04 Mos

El Transistor MOSFET según SPICE
Germán González Díaz e Ignacio Mártil de la Plaza

Adaptado, ampliado y formateado por Francisco J. Franco
d
El modelado realista de los transistores MOS no ha sido nada fácil pues, a lo largo de los años,
ri
han aparecido varias decenas de modelos que intentan representar con mayor o menor fortuna los
d
a
transistores MOS. Todos estos modelos presentan una serie de características en común:
M
Todos tienen cuatro terminales (Drenador, puerta, fuente y substrato), denidos en este orden
e
en la descripción circuital del dispositivo.
d
L
A cada transistor se le puede asignar, en la descripción circuital, una longitud (
1
), una anchura
se
(W ) así como las áreas y perímetros de la fuente y el drenador ( AS PS AD PD
, , , ).
n
la
te
de
En todos ellos, algunos parámetros, que han sido denidos por defecto, pueden calcularse a
lu
partir de otros. Sin embargo, ante la duda, SPICE mantiene el valor asignado por defecto.
os
p
Por ejemplo, la transconductancia de un transistor puede calcularse a partir de un parámetro

m
n
s
m
.e
llamado KP , que se puede denir por defecto o bien puede calcularlo SPICE a partir de COX
o
alu
y µN . En caso de discrepancia, SPICE mantiene el valor inicial.

C
LEVEL=XX
c
de
d
Cada modelo de MOS corresponde a un nivel ( ). Veamos las características de los

.u
a
modelos más comunes:

so
w
id
LEVEL = 1
u
w
rs
Modelo de Shichman-Hodges ( ): Es el modelo más sencillo (similar al usado en

ra
w
e
los problemas sobre el papel), que describe al transistor mediante una zona cuadrática y otra
Pa
iv
con saturación. Solo es válido para transistores de gran tamaño.

:/
n
LEVEL = 2
U
Modelo de Grove-Frohman ( ): Versión mejorada del anterior pues incorpora fenó-

tt
menos como la saturación de la movilidad de portadores, las corrientes por debajo del umbral,
h
etc. Es poco utilizado ya que el siguiente nivel es similar y puede representar transistores
cortos.
LEVEL = 3 : Modelo semiempírico basado en el anterior. A lo largo de los años, se ha mostra-
do particularmente robusto de tal modo que su uso en circuitos digitales (½no en analógicos!)
es factible.
1 Se mantiene la convención de representar un parámetro SPICE en negrita.
1
El transistor MOSFET según SPICE
Modelos BSIM: Diseñados por la Universidad de Berkeley, comenzaron su andadura con la
versión BSIM1v0 ( LEVEL = 4 ) siendo el modelo BSIM3v3 ( LEVEL=49 ) el más popular
en la actualidad pues se ha revelado ecaz tanto para simulación analógica como digital hasta
tecnologías del orden de 180 nm. Actualmente, se desarrolla el modelo BSIM4 para describir
dispositivos por debajo de 100 nm ( LEVEL = 54 ). Por otra parte, se ha desarrollado el
modelo BSIM para adaptarlos a tecnologías SOI (BSIMSOI, LEVEL = 58 ).
La mayor parte de los modelos son extraordinariamente complejos y su explicación no es sencilla.
Sin embargo, como todos están basados más o menos en las versiones 1-4, procederemos a explicar
los parámetros de estos modelos.
d
ri
1. Parámetros tecnológicos
d
a
L W AD PD AS PS
M
Además de los parámetros descritos en la introducción ( , , , , , ), es posible
denir:
e
d
Espesor del óxido de puerta (tOX , TOX ). Expresado en metros, su valor por defecto es 100
se
nm.
n
la
XJ
te
Profundidad de la unión de fuente y drenador (XJ , ): Penetración de las regiones de fuente

de
lu
y drenador en el interior del sustrato. Por defecto, se supone que vale cero o, lo que es los
os
p
mismo, que las impurezas permanecen en la supercie. Se utiliza para modelar los efectos de
LEVEL = 1
m
n
canal corto. No tiene sentido en el nivel básico del transistor MOS ( ).

