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LABORATORIO 4: TRANSISTORES BJT Y FET

Rodriguez David, Luis Carlos Apraez
Facultad de Ingeniería, Universidad del Valle-Ingeniería eléctrica
Cali, Colombia
[email protected] [email protected]

Resumen- Este informe es un trabajo práctico sobre los transistores BJT y MOSFET. Se desarrollan dos aplicaciones prácticas para
ver el funcionamiento de dichos transistores, en su región de operación de saturación y óhmica respectivamente. Se hace un circuito para
el control del giro de un motor con transistores BJT y por otro lado se hace otro circuito para el control o regulación de velocidad del
motor con transistores MOSFET, poniendo en práctica conceptos adquiridos durante del curso, como la adquisición de señales digitales
y análogas para el control del motor.

Palabras claves- BJT, MOSFET, Transistores, Señal análoga y digital, Motor DC.

I. INTRODUCCIÓN

Los motores eléctricos son una pieza fundamental en todas las industrias, ya que controlan todo lo que se necesita para continuar
con el trabajo. Para lograr mayores eficiencias en el modo de trabajo, es necesario un control preciso de su velocidad y de la
potencia que necesitan entregar. Para lograr ese control de forma precisa, es necesario circuitos electrónicos que se adapten al tipo
de aplicación requerida, para ello son importantes los transistores que dependiendo del modo de operación de ellos, tienen 3
regiones de uso.

Los transistores se pueden configurar en su región de corte o de saturación hablando de los BJT, para simples aplicaciones como
el encendido de un led o el control del giro de un motor. Cuando se trata de aplicaciones en DC con corrientes relativamente
pequeñas son muy funcionales, puesto la conexión de motores a la placa Arduino suele generar inconvenientes. Si se
intentase conectar el motor directamente a los pines de la placa, habría un grave error que puede dañar seriamente tu placa
Arduino, más allá del tamaño del motor. Esto pasa, puesto que la corriente máxima que Arduino puede suministrar es de 20 mA y
el motor más pequeño puede consumir fácilmente 100 mA. Conectando el motor directamente a la placa la podemos arruinar en
un abrir y cerrar de ojos, en ese caso es de gran utilidad un transistor que fácilmente al recibir una menor corriente puede
amplificarla para poder trabajar con aplicaciones que requieren esa potencia. [1]

II. MARCO TEÓRICO

A. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT [2]

Los transistores de unión bipolar BJT, son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de
corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales. Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la
electrónica, pero comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o como conmutadores de
baja potencia. Como ejemplo se usan para controlar motores, accionar reveladores y producir sonidos en bocinas. Estos transistores
son muy comunes y de uso general los cuales pueden encontrarse en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como en radios,
alarmas, automóviles, ordenadores, etc.

Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos semiconductores.
Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia a las capas de material semiconductor
que están construidos.
1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por una capa tipo “P”.
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2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por una capa tipo “N”.
Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se denomina base, y las laterales emisor
y colector. Estos pines se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).
– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona encargada de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios
hacia la base.
-La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy
inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor
hacia el colector.
-La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores inyectados que han sido capaces de atravesar la
base por parte del emisor. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.

B. PLACA DE ARDUINO
El Arduino es una placa basada en un microcontrolador ATMEL. Los microcontroladores son circuitos integrados en los que se
pueden grabar instrucciones, las cuales las escribes con el lenguaje de programación que puedes utilizar en el entorno Arduino
IDE. Estas instrucciones permiten crear programas que interactúan con los circuitos de la placa.

El microcontrolador de Arduino posee lo que se llama una interfaz de entrada, que es una conexión en la que podemos conectar
en la placa diferentes tipos de periféricos. La información de estos periféricos que conectes se trasladará al microcontrolador, el
cual se encargará de procesar los datos que le lleguen a través de ellos.

