Guia de Laboratorio 12

ESCUELA PROFESIONAL DE
. INGENIERIA DE SISTEMAS
GUIA DE LABORATORIO Nº 11
ESCUELA : INGENIERIA DE SISTEMAS

ASIGNATURA : ELECTRONICA Y CIRCUITOS DIGITALES
CICLO : III CICLO
TURNO : MAÑANA / TARDE
SEMESTRE : 2022-1
DOCENTE : Mg/ ing : GALO FERNANDO JARAMILLO VIGO.
TEMA : CENSORES APLICANDO TIMERS
I. OBJETIVOS:
Familiarizar al alumno con el manejo de dispositivos de conmutación, así como la construcción de

circuitos que permitan corrientes altas bajo control ON-OFF.
Familiarizarse con el concepto de censor y parte de potencia de todo proceso en donde

Interviene la electrónica y la Automatizacion industrial.
II. FUNDAMENTO TEÓRICO
Principalmente resaltaremos una breve definición del “conmutador o switch” bueno esto es un

dispositivo digital lógico de interconexión de redes de computadoras que opera en la capa de enlace
de datos del modelo OSI.
En los dispositivos de conmutación podemos encontrar a un tiristor la cual vamos a utilizar para
desarrollar esta parte del laboratorio por lo tanto tenemos que tener un concepto básico del tiristor
a continuación presentaremos esa definición.
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los
tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se operan como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas
aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque
los tiristores prácticos exhiben ciertas características y limitaciones.
Comenzaremos por dar algunas características:

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn
tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. La fig. 1 muestra el símbolo del tiristor y una
sección recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión.
Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las uniones J 1 y J3 tienen
polarización directa o positiva. La unión J 2 tiene polarización inversa, y solo fluirá una pequeña
corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que el tiristor está en condición de bloqueo
directo o en estado desactivado llamándose a la corriente fuga corriente de estado inactivo I D. Si el
voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unión J 2 polarizada
inversamente entrará en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje
correspondiente se llama voltaje de ruptura directa V BO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen
polarización directa, habrá un movimiento libre de portadores a través de las tres uniones que
provocará una gran corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en estado
de conducción o activado.
Fig. 1 Símbolo del tiristor y

tres uniones pn.
Entre otros también encontramos al MOS FET
El MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje,

y solo requiere de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es
muy alta y los tiempos de conmutación son del orden de los nanosegundos.
Los MOSFET de potencia están encontrando aplicaciones en convertidores de baja
potencia y alta frecuencia. Estos dispositivos no tienen los problemas de fenómenos de
segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, tienen inconvenientes de descarga
electrostática y requieren cuidados especiales en su manejo. Otro inconveniente que
tienen es que resulta relativamente difícil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito.
Aplicaciones:
El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas
sobre los MESFET’s y los JFETS’s y ellas son:
En la región activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la

trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es
independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificación muy
lineal.
El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFET’s de canal n en
modo de vaciamiento pueden operar desde la región de modo de vaciamiento (-Vg) a la región de
modo de enriquecimiento (+Vg).
III. MATERIALES Y EQUIPOS REQUERIDOS
1 potenciómetro 10k 1 Osciloscopio

