Estudio de los Transistores

1. Transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor o BJT)

2. Transistores de efecto-campo (Field-effect Transistors o FET)
3. Transistor de efecto-campo de unión (Junction Field-Effect
Transistor(JFET))
4. Transistor de efecto-campo de metal-óxido-semiconductor (Metal-
Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET))

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR O

BJT)
Cuando una capa de Si tipo n se pone entre medio, como
un sándwich, entre dos capas de Si tipo p, obtenemos un
transistor pnp. Si una capa tipo p se pone entre dos capas
tipo n, tendremos un transistor npn. El "jamón del
sándwich", es decir, la capa en el medio, se llama la
base (B) y los dos panes, es decir, las capas externas se
llaman emisor (E) y colector (C). Los dos tipos de
transistores y sus símbolos electrónicos se
muestran en la Figura 1. Una cosa importante es el hecho de que
en ambos casos, la base es muy delgada ((10-6 m) y muy poco
dopada (es decir, con muy pocas impurezas que favorecerían
la conducción) respecto al emisor.

Figura 1

Un transistor npn puede considerarse como un diodo np

seguido de un diodo pn, y de forma análoga para el
transistor pnp. Por lo tanto, las ideas presentadas en la
discusión sobre diodos se usarán ahora para
explicar el comportamiento físico de un transistor.
Limitaremos nuestra discusión al transistor npn.
Argumentos similares a los que presentaremos para el transistor
npn pueden ser usados para el transistor pnp.

Cuando las tres capas de semiconductor se ponen juntas,

los transportadores mayoritarios fluirán a través
de las dos uniones, creando diferencias de potencial de contacto
entre el emisor y la base y entre el colector y la base. Si
asumimos uniones completamente simétricas (y asumiendo que
el emisor y el colector tienen idénticas concentraciones
de impurezas), los potenciales de contacto Vc en la
unión emisor-base y en la unión colector-base
serán iguales. Noten que en la ausencia de un potencial
externo, el potencial del lado n de la unión pn es mayor
que el del lado p en una cantidad igual al potencial de contacto
Vc. Las variaciones del potencial en las tres secciones
del transistor npn se muestran en la Figura 2(a). Las barreras de
energía potencial asociadas para electrones y huecos se
muestran en la Figura 2(b) y (c) respectivamente.

Figura 2

Para apreciar los aspectos básicos

de un transistor como elemento de un circuito activo,
consideremos el circuito de la Figura 3.
 Figura 3

El lado izquierdo del circuito, esto es, la

sección que contiene a V1, la base y el emisor,
es idéntica al circuito del diodo de polarización
directa (foward biased) de la Figura 8(a) de la clase 16. Por
otro lado, el lado derecho, es decir, la sección que
contiene a V2, el colector y la base, es idéntica
al circuito del diodo con polarización inversa (reversed
biased) de la Figura 8(b) de la clase 16. Debido a que la base es
común a ambas secciones, el circuito de la Figura 3 se
denomina circuito de configuración de base
común (common base configuration circuit). Ya
vimos antes que la caída del potencial externo en el diodo
ocurre casi por completo en la región de la unión.
La batería V1, en el lado izquierdo del circuito,
estando conectada su terminal positiva a la base tipo p,
disminuye el potencial del lado del emisor tipo n relativo al
potencial de la base tipo p (como se mostró en la Clase
16, figura 9) en una cantidad dada por VBE. Como
resultado de esto, la diferencia de potencial entre emisor y base
se reduce a Vc-VBE. En el circuito del lado
derecho, pasa lo opuesto. Estando la terminal positiva de la
batería V2 conectada al colector tipo n, la
batería aumenta el potencial del colector relativo a la
base tipo p en una cantidad que llamamos VCB; como
resultado de esto, la diferencia de potencial entre colector y
base se aumenta a Vc+VCB (como se mostró
en la Clase 16 figura 10). Como en el caso del diodo, esto lleva
a una reducción en la barrera de energía potencial
en la unión base-emisor y un aumento en la altura de la
barrera en la unión colector-base. Las nuevas diferencias
de potencial entre las uniones se muestran en la Figura 4(a). Las
barreras de energía potencial asociadas para electrones y
huecos se muestran en la Figura 4(b) y (c) respectivamente. Las
líneas discontinuas en las tres figuras representan los
valores de las cantidades antes de la aplicación de los
voltajes de polarización directa.
 Figura 4

La caída de la barrera en la unión

base-emisor permitirá que sean inyectados electrones desde
el emisor a la base, así como huecos desde la base al
emisor. Los electrones que no recombinen con huecos en la
región base y que tampoco se escapen por la
conexión de la base con el circuito, difundirán a
través de la base y alcanzarán la unión del
colector (Figura 5). Una vez allí, verán la
diferencia de potencial positiva Vc+VCB (energía
potencial negativa) y serán acelerados a través de
la unión, y finalmente "recogidos" por el
colector.