m
.e
o
LD
alu
m
C
Difusión lateral (LD , ): Penetración de las impurezas de los terminales en el canal. A

c
resultas de esto, se reduce el tamaño efectivo del canal de tal modo que, en la práctica, la
de
d
.u
a
longitud efectiva del canal es

so
w
id
LEF F = L − 2·LD (1)

u
w
rs
RD RS
ra
Resistencias parásitas (RD , RS ,

e
, ): Como podía ser previsible, se puede añadir un par

Pa
iv
de resistencias a cada terminal para modelar las caídas de tensión en ellos. Por otro lado,
RSH
:/
n
es posible denir un parámetro llamado RSH ( ) o resistencia de hoja, medida en Ω/.

U
Al conocer la anchura del canal y su área o perímetro, se pueden calcular las longitudes
tt
efectivas del drenador y la fuente (P.e., LX = AX /W ) y calcular las resistencias parásitas

h
como RX = RSH ·LX/W . Evidentemente, si se han dado los valores de RD y RS , no se realizará

el cálculo a partir de RSH .
Dopado del sustrato (NSU B , NSUB ): Se expresa en cm

-3
Material de puerta ( TPG ): Este parámetro puede tener tres valores:
• 0: Si la puerta es de metal (Por defecto, aluminio).
Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 2

• -1: Si la puerta es de polisilicio dopado de igual modo que el sustrato
• +1: Si la puerta es de polisilicio con dopado opuesto al sustrato.
2. Comportamiento DC del transistor MOSFET

Supondremos que, en todo momento, el canal del transistor es tipo N.
2.1. Nivel 1
En este modelo, se considera que la corriente de puerta (IG ) es nula y que existe una fuente
d
ri
corriente que circula del drenador a la fuente, que está controlada por las tensiones VGS y VDS y
d
cuyo valor es:
a
M
1. Si VDS > 0 y VGS − VT H < 0, nos encontraremos en la región de corte y, por tanto, IDS = 0.
e
2. Si VGS > VT H y VGS − VT H > VDS , estaremos en la zona lineal e:
d

W VDS
se
IDS = KP · · VGS − VT H − ·VDS · (1 + λ·VDS ) (2)
LEF F 2
n
la
te
de
3. Si VGS > VT H y VGS − VT H < VDS , el transistor ha pasado a zona de saturación e:

lu
os
KP W
p
IDS = · · (VGS − VT H )2 · (1 + λ·VDS ) (3)

m
n
2 LEF F
m
.e
o
alu
m
C
4. Si VDS < 0, se intercambian los roles de drenador y fuente.

c
de
d
Varios parámetros de los indicados ya han sido denidos previamente. Los parámetros nuevos que
.u
KP LAMBDA
a
se han introducido son KP , V T H y λ. De estos, solo y son parámetros SPICE pues

so
w
id
VT H se calcula a partir de otros más básicos, como se verá posteriormente.

u
w
rs
ra
KP es un parámetro que puede calcularse a partir de las características tecnológicas del material
w
e
U0
Pa
(KP = COX · µ0 ). El parámetro µ0 , simbolizado en SPICE como

iv
, es la movilidad supercial
/
:/
2
n
de los portadores expresada en cm /V·s. Como estos parámetros se especican o bien dependen
KP
U
de parámetros físicos sobradamente conocidos, SPICE puede calcular si no se proporciona

tt
previamente.
h
VT H es la tensión umbral del transistor y se calcula de la siguiente manera. En primer lugar, es
necesario conocer el valor de la tensión umbral con polarización nula entre sustrato y fuente (VT H,0 ,
VTO ), el parámetro de efecto sustrato (γ , GAMMA ) y el potencial supercial de inversión fuerte,
φ PHI
o ). A partir de estos parámetros se calcula la tensión umbral como:
p p
VT H = VT H,0 + γ· φ + VBS − φ (4)
VT H,0 = VF B + φ (5)


