Diseño y Constr de Un Inversor Trifasico
Diseño y Constr de Un Inversor Trifasico
Diseño y Constr de Un Inversor Trifasico
ISSN 0122-1701 37
Grupo de Investigación en
Electrónica de Potencia UTP
elementos por vez. Además pueden alimentar los dos transistores. Las señales de excitación se muestran en la
tipos característicos de cargas trifásicas simétricas: figura 3. La secuencia de conducción de los transistores
conexión delta y estrella. es 61, 12, 23, 34, 45, 56, 61.
G1
π 2π
G2
Q1 Q3 Q5
G3
+ G4
E a b c
- G5
G6
Q4 Q6 Q2
V ab
b
Vab Vbc V bc
Vca
a c
n
.
V ca
Figura 1. Inversor puente trifásico de 3 ramas.
P
6.76Ω ≤ Rs < 666.6Ω
Q1 Rs = 56Ω
Ds Rs
Figura 4. Red Snubber RCD. El disipador de calor en los circuitos electrónicos es una
pieza clave, sobre todo si se trata de electrónica de
Los diodos que se encuentran en paralelo con los IGBTs, potencia, donde las elevadas corrientes por los
los protegen contra altos picos de voltaje (manteniendo el semiconductores pueden causar su destrucción. Tanto así,
flujo de corriente en la misma dirección), los que en muchas aplicaciones, la potencia máxima de un
condensadores aseguran un nivel mínimo de voltaje en el circuito de potencia está limitada por el diseño térmico
dispositivo hasta que la corriente sea cero, garantizando del sistema [6].
con esto reducir las pérdidas de potencia en la
conmutación, y las resistencias limitan el pico de 4.1.1 Diseño Térmico del Disipador
corriente de descarga a través del transistor a un valor
seguro.
La diferencia de temperaturas entre la juntura y el
ambiente en condiciones de estado estacionario está dada
3.1 Diseño de la Red Snubber
por la siguiente ecuación obtenida del circuito térmico de
la Figura 5.
Para el cálculo de la red snubber se aplica el siguiente TJ − T A = PAVE (RθJC + RθCS + RθSA ) (1)
criterio [5].
TJ TC Ts
3.1.1 Capacitor Snubber
I L .t f 2 *140ηs R θJC R θCS R θSA
Cs ≥ = TA
2.VCD 2 * 200V PAV E
C s ≥ 0.7ηF
Figura 5. Modelo térmico básico.
C s = 0.1µF
3.1.2 Resistencia Snubber Donde:
• Resistencia Mínima PAVE : Representa la potencia de pérdida disipada en
VD 250V cada semiconductor.
Rs ≥ =
I M − I L 39 A − 2 A RθJC : Representa la resistencia térmica entre la juntura y
Rs ≥ 6.76Ω la carcasa del semiconductor.
• Resistencia Máxima
RθCS : Resistencia térmica entre la carcasa del
semiconductor y el disipador de calor.
TON (min) 2 x10 −4 s
Rs < = RθSA : Resistencia térmica entre el disipador y el
3.C S 3 * 0.1µF
ambiente.
Donde TON (min) es el mínimo tiempo de encendido. Esto TJ : Representa la temperatura de la juntura del
semiconductor.
quiere decir que RS debe ser pequeño para lograr una
TC : Representa la temperatura de la de la carcasa.
rápida descarga de C S .
TS : Representa la temperatura del disipador.
Rs < 666.6Ω
T A : Representa la temperatura ambiente
Por lo tanto RS debe estar entre: La resistencia RθSA no depende del semiconductor, sino
del tipo de disipador a usar, por tanto es una cantidad que
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40 Scientia et Technica Año XIV, No 40, Diciembre de 2008. Universidad Tecnológica de Pereira.
depende del material, el pulimiento de su superficie, el Para este inversor las condiciones son más
tamaño y la diferencia de temperatura entre el disipador y conservadoras, debido a que no se pudo acceder a
la temperatura ambiente. De la hoja de datos técnicos del fusibles más avanzados como son los fusibles rápidos.
