Publicación Semestral Pädi No.

11 (2018) 81-86
Compuerta NAND CMOS para Módulo de Electrónica
José Luis González Vidal a,*, Alejandro Castaño Hernández a, Francisco Morales Jiménez a1
a Instituto de Ciencias Básicas e Ingeniería - UAEH, Ciudad del Conocimiento,

Carretera Pachuca-Tulancingo Km. 4.5, Col. Carboneras, Mineral de la Reforma, Hidalgo, México.

Resumen

Los circuitos integrados VLSI (gran escala de integración), son aquellos que se caracterizan por sus dimensiones extremadamente
pequeñas, constituidos principalmente por transistores de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET), cuyas
longitudes de canal son inferiores al micrómetro, permitiendo integrar un mayor número de transistores en un solo diseño. En el
presente trabajo, se diseña una compuerta NAND basada en la tecnología CMOS en la herramienta L-Edit de Tanner Eda, realizando
los cálculos matemáticos necesarios para la determinación de las relaciones W, L de los transistores MOSFET, siguiendo las reglas
de diseño establecidas al momento del diseño del respectivo layout. Para la creación de bibliotecas de diseño y su posterior utilización
en circuitos integrados más grandes y complejos.

Palabras Clave: Circuitos Integrados, VLSI, NAND, MOSFET.

1. Introducción el primer circuito integrado comercial, un multivibrador basado

en dispositivos semiconductores BJT de silicio (Rubio, 2003).
Los circuitos integrados electrónicos modernos de gran
escala de integración (VLSI), utilizan la tecnología CMOS, de El propósito del presente trabajo, consiste en mostrar el
la cual, sus características principales son un mayor número de proceso seguido para el diseño de una compuerta NAND con
transistores por milímetro cuadrado y disipan menos potencia, tecnología CMOS, incluyendo los cálculos matemáticos para la
siendo éstas piezas claves y fundamentales para un sin número determinación de la relación ancho (W) y largo del canal (L),
de aplicaciones en aparatos electrónicos digitales. Los circuitos tanto para el transistor de canal N, como de canal P. Finalizando
CMOS son circuitos electrónicos analógicos, digitales o mixtos con la descripción del desarrollo del diseño de la compuerta
configurados a partir de transistores PMOS y NMOS y sus NAND en la herramienta L-Edit de Tanner Eda, no sin antes
aplicaciones van desde circuitos integrados de aplicación realizar la verificación del correcto funcionamiento del circuito
general o específica, como tarjetas electrónicas para sistemas al efectuar la pertinente simulación en el software
embebidos, microcontroladores, microprocesadores, y MULTISIM®, modificando los parámetros de los modelos
aplicaciones en todos los campos donde se requiera un utilizados (Chen, 2006; Gray, 2009; Olandoski, 2016; Razavi,
dispositivo o aparato electrónico, tales como relojes, tabletas 2001; Villaseñor, 2012; Uyemura, 2002).
electrónicas, aparatos de medición, telecomunicaciones
videojuegos e internet de la cosas, entre otras (Gray. et al, A continuación, se describirán las fases de fabricación y el
2009). concepto de dibujo de capas (layers) de un circuito CMOS
típico (bulk technology), en donde los componentes se
Los transistores MOS tienen un fundamento físico diferente
construyen sobre un sustrato. Los transistores PMOS deben
a los BJT (Shockley et al, 1951, Bardeen et al, 1948); los MOS
estar implantados sobre un sustrato tipo n, y los transistores
son dispositivos de efecto de campo (Field Effect Transistor,
NMOS sobre un sustrato p. Para poder acomodar ambos tipos
FET) basados en el cambio de comportamiento de la capa de la
de transistores sobre un mismo sustrato es preciso crear
superficie del semiconductor en una estructura Metal-Óxido-
regiones de suficiente extensión que actúen como sustratos, a
Semiconductor. Aparte de la preliminar patente de Lilienfeld
estas regiones se les acostumbra a denominar pozos (wells).
(1934), los primeros trabajos sobre el comportamiento de esta
Dependiendo de las maneras en cómo se crean estas regiones
simple estructura son debidos, de nuevo, a W. Shockley (1951),
dan lugar a tres tipos de tecnología CMOS.
si bien el primer dispositivo transistor MOS fue fabricado en
1960 por Kahng (1960), luego mejorado por el mismo Kahng y
En la tecnología denominada de pozo N (N-well), el sustrato
Atalla (1976). La tecnología de circuitos integrados tiene su
es de tipo P por lo que se colocan a los transistores NMOS
origen en 1959, tras los trabajos de Jack Kilby (1959) de Texas
directamente y, es preciso implantar un pozo N para colocar a
Instruments y Robert Noyce de Fairchild Semiconductors
los transistores PMOS. Una tecnología dual de esta es la
(Noyce, 1959). En agosto de 1959 Fairchild Semiconductors
tecnología de pozo P (P-well) en donde el sustrato es de tipo N
hace pública la tecnología de fabricación de transistores en un
y se implanta una región P. La tercera alternativa consiste en
proceso planar y, en marzo de 1960 Texas Instruments anuncia
implantar los transistores sobre pozos N y P, especialmente
creados (tecnología de pozos gemelos, twin-well). En esta