kT NSU B
φ = 2·φF = 2· · ln (6)
q ni
√
2·Si ·NSU B
γ= (7)
COX
Puede verse que, si no se proporciona φ, puede calcularse a partir del dopado del canal.
Con todos estos parámetros, se puede modelar el núcleo fundamental de un MOSFET. Asimis-
mo, hay que tener en cuenta que pueden aparecer uniones PN inversamente polarizadas entre
drenador/fuente y substrato. Como era previsible, estas uniones se modelan como diodos aunque no
se tiene en cuenta que existen corrientes de generación-recombinación. Cada una de estas uniones
tendría la siguiente corriente de fuga:
d
ri
h i
IBS = ISS · exp NVBS −
d
1
·VT (8)
a
h i
VBD
IBD = IDD · exp N ·VT − 1
M
N ISS
e
El parámetro de idealidad N ( ) vale por defecto 1 y es idéntico en ambos casos. Los cálculos de
d
e IDD son algo más complejos pues dependen de las características geométricas de los terminales.
se
Sin embargo, en cualquier caso, se pueden utilizar estos parámetros:
IS
n
la
1. IS ( ) o corriente de saturación inversa de estas uniones.

te
de
JS
lu
2. JS ( ) o densidad de corriente de saturación inversa a través de la supercie inferior de

os
p
contacto entre el terminal y el sustrato.

m
n
JSSW
m
.e
3. JSSW ( ) o densidad de corriente de saturación inversa a través del perímetro lateral.

o
alu
m
C
En este caso, el valor de las corrientes serían los siguientes:

c
de
d
.u
a
ISS = AS ·JS + PS ·JSSW

so
w
id
(9)
IDD = AD ·JS + PD ·JSSW
u
w
rs
ra
w
e
Sin embargo, si se proporciona IS , el término AX ·JS se reemplaza por IS , cuyo valor es, por defecto,
Pa
iv
10 fA aunque puede variarse si fuera necesario.

:/
n
U
p
tt
2.2. Nivel 2
h
Este modelo es muy similar al anterior aunque incorpora la degradación de la movilidad, la
corriente subumbral, etc. Requiere parámetros adicionales como la densidad interfacial de cargas
atrapadas entre el semiconductor y el óxido (NSS , NSS -2

, expresada en cm ), con el que se puede
calcular la tensión umbral si no se proporcionara. Por otra parte, para modelar la dependencia de la
2
movilidad de portadores respecto al campo eléctrico, se incorporan nuevos parámetros como µCRIT
2 Enlas primeras versiones del modelo, existía un parámetro adicional llamado UTRA o coeciente de degradación
transversal, que ha sido deshabilitado en las versiones posteriores.

(UCRIT ), o campo crítico en el que aparece la degradación de la movilidad y que se mide en V/cm;
µ UEXP
EXP ( ), que es el exponente necesario en la función pertinente y vM AX VMAX
( ), que es
la máxima velocidad que pueden alcanzar los portadores mayoritarios en m/s.
Otro fenómeno incorporado en este modelo es el efecto de la anchura del canal en la tensión
umbral. Para ello, se debe añadir un parámetro llamado DELTA (δ ) que permite corregir el valor
de la tensión umbral del transistor por efectos de canal estrecho por medio de
π·εSi
∆VT H = δ· · (φ − VBS ) (10)
2·COX ·W
Por otra parte, debe tenerse en cuenta que este parámetro está relacionado con el acortamiento de
d
la longitud del canal ya que
ri
2
q·NSU B ·XDS
d
δ= (11)
2·εSi ·φ
a
M
de modo que, una vez denido DELTA, es posible determinar XDS , parámetro utilizado en el nivel
3 para calcular la modulación del canal.
e
NFS
d
La conducción subumbral se modela con un parámetro llamado NF S ( ), llamado densidad
-2
de estados rápidos de supercie, cuya unidad es el cm . Finalmente, el coeciente de carga total
se
en el canal, tanto ja como móvil, (NEF F , NEFF ) permite calcular el valor del coeciente de
n
LAMBDA
la
te
modulación del canal por lo que es innecesario proporcionar . Este método, que implica
LAMBDA
de
la desaparición de , ha sido continuada en modelos más avanzados.