IGBT IRG4PC50FD obtenemos los parámetros de Se utilizo fusibles de 5A de 5 ciclos por segundo, para
acuerdo a lo especificado anteriormente. cada salida y entrada del inversor tal y como se ve en la
Figura 6.
Parámetros Valores
PAVE 78W 1. 5 A ≤ 39 A
RθJC 0.64 ‘C/W
2.
(5 A)2 (5cps ) ≤ (39 A)2 (0.5cps )
RθCS 0.24 ‘C/W 2.0833A 2 s < 12.675A 2 s
IC 39A
Se puede observar que para esta selección de fusible las
Tabla 1. Parámetros para el cálculo del disipador condiciones se cumplen.
F1
De la curva TC contra I C se observa que
Q1 Q3 Q5
TC ( máx ) = 100º C .
Asumimos una temperatura ambiente T A = 40º C . E
+
- F2 a
F3
F4
b
c
TS = TS − PAVE .RθCS = 81.28º C (2) Q4 Q6 Q2
∆T = TS − T A = 41.28º C (3)
∆T ºC
RθSA = ≈ 0.5292 (4) Figura 6. Inversor Trifásico con fusibles.
PAVE W
1 5. CONSTRUCCIÓN DEL INVERSOR
A= ≈ 755.85cm 2 (5)
RθSA .σ 5.1 Rectificador Monofásico Implementado
Pero cuando el disipador que se utiliza no es plano y con Como fuente DC para la utilización del inversor se utilizo
aletas, las dimensiones calculadas son más pequeñas, por un rectificador monofásico de onda completa, constituido
tal razón se escoge un disipador de calor de aluminio por por 4 diodos de potencia de 600V y 50A, y un
convección natural, con dimensiones A = 263.78cm 2 , condensador electrolítico de 2200µF a 250V , tal y como
para el inversor [7]. se muestra en la Figura 7.
+
Q1 Q3 Q5
C1
+ RL
E
-
C2
Q4 Q6 Q2
6. RESULTADOS EXPERIMENTALES
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42 Scientia et Technica Año XIV, No 40, Diciembre de 2008. Universidad Tecnológica de Pereira.
8. BIBLIOGRAFÍA
[1] F. Henao, D.R Cadavid, H.A García, O.P. Palacio and
R. Bohórquez, Diseño de Filtros Activos para Cargas
Monofásicas Utilizando Algoritmos Genéticos,
SICEL. Bogotá D.C., Colombia, Noviembre 2005.
[2] Introducción General a los Inversores y sus
Figura 14. Voltaje de fase Va filtrado en conexión Y. Aplicaciones, Lección del temario de Electrónica de
Potencia. Universidad de Valencia, 1997.
[3] Muhammad H., Electrónica de Potencia, Prentice Hall.
Mexico, 1996.
[4] A. Marín Pernía, Redes de Ayuda a la Conmutación
Disipativas y no Disipativas, UNIVERSIDAD DE
OVIEDO, Gijón (ESPAÑA), 1999.
[5] K.S. Rajashekara, J. Vithyathil Protection and
Switching- Aid Networks for Transistors Bridge
Inverters,IEEE Transactions on Industrial,
Electronics,Vol.IE-33,No2, MAY 1986.
[6] A.A. Breton Schuwirth, Diseño y Construcción de un
inversor Trifásico Multunivel de Cuatro Etapas para
Compensación Armónica,Master’s thesis,Pontificia
Universidad Católica de chile,2003.
[7] L.H. Ríos and A. Alzate, Electrónica de Potencia,
Texto Electrónica de Potencia, universidad
Tecnológica de Pereira, 1991.
[8] L.H. Ríos and A. Alzate, IC excitación de Alta
Figura 15. Voltaje de línea Vab en conexión delta. Tensión y Elevada Velocidad para Hexfet o Circuitos
Puente con IGBT,Revista Española de
Electrónica,Octubre,1990.