* Autor en correspondencia.
Correo electrónico: [email protected] (José Luis González Vidal)
 José Luis González et al. / Publicación Semestral Pädi No. 11 (2018) 81–86 82

tecnología se consigue un mayor y más independiente control Implantación P+ (la Implantación N+ es complementaria),
de las tensiones umbral de los transistores, tanto PMOS como Polisilicio, Área activa y Pozo N (el pozo P es complementario).
NMOS, y reduce las caídas de tensión en los sustratos, efecto Una característica de una tecnología es la resolución mínima de
que puede provocar problemas de latch-up (Gray et al, 2009), un dibujo de capas (layout). Esta dimensión, usualmente
(Razavi, 2001). indicada como λ, tiene fuerte repercusión en las características
eléctricas.
Relación de máscaras físicas y capas de diseño en una 2. Desarrollo
tecnología CMOS twin-well: Estas máscaras se utilizan para la
aplicación selectiva de reactivos en las diversas fases del
Ecuaciones de los transistores MOSFET en la región de
proceso. El número de pasos o subprocesos de fabricación es
saturación.
superior al número de máscaras, según se expondrá más
adelante; dichas máscaras, siguiendo un orden de aplicación, Para determinar la relación W y L, es decir, el largo y ancho
son: de canal, se emplearon las siguientes ecuaciones, las cuales
 Máscara de implantación del pozo N (N-well Implant corresponden a la corriente entre el drenador y la fuente en su
Mask). Define las zonas sobre las que podrán modalidad de saturación IDS, debido a que se desea que los
implementarse transistores PMOS. transistores NMOS y PMOS conduzcan.
 Máscara de implantación del pozo P (P-well Implant Transistor MOSFET de canal n:
Mask). Define las zonas sobre las que podrá implementarse
transistores NMOS. 1 𝑊
𝐼𝐷𝑆 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆 ) (1)
2 𝐿
 Máscara de área activa (Active Area Mask). Define las Transistor MOSFET de canal p:
zonas sobre las que podrán implantarse transistores. Fuera
de esta zona aparecerán capas de óxido grueso. 1 𝑊
𝐼𝑆𝐷 = 𝜇𝑃 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑇 |)2 (1 + 𝜆𝑉𝑆𝐷 ) (2)
2 𝐿
 Máscara de polisilicio (Polysilicon Mask). Define las
regiones sobre las que discurrirán líneas de polisilicio. En donde:
las regiones donde el polisilicio intersecciona con área 𝐼𝐷𝑆 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑒𝑙 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 𝑦 𝑙𝑎 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒.
activa, el polisilicio constituye la puerta de un transistor, 𝜇𝑛 : 𝑀𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑠𝑢𝑝𝑒𝑟𝑓𝑖𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑒𝑠.
depositada sobre óxido fi no (óxido de la puerta del MOS). 𝐶𝑜𝑥 : 𝐶𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 ó𝑥𝑖𝑑𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎.
 Máscara de implantación P+ (P+ Implant Mask). Define 𝑊: 𝐴𝑛𝑐ℎ𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑎𝑛𝑎𝑙.
las regiones sobre las que se difunde o implanta una región 𝐿: 𝐿𝑎𝑟𝑔𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑎𝑛𝑎𝑙.
tipo P (drenador y fuente de los transistores PMOS y 𝑉𝐺𝑆 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎 𝑦 𝑙𝑎 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒.
contactos de polarización del pozo P). 𝑉𝑇 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑈𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙.
𝑉𝐷𝑆 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑒𝑙 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 𝑦 𝑙𝑎 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒.
 Máscara de implantación N+ (N+ Implant Mask). Define
las regiones sobre las que se difunde o implanta una región Como puede notarse en (1) y (2), es necesario conocer el
tipo N (drenador y fuente de los transistores NMOS y voltaje de umbral del transistor con el que se esté trabajando,
contactos de polarización del pozo N). Esta máscara es por lo cual se utilizarán las siguientes ecuaciones para
complementaria a la máscara anterior. determinar dicho valor para el NMOS y PMOS a diseñar.
 Máscara de contactos (Contact Mask). Define el grabado
del óxido con las que el primer nivel de metal hace contacto √2𝜀𝑠𝑖 𝑞𝑁𝐴 ∗2∅𝑏
𝑉𝑡 = 2∅𝑏 + + 𝑉𝑓𝑏 (3)
eléctrico con el de polisilicio. 𝐶𝑜𝑥
𝑘𝑇 𝑁𝐴
∅𝑏 = 𝑙𝑛 ( ) (4)
 Máscara de Metal 1 (Metal 1 Mask). Definición de las 𝑞 𝑛𝑖
𝜀𝑜𝑥
interconexiones de Metal1. 𝐶𝑜𝑥 = (5)
𝑡𝑜𝑥
 Máscara de Vias (Via Mask). Define las perforaciones del 𝛽𝑛 = 𝐾𝑛 ( ) =
𝑊 𝜇𝑛 𝜀𝑜𝑥 𝑊
( ) (6)
𝐿 𝑡𝑜𝑥 𝐿
óxido a través de las cuales el Metal 1 hace contacto 𝑊 𝜇𝑝𝜀𝑜𝑥 𝑊
eléctrico con el Metal 2. 𝛽𝑝 = 𝐾𝑃 ( ) = ( ) (7)
𝐿 𝑡𝑜𝑥 𝐿