lu
os
p
m
n
2.3. Nivel 3
m
.e
o
alu
Las principales diferencias entre este modelo y los dos anteriores radica en la descripción de
C
la degradación de la movilidad de los portadores y en el efecto de modulación del canal. Así, los
de
UCRIT UEXP UTRA LAMBDA NEFF

d
.u
parámetros , , , y no tienen sentido en este modelo.

a
U0
so
w
id
La degradación de la movilidad se considera dependiente de los parámetros µ0 ( ), vM AX

VMAX THETA
u
w
rs
( ), ya vistos con anterioridad, y el parámetro θ ( ), de tal modo que la movilidad

ra
w
e
efectiva de portadores es
Pa
iv
/
:/
µ0
n
µEF F = (12)
U
µ0 ·VDE
p
(1 + θ· (VGS − VT H )) · 1 + vM AX ·LEF F
tt
h
donde VDE = min (VDS , VGS − VT H ). Por otra parte, el nivel 3 de SPICE incorpora un fenómeno
llamado realimentación estática , que relaciona el valor de la tensión umbral de un transistor con
la caída de tensión entre drenador y fuente. Para modelarla, se incorpora un parámetro llamado η
(ETA ), que permite corregir la tensión umbral un factor
B
∆VT H = −η· ·VDS (13)
COX ·L3EF F

Siendo B = 8,15 · 10−20 (F · cm). Para terminar, el parámetro LAMBDA
es reemplazado por
KAPPA (κ), también medido en V

−1
. En el caso de que se desprecie el efecto de la degradación de
la movilidad, que es el caso más sencillo, se produce un incremento en la corriente entre drenador y
fuente de valor r
2·εSi ·κ
∆IDS = · [VDS − (VGS − VT H )] (14)
q·NSU B
sobre el valor de IDS calculado a partir de la ecuación 3 suponiendo λ = 0.
2.4. Modelos BSIM
d
Los modelos descritos hasta ahora tienen un problema serio: Son modelos basados en funciones
ri
denidas en intervalos pues, en primer lugar, se determina la región de trabajo del transistor y,
d
a continuación, se calcula la corriente asociada. Esto implica que las funciones derivadas de las
a
M
corrientes respecto a las tensiones podrían no ser funciones continuas, hecho que daría lugar a
problemas de convergencia durante la resolución de las ecuaciones no lineales. Para evitarlo, existen
e
modelos mejorados (BSIM) en los que se ha conseguido que las funciones que asocian IDS con
d
las tensiones VDS , VGS y VBS sean funciones analíticas (pero muy complicadas, lamentablemente)
se
cuyas derivadas enésimas son continuas.
TOX RSH RD RS
n
la
Algunos parámetros se han heredado sin ninguna modicación como , , , ,

te
XJ UO
de
, , ... así como los parámetros que describen las capacidades parásitas (Ver Sección 3) o la
lu
temperatura de caracterización (Ver Sección 4). Otros se han modicado parcialmente, como VTO
os
VMAX VTHO VSAT

p
y , que se han transformado en y aunque el signicado se mantiene. Por otra

m
n
s
m
.e
parte, se han introducido muchos nuevos parámetros que anan tanto el modelo de los transistores
o
alu
m
C
que pueden ser utilizados para tecnologías por debajo de los 100 nm.
c
de
d
.u
3. Comportamiento AC del transistor MOSFET

a
so
w
id
u
w
rs
El comportamiento en frecuencia de los transistores MOSFET se puede modelar fácilmente en

ra
w
e
Pa
los transistores MOS teniendo en cuenta que, en un transistor MOSFET, aparecen capacidades
iv
/
:/
parásitas entre el drenador y fuente con el sustrato (Tipo PN invertido) y entre la puerta y las
n
U
secciones de drenador o fuente sobre las que se solapa aquella. Estas capacidades describen tan bien
tt
el comportamiento en frecuencia que se han conservado en los modelos más avanzados.

