha reportado que el ternario Cu2GeSe4 posee un gran coeficiente de absorción de
~105 cm-1 y una pequeña brecha de energía ~1eV, que lo convierten en un
compuesto de interés para una nueva generación de celdas solares utilizando
películas delgadas. Para desarrollar el material Cu2GeSe4 en dispositivos de alto
rendimiento, es necesaria una mejor comprensión de su estructura cristalina. Por
esta razón, en este trabajo se presenta la caracterización estructural de este ternario
semiconductor utilizando difracción de rayos-X en muestras policristalinas.

Como ejemplo tenemos en Diodo de GaAsP el cual podemos leer en la siguiente

descripción:
https://www.hamamatsu.com/resources/pdf/ssd/g1126-02_etc_kgpd1005e.pdf
 CRISTALOGRAFÍA

8. ¿Qué es la cristalografía?
R=
Es la ciencia que estudia los cuerpos cristalinos
(griego: Kristallos + grafo = cristal + descripción) Los griegos
ya determinaron al agua helada como cristal. Al cuarzo
transparente se le llama cristal rocoso, que se formaba
cuando el agua se congelaba y se petrificaban. Esta
interpretación fue válida hasta la Edad Media.

Hoy en día cristal es todo mineral con formas poliédricas.

9. ¿Qué es un material policristalino?

R=
La mayoría de los sólidos cristalinos son un conjunto de muchos cristales
pequeños o granos. Este tipo de material se denomina policristalino. Durante la
solidificación aparecen pequeños cristales o núcleos en distintas posiciones. Estas
orientaciones cristalográficas son completamente al azar. Los granos pequeños
crecen por la sucesiva adición a la estructura de átomos del líquido subenfriado. Los
extremos de granos adyacentes interaccionan entre sí al finalizar el proceso de
solidificación. También existe alguna irregularidad en la disposición atómica en la
región donde se unen dos granos: esta área se denominado límite de grano. De
estas características va a depender el comportamiento del material. En general si el
material está conformado por grano pequeños, éste será más duro y resistente que
un material con granos grandes.

10. ¿Qué es un cristal? ¿Qué es un material amorfo? En el contexto de los

materiales
R=
Un sólido cristalino (metales) es un sólido homogéneo que presenta una
estructura interna ordenada de sus partículas reticulares, sean átomos, iones o
moléculas.
 Se caracterizan porque los átomos se encuentran ordenados según leyes
geométricas
 Las posiciones de los átomos guardan cierta simetría.
 Presenta una temperatura de fusión constante.

Un sólido amorfo (vidrios, plásticos,etc) son materiales en los que sus

átomos siempre están en desorden o desalineados aún en su estado sólido. No
presentan una disposición interna ordenada por lo tanto no tienen ningún patrón
determinado. Amorfo quiere decir que no tienen forma.
 Los átomos se disponen al azar
 No existe simetría en las posiciones de los átomos
 No poseen una temperatura fija de fusión.
 11. ¿En qué estructura cristaliza el GaAs (Arseniuro de Galio)?
R=
El Arseniuro de Galio (GaAs) es un semiconductor cuyo ordenamiento
cristalino se denomina estructura “zinc-blende” o cúbica centrada en las caras (fcc),
similar a la estructura diamante y del Si cristalino, pero con una base de dos átomos
diferentes por celda unidad del cristal, galio y arsénico de los grupos III y V de la
tabla periódica.

12. ¿En qué estructura cristaliza el Silicio (Si)?

R
El silicio cristaliza con el mismo patrón que el diamante, en una estructura
que Ashcroft y Mermin llaman celosías primitivas, "dos cubos interpenetrados de
cara centrada". Las líneas entre los átomos de silicio en la ilustración de la red,
indican los enlaces con los vecinos más próximos. El lado del cubo de silicio es
0,543 nm. El germanio tiene la misma estructura del diamante, con una dimensión
de celda de 0,566 nm.
 13. ¿Qué son los vectores primitivos?
R=

Los pares de vectores “ac” y “bc” son vectores primitivos y definen

celdas primitivas (permiten definir todos los nodos de la red mediante el
conjunto {T}).