 Máscara de Metal 2 (Metal 2 Mask). Define las

interconexiones de Metal 2. Dónde:
𝐾𝑛 : 𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑛
 Máscara de pasivación (Passivation Mask). Corresponde a 𝐾𝑃 : 𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑝
la definición de la capa de óxido de protección final del 𝑁𝐴 : 𝐷𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑎𝑐𝑒𝑝𝑡𝑜𝑟𝑒𝑠.
circuito. Esta capa, típicamente, cubre todo el circuito a 𝑉𝑓𝑏 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑝𝑙𝑎𝑛𝑎.
excepción de los puntos de conexión final con las 𝑉𝑡 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑈𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙.
terminales del encapsulado. 𝑛𝑖 : 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑖𝑛𝑡𝑟í𝑛𝑠𝑒𝑐𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜
El diseño microelectrónico corresponde a la definición de (1.45𝑋1010 𝑐𝑚−3 𝑎 300𝐾)
estas máscaras. Ello se hace mediante el dibujo de rectángulos 𝑡𝑜𝑥 : 𝐸𝑠𝑝𝑒𝑠𝑜𝑟 𝑑𝑒𝑙 𝑎𝑖𝑠𝑙𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎.
(geometría Manhattan) que constituyen las capas del diseño y a 𝛽𝑛 : 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑏𝑒𝑡𝑎 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 𝑁𝑀𝑂𝑆.
partir de las cuales se pueden crear las máscaras físicas. En el 𝛽𝑝 : 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑏𝑒𝑡𝑎 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 𝑃𝑀𝑂𝑆.
diseño VLSI de circuitos en la tecnología anterior, estas capas 𝜀𝑜𝑥 : 𝑃𝑒𝑟𝑚𝑖𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑥𝑖𝑑𝑜 𝑑𝑒 𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜.
podrían ser 9: Pasivación, Metal 2, Vía, Metal 1, Contactos, (3.4515 ∗ 10−13 𝐹/𝑐𝑚)
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𝜀𝑠𝑖 : 𝑃𝑒𝑟𝑚𝑖𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜. (1.06 ∗ 10−12 𝐹/𝑐𝑚). Para el diseño de un transistor PMOS, se considerará una
𝜇𝑃 : 𝑀𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑠𝑢𝑝𝑒𝑟𝑓𝑖𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑒𝑠 densidad de portadores N𝐴 = 1016 cm−3 .
𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑜𝑠 (ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 180𝑐𝑚2 /𝑉. 𝑠𝑒𝑔). Primero se calcula ∅𝑏𝑝 :
𝜇𝑛 : 𝑀𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑠𝑢𝑝𝑒𝑟𝑓𝑖𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑒𝑠
𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑜𝑠 (𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 500𝑐𝑚2 /𝑉. 𝑠𝑒𝑔) . 𝑘𝑇 𝑁𝐴
𝑇: 𝑇𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑒𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑𝑜𝑠 𝑘𝑒𝑙𝑣𝑖𝑛. ∅𝑏𝑝 = 𝑙𝑛 ( )
𝑞 𝑛𝑖
𝑘: 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛 (1.38 ∗ 10−23 𝐽/𝐾) (1.38 ∗ 10−23 𝐽/𝐾)(300°𝐾) 1016 𝑐𝑚−3
𝑞: 𝐶𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟ó𝑛 (1.6 ∗ 10−19 𝐶) = 𝑙𝑛 ( )
(1.6 ∗ 10−19 𝐶) 1.45 ∗ 1010 𝑐𝑚−3
= 0.347862 𝑉
Cálculo del ancho de canal Wn del transistor NMOS
Ahora se obtiene el voltaje de umbral una vez calculado los
Considerando que 𝑁𝐴 = 𝑁𝐷 = 1016 cm−3 y los siguientes valores necesarios, se propone 𝑉𝑓𝑏 = −0.2𝑉 para el transistor
valores se calcula Wn:
PMOS
Primero se calcula ∅𝑏𝑛 : √2𝜀𝑠𝑖 𝑞𝑁𝐴 ∗ 2∅𝑏
𝑉𝑡𝑝 = 2∅𝑏 + + 𝑉𝑓𝑏
𝐶𝑜𝑥
𝑘𝑇 𝑁𝐷 𝑉𝑡𝑝
∅𝑏𝑛 = 𝑙𝑛 ( ) = 2(0.35𝑉)
𝑞 𝑛𝑖
(1.38 ∗ 10−23 𝐽/𝐾)(300°𝐾) 1016 𝑐𝑚−3 √2(1.06 ∗ 10−12 𝐹/𝑐𝑚)(1.6 ∗ 10−19 𝐶)(1016 𝑐𝑚−3 ) ∗ 2(0.35𝑉)
= 𝑙𝑛 ( ) +
(1.6 ∗ 10−19 𝐶) 1.45 ∗ 1010 𝑐𝑚−3 17.2575𝐹
= 0.347862 𝑉 − 0.9𝑉
∅𝑏𝑛 ≈ 0.35 𝑉 𝑉𝑡𝑝 = −0.1971760171𝑉 ≈ −0.2𝑉

Se calcula la capacitancia del óxido de la compuerta Considerando los siguientes valores para el transistor
considerando los siguientes valores PMOS, tenemos:

𝑡𝑜𝑥 = 20 ∗ 10−9 𝑐𝑚 𝑉𝑆 = 5𝑉 𝑉𝑡 = −0.2𝑉 𝑉𝐷 = 1𝑉 𝑉𝐺 = 3.5𝑉 𝐾𝑃 =¿ ? 𝑊𝑃 =¿ ?