h
3.1. Capacidades de solapamiento
Hay tres, no dependen de la tensión de polarización, y se modelan en SPICE mediante tres
parámetros:
1. CGS0 ( CGSO ): Se utiliza para calcular la capacidad asociada al solapamiento entre la puerta
y la fuente. Típicamente, la distancia que penetra el óxido de puerta sobre la fuente es propia

de cada tecnología por lo que la capacidad total solo dependería de la anchura del canal. Es
por ello que CGSO tiene unidades de F/m y se relaciona con la capacidad real parásita, CGS ,
como CGS = CGS0 · W .
2. CGD0 ( CGDO ): Similar a la anterior, reemplazando la fuente por el drenador. Por ello, CGD =
CGD0 · W .
3. CGB0 (CGBO ): Solapamiento de la puerta sobre el sustrato y se expresa en F/m. A diferencia
de los anteriores, no aumenta con la anchura de la puerta sino con su longitud. Por ello, la
capacidad efectiva sería CGB = CGB0 · L.
d
ri
3.2. Capacidades de unión
d
a
Están asociadas a las uniones PN entre drenador/fuente y sustrato. En principio, las capacidades
M
totales pueden modelarse siguiendo estas fórmulas:
e
d
CBD,T = CJ,S,BD + CJ,L,BD + CD,BD
(15)
CBS,T = CJ,S,BS + CJ,L,BS + CD,BS
se
n
la
siendo CJ,S,BX la capacidad de vaciamiento asociada a la supercie de contacto entre el terminal X

te
de
y el sustrato, CJ,L,BX a la capacidad perimetral entre X y sustrato y, nalmente, CD,BX la capacidad

lu
de difusión.
os
p
m
n
3.2.1. :
s
m
.e
CJ,S,BX
o
alu
m
C
En primer lugar, es necesario calcular la capacidad con potencial aplicado nulo, CJ,S,BX,0 . Hay
c
de
dos maneras de hacerlo. En primer lugar, puede denirse de manera directa mediante los parámetros
d
.u
CBS CBD
a
y , que se miden en faradios y están asociados, respectivamente, a la fuente y al sustrato.

so
w
id
Si no estuvieran denidos en el modelo del transistor, SPICE puede calcularla mediante el parámetro
u
CJ
rs
, que es la capacidad a potencial nulo por unidad de supercie, y las supercies de cada terminal
ra
AD AS
e
Pa
( y ). En consecuencia, se verica que:

iv
/
:/
n
CJ,S,BS,0 = CBS ó AS·CJ

U
(16)
tt
CJ,S,BD,0 = CBD ó AD·CJ

h
Sin embargo, recordemos que estas capacidades no son constantes sino que dependen de la tensión
aplicada. Por ello, es necesario introducir tres parámetros adicionales llamados FC PB MJ

, y , cuyo
signicado ya se explicó en la sección del diodo (Aunque MJ , que es el coeciente de gradualidad,
se llamó allí simplemente M ). Así, en el caso del drenador (D), la capacidad parásita sería:
1. Si VBD < F C · P B ,
CJ,S,BD,0
CJ,S,BD = (17)
(1 − VBD/P B )M J

