UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA

“ANTONIO JOSE DE SUCRE”

U VICE-RECTORADO DE PUERTO ORDAZ
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
PRÁCTICAS DE LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I

GUIAS DE LABORATORIO DE TRANSISTORES FET N° 3

OBJETIVOS:
 Familiarizar al estudiante con el uso de los manuales de fabricantes de transistores FET y
MOSFET, para entender y manejar las especificaciones y realizar comparaciones con los
valores experimentales.
 Medir tensiones y corrientes en el FET y MOSFET y comparar con valores teóricos y de
simulación.
 Realizar las curvas características de los dispositivo de forma experimental.

MATERIALES:
 Protoboard, cable y pinzas
 Multimetro, Fuente DC
 Transistores FET canal N o P, Transistor Mosfet 2N7000 o equivalente
 Resistencias de diferentes valores

PRELABORATORIO:
1. Investigue las características y parámetros del dispositivo con los cuales vaya a trabajar.

2N7000
Valores máximos:

Parameter Symbol Value Unit

Drain Source Voltage VDSS 60 VDC

Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 M) VDGR 60 VDC

Gate–Source Voltage
- Continuous VGS - ±20 VDC
- Non–repetitive (tp ≤ 50 µs) VGSM - ±40 VPK

Drain Current
-Continuous ID 200 mADC
-Puls IDM 500

Total Power Dissipation TC = 25°C PD 350 mW

Derate above 25 3.8 mW/°C

Operating TJ –55 to +150 °C

Storage Temperature Ran TSTG
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PRÁCTICAS DE LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I

Caracteristicas eléctricas:

APAGADO

Symbol Max Min Unit

Drain–Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 60 - Vdc

(VGS = 0, ID = 10 µAdc)

Zero Gate Voltage Drain Current IDSS

(VDS = 48 Vdc, VGS = 0) - 1.0 µAdc
(VDS = 48 Vdc, VGS = 0, TJ = 125°C) - 1.0 mAdc

Gate–Body Leakage Current, Forward IGSS - -10 nAdc

(VGSF = 15 Vdc, VDS =0)

ENCENDIDO

Gate Threshold Voltage VGS(th) 0.8 3.0 Vdc

(VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc)

Static Drain–Source On–Resistance rDS(on) Ohm

(VGS = 10 Vdc, ID = 0.5 Adc) - 5.0
(VGS = 4.5 Vdc, ID = 75 mAd - 6.0

Drain–Source On–Voltage VDS(on) Vdc

(VGS = 10 Vdc, ID = 0.5 Adc) - 2.5
(VGS = 4.5 Vdc, ID = 75 mAdc) - 0.45

On–State Drain Current Id(on) 75 - mAdc

(VGS = 4.5 Vdc, VDS = 10 Vdc)

Forward Transconductance gfs 100 - µmhos

(VDS = 10 Vdc, ID = 200 mAdc)

2N5485
Valores máximos

Parameter Value

Drain-Gate Voltage 25V

Source Gate Voltage 25V

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Drain Current 30mA

Forward Gate Current 10mA

Operating Temperature Range -55o C to +135 ºC

Power Dissipation 310mW

Caracteristicas electricas

Symbol Parameter Min Max Unit

IGSS Gate Reverse Current - -1.0 nA

IDSS Saturation Drain Current 4.0 10 mA

BVGSS Gate-Source Breakdown Voltage -25 - V

VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage -0.5 -4.0 V

2. Investigue como verificar con el multímetro si un transistor Fet está en buen estado.

Se coloca el multímetro en función de prueba de diodos:

- Se coloca la punta de prueba negativa (-) del multimetro en el terminal Drain y la punta
positiva (+) en el terminal Source. La juntura Drenador – Surtidor es equivalente a la
juntura Colector–Emisor en un transistor bipolar, pero en el FET esta se parece más a una
resistencia que a un diodo. Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Los
resultados varían según el tipo de FET). Si no se obtiene ninguna lectura, el FET está en
circuito abierto. Si la lectura es baja, el FET está en cortocircuito.
- Luego, sin retirar la punta negativa del terminal Drain, colocamos la punta positiva en el
terminal Gate. No se debe obtener lectura alguna, de lo contrario el FET presenta una fuga
o está en cortocircuito. el transistor FET tiene la compuerta (gate) aislada de la juntura
Drenador–Surtidor, lo que hace que el FET tenga una entrada de alta impedancia, casi
infinita.
- Ahora regresamos la punta positiva al terminal Source, con lo que la juntura Drain –
Source se activa. Entre Drain y Source se obtiene una lectura baja, alrededor de 0.82v,
debido a que el FET se “enciende”. Para desactivar el FET, se debe cortocircuitar sus 3
terminales por medio de un elemento metálico, así el FET regresara a su estado de reposo.
3. Realice el análisis teórico de los circuitos, calculando tensiones y corrientes.
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2N7000

2N5485

4. Realice las simulaciones correspondientes

ACTIVIDADES DE LABORATORIO:

 Actividad Nº 1:
Realice el montaje 1 para cada uno de los transistores FET y MOSFET. Considere RG= 2KΩ,
RD=10KΩ y VDD= 10V
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MONTAJE 1

En caso de FET o MOSFET decremental: Varíe la fuente VGG desde 0V hasta el valor de Vp para
cada transistor. Anote los valores correspondientes de ID y VDS para cada caso y complete la
siguiente tabla (una tabla para cada transistor). Mida la corriente ID de forma indirecta (mida el
voltaje en la resistencia RD). En caso de MOSFET incremental: Varíe la fuente VGG desde 0V hasta
el valor de Vp para cada transistor. Anote los valores correspondientes de ID y VDS para cada caso
y complete la tabla

N° de VGG(V) VRD (V) VDS (V) ID = VRD/RD

Medida (mA)
s
1 0
2 0,5
3 1
4 1,5
5 2
6 2,5
Incremente
hasta llegar
a Vp

Realice la grafica correspondiente de la curva característica tanto de entrada como de salida con
los valores de la tabla para cada uno de los transistores empleados.

GUIAS DE LABORATORIO DE TRANSISTORES N° 4

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OBJETIVOS:
 Realizar un análisis detallado para un amplificador con FET, empleando el
osciloscopio.
 Medir los parámetros de pequeña señal de un FET.

MATERIALES:
 Protoboard, cable y pinzas
 Multimetro, Fuente DC, Generador de señales y Osciloscopio
 Transistor FET tipo N 2N7000 o equivalente, transistor BJT 2N3904
 Resistencias de diferentes valores
 Condensadores

PRELABORATORIO:
1. Investigue las características y parámetros del transistor con que trabajara.
2. Realice los cálculos matemáticos en DC y AC para cada actividad.
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3. Realice las simulaciones y verifique correcto funcionamiento de los montajes.

ACTIVIDADES DE LABORATORIO:

Actividad Nº 1: Amplificador con Mosfet

Realice el montaje mostrado a continuación

Figura 1

Sin conectar el generador de señales y los condensadores, determine los valores de

polarización del circuito y llene la siguiente tabla

N° Variable Valor medido

ID
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VGS
VDS

Conecte los condensadores y ajuste el generador de señales a una frecuencia de 1 KHz y

coloque un nivel de señal de 20 mVP, conecte el generador de entrada del amplificador y
observe la señal de salida. Mida y registre el voltaje de salida pico-pico con el osciloscopio
y luego calcule la ganancia de voltaje.

Varié la señal de entrada y verifique en el osciloscopio los cambios en la señal de salida.

Anote sus resultados y observaciones.

Conecte una resistencia de 5 k como carga, y auméntela progresivamente hasta que el

voltaje de salida sea la mitad del voltaje de salida obtenido sin carga. Anote el valor de la
resistencia para la cual se da el caso.

POSTLABORATORIO
1.- Para la Actividad N° 1, dibuje el modelo en AC para el circuito, en base a los valores
experimentales que obtuvo. ¿Puede determinar el valor de gm experimental?. Compare
los datos experimentales con la simulación.