El tipo de periféricos que puedas utilizar para enviar datos al microcontrolador depende en gran medida de qué uso le estés
pensando dar. Pueden ser cámaras para obtener imágenes, teclados para introducir datos, o diferentes tipos de sensores. [3]

C. TRANSISTOR MOSFET

Al igual que el BJT, se utilizan para amplificación y conmutación. Este transistor regula es el voltaje de entrada, es “familia”
de los FET, su nombre, son las siglas del inglés, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor. Existen de 2 tipos de
enriquecimiento y de empobrecimiento. A diferencia de los BJT, los FET no utilizan la secuencia NPN o PNP, sino canales N o
P, es decir son unipolares, y éstos nos indican la dirección de la corriente.
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Posee un aislamiento de 𝑆𝑖𝑂2 , que, como se mencionó anteriormente, permite la conexión con componentes de alta tensión sin
afectar los componentes de baja tensión. Por lo tanto, posee una alta impedancia en la cual éste controla la tensión sea de salida o
entrada, dependiendo del tipo del canal.

III. MATERIALES Y MÉTODOS

A. Materiales
Lo necesario para poder realizar la práctica se lista a continuación:
 Protoboard.
 Cable UTP para conexiones.
 Caimanes.
 Arduino.
 Diodos
 Resistencias, diodos y condensadores definidos por los circuitos.
 Motor DC.
 Simulador electrónico
 Transistor de BJT y FET

B. Métodos

 Sección 3.1: Puente H y alimentación de motor DC.

 Parte A y B
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Lo primero para el diseño es seleccionar un transistor, chequear su DATSHEET, ver las características del motor. Para este caso
se elige un transistor bipolar NPN 2N2222, el cual su beta (factor de amplificación, hFe) es de por lo menos 100; valores de 150
son típicos. Para el diseño se considera Beta=100. Considerando DOut1 en un estado lógico 1 (es decir con 5 voltios
suministrados de Arduino y un estado lógico 0 para Dout2.

Teniendo en cuenta la primera condición, se hace girar el motor hacia la derecha. Al tener 0 voltios a la entrada del transistor T2
y T3, es decir corrientes de bases 0 A para ambos transistores, se tiene que T2 y T3 trabaran en la zona de corte y se comportan
como un circuito abierto. Por otra parte T1 y T4 trabajaran en saturación, como se muestra a continuación.

Analizando el circuito desde Dout1 se tiene:

𝑉𝐷𝑜𝑢𝑡1 = 𝑅1 ∗ 𝐼𝐵1 + 𝑉𝐵𝐸−1 + 𝑉𝑀𝑂𝑇𝑂𝑅 + 𝑉𝐶𝐸−4

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Como el transistor 1 estará en saturación, se trabajará con el voltaje de colector emisor de saturación, el cual se lo puede
encontrar en los Datasheet. Para un transistor 2N2222, el voltaje colector emisor de saturación es de 400Mv (0,4V) a una
corriente de colector de 150mA. Además se tiene que el voltaje que entrega Arduino será 5 Voltios y el voltaje Base Emisor es
0,7Voltios. De la anterior ecuación se puede despejar el término de la resistencia obteniendo lo siguiente.

𝑅1 ∗ 𝐼𝐵1 = 𝑉𝐷𝑜𝑢𝑡1 −𝑉𝐵𝐸−1 − 𝑉𝑀𝑂𝑇𝑂𝑅 − 𝑉𝐶𝐸−4 𝐸𝐶1

Chequeando la resistencia interna del motor se tiene que es de 12𝜴, entonces se tiene que la corriente que fluye por él es la
corriente de emisor, por lo tanto:

𝑉𝑀𝑂𝑇𝑂𝑅 = 𝑅𝑀𝑂𝑇𝑂𝑅 ∗ 𝐼𝐸
Como el transistor está en saturación la corriente de emisor es aproximadamente igual a la corriente de colector. Por lo tanto

1𝐴
𝑉𝑀𝑂𝑇𝑂𝑅 = 𝑅𝑀𝑂𝑇𝑂𝑅 ∗ 𝐼𝐶 = 12𝜴 ∗ 150mA ∗
1000𝑚𝐴
𝑉𝑀𝑂𝑇𝑂𝑅 = 1,8𝑉
Ahora como la ganancia de corriente de este transistor es B=100, se puede calcular la corriente de base para una corriente de
colector de 150mA, la cual se escoge por ser la corriente a la cual se tiene saturación en el transistor.