2. Si VBD > F C · P B ,

−(1+M J) VBD
CJ,S,BD = (1 − F C) · 1 − F C· (1 + M J) + M J· ·CJ,S,BD,0 (18)
PB
Análogamente, se calcula la resistencia parásita asociada a la fuente.
3.2.2. CJ,L,BX :
Esta capacidad parásita depende del perímetro de cada terminal ( PS PD
y ) y de una capacidad
por unidad de longitud llamada CJSW (CJSW ). Se necesita un parámetro SPICE adicional, llamado
MJSW MJ
d
3
, que desempeña un papel similar a de tal modo que
ri
d
CJSW ·AD
CJ,L,BD =
a
(1−VBD/P B )M JSW
(19)
M
CJSW ·AS
CJ,L,BS = (1−VBS/P B )M JSW
e
si se verica que VBD < F C · P B o, en caso contrario,
d
se
CJ,L,BD = (1 − F C)−(1+M JSW ) · 1 − F C· (1 + M JSW ) + M JSW · VPBD

B
·AD·CJSW
−(1+M JSW ) (20)
n
· 1 − F C· (1 + M JSW ) + M JSW · VPBS

CJ,L,BS = (1 − F C) ·AS·CJSW
la
B
te
3.2.3. :
de
lu
CD,BX
os
p
Capacidad de difusión asociada al terminal X. Evidentemente, solo adquiere importancia cuando

m
n
s
m
.e
estas uniones están directamente polarizadas, hechos que no se deben producir en caso de una
o
alu
polarización correcta del componente. En cualquier caso, se puede introducir en el modelo SPICE
C
un parámetro llamado tiempo de tránsito, (τT ó TT

c
) tal que:
de
d
.u
a
∂IBD
so
CD,BD = τT · ∂V
w
id
BD
(21)
∂IBS
u
CD,BS = τT · ∂V
rs
BS
ra
w
e
Pa
donde IBX está recogida en la ecuación 8.

iv
/
:/
n
U
4. Inuencia de la temperatura
p
tt
h
A diferencia de los otros dispositivos, la evolución de los parámetros en función de la temperatura
requiere conocer un solo parámetro, TNOM , que debe incorporarse al modelo del MOSFET y que
indica la temperatura a la que fue caracterizado el componente. Si se especica una temperatura
distinta en cada dispositivo o por medio de la sentencia .OPTIONS TEMP = XXX , el programa
recalcula los parámetros mediante procedimientos implementados por defecto.
3 En algunas versiones de SPICE, se puede utilizar un parámetro equivalente a PB, llamado PBSW. Sin embargo,
no se recomienda hacer esta distinción.

5. Ruido
En un transistor MOS, el ruido puede aparecer debido al ruido térmico de las resistencias parásitas
o al ruido de disparo o centelleo. Suponiendo que nos centramos en una frecuencia f y con un ancho
de banda de 1 Hz, las fuentes de ruido presentes en el MOSFET son:
2 4·k·T
1. Ruido térmico en las resistencias parásitas, con densidades espectrales de corriente IRD = RD
2 4·k·T
y IRS = RS
, situadas en paralelo a estas resistencias.
2. Ruido de disparo y centelleo: Equivale a una fuente de corriente situada entre el drenador y la
KF AF

2 2 ∂IDS I AF
fuente, con un valor igual a ID = ·4·k·T · + KF · f ·KDSCH , donde KF ( ) y son
3 ∂VGS
d
Q
L 2 ·
ri
parámetros proporcionados en el modelo SPICE y KCH = EF F Si .
tOX
d
a
6. Ejemplos de transistores reales
M
e
d
6.1. IRF250 e IRF9540 se
Transistores discretos de potencia de canal N y P fabricados por IRF. Ambos corresponden a un
n
modelo que de nivel 1. No se incluye el diodo parásito situado entre fuente y sustrato.
la
te
.MODEL
de
IRF250 NMOS (LEVEL=1 IS=1e-32 VTO=4.06407 LAMBDA=0.00201725

lu
+
os
p
KP=11.459 +CGSO=3.36193e-05 CGDO=1e-11)

m
n
.MODEL
m
.e
o
IRF9540 PMOS (LEVEL=1 IS=1e-32 VTO=-4.05693 LAMBDA=0.0384732

alu
m
C
+ KP=7.85359 +CGSO=1.22212e-05 CGDO=1e-11)

