Trabajo Final
Trabajo Final
Trabajo Final
UNIDAD CULHUACÁN
INGENIERÍA EN COMPUTACIÓN
ELECTRÓNICA ANALÓGICA
TRABAJO:
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INDICE
INTRODUCCION……………………………………………. 3
ESTUDIO………………………………………………...…... 4
TRANSISTOR FET………………………………….……… 5
FUNDAMENTO DE TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO………………………………………………………. 6
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de
campo (FET)………………………………………………… 7
Transistor BJT……………………………………………… 8
Señal de entrada…………………………………………… 9
Señal de salida…………………………………………….. 10
AMPLIFICACIÓN…………………………………………… 11
INTERRUPCIÓN……………………………………………. 12
CONTROL DE LA SALIDA……………………………….. 13
EFECTO DE LA TEMPERATURA O FRECUENCIA….. 14
RECTIFICACIÓN……………………………………………15
VENTAJA O DESVENTAJA………………………………16
CONCLUSION………………………………………………17
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INTRODUCCION
El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material
semiconductor. En la Figura Ase muestra una representación física de la
estructura básica de dos tipos de transistor bipolar: NPN y PNP, en dicha figura
también se ilustran sus respectivos símbolos eléctricos. El transistor bipolar NPN
contiene una delgada región p entre dos regiones n. Mientras que el transistor
bipolar PNP contiene una delgada región n entre dos regiones p. La capa
intermedia de material semiconductor se conoce como región de la base, mientras
que las capas externas conforman las regiones de colector y de emisor. Estas
están asociadas a las terminales de base, colector y emisor respectivamente .
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ESTUDIO
Los transistores están construidos por cristales semiconductores que dependiendo
de su estructura interna pueden ser denominados material N o material P. En
todos los transistores siempre se colocan dos cristales de un material y uno del
otro, por ejemplo: NPN o PNP y cada cristal corresponde a una terminal que son:
emisor, base y colector.
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TRANSISTOR FET
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de
material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del
otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.
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FUNDAMENTO DE TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente
con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
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Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de
campo (FET):
ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una
resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y
distintos valores de VGS.
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I
(se trata de un dispositivo simétrico).
Transistor BJT
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Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además
de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación
de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
SEÑAL DE ENTRADA
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La señal de entrada en el osciloscopio es el canal A o el color amarillo. En la señal
de entrada dimos una potencia de 50 mV lo cual nos da como resultado que la
onda sea corta lo cual coincide con los datos que le hemos dado
Es la señal de entrada
SEÑAL DE SALIDA
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La señal de salida en el osciloscopio es el canal B o el color azul. En la señal de
salida dimos el resulto que nos dio fue de apenas 2mV lo cual nos genero una
onda mas grande que la señal de entrada.
Es la señal de salida
AMPLIFICACIÓN
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Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe
aplicar una pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una
corriente de salida mayor en las terminales colector y emisor. Para el uso de los
transistores BJT como amplificadores, tienes que tener en cuenta que hay
distintos tipos de transistores BJT los cuales tienen diferentes características
técnicas, cada uno de ellos tiene una ganancia de corriente conocida como beta
del transistor, dependiendo del tipo de amplificación que requieras verificar la beta
del transistor para obtener la amplificación de corriente deseada. Para este tipo de
transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. La corriente del
colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la «beta» del
transistor.
Ic = (hFE)*(Ib)
Donde:
Ic = Corriente de colector
Ib = Corriente en la base
INTERRUPCIÓN
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los transistores necesitan una tensión mínima que permita que la corriente fluya a
través de la unión PN. La tensión mínima para iniciar el flujo de corriente es 0,7
Por lo tanto, un transistor se puede utilizar como un mecanismo de conmutación.
INTERRUPCIÓN
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El transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) es el más común de los
transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos casos
el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.
NPN
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El transistor es afectado por la temperatura y es muy importante tener todas estas
variaciones en cuenta durante el diseño. Las corrientes de pérdidas ICBO e ICEO
aumentan con la temperatura.
Las ganancias βDC y αDC también aumentan con la temperatura, mientras que la
tensión de polarización directa de la unión base emisor para una determinada
corriente de colector disminuye con la temperatura. El coeficiente de temperatura
de la unión base-emisor es igual al de cualquier otra unión p-n polarizada
directamente.
RECTIFICACION
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La mayoría de los circuitos electrónicos necesitan una tensión de alimentación
continua para su funcionamiento, dado que el suministro de tensión tanto para uso
domestico como para uso industrial se realiza en corriente alterna, será necesario
transformar esta señal en corriente continua. Por consiguiente, cualquier circuito
lleva siempre asociada al mismo una fuente de alimentación que realiza la
necesaria transformación.
Rectificar una señal alterna consiste en obtener una tensión unidireccional de valor
no nulo. Este valor puede ser positivo o negativo, según las necesidades
requeridas por el circuito al que se le aplica la alimentación. El componente más
adecuado y más empleado para rectificar es el diodo semiconductor, también
existen bloques que integran varios diodos, llamados puentes de diodos,
eliminándose interconexiones en el circuito.
Para definir la recta de carga, se hallan dos puntos de intersección de la recta con
los ejes. La señal de salida puede no ser exactamente igual a la señal de entrada
(senoidal), debido a la no linealidad del transistor. La señal es pues distorsionada,
el punto de trabajo se desplaza hacia Ic=0, el transistor se ha llevado al corte.
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Desventajas.
Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI
Los BJT tiene una baja impedancia de entrada a comparación con los FET que
tienen una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012) MΩ
Ventajas
Los FET presentan una linealidad muy pobre y en general son menos lineales que
los BJT
Los BJT son resistentitas a la energía estática los FET se pueden dañar debido a
esto
Los BJT presentan una respuesta en frecuencia alta debido a la baja capacidad de
entrada respecto a los FET
Conclusión
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Se concluye que los transistores operacionales tienen diferentes formas de operar
según se ajuste la base del transistor, para así obtener los valores deseados en
colector
Con este reporte se da por bien entendido que la parte teórica es demasiado
importante, ya que sin los conceptos visto en clase hubiese sido muy difícil operar
los circuitos teóricamente
La parte de la simulación fue muy importante para comparar la parte teórica. Y así
comprender mejor el funcionamiento de los transistores en los circuitos
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