𝜀𝑜𝑥 3.4515 ∗ 10−13 𝐹/𝑐𝑚 𝐿𝑃 = 1.1 𝜇𝑚 𝐼𝐷𝑆 = 4.8𝑚𝐴
𝐶𝑜𝑥 = = = 17.2575F Donde
𝑡𝑜𝑥 20 ∗ 10−9 𝑐𝑚
𝑐𝑚2 10−14 𝐹
(180 ) (3.9) (8.85 ∗ )
Ahora se obtiene el voltaje de umbral una vez calculado los 𝑣 𝑠𝑒𝑔 𝑐𝑚
−9 𝑊𝑝
valores necesarios, se propone 𝑉𝑓𝑏 = −0.9𝑉 para el transistor 𝐾𝑃 = 20 ∗ 10 𝑐𝑚
𝐿𝑃
NMOS 3.10635𝑚𝐴
√2𝜀𝑠𝑖 𝑞𝑁𝐴 ∗ 2∅𝑏 𝑊
= 𝑉2 ≈ 3.11 ∗ 10−3 𝐴/𝑉 2
𝑉𝑡𝑛 = 2∅𝑏 + + 𝑉𝑓𝑏
𝐶𝑜𝑥 𝐿𝑃
𝑉𝑡𝑛 Despejando a 𝑊𝑝 se tiene:
= 2(0.35𝑉) 2𝐼𝐷𝑆 𝐿𝑃 2(4.8𝑚𝐴)(1.1𝜇𝑚)
√2(1.06 ∗ 10−12 𝐹/𝑐𝑚)(1.6 ∗ 10−19 𝐶)(1016 𝑐𝑚−3 ) ∗ 2(0.35𝑉) 𝑊𝑝 = =
+ − 0.2𝑉 𝐾𝑃 (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡 |)2 (3.11 ∗ 10−3 𝐴/𝑉 2 )(1.5𝑉 − 0.2𝑉)2
17.2575𝜇𝐹 𝑊𝑝 = 2.009170646𝜇𝑚 ≈ 2𝜇𝑚
𝑉𝑡𝑛 = 0.5028235733𝑉 ≈ 0.5𝑉
3. Resultados
considerando los siguientes valores para el transistor
NMOS, tenemos:
Para el caso del transistor tipo n, se efectuaron las
modificaciones pertinentes de las características del transistor
𝑉𝑆 = 3.5 𝑉, 𝑉𝑡 = 0.5𝑉, 𝑉𝐷 = 1𝑉, 𝑉𝐺 = 5𝑉 𝐾𝑃 =¿ ? 𝑊𝑛 =¿ ?
NMOS (2N6659) en el simulador MULTISIM®. En las figuras
𝐿𝑛 = 0.9 𝜇𝑚, 𝐼𝐷𝑆 = 4.8𝑚𝐴
1 y 2, se muestras las curvas del análisis corriente voltaje (IV)
Donde
obtenidas al simular tanto el transistor NMOS original como
para el modificado. En la figura 1 se observa que para Vds =
𝑐𝑚2 10−14 𝐹
(500 ) (3.9) (8.85 ∗ ) Vgs = 5V, se obtiene una IDS= 868.4mA; por otra parte, para el
𝑣 𝑠𝑒𝑔 𝑐𝑚
𝐾𝑛 = −9
transistor diseñado, se obtuvo una IDS= 4.8mA para VDS = VGS
20 ∗ 10 𝑐𝑚 = 5V (Figura 2).
8.62875𝑚𝐴
= ≈ 8.63 ∗ 10−3 𝐴/𝑉 2
𝑉2
Para el caso del transistor tipo p, se efectuaron las
Despejando a 𝑊𝑛 se tiene: modificaciones pertinentes de las características del transistor
