Practica 5 Dispositivos
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Los Zener deben diseñarse para que sean capaces de soportar la potencia de la
carga, de otra forma podrían llegar a bloquearse o incluso quemarse.
EFECTO ZENER
Con la aplicación de un voltaje inverso suficiente, una unión p-n experimentará
una rápida rotura de avalancha, y fluirá corriente en dirección inversa dentro del
diodo. Los electrones de valencia que se liberan bajo la influencia del campo
eléctrico aplicado se pueden acelerar lo suficiente para que puedan golpear otros
electrones sueltos, y las subsiguientes colisiones se convierten rápidamente en
una avalancha. Cuando tiene lugar este proceso, cambios muy pequeños en el
voltaje, pueden producir cambios muy grandes en la corriente.
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión PN, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un
cierto intervalo de la característica corriente-tensión.1 La presencia del tramo de
resistencia negativa permite su utilización como componente activo
(amplificador/oscilador). También se conocen como diodos Esaki, en honor del
físico japonés Leo Esaki quien descubrió que una fuerte contaminación con
impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo
largo de la zona de deplexión en la unión. Una característica importante del diodo
túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de
polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al
aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como
amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un
dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que
están relativamente libres de los efectos de la radiación.
En este caso dos diodos Zener se colocan contrapuestos conectados por los
anodos
El circuito recortará la salida a un voltaje máximo establecido por el voltaje del diodo
Zener más 0.7 voltios aproximadamente debido al diodo polarizado en directo.
DESARROLLO:
� 𝐼𝑧 (mA)
Diod
� Coeficiente
o 𝑉𝑈
zen 𝑧 de
er
min Max min Max temperatura
3.9 V 0.56 2.48 3.51 0.0006 11.6 -0.06
5.1 V 0.72 4.48 5.6 0.0008 9.8 -0.03
9.1 V 0.48 8.88 9.4 0.0006 6 -0.06
DIODO 3.9V.
DIODO A 5.9V
Reportar para cada diodo Zener, el cálculo de la resistencia dinámica, la
resistencia estática de rodilla Zener y la resistencia estática para condiciones de
(VZmáx e IZmáx
Función de transferencia
Funciones de entrada y salida.
Función de transferencia
Funciones de entrada y salida
Función de transferencia
Función de entrada y función de salida
Función de transferencia
Despejando RL
𝑽𝑼 𝑽𝒛 (𝒗𝒐𝒍𝒕𝒔) 𝑰𝒛 (𝒂𝒎𝒑) 𝑽𝑹𝑳 (𝒗𝒐𝒍𝒕𝒔) 𝑰𝑳 (𝒂𝒎𝒑)
RL= 113.709Ω fuente 0V 0 0 0 0
variable 3V 1.5 1.51n 1.5 4.545m
6V 3 3.02 n 3 9.091 m
9V 4.5 4.53 n 4.5 13.636 m
12V 5.06 5.696 m 5.06 15.334 m
15V 5.089 14.612 5.089 15.421 m
m
18V 5.106 23.599 m 5.106 15.473 m
21V 5.119 32.611 5.119 15.513 m
Con carga variable tenemos: