Tristores

Descargar como docx, pdf o txt
Descargar como docx, pdf o txt
Está en la página 1de 8

Instituto Tecnológico de Saltillo.

Electrónica de Potencia Aplicada.


Ing. Jesús Guerrero.

Resumen Unidad 2.
Tristores.
Rectificadores controlados.

Alondra Monserrat Davila Sánchez.

6/05/20.
Tristores.
Un tristor es uno de los tipos mas importantes de dispositivos semiconductores
de potencia. Es un dispositivo semiconductor de enganche de cuatro capas de
estructura pnpn con 3 uniones pn. Tiene 3 terminales: ánodo, cátodo y
compuerta. Los tristores se fabrican por difusión.
(imagen)

 Condición de bloqueo directo o estado desactivado: J1 y J3 tienen


polarización directa, J2 polarización inversa por lo que fluye solo una
pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo.
 Ruptura por avalancha: cuando Vak se incrementa lo suficiente, J2
polarizada inversamente entrará en ruptura.
 Estado de conducción o activado: J1 y J3 tienen polarización directa lo
que ocaciona un movimiento libre de potadores a través de las 3
uniones.

La corriente del ánodo debe ser mayor que la corriente de enganche I L


(corriente del ánodo mínima requerida para mantener el tristor en estado de
conducción) para mantener la cantidad requerida de flujo de portadores.
Una vez que el tristor es activado, se comporta como un diodo en conducción y
ya no hay control sobre el dispositivo. Sin embargo, si se reduce la corriente
directa del ánodo por debajo de un nivel conocido como corriente de
mantenimiento I H (corriente del ánodo mínima para mantener para mantener
el tristor en estado de régimen permanente), se genera una región de
agotamiento alrededor de la unión J2 debido al numero reducido de portadores
y por ende el tristor estará en estado de bloqueo
(imagen)
La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche, y es del
orden de los miliamperios.

Modelo de tristor de dos transistores.


Un tristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un
transistor pnp, Q1, y otro pnp, Q2.
La corriente del colector de un tristor:

I c =⍺ I E + I CBO

Corriente del colector I C 1 :

I C 1=⍺1 I A + I CBO1

Corriente del colector I C 2:


I C 2=⍺2 I k + I CBO 2

I A=¿ corriente del anodo

⍺1=¿ ganancia de corriente

I CBO1=¿ corriente de fuga para Q1.

⍺2=¿ ganancia de corriente

I CBO2=¿ corriente de fuga para Q2.

(imagen)

⍺2 I G + I CBO1 + I CBO2
I A=
I −( ⍺1+⍺2 )

Si ⍺1+ ⍺2 tiende a la unidad, el denominador de la ecuación anterior tendera a


cero, esto dará como resultado un valor grande de la corriente del ánodo I A y
el tristor se activara con una pequeña corriente de compuerta.

Activación del tristor.


Un tristor se activa incrementando la corriente del ánodo, de las siguientes
formas:

 Térmica: si la temperatura del tristor es alta, habrá un aumento en el


número de partes electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de
fuga y esto hará que ⍺1y ⍺2 aumentes. Debido a la acción regenerativa
¿+ ⍺2 ¿ puede tender a la unidad y el tristor puede activarse. Este tipo
de activación puede generar una guga térmica que por lo general se
evita.
 Luz: si se permite que la luz llegue a las uniones de un tristor,
aumentaran los pares electrón-hueco pudiéndose activar el tristor. Esta
activación se logra al permitir que ésta llegue a los discos de silicio.
 Alto voltaje: si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor que el voltaje
de ruptura directo, fluirá una corriente de fuga suficiente para iniciar una
activación regenerativa. Este tipo de activación puede resultar
desctructiva.
 dv/dt: si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la
corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para
activar el tristor. Un valor alto de carga puede dañar el tristor.
 Corriente de compuerta: si un tristor esta polarizado en directa, la
inyección de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de
compuerta entre la compuerta y las terminales del cátodo activará al
tristor.
Se deben de tomar en cuenta lo siguiente para el diseño de un circuito de
control de compuerta:
1. La señal de compuerta debe eliminarse después de activarse el tristor.
2. Mientras el tristor esté con polarización inversa, no debe haber señal de
compuerta .
3. El ancho del pulso de la compuerta I G debe ser mayor que el tiempo
requerido para que la corriente del ánodo se eleve al valor de corriente
de mantenimiento I H

Protección contra di/dt.