14. ¿Qué es la constante de red?

R=
El parámetro de red hace referencia a la distancia constante de las celdas
unitarias o "dimensión de cada celda" con respecto a su estructura cristalina, por
eso en una cúbica tenemos a=b=c. Las estructuras o redes en tres dimensiones
generalmente tienen tres parámetros de red, a, b y c. Sin embargo, en el caso
especial de redes cúbicas simples, todos los parámetros son iguales, con lo cual
nos referimos a ellos como a. Del mismo modo, en las estructuras cristalinas
hexagonales, los parámetros a y b son iguales, por lo que únicamente
consideraremos a y c.

15. ¿Qué es una celda unitaria?

R=
El cristal individual es llamado celda unitaria, está formado por
la repetición de ocho átomos.
El cristal se puede representar mediante puntos en los centros
de esos átomos.

16. ¿Qué es una celda primitiva?

R=
Se llama celda primitiva unidad de una red de Bravais a un volumen del espacio tal
que trasladado mediante todos los vectores de dicha red llena todo el espacio sin
dejar vacios ni superponerse. Esta condición implica que una celda unidad contiene
únicamente un punto de la red. Sin embargo, existe un número infinito de celdas
primitivas, todas ellas con el mismo volumen.
17. ¿Cuáles son las familias de redes?

18. ¿Cuáles son las 14 redes de Bravais?

 19. ¿Qué es el factor de empaquetamiento máximo y como se calcula?
R=
En cristalografía, el factor de empaquetamiento atómico (FEA), en inglés: atomic
packing factor, APF, es la fracción de volumen en una celda unidad que está
ocupada por átomos. Este factor es adimensional. Para propósitos prácticos, el
FEA de una celda unidad se determina asumiendo que los átomos son esferas
rígidas. Con respecto a cristales de un componente (los que contienen un tipo de
átomo único), el FEA se representa matemáticamente por:

donde:
Nátomos , es el número de átomos en la celda unidad,
Vátomo es el volumen de un átomo, y
Vcelda unidad es el volumen ocupado por la celda unidad.

Para el factor de empaquetamiento máximo se calcula de la siguente manera y

será explicada con un ejemplo:
 20. ¿Cómo se calculan los índices de Miller de un plano?
R=
Los índices de Miller, en cristalografía, son un juego de tres números que permiten
identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos.Los índices de un
sistema de planos se indican genéricamente con las letras (h k l).

Los índices de Miller son números enteros, negativos o positivos, y son primos entre
sí. El signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado sobre dicho número.

Los índices de Miller de un plano cristalográfico están definidos como los recíprocos
de las intersecciones que el plano determina con los ejes (x, y, z) de nuestro sistema
de ejes coordenados. Para obtener los índices de Miller de un plano primero
determinamos la intersección de este con los ejes. Una vez obtenidos los números,
se hallan sus inversos y los multiplicamos por el mínimo común múltiplo (A). Un
plano queda así representado por la forma (h, k, l):

𝑨 𝑨 𝑨
𝒉= 𝒌= 𝑰=
𝒎 𝒏 𝒑

Se deduce que, si un plano es paralelo a uno de los ejes, lo corta en el infinito, y su

índice será cero. Si lo cortara en la parte negativa, el índice será negativo, lo cual
se indicará con un guion sobre dicho índice. Si el plano pasa por el origen se
desplazará a una posición equivalente en la celda.

En el caso de que se tengan planos de redes equivalentes, relacionadas por la

simetría del sistema cristalino, se le llamara Familia de Planos y se encerraran entre
llaves {h, k, l}.