𝐼𝐶1 150𝑚𝐴
𝐼𝐶1 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵1 →→ 𝐼𝐵1 = =
𝛽 100
𝐼𝐵1 = 15𝑚𝐴
Despejando la resistencia 1 de la ecuación 1 se tiene:

𝑉𝐷𝑜𝑢𝑡1 −𝑉𝐵𝐸−1 − 𝑉𝑀𝑂𝑇𝑂𝑅 − 𝑉𝐶𝐸−4 5𝑉 − 0,7𝑉 − 1,8 − 0,4

𝑅1 = = = 140𝛺
𝐼𝐵1 1𝐴
15𝑚𝐴 ∗
1000𝑚𝐴
Para obtener el valor de R4 se tiene:

𝑉𝐷𝑜𝑢𝑡1 = 𝑅4 ∗ 𝐼𝐵4 + 𝑉𝐶𝐸−4

Como se tiene el transistor 4 en saturación entonces la corriente de base 4 es la misma corriente del transistor 1.

𝑉𝐷𝑜𝑢𝑡1 − 𝑉𝐵𝐸−4 5𝑉 − 0,7𝑉

𝑅4 = = = 286,66𝜴
𝐼𝐵4 1𝐴
15𝑚𝐴 ∗
1000𝑚𝐴
Si se quiere hacer girar el motor en sentido contrario, un proceso análogo se hace al anterior. En este caso se considera DOut1 en
un estado lógico 0 y un estado lógico 1 para Dout2.

Teniendo en cuenta lo anterior, se hace girar el motor hacia la izquierda. Al tener 0 voltios a la entrada del transistor T1 y T4, es
decir corrientes de bases 0 A para ambos transistores, se tiene que T1 y T4 trabaran en la zona de corte y se comportan como un
circuito abierto. Por otra parte T2 y T3 trabajaran en saturación. Si se hacen los cálculos, dará exactamente lo mismo a lo
anterior, entonces.

𝑅2 = 𝑅1 = 140𝛺
𝑅4 = 𝑅3 = 286,66𝜴
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 Parte C

Para la regulación de velocidad del motor, se utiliza un transistor MOSFET IRFP250 en región óhmica.
Se observa su hoja de especificaciones:

En nuestro caso nuestro 𝑉𝐺𝑆 = 5𝑉 entonces, observando su recta de carga se observa:

Donde se obtiene una corriente 𝐼𝐷 ≈ 2𝐴 y un 𝑉𝐷𝑆 ≈ 0.2𝑉.

De la formula siguiente se obtiene:

𝑉𝐷𝑆 0.2𝑉
𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) ≈ ≈ = 0.1Ω
𝐼𝐷 2𝐴

 Parte D
Se agrego un potenciómetro para la obtención de la señal analógica.
Para calcular la velocidad del motor se utilizó un motor con encoder:
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Donde se muestra el numero de pulsos por segundo por lo tanto se utiliza la siguiente formula:
# 𝑑𝑒 𝑝𝑢𝑙𝑠𝑜𝑠 24
𝑉𝑟𝑝𝑚 = ( ) ∗ 60 = ( ) ∗ 60 = 120
𝑟𝑒𝑠𝑜𝑙𝑢𝑐𝑖ó𝑛 12

IV. RESULTADOS Y ANÁLISIS

 Sección 3.1: Puente H y alimentación de motor DC.