c
de
d
.u
a
Un ejemplo de nivel 1 más completo es el del transistor DMN2170U, fabricado por DIODES
so
w
id
.MODEL
u
w
rs
DI_DMN2170U NMOS( LEVEL=1 VTO=1.00 KP=15.7 GAMMA=1.24 PHI=.75

ra
+
e
Pa
LAMBDA=133u RD=9.80m RS=9.80m + IS=1.15p PB=0.800 MJ=0.460 CBD=92.7p

iv
/
:/
+
n
CBS=111p CGSO=408n CGDO=340n CGBO=1.42u )

U
p
tt
h
6.2. BSH103 y BSH201
Transistores discretos fabricados por NXP con modelos de nivel 3 muy completos. No se ha
incluido el diodo parásito presente en los transistores MOSFET discretos.
.MODEL BSH103 NMOS(Vto=0.844653308583916 Kp=2.0492e+00 Nfs=0 Eta=0
+ Level=3 L=1e-4 W=1e-4 Gamma=0 Phi=0.6 Is=1e-24 Js=0 Pb=0.8 Cj=0 Cjsw=0
+ Cgso=7.24E-11 Cgdo=1E-12 Cgbo=0 Tox=1e-07 Xj=0 U0=600 Vmax=4000

+ Rd = 0.13798)
.MODEL BSH201 PMOS(Vto=-1.9033423414524 Kp=3.7372e-01 Nfs=0 Eta=0
+ Level=3 L=1e-4 W=1e-4 Gamma=0 Phi=0.6 Is=1e-24 Js=0 Pb=0.8 Cj=0 Cjsw=0
+ Cgso=7.0833e-11 Cgdo=1E-12 Cgbo=0 Tox=1e-07 Xj=0 U0=600 Vmax=2000
+ Rd = 1.7621)
6.3. Transistores integrados
d
MOSIS es una empresa que ofrece modelos reales de transistores en varias tecnologías. Se
ri
d
han seleccionado algunos ejemplos BSIM que, dependiendo de la escala de integración, utilizan
a
un nivel SPICE u otro. Al ser modelos tan largos, se preere adjuntar los enlaces a los ejemplos
M
representativos.
Página general:
e
d
http://www.mosis.com/test/
Tecnología de 180 nm, LEVEL = 49:

se
http://www.mosis.com/cgi-bin/cgiwrap/umosis
n
la
/swp/params/ibm-018/v13a_7wl_4lm_ml_hk-params.txt
te

de
lu
os
/swp/params/ibm-90/t96w_9sf_9m_lb_3-params.txt
p
m
n

s
m
.e
o
alu
/swp/params/ibm-65/v08a_10lprfe_9lb_30_01_00-params.txt
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h

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El Transistor MOSFET según SPICE

Germán González Díaz e Ignacio Mártil de la Plaza

Por ejemplo, la transconductancia de un transistor puede calcularse a partir de un parámetro

y µN . En caso de discrepancia, SPICE mantiene el valor inicial.

Cada modelo de MOS corresponde a un nivel ( ). Veamos las características de los

modelos más comunes:

Modelo de Shichman-Hodges ( ): Es el modelo más sencillo (similar al usado en

con saturación. Solo es válido para transistores de gran tamaño.

Modelo de Grove-Frohman ( ): Versión mejorada del anterior pues incorpora fenó-

LEVEL = 3 : Modelo semiempírico basado en el anterior. A lo largo de los años, se ha mostra-

versión BSIM1v0 ( LEVEL = 4 ) siendo el modelo BSIM3v3 ( LEVEL=49 ) el más popular

dispositivos por debajo de 100 nm ( LEVEL = 54 ). Por otra parte, se ha desarrollado el

modelo BSIM para adaptarlos a tecnologías SOI (BSIMSOI, LEVEL = 58 ).

La mayor parte de los modelos son extraordinariamente complejos y su explicación no es sencilla.

los parámetros de estos modelos.