Figura 5
Analicemos los distintos componentes que contribuyen a
la corriente del emisor iE, a la corriente del colector
iC y a la corriente de la base iB de la Figura
3. Primero, sin embargo, debemos notar que un transportador de
carga que atraviesa la unión base-emisor
contribuirá a la corriente del emisor. Por ejemplo, si un
electrón que viene del emisor cruza la unión hacia
la base, también entrará un electrón desde
el cable a la izquierda del emisor a la región del emisor
para preservar la neutralidad de carga en la región.
Cuando un hueco cruza la unión desde la base al emisor, se
recombinará con un electrón en el
emisor.

Así, prácticamente todos los electrones

lograrán alcanzar el colector. Valores típicos para
( son entre 0.900 a 0.998.

Debido a que la unión base-colector está

en polarización inversa (Figura 3), no hay
contribución de los transportadores mayoritarios (huecos
en la base y electrones en el colector) a iC. La
única contribución adicional es de la
pequeña corriente de saturación i0 debido
a la corriente de transportadores minoritarios a través de
la unión colector-base. Esta contribución, como ya
sabemos, es extremadamente chica. Por lo tanto,

Veamos ahora el funcionamiento del transistor como

amplificador de voltaje. La Figura 6 muestra una versión
modificada del circuito de configuración de base
común visto en la figura 3. Una pequeña resistencia
R1 se introdujo en el circuito base-emisor y una
resistencia grande R2 en el circuito colector-base. La
razón de introducir estas dos resistencias y la
elección de R2 mayor que R1
quedará clara en un momento.

Figura 6

Debemos notar que, a pesar de que la introducción

de estas dos resistencias reducirá la diferencia de
potencial a través de la unión (recuerden que,
cuando una corriente i pasa a través de una
resistencia R, hay una caída de potencial
iR a través de la resistencia), esto no
afectará el tipo de polarización de las uniones. La
unión emisor-base se mantiene con polarización
directa debido a que la base tipo p está conectada
directamente al lado positivo de V1 mientras que el
emisor tipo n está conectado a través de la
resistencia R1 al lado negativo de V1.
Igualmente, la unión colector-base se mantiene en
polarización inversa debido a que la base tipo p
está conectada directamente al lado negativo de
V2 mientras que el colector tipo n está conectado
a través de la resistencia R2 a la terminal
positiva de V2. Debemos también remarcar que la
reducción de VCB resultado de la presencia de la
gran R2 no afectará significativamente el valor
de iC porque, como ya vimos antes, iC
está esencialmente determinada por iE y no por
VCB.

Una de las principales utilidades del transistor es como

amplificador. En una configuración de base común
(Figura 6), la entrada (input), como una diferencia de potencial,
alimenta al circuito emisor-base por aplicación de un
voltaje (V1 como se muestra en la Figura 6.

El voltaje de entrada será amplificado a la

salida por un factor igual a la relación de las
resistencias de salida y entrada.
La resistencia efectiva Re de la unión
emisor-base en polarización directa no es constante sino
que depende del voltaje a través de la unión. Esto
es debido a que en una unión p-n la corriente no aumenta
linealmente con el voltaje; esto es, la unión p-n no
obedece la ley de Ohm (vean sino la Figura 11 de la Clase
16).

Así entonces el voltaje es

amplificado en un factor 455.

Veamos ahora otra configuración que, en realidad,

es la configuración más usada para los
transistores, en la que el emisor es común a los circuitos
de entrada y salida. La Figura 7 es un ejemplo entonces del
circuito de configuración de emisor común
(Common Emitter Configuration).

Figura 7

La rama de entrada, constituida por V1, R1 y la

unión base-emisor es idéntica a la sección
de entrada del circuito de configuración de base
común de la figura 6. La base tipo p está conectada
directamente a la terminal positiva de V1 mientras que
el emisor tipo n está conectado a través de la
resistencia R1 a la terminal negativa de V1. La
unión base-emisor está entonces en
polarización directa. Respecto a la rama de salida, es
diferente del circuito anterior. Además de la
batería V2 y la resistencia R2, contiene
dos uniones, la unión base-colector y la unión
emisor-base. Debido a que el emisor está conectado
directamente a la terminal negativa de V2, mientras que
el colector está conectado a través de R2
a la terminal positiva de V2, el potencial del colector
es mayor que el del emisor en una cantidad VCE=V2-iCR2.
La naturaleza de la polarización de la unión
base-colector dependerá de los valores relativos de los
voltajes entre el colector y el emisor VCE y el voltaje
entre la base y el emisor VBE. Ya veremos esto en
más detalle.

