Opto Fotorresistencia Reporte

TecNM
Instituto Tecnológico de Mexicali
Departamento:
Eléctrica electrónica
Carrera:
Ingeniería en Electrónica
Materia:
Optoelectrónica
Trabajo:
Fototransistor
Profesor:
Carlos Morales Carbajal
No. De control y alumno:

19490802 Hidrogo Rocha Pierre Alejandro
Fototransistor
El fototransistor trabaja como un fotodiodo que se le ha incorporado un
amplificador. Su estructura es como un transistor normal cuya unión base-emisor
está formada por una foto unión, por eso algunos encapsulados solo tienen dos
terminales (colector y emisor) comportándose, así como un transistor en el que la
corriente de base es una fotocorriente que proporciona la unión base-emisor.
Ilustración 1. Configuración de un
fototransistor en emisor común
Ilustración 2. Curvas características típicas de

un fototransistor
La curva de sensibilidad espectral

relativa del SHF309 presenta su máximo en el
infrarrojo (860nm). En consecuencia, si sobre
fototransistor y luxómetro inciden los mismos
mW/cm2 procedentes del foco halógeno, el
luxómetro únicamente responderá a la fracción
de la radiación contenida dentro del visible
mientras que el fototransistor lo hará en mayor
proporción al estar el máximo de emisión del
foco halógeno también en el infrarrojo.
Aunque el fototransistor no responde
únicamente a la radiación contenida en el visible
se van a emplear para su caracterización tres
niveles distintos de iluminación. Si la
iluminación aumenta también lo hace la Ilustración 3. Sensibilidad espectral relativa del
fototransistor SFH309 y la aproximada del
luxómetro.
cantidad de radiación (mW/cm2) a la cual responde el fototransistor.
RL = 4.22 kΩ
Iluminación
50 lux 1,000 lux
VCC VE (V) VCE (V) IE (mA) VE (V) VCE (V) IE (mA)
0 0 0 0 0 0 0
2 0.340 1.6 0.080 0.58 1.41 0.137
4 0.380 3.66 0.090 1.19 2.81 0.281
6 0.387 5.64 0.091 1.86 4.17 0.440
8 0.400 7.63 0.094 2.51 5.5 0.584
10 0.415 9.62 0.098 3.35 6.69 0.793
12 0.420 11.6 0.099 4.34 7.74 1.028
14 0.450 13.6 0.106 5.43 8.56 1.286
16 0.470 15.57 0.111 6.54 9.57 1.549
18 0.500 17.57 0.118 7.66 10.5 1.815
20 0.513 19.57 0.121 8.76 11.4 2.075
25 0.536 24.52 0.127 11.46 13.7 2.715
30 0.570 29.51 0.135 14.2 16 3.364
Representar gráficamente, IE frente a VCC:
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
IE
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20 25
VCE
C10: A continuación, se va a realizar un estudio de la respuesta del fototransistor

de infrarrojos SFH309FA ante un impulso escalón en función de la resistencia de
carga RL. Realizar el montaje de la figura 4 empleando para el circuito emisor el IR
LED SFH409 o el SFH487. Dado que se trata de radiación infrarroja el circuito puede
ser montado y probado su funcionamiento sin necesidad de aislarlo de la iluminación
del laboratorio. La forma de onda del generador de funciones será una señal
cuadrada de 5V de amplitud (entre +5V 0V) y 5kHz de frecuencia.
Ilustración 4. Circuito emisor – receptor de infrarrojos con fototransistor
La cantidad de radiación incidente depende de la amplitud de la señal

cuadrada, de Rled y de la distancia y disposición relativa del sistema IRled-
fototransistor.
Cuando se emplea un fototransistor en conmutación hay que tener en cuenta
que se han de cargar las capacidades asociadas con el circuito de base para que el
fototransistor llegue al estado de corte. Un incremento en el valor de la resistencia
de carga aumenta la constante de tiempo RC aumentando el valor del tiempo de
subida (paso a corte) de la tensión entre colector y emisor del fototransistor.
Dibujar en cada gráfica la forma de onda entre extremos de la resistencia de
carga (VOUT) para su valor máximo (6kΩ) y mínimo (2.7kΩ), conjuntamente con la
forma de onda de entrada (en extremos del diodo LED).
Una respuesta rápida del sistema permita un funcionamiento a mayores
frecuencias. A partir de los resultados obtenidos, la respuesta es más rápida cuando
la resistencia de carga RL es más pequeña.
Conclusión
Gracias a esta práctica pudimos observar claramente el comportamiento de
fototransistor acoplado a un LED infrarrojo, y así como lo describe la teoría, la
magnitud de la ganancia varía dependiendo de la incidencia de luz en el sensor,
entre mayor la intensidad de luz, más grande será la misma y viceversa.

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