Profundidad de la unión de fuente y drenador (XJ , ): Penetración de las regiones de fuente

canal corto. No tiene sentido en el nivel básico del transistor MOS ( ).

Difusión lateral (LD , ): Penetración de las impurezas de los terminales en el canal. A

longitud efectiva del canal es

LEF F = L − 2·LD (1)

Resistencias parásitas (RD , RS ,

, ): Como podía ser previsible, se puede añadir un par

es posible denir un parámetro llamado RSH ( ) o resistencia de hoja, medida en Ω/.

efectivas del drenador y la fuente (P.e., LX = AX /W ) y calcular las resistencias parásitas

como RX = RSH ·LX/W . Evidentemente, si se han dado los valores de RD y RS , no se realizará

Dopado del sustrato (NSU B , NSUB ): Se expresa en cm

Material de puerta ( TPG ): Este parámetro puede tener tres valores:

• 0: Si la puerta es de metal (Por defecto, aluminio).

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• +1: Si la puerta es de polisilicio con dopado opuesto al sustrato.

2. Comportamiento DC del transistor MOSFET

3. Si VGS > VT H y VGS − VT H < VDS , el transistor ha pasado a zona de saturación e:

IDS = · · (VGS − VT H )2 · (1 + λ·VDS ) (3)

4. Si VDS < 0, se intercambian los roles de drenador y fuente.

se han introducido son KP , V T H y λ. De estos, solo y son parámetros SPICE pues

VT H se calcula a partir de otros más básicos, como se verá posteriormente.

(KP = COX · µ0 ). El parámetro µ0 , simbolizado en SPICE como

de parámetros físicos sobradamente conocidos, SPICE puede calcular si no se proporciona

VT H es la tensión umbral del transistor y se calcula de la siguiente manera. En primer lugar, es

VTO ), el parámetro de efecto sustrato (γ , GAMMA ) y el potencial supercial de inversión fuerte,

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tendría la siguiente corriente de fuga:

1. IS ( ) o corriente de saturación inversa de estas uniones.

2. JS ( ) o densidad de corriente de saturación inversa a través de la supercie inferior de

contacto entre el terminal y el sustrato.

3. JSSW ( ) o densidad de corriente de saturación inversa a través del perímetro lateral.

En este caso, el valor de las corrientes serían los siguientes:

ISS = AS ·JS + PS ·JSSW

10 fA aunque puede variarse si fuera necesario.

Este modelo es muy similar al anterior aunque incorpora la degradación de la movilidad, la

atrapadas entre el semiconductor y el óxido (NSS , NSS -2

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la máxima velocidad que pueden alcanzar los portadores mayoritarios en m/s.

3 para calcular la modulación del canal.

la desaparición de , ha sido continuada en modelos más avanzados.

UCRIT UEXP UTRA LAMBDA NEFF

parámetros , , , y no tienen sentido en este modelo.

La degradación de la movilidad se considera dependiente de los parámetros µ0 ( ), vM AX

es posible denir un parámetro llamado RSH ( ) o resistencia de hoja, medida en Ω/.

VTO ), el parámetro de efecto sustrato (γ , GAMMA ) y el potencial supercial de inversión fuerte,

2. JS ( ) o densidad de corriente de saturación inversa a través de la supercie inferior de

Algunos parámetros se han heredado sin ninguna modicación como , , , ,

y , que se han transformado en y aunque el signicado se mantiene. Por otra

siendo CJ,S,BX la capacidad de vaciamiento asociada a la supercie de contacto entre el terminal X

y el sustrato, CJ,L,BX a la capacidad perimetral entre X y sustrato y, nalmente, CD,BX la capacidad

( y ). En consecuencia, se verica que:

signicado ya se explicó en la sección del diodo (Aunque MJ , que es el coeciente de gradualidad,

un parámetro llamado tiempo de tránsito, (τT ó TT

indica la temperatura a la que fue caracterizado el componente. Si se especica una temperatura