En la configuración de emisor común, la

corriente de entrada iB es una variable independiente y
la corriente de salida iC es una variable dependiente.
Diciendo esto de una forma distinta, la corriente de base
iB, que está determinada por V1 y
R1 porque la unión emisor-base tiene
polarización directa, controla a la corriente del colector
iC. La figura 8 muestra las curvas
características para un transistor 2N2222A npn. El eje
horizontal es el voltaje colector-emisor VCE, y el eje
vertical es la corriente del colector iC. Las curvas
corresponden a diferentes valores de iB.
 reg. de reg.

saturación
activa

Figura 8

Las características de la salida pueden dividirse

en dos regiones: la región activa y la
región de saturación. La región
activa es a la derecha de la curvatura máxima de las
gráficas ; en la curvatura máxima VCE ( a
algunas decenas de volts. En esta región iC es
muy sensible a iB pero casi independiente de
VCE. La región de saturación es a la
izquierda de la curvatura máxima. En la región
de saturación iC aumenta rápidamente con
VCE. En la región activa, la unión
base-colector tiene polarización inversa. Veamos como
surge esto. La unión emisor-base tiene polarización
directa. El voltaje a través de una unión con
polarización directa corresponde en general a una decena
de volts, 0.6V o menos es el valor típico para una
unión de Si. Por lo tanto VBE será 0.6V o
menos. Si VCE es mayor que 0.6V, entonces la diferencia
de potencial entre el colector y la base es mayor que entre la
base y el emisor (ver Figura 4), por lo tanto la unión
colector-base está en polarización inversa. De
esta forma, en la región activa la unión
emisor-base está en polarización directa mientras
que la unión colector-base está en
polarización inversa., esto es, la situación es
análoga a lo discutido en la configuración de base
común.
Como consecuencia de esto, la unión
colector-base se volverá con polarización
directa.
 Figura 9

La corriente neta del colector decrecerá

rápidamente a medida que la unión CB se vuelva cada
vez mas con polarización directa (esto es, como
VCE decrece por debajo de 0.6 V), hasta que
VCE=0. En este punto, el emisor y el colector tienen
igual potencial. Esto significa que las uniones CB y EB
están con polarización directa, y por lo tanto la
corriente neta es cero.

TRANSISTORES DE EFECTO-CAMPO (FIELD-EFFECT TRANSISTORS O

FET)
Una desventaja de los transistores de unión
bipolar es su baja resistencia en el circuito de entrada; en
muchos casos esto es un efecto indeseado. Por ejemplo, si el
voltaje que cae a través de una resistencia se usa para
V1 en la Figura 7, la corriente a través de la
resistencia cambiará y por lo tanto también
cambiará el voltaje a través de la resistencia.
Esta dificultad se remedia con otro tipo de transistor cuyo
nombre general es Transistor de efecto-campo (FET). Existen
básicamente dos tipos de FET: el transistor de
efecto-campo de unión (Junction Field-Effect Transistor
(JFET)) y el transistor de efecto-campo de semiconductor
metal-óxido (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor (MOSFET).

Los FET tienen dos características que

sobresalen:

 1. Son dispositivos controlados por voltaje. La

corriente a través del dispositivo está
controlada por un campo eléctrico asociado con el
voltaje ubicado en un electrodo llamado puerta
(gate).

 2. La corriente es transportada por

transportadores de polaridad única (transportadores
mayoritarios). Por esta razón a este tipo de
transistores se les suele llamar transistores
unipolares.

TRANSISTOR DE EFECTO-CAMPO DE UNIÓN (JUNCTION FIELD-

EFFECT TRANSISTOR(JFET))
Un esquema del JFET y como puede usarse en un circuito
se muestra en la Figura 10. El JFET consiste en un canal de un
semiconductor, por ejemplo, tipo n (indicada en la figura como
n-type rod) con el cuál hacen contacto dos
metales óhmnicos, llamados la fuente (source) y
el drenaje (drain). Una región de semiconductor
fuertemente dopada tipo-p, llamada la puerta
(gate) rodea a la línea tipo n.
 Figura 10