Timer IC 555 1 Transformador
TIP 110 BJT-Darlington 1 Multímetro
R = 470K , 100K , 12 K , 10k , 3K , 1 K 1 Protoboard
C = 0.1 uf Cables de conexión
Diodo LED
1 MOS FET IRF 640
1 Tiristor (SCR) TIC 106
IV. PROCEDIMIENTO
a) Armar el circuito de la figura mostrada, verificar las conexiones y el estado de los dispositivos
antes de energizar.
Se trata de un circuito Timer que se utilizará como detector de luz. Cuando la resistencia LDR
está con luz tiene una resistencia pequeña que haciendo que el voltaje de detección Vth = Vtrig
sea mayor a los 2/3 de V y por lo tanto hace que la salida baja deje de accionar al dispositivo de
conmutación. Estado de No – Conducción.
Cuando se oscurece el LDR, presentará una alta resistencia que permitirá al voltaje de detección
Vtrig bajar a menos de 1/3 de V provocando que la salida alta accione el conmutador y conduzca
corriente, aprovechada por un señalizador LED y una carga, un pequeño motor DC.
Una vez conceptuado el sistema como un actuador ON – OFF, se puede proyectar para
corrientes mayores y otros dispositivos.
Colocar la resistencia LDR expuesta a la luz y observar que el estado de No - Conducción se asegure,
(indicando la no - operación del LED). Ajustar R2 ya que los (cálculos se han diseñado para LDR =
1M. (si LDR es de 120K , usar R2 = 10K)
b) Tapar la LDR (oscurecer) se debe hacer accionar el circuito conmutador. Se debe encender el LED.
c) Colocar el motor DC desde el colector hasta la fuente (es decir en paralelo al conjunto R = 3K +
LED). El consumo debe ser de unos cientos de mili amperes. El dispositivo TIP110 es un amplificador
BJT en configuración Darlington y está diseñado para corrientes de 1 Amper.
d) Medir la corriente del motor, así como las características de operación del conmutador.
Estado ON: VCE = 0.66v IC = 26mA
Estado OFF: VCE = 12.1v IC = 0mA
e) Reemplazar el dispositivo de conmutación por el SCR: TIC 106 o equivalente.
Este debe ser un Tiristor. (Verificar entre G – K como un diodo interno)
Normalmente el SCR se activa con:

- Corrientes del orden de los mili amperios en el GATE y
- Cuando tienen una polaridad directa A-K.
Una vez activado, solo deja de conducir con la inversión de la polaridad A-K
(o cuando este voltaje es pequeño respecto a G-K = polarización inversa)
f) Establecer las condiciones de conducción y no conducción de los conmutadores, Relacionar con
las características de cada dispositivo y su teoría de funcionamiento.
Probar el cambio de giro invirtiendo la polaridad de los cables del motor
Estado ON: VAK = 0.764v IAK = 27mA
Estado OFF: VAK = 12.11v IAK = 0mA
g) Reemplazar el dispositivo SCR por el MOS FET: IRF 540. Este nuevo dispositivo es un transistor de
efecto de campo, accionado por voltaje. Cuando tiene una tensión mayor de 3 v en el Gate, hace
conducir una gran corriente entre D – S
h) Diseñar un circuito para que encienda un motor (o una carga, como un foco) cuando se ilumine la
LDR y que corte la corriente cuando se oscurezca.
Electrónica y Circuitos Digitales UNIVERSIDAD CESAR VALLEJO
TEST DE LABOARATORIO
Apellidos y Nombres……………………………………………..……..Grupo ………………….Mesa………..
1
a) ¿Por qué en esta práctica, no se considera el uso de motores de corriente alterna?
b) ¿Si necesito poner un motor de más potencia que modificaciones recomienda?
c) ¿En cuál de los 3 modelos de semiconductores usare menos área de disipador?
2 CONCLUSIONES SOBRE LA PRÁCTICA

a)
b)
c)
d)
PUNTAJE:
ATTE Mg: GALO JARAMILLO VIGO

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TEMA : CENSORES APLICANDO TIMERS

Familiarizar al alumno con el manejo de dispositivos de conmutación, así como la construcción de

Familiarizarse con el concepto de censor y parte de potencia de todo proceso en donde

II. FUNDAMENTO TEÓRICO

Principalmente resaltaremos una breve definición del “conmutador o switch” bueno esto es un

Comenzaremos por dar algunas características:

Fig. 1 Símbolo del tiristor y

Entre otros también encontramos al MOS FET

El MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje,

En la región activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la

1 potenciómetro 10k 1 Osciloscopio

Estado ON: VCE = 0.66v IC = 26mA

Estado OFF: VCE = 12.1v IC = 0mA

e) Reemplazar el dispositivo de conmutación por el SCR: TIC 106 o equivalente.

Este debe ser un Tiristor. (Verificar entre G – K como un diodo interno)

Normalmente el SCR se activa con:

Probar el cambio de giro invirtiendo la polaridad de los cables del motor

Estado ON: VAK = 0.764v IAK = 27mA

Estado OFF: VAK = 12.11v IAK = 0mA

b) ¿Si necesito poner un motor de más potencia que modificaciones recomienda?

c) ¿En cuál de los 3 modelos de semiconductores usare menos área de disipador?

2 CONCLUSIONES SOBRE LA PRÁCTICA

ATTE Mg: GALO JARAMILLO VIGO

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