Clase 1 Tipos de Materiales Sólidos V2

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TIPOS DE MATERIALES

SÓLIDOS
FÍSICA DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
ANA VICTORIA PRADOS
Contexto
• Los circuitos microelectrónicos se basan
en estructuras semiconductoras
complejas que han sido desarrollados en
los últimos 60 años
• Es necesario tener un buen conocimiento
de la física de los semiconductores
• Tener una buena comprensión de los
materiales semiconductores y sus
mecanismos de conducción de corriente
nos permitirá abordar dispositivos como
el diodo o el transistor
Actividad de inicio –
grupos de cuatro
¿Qué sabemos del
átomo y la estructura
atómica?
Conceptos asociados,
nombres, definiciones …
3 ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

ra apreciar plenamente por qué Si, Ge y GaAs son los semiconductores mas utilizados por la (a)
dustria electrónica, hay que entender la estructura atómica de cada uno y cómo están enlaza-• Los átomos están
Contexto
s los átomos entre sí para formar una estructura cristalina. Todo átomo se compone de tres
rtículas básicas: electrón, protón y neutrón. En la estructura entrelazada, los neutrones y loscompuestos de tres
otones forman el núcleo; los electrones aparecen en órbitas fijas alrededor de éste. El modelopar0culas básicas:
Bohr de los tres materiales aparece en la figura 1.3.
electrón, protón y
neutrón.
Capa de valencia
(Cuatro electrones de valencia)
Electrón
de valencia
• Los neutrones y los
protones forman el
núcleo; los (b)
Capas
electrones están en
+ + FIG. 1.2
Electrones órbitas fijasde núcleo cuádruple
Procesador
en órbita
alrededor del núcleo
Intel Core Extreme 2: (a) aparien-
Núcleo cia exterior; (b) chips internos.

Silicio Germanio

(a) (b)
Contexto
• Número atómico: número de protones en el núcleo, el
cual es igual al número de electrones en un átomo
eléctricamente balanceado (neutro).
• Los electrones cerca al núcleo están más unidos al
átomo y no pueden moverse fácilmente, tienen la
energía más pequeña
• los electrones describen órbitas a distancias discretas
del núcleo.
Contexto
• Los electrones en un átomo
orbitan alrededor del núcleo en
diferentes "capas".
• La actividad química del átomo
está determinada por los
electrones en la capa más
externa, llamados electrones de
“valencia”, y qué tan completa
es esta capa.
Contexto

• Niveles de energía
Cada órbita
corresponde a cierto
nivel de energía.
• Número de electrones
en cada capa El
número máximo de
electrones (Ne) que
puede existir en cada
capa: Ne=2n2
Contexto –Configuración
electrónica

• Si (número atómico
14) :
• 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
• Ge (número atómico
32):
• 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10
4s2 4p2
Cristal

• Espacio ordenado de
átomos en forma de
bloque repetido
regularmente en tres
dimensiones
• La estructura hace
que los electrones en
la última capa quede
influenciada por
todos los atomos del
cristal
Enlaces covalentes

• Un átomo de silicio que reside aislado contiene cuatro


electrones de valencia, por lo tanto requiere otros
cuatro para completar su capa más externa.
• El material de silicio puede formar un "cristal" en el
que cada átomo está rodeado por exactamente otros
cuatro.
• Cada átomo comparte un electrón de valencia con sus
vecinos, completando la capa y las de los vecinos.
• El “enlace” formado se llama “enlace covalente.
Cristal de Silicio
• Configuración Electrónica del Silicio: 1s2 2s2 2p6
3s2 3p2
• Valencia: tiene dos electrones en la subcapa
s y dos electrones en la subcapa p, faltan 4
electrones en la subcapa p del nivel 3
• Estructura de red de diamante (N átomos y
espacio interatómico d)
• Nivel 3 tiene 2N electrones en la subcapa s y
2N electrones en la subcapa p, faltan 4N
electrones en la subcapa p.
• Total: 8N estados y 4N electrones.
• Al disminuir d se organizan en bandas
Tipos de Materiales
Energy Levels

39 Introduction to Physics of Semiconductors


• Aislantes:
• Banda prohibida +/- 6 eV
• A temperatura ambiente: banda conducción vacía
• No conducen corriente
Tipos de • Alta resistividad +/- 10 12 ohmios por cm. Cero conductividad
• Semiconductores:
materiales • Banda prohibida +/- 1 eV
A 0K: son aislantes porque no tienen electrones en la banda de conducción
• A temperatura ambiente: creación de pares electrón hueco algunos
electrones libres en la banda de conducción y sus correspondientes
huecos en la banda de valencia (pares electrón-hueco)
• Alta resistividad +/- 10 5 ohmios por cm. Alguna conductividad
• Bipolares: conducen por movimiento de electrones y por huecos
• Metales:
• No tienen banda prohibida
• A cualquier temperatura todos los electrones de valencia son libres
Baja resistividad +/- 10 -6 ohmios por cm. Mucha conductividad
• Unipolares: conducen por movimiento de electrones
Con qué
claridades nos
vamos hoy
Referencias
• Robert L. Boylestad, “Electronic Devices and Circuit Theory” 11th Edition.
• Millman, Jacob, Electrónica Integrada, Editorial Hispano Europea, 1983.
• Floyd. Dipositivos Electrónicos,Octava edición.2008

• Imágenes:
• Crystal Structure: MIT, Department of Electrical Engineering and Computer Science 6.012 Microelectronic Devices and Circuits
• Corriente en un secmiconductor: www.labc.usb.ve
• Portada: https://conceptodefinicion.de/semiconductor/
• Atomo silicio y bandas de energía: Robert L. Boylestad, “Electronic Devices and Circuit Theory” 11th Edition.
• Electrón: https://concepto.de/wp-content/uploads/2018/10/electron2-e1539358143147.jpg
• Estructura electrónica: https://misuperclase.com/configuracion-electronica-de-los-elementos/

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