Un tristor requiere de un tiempo mínimo para dispensar la conducción de la
corriente en forma uniforme a través de las uniones. Si no se le permite este
tiempo podría aparecer un punto de calentamiento y el dispositivo podría fallar.
Bajo una operación de régimen permanente, Dm conduce cuando el tristor T1
esta desactivado. Si T1 se dispara cuando Dm aun está conduciendo, di/dt
puede resultar muy alto y solamente limitado por la inductancia dispersa del
circuito.
Se le agrega un inductor en serie Ls.
(imagen)

Protección contra dv/dt.


Con un circuito RC conocido como circuito de freno, el voltaje a través del
tristor se elevará en forma exponencial, y el circuito dv/dt puede encontrarse
aproximadamente a partir de:

dv 0.632 v s 0.632 v s
= =
dt T RS C S

El valor constante de tiempo de freno de T =R S C S , se puede determinar de la


ecuación anterior a partir de un valos conocido dv/dt. El valor R S se encuentra
a partir de la corriente de carga I TD.

VS
R S=
I TD .
(imagen)
A fin de limitar el excedente de voltaje pico aplicado a través del tristor, la
relación de amortiguación se utiliza en el rango de 0.5 a 1.0. si la inductancia
de la carga es alta, para retener el valor deseado de la relación de
amortiguador.

Un valor alto de R S reducira la corriente de descarga y un valor bajo de C S


reducira la perdida del circuito de freno. Los circuitos deberán ser analizados a
fin de encontrar el valor requerido de la relación de amortiguación para limitar
dv/dt a un valor deseado.
Por lo general se utiliza la misma red RC tanto para protección dv/dt como
para suprimir el voltaje transitorio debido al tiempo de recuperacion inversa.

Desactivación del tristor.


Un tristor se puede desactivar reduciendo la corriente directa a un nivel por
debajo de la corriente de mantenimiento.
En todas las técnicas la corriente del ánodo se mantiene por debajo de la
corriente de mantenimiento durante un tiempo lo suficientemente largo, de tal
manera que todos los portadores en exceso en kas 4 capas sean barridos o
recombinados.
En un circuito convetidor, conmutado por línea, en el que el voltaje de entrada
es alterno, aparece un voltaje inverso a través del tristor Pon mediatamente
después de que la corriente directa pasa a través de un valor cero. Éste voltaje
inverso acelerará el proceso de desactivación, al barrer los portadores del
acceso de las uniones pn J1 y J3.
El tiempo de desactivación es la suma del tiempo de recuperación inverso y el
tiempo de recombinación. Al final de la desactivación se desarrolla una copa de
agotamiento a través de la Unión J dos, Y el Cristo recupera su capacidad de
soportar voltaje directo.
El tiempo de desactivación es el valor mínimo del intervalo de tiempo en el
instante en que la corriente activación se ha reducido acero y el instante en
que el tristor es capaz de soportar un voltaje directo sin activarte
La carga recuperada inversa es la cantidad de carga que debe recuperarse
durante el proceso de desactivación.
(imagen)

Tipos de tiristores.
Los 3 tenores de fabrica en casi exclusivamente por difusión para controlar el
di/dt El tiempo de activación y el tiempo de desactivación Los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.
Los 3 tristores pueden clasificarse en 9 categorías:

 Tristores de control de fase (SCR)


Opera a la función de línea y se desactiva por conmutación natural.
Utilizan una compuerta amplificadora que permite características
altamente dinámicas con dv/dt y di/dt.
o El tiempo de desactivación es de 50 a 100 μs .
o Voltaje en estado activo de 1.15 v para 600 v, hasta 2.5 v paea
dispositivos de 4000v.
 Tristores de conmutación rápida (SCR)
 Tristores de desactivación por compuerta (GTO)
 Tristores de triodo bidireccional (TRIAC)
 Tristores de conducción Inversa (RCT)
 Tristores de inducción estática (SITH)
 Rectificadores controlados por silicio activados por Luz (LASCR9
 Tristores controlados por FET (FET-CTH)
 Tristores controlados por MOS (MCT)

Efectos de las inductancias de carga y de alimentación.