PMOS (2N6849) en el simulador MULTISIM®. En las figuras
2𝐼𝐷𝑆 𝐿𝑛 2(4.8𝑚𝐴)(0.9𝜇𝑚) 3 y 4, se muestra la simulación del análisis IV tanto para el
𝑊𝑛 = = transistor PMOS original, así como para el modificado; En la
𝐾𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 (8.63 ∗ 10−3 𝐴/𝑉 2 )(1.5𝑉 − 0.5)2
figura 3 se observa que para VDS = VGS = 5V, se obtiene una
= 1.001158749𝜇𝑚 ≈ 1𝜇𝑚
IDS= 2.05mA; mientras que, en la figura 4, se observa la gráfica
Cálculo del ancho de canal Wp del transistor PMOS
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debido a que Q1 y Q2 se encuentran en saturación, mientras que

los NMOS se encuentran en corte, de esta forma el valor del

Figura. 1. Curvas obtenidas con el Analizador IV de la corriente en el

transistor NMOS original (2N6659). IDS= 868.4mA, VDS = VGS = 5V

Figura. 3. Curvas obtenidas con el Analizador IV de la corriente en el

transistor PMOS, Original (2N6849). Id= 2.05A, Vds = Vgs = 5V

Figura. 2. Curvas obtenidas con el Analizador IV de la corriente en el

transistor NMOS modificado.
Figura. 4. Curvas obtenidas con el Analizador IV de la corriente en el
transistor PMOS modificado.
del transistor PMOS modificado, donde se obtuvo una IDS=
4.8mA para VDS = VGS = 5V. Siguiendo las reglas de diseño
para circuitos integrados, se construyeron los layouts de los
transistores NMOS y PMOS con el software L-EDIT de
TANNER EDA, obteniendo los resultados mostrados en las
figuras 5 y 6, incluyendo además el respectivo corte seccional
que permite visualizar los diferentes materiales utilizados, es
decir las capas del layout.

