Lab 3 Fet
Lab 3 Fet
Lab 3 Fet
MATERIALES:
Protoboard, cable y pinzas
Multimetro, Fuente DC
Transistores FET canal N o P, Transistor Mosfet 2N7000 o equivalente
Resistencias de diferentes valores
PRELABORATORIO:
1. Investigue las características y parámetros del dispositivo con los cuales vaya a trabajar.
2N7000
Valores máximos:
Gate–Source Voltage
- Continuous VGS - ±20 VDC
- Non–repetitive (tp ≤ 50 µs) VGSM - ±40 VPK
Drain Current
-Continuous ID 200 mADC
-Puls IDM 500
Caracteristicas eléctricas:
APAGADO
ENCENDIDO
2N5485
Valores máximos
Parameter Value
Caracteristicas electricas
2. Investigue como verificar con el multímetro si un transistor Fet está en buen estado.
- Se coloca la punta de prueba negativa (-) del multimetro en el terminal Drain y la punta
positiva (+) en el terminal Source. La juntura Drenador – Surtidor es equivalente a la
juntura Colector–Emisor en un transistor bipolar, pero en el FET esta se parece más a una
resistencia que a un diodo. Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Los
resultados varían según el tipo de FET). Si no se obtiene ninguna lectura, el FET está en
circuito abierto. Si la lectura es baja, el FET está en cortocircuito.
- Luego, sin retirar la punta negativa del terminal Drain, colocamos la punta positiva en el
terminal Gate. No se debe obtener lectura alguna, de lo contrario el FET presenta una fuga
o está en cortocircuito. el transistor FET tiene la compuerta (gate) aislada de la juntura
Drenador–Surtidor, lo que hace que el FET tenga una entrada de alta impedancia, casi
infinita.
- Ahora regresamos la punta positiva al terminal Source, con lo que la juntura Drain –
Source se activa. Entre Drain y Source se obtiene una lectura baja, alrededor de 0.82v,
debido a que el FET se “enciende”. Para desactivar el FET, se debe cortocircuitar sus 3
terminales por medio de un elemento metálico, así el FET regresara a su estado de reposo.
3. Realice el análisis teórico de los circuitos, calculando tensiones y corrientes.
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
“ANTONIO JOSE DE SUCRE”
U VICE-RECTORADO DE PUERTO ORDAZ
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
PRÁCTICAS DE LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
2N7000
2N5485
ACTIVIDADES DE LABORATORIO:
Actividad Nº 1:
Realice el montaje 1 para cada uno de los transistores FET y MOSFET. Considere RG= 2KΩ,
RD=10KΩ y VDD= 10V
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“ANTONIO JOSE DE SUCRE”
U VICE-RECTORADO DE PUERTO ORDAZ
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
PRÁCTICAS DE LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
MONTAJE 1
En caso de FET o MOSFET decremental: Varíe la fuente VGG desde 0V hasta el valor de Vp para
cada transistor. Anote los valores correspondientes de ID y VDS para cada caso y complete la
siguiente tabla (una tabla para cada transistor). Mida la corriente ID de forma indirecta (mida el
voltaje en la resistencia RD). En caso de MOSFET incremental: Varíe la fuente VGG desde 0V hasta
el valor de Vp para cada transistor. Anote los valores correspondientes de ID y VDS para cada caso
y complete la tabla
Realice la grafica correspondiente de la curva característica tanto de entrada como de salida con
los valores de la tabla para cada uno de los transistores empleados.
OBJETIVOS:
Realizar un análisis detallado para un amplificador con FET, empleando el
osciloscopio.
Medir los parámetros de pequeña señal de un FET.
MATERIALES:
Protoboard, cable y pinzas
Multimetro, Fuente DC, Generador de señales y Osciloscopio
Transistor FET tipo N 2N7000 o equivalente, transistor BJT 2N3904
Resistencias de diferentes valores
Condensadores
PRELABORATORIO:
1. Investigue las características y parámetros del transistor con que trabajara.
2. Realice los cálculos matemáticos en DC y AC para cada actividad.
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
“ANTONIO JOSE DE SUCRE”
U VICE-RECTORADO DE PUERTO ORDAZ
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
PRÁCTICAS DE LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
ACTIVIDADES DE LABORATORIO:
Figura 1
VGS
VDS
POSTLABORATORIO
1.- Para la Actividad N° 1, dibuje el modelo en AC para el circuito, en base a los valores
experimentales que obtuvo. ¿Puede determinar el valor de gm experimental?. Compare
los datos experimentales con la simulación.