Los amoniacos de la corriente de carga dependen de las inductancias de la
misma y Dime el factor de potencia de entrada depende del factor de potencia
de la carga.
Dentro de las deducciones encontramos qué La alimentación no tiene
inductancias ni resistencias. Normalmente, los valores de la resistencia de
líneas son pequeños y se pueden despreciar.
La cantidad de caída de voltaje debida A las inductancias de la alimentación es
similar a la de los rectificadores, Ir no se modifican debido al control de fase.
En condiciones normales de operación, la caída de voltaje no depende del
Angulo de retraso. Sin embargo, del Angulo de conmutación varilla con el
ángulo de retraso.
El Angulo De conmutación María con el ángulo de retraso. Conforme aumenta
el ángulo de retraso, el ángulo de traslape se hace más pequeño. Conforme
aumenta el voltaje de fase de conmutación, Se hace más pequeño del tiempo
requerido para la conmutación, pero los volts-segundos se conservan
(imagen)
Teniendo:

V S = Caída de voltaje promedio Por conmutación debido a traslape

V Y = Reducción promedio de voltaje debido al control del ángulo de fase.


Entonces el voltaje promedio de salida para un ángulo de retraso ⍺:

V cd (⍺)=V cd ( ⍺=0 )−V y =V dm−V y


Y

V y =V dm−V cd (⍺)

Donde V dm=¿ máximo voltaje promedio posible de salida.


El voltaje promedio de salida con el ángulo de traslape μ y dos conmutaciones
es:

V cd (⍺+μ)=V cd ( ⍺=0 )−2 V x −V y =V dm−2 V x −V y


Caída de voltaje debido al traslape:

2 V x =2 f I cd Lc =V cd ( ⍺ )−V cd (⍺+μ)
El ángulo de traslape μ se puede determinar a partir de la ecuación anterior
para valores conocidos de la corriente de carga I cd, la inductancia de
conmutación Lc y el angulo de retraso ⍺.

De igual manera, la ecuación anterior solo es aplicable para un convertidor


monofásico completo.

Circuitos de disparo.
La generación de señales de disparo para los tristores de convertidores de ca a
cd requiere la detección de:
1) El cruce por cero del voltaje de entrada.
2) El desplazamiento apropiado de fase de las señales.
3) De la formación del pulso para generar pulsos de corta duración.
4) Del aislamiento del pulso a través de transformadores de pulso o de
acopladores ópticos.
La siguiente figura muestra el diagrama de bloques para un circuito de disparo
de un convertidor monofásico completo.
(imagen)

Resumen.
El voltaje promedio de salida (y la potencia de salida) de los convertidores de
ca-cd puede controlarse variando el tiempo de conducción de los dispositivos
de potencia. Dependiendo de los tipos de alimentación, los convertidores
pueden ser monofásicos o trifásicos. Para cada uno de estos tipos de
alimentación, pueden ser de media onda, semi o completos.
Los convertidores semi o completos se usan extensivamente en aplicaciones
prácticas. Aunque los semi-convertidores resultan con un mejor factor de
potencia de entrada que los convertidores completos, estos convertidores solo
son adecuados para la operación en un solo cuadrante.
Los convertidores completos y los convertidores duales permiten operaciones
en dos y en cuatro cuadrantes, respectivamente. Los convertidores trifásicos
normalmente se utilizan en aplicaciones de alta potencia siendo la frecuencia
de las componentes ondulatorias de salida mayor.
El factor de potencia de entrada, depende de la carga, se puede mejorar, y la
especificación de voltaje puede aumentarse mediante la conexión en serie de
los convertidores. Con conmutaciones forzadas, se puede mejorar aún más el
factor de potencia y ciertas armoniacas de bajo orden pueden reducirse o
eliminarse.
La corriente de carga puede ser continua o discontinua dependiendo de la
constante de tiempo de carga y el ángulo de retraso. Para el análisis de los
convertidores se utiliza el método de las series de Fourier. Sin embargo, se
pueden utilizar otras técnicas (por ejemplo, el enfoque de la función de
transferencia o la multiplicación espectral de la función de conmutación) para
el análisis de circuitos de conmutación de potencia. El control del ángulo de
retraso no afecta la caída de voltaje debida a inductancias de conmutación, y
esta caída de voltaje es la misma que la de los rectificadores de diodo
normales.

También podría gustarte