Una vez diseñados los transistores NMOS y PMOS, se

diseña una compuerta NAND (figura 7), el circuito digital que
fue previamente simulado en la herramienta MULTISIM®; el
diseño se basa en colocar dos transistores PMOS Q1 y Q2 en
paralelo, los transistores NMOS Q3 y Q4 se conectan en serie.
La entrada de alimentación VDD está conectada a las fuentes
de Q1 y Q2, la entrada A se conecta a las compuertas de Q1 y
Q3, la entrada B se conecta a las compuertas de Q2 y Q4, la Figura. 5. Diseño layout del transistor NMOS con L-EDIT de TANNER
salida ̅̅̅̅
AB está conectada a los drenadores de Q1, Q2 y Q3. y, la EDA.
entrada de alimentación VSS está conectada a la fuente de Q4.

En la figura 8, se muestra la simulación de la compuerta NAND

de dos entradas implementada con tecnología CMOS; como se
puede apreciar, cuando las entradas A o B tienen un nivel alto
(5V) se obtiene un nivel bajo (0V) a la salida ̅̅̅̅
AB, debido a que
Q1 y Q2 se encuentran en corte y están en paralelo, mientras
que los NMOS se encuentran en saturación y están conectados
en serie, de esta forma el valor de la tensión VSS se transfiere a
la salida ̅̅̅̅
AB. Por otra parte, un nivel bajo (0V) en cualquiera de
las entradas A o B se obtiene un nivel alto (5V) a la salida ̅̅̅̅
AB,
 José Luis González et al. / Publicación Semestral Pädi No. 11 (2018) 81–86 85

Figura. 6. Diseño layout del transistor PMOS con L-EDIT de TANNER

EDA.

voltaje de alimentación VDD se transfiere a la salida ̅̅̅̅

AB. En la
figura 9, se muestra el diseño final del layout de la compuerta Figura 7. Compuerta NAND simulada en la herramienta MULTISIM.
NAND, cuya elaboración se siguió en base a las respectivas
reglas de diseño; ocupando un área de 63.5μm x 76.4μm, así
como a las consideraciones de las relaciones de W, L tanto para
el transistor NMOS, como PMOS, cuyos valores fueron
previamente calculados en las secciones anteriores; como se
puede observar, los dos transistores PMOS se conectan en
paralelo, mientras que los transistores NMOS en serie,
compartiendo drenador y fuente en una de las respectivas
conexiones, lo que permite lograr la conexión antes
mencionada. Por cuestiones de espacio, para los contactos a
región activa se utilizaron dos contactos en las fuentes de todos
los transistores y, se utilizaron cuatro contactos a polisilicio
(compuerta) con el metal de las entradas A y B, con la ayuda
del corte seccional, se visualizan claramente los contactos a
polisilicio y los materiales utilizados de la compuerta NAND
diseñada.
Figura 8. Visualización de las señales de entrada (señal azul y verde) de la
compuerta NAND, así como la respectiva salida (señal roja).
4. Discusión
caso de la compuerta lógica NAND diseñada, ésta fue
Los sistemas VLSI tienen la principal característica que seleccionada debido a que es la compuerta la más versátil de
permiten una gran cantidad de dispositivos por unidad de área, todas, ya que, con la compuerta NAND se pueden implementar
esto conlleva a que se pueden integrar circuitos electrónicos con todas las demás compuertas lógicas, la compuerta diseñada
muchos transistores, ocupan menos espacio físico, pero con un cumple con las reglas de diseño, además de que se calcularon
consumo mínimo de potencia, además de que su producción en principales valores de los transistores NMOS y PMOS
utilizados, como voltaje de umbral 𝑊𝑛 , 𝐿𝑛 , 𝑊𝑝 y 𝐿𝑝 y se
obtuvieron corrientes de 4.8mA para ambos transistores, contra
868.4mA y 2.05A de los NMOS y PMOS originales
respectivamente, lo cual indica un ahorro de potencia muy
sustancial. El diseño completo de la nueva compuerta NAND
ocupa un área mínima de 63.5μm x 76.4μm, misma que se podrá
utilizar en nuevas aplicaciones importantes tales como las
tradicionales compuertas lógicas, flip flops, latches,
codificadores, decodificadores, registros de corrimiento y hasta
microprocesadores y microcontroladores.

