Practico 4 2 2019 Resp Alta Frec

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UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

ELECTRONICA BASICA II
PRACTICO #4
FECHA: 07/10/2019 FECHA DE ENTREGA: 17/10/2019

TEMA: RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA

1.- ¿Por qué la ganancia de voltaje empieza a decaer en frecuencias elevadas?

2.- Explicar las diferencias entre los métodos de Superposición y el de Polos Aislados, ¿Qué ventajas y
desventajas encuentras en cada uno de ellos para el análisis de frecuencia en los amplificadores?

3.- Dado el circuito mostrado en la figura, se pide: Datos: hie = 1.5K, hfe = 180, roe = ∞, Cbe = 3pF,
Cbc = 4pF.

a) Dibujar el circuito equivalente en altas frecuencias.


b) Calcular la frecuencia de corte superior del amplificador.
c) Dibujar el diagrama de Bode y ubicar su frecuencia de Corte.
d) Utilizar el Proteus para simular el circuito utilizando transistor 2N2222 y Vcc = 12v.

4.- Idem al 3. Datos: gm = 3.8[mS], Cgd = 2pF, Cgs = 3.3pF, Cds = 6pF, rd = ∞

5.- Dado el circuito mostrado en la figura se pide:

a) Dibujar el modelo equivalente para bajas frecuencias y calcular la frecuencia de corte inferior.
b) Dibujar el modelo equivalente para altas frecuencias y calcular la frecuencia de corte superior.
c) Calcular el ancho de banda y dibujar el diagrama de Bode de dicho circuito, ubicando las
frecuencias encontradas.

Datos: gm = 2.6 [mS], rd = ∞, hie = 1.2[KΩ], hfe = 200, roe = ∞, Cbe = 9pF, Cbc = 4pF, Cgd = 2pF,
Cgs = 3.3pF

6.- Diseñar un amplificador Emisor Común transistor 2N2222p con ganancia |Av| = 33.98[dB],
frecuencia de corte inferior 150Hz y frecuencia de corte superior 10KHz. Posteriormente para verificar
si se realizó correctamente el diseño, simularlo en el Proteus, u otro programa que sepan usar.

NOTA:

• Pueden utilizar cualquier método de polarización. Seguir las reglas para el diseño. Darse
como fuente de alimentación Vcc = 15v
• Buscar en la hoja de datos del transistor 2N2222 todos los datos necesarios para el
correcto diseño.
VCC

-VDD

R3 R1
330K 1.8K
R8 R6
820K 1.2K
C2
C4

1uF R10 C5
Q1 R5
5.6K Q2 10uF
C3
JFET P DGS R11
Vin 8.2K
1K 10uF
C1 V1
2.2uF R4 R2 1uF
47K 330 R9 R7
82K 220

EJERCICIO 3 EJERCICIO 4

VCC

R12 R16
1.8k 1.5k
C8

R15 C7 Q4 C10
Q3 1uF NPN BCE
JFET N
1k 10uF R17 22uF
470 R18
V2 8.2k
SOURCE VOLTAGE R14 R13
2.2k 470 C6 C9
22uF 33uF

EJERCICIO 5

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