Informe Práctica Nº 4
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ÍNDICE
OBJETIVOS: ...............................................................................................................................2
OBTENCIÓN DE LA CARACTERÍSTICA ESTÁTICA CON LOS POLÍMETROS: ..................................2
DATOS Y CÁLCULOS DEL ENSAYO: ............................................................................................3
OBTENCIÓN DE LA CARACTERÍSTICA ESTÁTICA MEDIANTE ORCAD: ........................................4
OBTENCION DE LA U0 Y ρd POR APROXIMACIÓN LINEAL: .........................................................5
OBTENCIÓN DE LA POTENCIA DE LA RESISTENCIA MEDIANTE EL ESTUDIO GRÁFICO CON LA
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA: .....................................................................................................5
OBTENCIÓN DE LA POTENCIA DE LA RESISTENCIA POR SIMULACIÓN CON ORDENADOR: .......6
OBTENCIÓN DE LA POTENCIA DE LA RESISTENCIA EMPÍRICAMENTE: ......................................7
VISUALIZACIÓN DE LA CARACTERÍSTICA ESTÁTICA MEDIANTE EL OSCILOSCOPIO: ..................7
CONCLUSIONES: .......................................................................................................................8
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ESCUELA POLITÉCNICA SUPERIOR
DOBLE GRADO EN INGENIERÍA MECÁNICA
E INGENIERÍA ELECTRÓNICA AUTOMÁTICA INDUSTRIAL
OBJETIVOS:
Los objetivos de la práctica III son los siguientes:
1. Comprender el funcionamiento del diodo.
2. Realizar la gráfica Vd-Id (Característica Estática) mediante valores puntuales
medidos con el polímetro.
3. Obtener la CE mediante una simulación OrCad.
4. Obtener distintos parámetros por aproximación lineal como U 0 y ρd.
5. Obtener la potencia sobre la resistencia de distintos métodos: gráficamente,
por aproximación lineal, mediante simulación de ordenador y empíricamente.
6. Observar la CE mediante el osciloscopio.
Montaje corto
A
iD
Vs V vD
D1N4007
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De la siguiente manera:
4. Comenzamos a medir fijándonos en las medidas del amperímetro y del voltímetro (no
de la fuente), obteniendo los datos mostrados en el punto siguiente.
vD (V) 0,757 0,785 0,8 0,816 0,828 0,85 0.857 0,87 0,9
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Los pasos seguidos para obtener la gráfica mediante simulación son los siguientes:
800mA
600mA
400mA
200mA
0A
0V 0.05V 0.10V 0.15V 0.20V 0.25V 0.30V 0.35V 0.40V 0.45V 0.50V 0.55V 0.60V 0.65V 0.70V 0.75V 0.80V 0.85V 0.90V 0.95V 1.00V
I(D1)
V(A)
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Por tanto:
• U0=0,785
• Para U=0,9V, I=1A y para U=0,8, I=0,17; ρd=0,12Ω.
• Id=0,188
Sustituyendo Id=0:
• Vd=Vs=6V
• Id=0,15
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• Vd=0,805
1,5
1,3
1,1
0,9
0,7
0,5
0,3
0,1
• P=0,747W
𝑉𝑠−𝑉0
Obtenemos que: 𝐼𝑑 =
𝑅+𝜌𝑑
• Vs=6V
• V0=0,785
• R=33,2Ω (valor real).
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• Vr=5,19V
• Vt=6,06V
𝑉𝑟
Siendo 𝑃𝑟 = Pr=807,5 Mw
𝑅
Montamos el circuito:
iD
v
D1N4007 D
12V
50Hz
33R/15W vR
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CONCLUSIONES:
Podemos observar que la obtención de la potencia por distintos métodos es fiable ya que
obtenemos valores similares. (Unos métodos son más eficaces que otros).