3er Informe Previo - Gamero Levano Nestor German

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
LABORATORIO N.º 3 – INFORME PREVIO:
PRÁCTICAS DE LA LABORATORIO
EL DIODO SEMICONDUCTOR
PROFESOR:
CHAVEZ TEMOCHE NOE MANUEL JESUS
CURSO:
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS
ALUMNO:
GAMERO LEVANO, NESTOR GERMAN
2024
A) OBJETIVOS:
OBJETIVO GENERAL:
 Conocer métodos la naturaleza y funcionamiento de los
transistores de unión bipolar (BJT) y los transistores de
potencia (FET).
OBJETIVOS ESPECIFICOS:
 Conocer los métodos de identificación de terminales del
transistor bipolar en su régimen lineal. Así mismo comprobar
experimentalmente las características de los transistores
como interruptor.
 Familiarizarse con los terminales Mosfets de potencia.
Además de hacer un control On/Off de potencia con Mosfets ,
medir la potencia promedio en una carga resistiva e identificar
el diodo de protección del Mosfets de potencia.
B) MATERIALES:
 Resistencias: 220Ω, 51Ω, 330Ω, 1kΩ (2), 2.2kΩ, 5.1kΩ, 10kΩ

y 100kΩ (2).
 Condensadores: 0.1uF,1uF, 100uF
 Transistores: 2N3904 o 2N2222
 Diodos LED (2)
C) MARCO TEORICO
Transistores BJT:
El transistor de unión bipolar (simbolizado BJT, por las siglas
“bipolar junction transistor” en inglés) es aquel dispositivo de tres
terminales y contiende dos diodos PN uno a continuación de otro en
sentidos opuestos. Estas tres zonas correspondientes a los tres
terminales tienen nombres que indican la función que realizan.
El emisor emite o lanza portadores de carga hacia el interior de la
base, en la cual se ejerce el gobierno de dichos portadores; al final,
los portadores se recogen en la zona llamada colector.
Operación del transistor:

La operación básica del transistor se describirá ahora empleando el
transistor pnp de la Figura 1. La operación del transistor npn es
exactamente igual si se intercambian los papeles que desempeñan
los electrones y los huecos. En la Figura 2 se han redibujado el
transistor pnp sin la polarización base a colector. Nótense las
similitudes entre esta situación y la del diodo polarizado
directamente. En ancho de la región de agotamiento se ha reducido
debido a la polarización aplicada, lo que produce un denso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.
(laguna, s.f.)
Figura 2
Eliminaremos ahora la polarización base a emisor del transistor pnp
de la Figura 1 (a) como se indica en la Figura 3. Considérense las
similitudes entre esta situación y la del diodo polarizado
inversamente. Recuérdese que el flujo de portadores mayoritarios
es cero, por lo que sólo se presenta un flujo de portadores
minoritarios, como se muestra en la Figura 3. En resumen, por
tanto:
Figura 3
En la Figura 4 ambos potenciales de polarización se han aplicado a
un transistor pnp, con un flujo de portadores mayoritario y
minoritario que se indica. Nótense los anchos de las regiones de
agotamiento, que indican con toda claridad qué unión está
polarizada directamente y cuál inversamente. Un gran número de
portadores mayoritarios se difundirán a través de la unión p-n
polarizada directamente dentro del material tipo n. La pregunta es
entonces si estos portadores contribuirán en forma directa a la
corriente de base IB o pasarán directamente hacia el material tipo p.
Puesto que el material tipo n emparedado es sumamente delgado y
tiene una baja conductividad, un número muy pequeño de estos
portadores seguirá la trayectoria de alta resistencia hacia la terminal
de la base. La magnitud de la corriente de base es por lo general
del orden de micro amperes en comparación con los miliamperes de
las corrientes del emisor y del colector. El mayor número de estos
portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada
inversamente dentro del material tipo p conectado a la terminal del
colector, como se indica en la Figura 4. La causa de la relativa
facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la
unión polarizada inversamente puede comprenderse si
consideramos que, para el diodo polarizado en forma inversa, los
portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores
minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, ha habido una
inyección de portadores minoritarios al interior del material de la
región base de tipo n. Combinando esto con el hecho de que todos
los portadores minoritarios en la región de agotamiento cruzarán la
unión polarizada inversamente, se explica el flujo que se indica en
la Figura 4.
(laguna, s.f.)
Figura 4.
Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la Figura 4
como si fuera un solo nodo, obtenemos:
I C =I C + I B
Entonces podemos definir a los transistores bipolares (BJT)

dispositivos electrónicos utilizados para amplificar o conmutar
señales eléctricas. Pueden operar en tres configuraciones
principales: base común (BC), emisor común (EC) y colector común
(CC).
 Base Común (BC):

En esta configuración, la base del transistor se comparte entre la
señal de entrada y la señal de salida. La señal de entrada se aplica
a la base, la señal de salida se toma del emisor y el colector se
conecta a tierra.
La configuración base común ofrece una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida, lo que la hace útil para
aplicaciones de alta ganancia de corriente y baja ganancia de
voltaje.
Se utiliza en etapas de pre-amplificación y en circuitos de
adaptación de impedancia.
 Emisor Común (EC):

En esta configuración, el emisor del transistor se comparte entre la
a la base, la señal de salida se toma del colector y el emisor se
conecta a tierra.
La configuración emisor común ofrece una ganancia de voltaje y
corriente moderadamente alta, así como una impedancia de entrada
moderadamente baja.
Se utiliza en amplificadores de pequeña y mediana potencia y en
etapas de amplificación de señales.
 Colector Común (CC):

En esta configuración, el colector del transistor se comparte entre la
a la base, la señal de salida se toma del emisor y el colector se
conecta a una fuente de voltaje positiva.
La configuración colector común ofrece una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida, similar a la configuración
base común.
Se utiliza en aplicaciones donde se requiere una alta impedancia de
entrada, como en etapas de salida de amplificadores.
TRANSISTORES DE CAMPO DE UNION:

Los transistores de efecto de campo (FET, por sus siglas en inglés)
también se conocen como transistores de campo de unión. Tienen
una estructura diferente a los transistores bipolares y se dividen en
dos tipos principales: los transistores de efecto de campo de unión
(JFET) y los transistores de efecto de campo de óxido de metal-
semiconductor (MOSFET).
 Transistor de Efecto de Campo de Unión (JFET):

El JFET consta de un semiconductor de tipo n o p con dos regiones
de tipo p o n que forman uniones pn. El canal entre la fuente y el
drenaje está controlado por el voltaje aplicado a la compuerta.
Funcionamiento:
Cuando se aplica un voltaje negativo a la compuerta con respecto a
la fuente (para un JFET de canal n), se forma una región de
agotamiento en el canal, lo que reduce la corriente de drenaje. Al
aumentar el voltaje negativo en la compuerta, se reduce aún más la
corriente de drenaje hasta llegar al corte.
Características:
Alta impedancia de entrada: Debido a la ausencia de corriente de
base en la compuerta, la entrada es esencialmente un circuito
abierto.
Baja corriente de polarización: Requiere una corriente de
polarización muy baja para controlar grandes corrientes de drenaje.
Sensible a la temperatura: La corriente de saturación puede
aumentar significativamente con la temperatura.
Transistor de Efecto de Campo de Óxido de Metal-
Semiconductor (MOSFET):
El MOSFET tiene una estructura de compuerta aislada por óxido de
metal que separa la compuerta del canal semiconductor. Hay dos
tipos principales: MOSFET de canal n (NMOS) y MOSFET de canal
p (PMOS).
Funcionamiento:
Cuando se aplica un voltaje positivo a la compuerta con respecto a
la fuente (para un MOSFET de canal n), se forma un canal entre el
drenaje y la fuente, permitiendo que fluya la corriente de drenaje. Al
aumentar el voltaje en la compuerta, se aumenta la conducción del
canal.
Características:
Alta impedancia de entrada: Similar al JFET, el MOSFET tiene una
alta impedancia de entrada debido a la falta de corriente de
compuerta.
Baja corriente de entrada: Se requiere una corriente de compuerta
muy pequeña para controlar la corriente de drenaje.
Menor sensibilidad a la temperatura: En comparación con los JFET,
los MOSFET son menos sensibles a la temperatura debido a la
estructura de óxido de metal.
SIMULACION:
BIBLIOGRAFIA:
https://uelectronics.com/transistores-bjt/
http://www.itlalaguna.edu.mx/2014/Oferta%20Educativa/
Ingenierias/Sistemas/Plan%201997-2004/Ecabas/ecabaspdf/
TRANSISTORES.pdf
https://tallerelectronica.com/transistor-bjt/
electrónica fundamental: dispositivos, circuitos y sistemas. Editorial Reverté- M. M.
CIROVIC

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LABORATORIO N.º 3 – INFORME PREVIO:

CHAVEZ TEMOCHE NOE MANUEL JESUS

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS

GAMERO LEVANO, NESTOR GERMAN

 Resistencias: 220Ω, 51Ω, 330Ω, 1kΩ (2), 2.2kΩ, 5.1kΩ, 10kΩ

Operación del transistor:

Entonces podemos definir a los transistores bipolares (BJT)

 Base Común (BC):

 Emisor Común (EC):

 Colector Común (CC):

TRANSISTORES DE CAMPO DE UNION:

 Transistor de Efecto de Campo de Unión (JFET):

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