Para determinar los índices de una dirección cristalográfica cualquiera, se traza por
el origen una paralela a esta. Sobre ella se toma el nudo (A) arbitrario de
coordenadas (x, y, z), tal que sea múltiplo de las aristas (a, b, c) del cubo:

𝒙=𝒓∗𝒂 𝒚=𝒔∗𝒃 𝑰=𝒕∗𝒄

Una vez obtenidas (r, s, t) se dividen por su máximo común divisor (D), con lo que
resultan los números:
 𝒓 𝒔 𝒕
𝒖= 𝒗= 𝒘=
𝑫 𝑫 𝑫

La recta queda así definida por sus índices entre corchetes [u, v, w].

Es importante la relación que existe solo en el sistema cúbico, en los que los índices
de Miller de una dirección perpendicular a un plano son los mismos.

Para la Familia de Direcciones aquí se usa como notación < u v w >

CASOS ESPECIALES
El procedimiento de clasificación de los cristales se completa con los siguientes
casos especiales para los cuales se debe tener en cuenta:2

 Si el plano a indexar es paralelo a un eje coordenado, el punto de intersección

se debe asumir en el infinito, que luego en los cálculos se interpretará cómo 0
(ver imágenes).

 Si el plano a indexar tiene una intersección en el lado negativo de los ejes, un

signo menos se pone sobre el correspondiente número de índice. Así el plano
que interseca los ejes en los puntos (1 6 -2) tiene un índice de Miller (1 6 2).

 Cuando por la simetría del cristal, es imposible distinguir entre planos

equivalentes (cómo el cristal de diamante, por ejemplo). El grupo de planos
equivalentes se nota entre corchetes (ej. {1 0 0}).

 No se pueden establecer índices de Miller para planos que pasan por el origen
de coordenadas. El origen de coordenadas deberá ser trasladado a un punto del
cristal fuera del plano a indexar. Este procedimiento es aceptable por la
naturaleza equivalente de los planos paralelos.
Planos con diferentes índices de Miller en cristales cúbicos
 21. ¿Qué es el número de coordinación?
R=
El número de coordinación lo podemos definir como el número de pares electrónicos
que acepta un ácido de Lewis (por lo general es un centro metálico), es decir, si un
compuesto de coordinación tiene dos especies que estén donando pares de
electrones, entonces tendrá número de coordinación dos, ejemplo:

En el ejemplo anterior se puede ver al amoniaco que es una base de Lewis porque
tiene un par de electrones libres que se coordina a un ion Ag+ y en total se unen dos
moléculas de amoniaco por lo que el total de pares electrónicos que esta aceptando
el ion Ag+ es de dos.

22. ¿Cómo se construye la celda Wigner-Seitz de un cristal?

R=
La celda de Wigner-Seitz es un tipo de celda
primitiva en una red de Bravais trazada por el método de
Wigner-Seitz el cual se expone a continuación. Primero,
se dibujan líneas que unan un punto de la red con todos
los puntos de la red próximos a este. Segundo, en el
punto medio de esas líneas y perpendicular a las mismas
se trazan nuevas líneas (en el caso bidimensional) o
planos (en el caso tridimensional). El volumen más
pequeño encerrado por estas últimas líneas o planos que
se han dibujado constituye la celda primitiva de Wigner-
Seitz.

Una iteración en el espacio de estas celdas generaría toda la red. Cabe destacar
que esta celda unitaria presenta ciertas ventajas en la visualización de la red con
respecto a otras debido a que posee la misma simetría que la red.
 23. Calcule el número de átomos que existen en un centímetro cúbico de
Silicio
Sabemos que el peso atómico del Silicio es 28,0855 g/mol y su densidad relativa
es de 2,33 g/cm3.

Para establecer una base que permita calcular los átomos,

procedemos con el siguiente razonamiento:

 Calcular cuántos gramos de silicio hay en 1 cm3

 Calcular cuántos átomos tiene 1 gramo de silicio

De esta forma se hace el producto de estos valores.