 Parte A y B

Con los valores de resistencias obtenidas en la sección de métodos para la parte a y b, se tiene que
𝑅2 = 𝑅1 = 140𝛺
𝑅4 = 𝑅3 = 286,66𝜴

Con estos resultados se hizo la simulación en Proteus, y se obtuvo el siguiente montaje

Para 𝐷out1 y 𝐷out2 se usa 2 pines digitales de Arduino que harán las veces de 1 y 0 lógicos. Cuando D1 esté en alto
y D2 esté en bajo, el motor gira hacia la derecha, mientras que cuando D2 esté en alto y D1 esté en bajo el motor gira
hacia la izquierda y si ambos están en bajo el motor se para. El código para la generación de las señales que harán el
cambio de giro se muestra a continuación:
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Efectivamente al simular el circuito se obtiene lo esperado, al momento de al tener 0 voltios a la entrada del transistor T2 y T3,
es decir corrientes de bases 0 A para ambos transistores con una entrada logíca Dout2 en baja, se tiene que T2 y T3 trabajan en la
zona de corte y se comportan como un circuito abierto. Por tanto los transistores T1 y T4 trabajan en saturación, dejando pasar la
corriente de derecha a izquierda, lo cual ocasiona que el motor se gire hacia la derecha. Por otro lado se ve claramente que cuando
a la entrada del transistor T1 y T4, hay 0 voltios es decir corrientes de bases 0 A para ambos transistores con una entrada logíca
Dout1 en baja, se tiene que T1 y T4 trabajan en la zona de corte y se comportan como un circuito abierto. Por tanto los transistores
T2 y T3 trabajan en saturación, dejando pasar la corriente de izquierda a derecha, lo que ocasiona que el motor se gire hacia la
izquierda.

 Punto C y D
Dando el circuito correspondiente:

La resistencia de 10𝑘Ω es de protección al transistor.

Entrada análoga:
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Y modificando el código así:

El circuito resultante:
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V. CONCLUSIONES

 El control de velocidad de un motor es una de las múltiples aplicaciones que tiene la electrónica, con un simple circuito
se puede controlar la velocidad con una buena precisión. Se pudo observar que simplemente a través del modo de
operación de corte y saturación de transistores BJT se lograba controlar el giro del motor. Se logró controlar que la
corriente que entrega el Arduino sea la justa y necesaria para hacer girar el motor sin dañar ningún componente del
sistema.
 El diseño de las resistencias del montaje es una parte esencial para el correcto funcionamiento del motor, haciendo un
buen cálculo se logró obtener las corrientes de saturación necesarias en los transistores para funcionaran como un
circuito cerrado.
 Se observó que los valores comerciales que entregan los fabricantes de los transistores a ciertas condiciones, varían a
la hora de la implementación. Es mejor hacer la polarización de ellos y obtener algunos datos de forma experimental
para tener mayor precisión en las aplicaciones.
 Con una señal analógica, un microcontrolador y controladores electrónicos se puede manejar el funcionamiento de un
motor.
 La señal PWM junto con el transistor son eficientes reguladores de velocidad para el motor, ya que hacer con un
potenciómetro, que consume energía en forma de calor, se desperdicia la energía. Esto se evidenció en el cálculo del
transistor.
 Este circuito podría utilizarse para un control de temperatura, donde si la temperatura estuviera muy alta el motor
debería parar para prevenir un sobrecalentamiento, y otras aplicaciones.

REFERENCIAS
[1] https://proyectosconarduino.com/proyectos/proyecto-control-de-motores-dc-con-transistor-bc547/
[2] https://uelectronics.com/transistores-bjt/
[3] https://www.electronicaplugandplay.com/circuitos-integrados/product/517-driver-l293d
[4] https://campusvirtual.univalle.edu.co/moodle/pluginfile.php/3068749/mod_resource/content/1/Transistores%20EII%202021_1%20%28P2%29.pdf