5. Conclusiones

Los circuitos integrados utilizan principalmente los transistores

NMOS y PMOS (tecnología CMOS), con los cuales se pueden
generar un sin número de aplicaciones, tanto analógicas como
digitales, tal como ya se ha mencionado. En el presente trabajo,
se lograron diseñar un transistor NMOS y otro PMOS, en base
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Fig. 9. Layout de una compuerta NAND con la herramienta L-EDIT de Tanner EDA. Corte seccional.

a una corriente propuesta ID=4.8mA, para lo cual fue necesario, Agradecimientos

realizar cálculos matemáticos para la determinación del
potencial del bulk ∅𝑏 , voltaje de umbral 𝑉𝑡 y posteriormente las Este trabajo ha sido realizado gracias al apoyo de la
relaciones WP2μm, LP=1.1μm, Wn1μm, y LP=0.9μm, Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo.
considerando además un sin número de datos importantes para
ello y, ocupando un área mínima de 63.5μm x 76.4μm. Se Referencias
comprobó el funcionamiento de los transistores NMOS, PMOS
y la compuerta NAND, por medio de las simulaciones con el Antonio Rubio et al, (2003), Diseño de circuitos y sistemas integrados,
programa Multisim®, para la corriente de ID=4.8mA. Se Edicions UPC, pp 37, ISBN: 84-8301-564-1
describieron las máscaras más importantes que se utilizaron en Bardeen, J., and Brattain, W. H., (1948) “The Transistor, A Semi-Conductor
Triode”, Phys. Rev. 74, pp. 130-231.
este diseño y, además, se realizaron los diseños de los
Chen, Wai-Kai, (2006), The VLSI Handbook, CRC Press, 2nd ed,
transistores NMOS, PMOS y la compuerta NAND en L- Gray P. R. et al, (2009), Analysis and Design of Analog Integrated Circuits,
EDIT®. Con lo anterior, se adquirió un conocimiento 5a Ed, Ed Wiley.
importante en el diseño de circuitos integrados de gran escala Khang, D. and Atalla, M. M., (1960), “Silicon-Silicon Dioxide Field
de integración, la cual será el primer diseño para crear una Induced Surface Devices”, IRE Solid-State Device Res. Conf.,
biblioteca propia de dispositivos para múltiples aplicaciones. Carnegie Institute of Technology, Pittsburgh, Pa.
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English Summary 23, 655.
Kilby, J. S. (1964), “Miniaturized Electronic Circuits”, U.S. Patent
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Lilienfeld J. E., (1933), Device for controlling electric current, US1900018
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Noyce, R. N. (1959), “Semiconductor Device-and-Lead Structure”, U.S.
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that are characterized by their extremely small dimensions, Razavi , B., (2001), Desing of Analog CMOS Integrated Circuits, Mc Graw-
Hill.
consisting mainly of semiconductor oxide metal field effect
Shockley, W. and Pearson,G. L., (1948), “Modulation of Conductance of
transistors (MOSFET), whose channel lengths are less than Thin Films of Semi-Conductors by Surface Charges”, Phys. Rev., pp.
micrometer, allowing the integration of a greater number of 232-233.
transistors per cm2 in a single design. In the present work, a Shockley, W., Sparks, M. and Teal,G. K., (1951), “p-n Junction
NAND gate based on CMOS technology is designed by Tanner Transistors”, Phys. Rev. 83, pp. 151-162.
Eda's L-Edit tool, performing the necessary mathematical Uyemura, J. P., (2002), Introduction to VLSI Circuits and Systems, Ed
Wiley and Sons.
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the time of designing the respective layout. For the creation of Olandoski, M., (2016), Diseño Lógico de Circuitos de Conmutación -
design libraries and their subsequent use in larger and more Vol.2: Circuitos Secuenciales. Ed. Marcos Olandoski.Bifurcación:
complex integrated circuits.

Keywords:

Integrated circuits VLSI, NAND gate, MOSFET.