Podemos expresarlo en una fórmula como la siguiente:

átomos en 1 cm3 Silicio = (gramos de silicio en 1 cm3 ) x (átomos en 1 gramo
de silicio)

Por lo tanto necesitamos calcular:

¿cuántos gramos de silicio hay en 1 cm3 ?
¿cuántos átomos tiene 1 gramo de silicio?
𝑔
A partir de la densidad relativa del Silicio 2.33
𝑐𝑚3
obtenemos que:

∴ 1 cm3 Silicio = 2.33 g

Para calcular los átomos en 1 gramo de silicio se empieza con

𝑔
el peso atómico del silicio de 28.0855
𝑚𝑜𝑙

∴ 1 mol Silicio = 28.0855 g

y sabemos que 1 mol de cualquier sustancia es igual al número de Avogadro:

23 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
∴ 1 mol Silicio =6.02214129 x10 𝑚𝑜𝑙
∴ 1 mol Silicio =6.02214129 x 1023 átomos

Ahora podemos calcular cuántos átomos hay por gramo de Silicio; procedemos a
igualar las cantidades de moles de Silicio:
28.0855 g de Silicio = 6.02214129 x 1023 átomos
despejamos el silicio:
Por lo tanto:
1 gramo de Silicio = 2.144217226 x 1022 átomos

Ahora ya podemos calcular cuántos átomos tiene 1 cm3 de Silicio:

átomos 1 cm3 Silicio = (gramos de silicio en 1 cm3 ) (átomos en 1 gramo de silicio)
átomos 1 cm3 Silicio = (2.33 g) (2.144217226 x 1022 átomos/g)
átomos 1 cm3 Silicio = 4.996026137 x 1022 átomos
RESPUESTA: átomos en 1 𝒄𝒎𝟑 de Silicio = 5 x 𝟏𝟎𝟐𝟐 átomos (redondeado)
 FICHA BIBLIOGRAFICA

Para Preguntas de semiconductores

 https://www.academia.edu/12517019/UNIDAD_3_PROPIEDADES_DE_LO
S_MATERIALES_3.1._ELECTRICAS_Y_MAGNETICAS
 https://www.academia.edu/17668343/Clasificacion_de_los_materiales_en_c
uanto_a_su_conductividad
 http://www.etitudela.com/Electrotecnia/electronica/01d56993840f26d07/01d
56994e30f40632/index.html
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina
6.htm
 http://ve.scielo.org/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0255-
69522015000100005
 https://www.hamamatsu.com/resources/pdf/ssd/g1126-
02_etc_kgpd1005e.pdf

Para Preguntas de cristalografía

 http://cienciaymateriales.blogspot.com/2013/04/25-que-es-un-material-
monocristalino-y.html
 http://bdigital.unal.edu.co/3975/1/01835319.2011.pdf
 http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/sili2.htmlç
 http://www.ifuap.buap.mx/~oseaman/files/solid_state_physics_2015/tema05
_handout.pdf
 https://www.uv.es/~cantarer/esol/p1.pdf
 http://www4.uva.es/goya/Intranet/Pages/programas/sintesis/2014-2015/06-
SyCEdelosM.pdf
 https://es.wikipedia.org/wiki/Par%C3%A1metro_de_red
 https://es.slideshare.net/laguado86/3-estructura-cristalina
 https://es.wikipedia.org/wiki/%C3%8Dndice_de_Miller
 http://www.iim.unam.mx/mbizarro/4-Empaquetamiento%202013-1.pdf
 file:///C:/Users/RICARDO/Downloads/IndicesDeMiller.pdf
 http://depa.fquim.unam.mx/QI/ncoord/ncoord.htm
 http://atomosdesilicio.blogspot.com/2013/02/cuantos-atomos-tiene-1cm3-
de-silicio.html
 https://es.wikipedia.org/wiki/Celda_de_Wigner-Seitz