En su modo normal de operación, el drenaje se

mantiene a un potencial positivo Vd respecto a la
fuente. La puerta se mantiene a un potencial negativo
Vg respecto a la fuente. La diferencia de potencial
entre drenaje y fuente dá origen a la corriente
id a través del canal tipo n (n-type rod). Esta
corriente producirá una caída idR a lo
largo del canal. Como consecuencia, el potencial a lo largo del
canal varía desde cercano a Vd en la parte de la
línea cercana al drenaje hasta casi cero en la parte
cercana a la fuente. La unión p-n formada donde la
compuerta está en contacto con el canal está con
polarización inversa, volviéndose progresivamente
más hacia el drenaje. Como resultado, cerca de la
unión p-n hay una zona de agotamiento(depletion
layer) (igual a la estudiada en la Clase 16, figura 5).
Debido a que las puertas están fuertemente dopadas
respecto al canal, esta zona de agotamiento se ubica
principalmente en la región n (el canal). Además,
como el ancho de esta zona de agotamiento depende de la
diferencia de potencial a través de la unión de
polarización inversa, será más angosta cerca
del drenaje que cerca de la fuente. La zona de agotamiento
efectivamente actúa como aislante; esto significa que
id se vé forzada a moverse a través del
canal en la línea tipo n. La Figura 11 muestra la
dependencia de id versus Vd para varios valores
de voltaje de la compuerta, Vg.

Figura 11

Veamos el caso cuando Vg =0. A medida que

Vd se aumenta desde cero, el canal tipo n actúa
como un dispositivo óhmnico; esto es, id es
proporcional a Vd. Para valores chicos de Vd,
la zona de agotamiento es muy chica y el canal actúa
simplemente como una resistencia de valor constante. Sin embargo,
a medida que Vd aumenta, la unión p-n en la
compuerta se vuelve más y más de
polarización inversa; esto significa que la zona de
agotamiento se esparce cada vez más en el cuerpo de la
línea tipo n y fuerza a la corriente a fluir a
través de un canal que se vuelve progresivamente
más angosto. Esto tiene el efecto de aumentar la
resistencia del canal (debido al decrecimiento de la
sección eficaz A). De esta forma la corriente
id no aumenta tan rápido como lo hacia
inicialmente cuando Vd era chico. Eventualmente, el
canal se hará tan chico que el aumento esperado de
id debido al aumento de Vd es inhibido por el
crecimiento asociado de R debido a la reducción
en tamaño del canal conductor: La corriente entonces se
estabiliza.

Si Vg es inicialmente negativo, el ancho de la

capa de agotamiento para un dado Vd será mayor
que cuando Vg era cero. Esto tiene dos efectos: (1) la
resistencia inicial del canal (cuando Vd es chico)
será mayor, lo que explica el porqué la pendiente
de las curvas decrece a medida que Vg se vuelve
más y más negativo; y (2) la estabilización
de la corriente ocurrirá a un valor menor de Vd y
id.

El símbolo electrónico para el JFET con

canal n se muestra en la Figura 12(a). Un JFET con canal p puede
construirse haciendo que la línea sea de material tipo p y
las puertas de material fuertemente dopado tipo n. La polaridad
de Vd y Vg será inversa. El
símbolo electrónico para un JFET con canal p se
muestra en la Figura 12(b).

TRANSISTOR DE EFECTO-CAMPO DE METAL-ÓXIDO-

SEMICONDUCTOR (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT
TRANSISTOR (MOSFET))
Otro tipo de FET, el transistor de
efecto-campo de metal-óxido-semiconductor, se ilustra en
la Figura 13.

Figura 13
Está constituido de dos regiones tipo n
fuertemente dopadas difundidas en un sustrato tipo p. Las dos
regiones n sirven como drenaje y fuente. El electrodo compuerta
es una capa metálica depositada en lo alto de una capa
aislante de SiO2. Cuando Vg =0, ninguna corriente
fluye entre el drenaje y la fuente. La razón es que, donde
el drenaje hace contacto con el substrato tenemos una
unión de polarización inversa. Si un potencial
positivo se aplica a la puerta, electrones desde el substrato p
serán atraídos hacia la interfase SiO2-substrato.
Estos electrones recombinarán con los huecos en la
región tipo p del substrato cerca de la interfase.
Eventualmente una delgada capa cerca de la interfase se
volverá una capa tipo n. Esto provee un canal para la
corriente id para fluir desde el drenaje a la fuente
cuando el voltaje Vd es aplicado entre ellos. A mayor
Vg, mayor será el ancho del canal y
consecuentemente, mayor será id para un dado
Vd. Esto se muestra en la Figura 14, que representa la
dependencia de id en Vd para diferentes valores
de Vg.

Figura 14

Además de la característica recién

mencionada (el aumento de id con Vg), vemos que
a partir de cierto valor de Vd, id adquiere un
valor constante. La razón de esto es la misma que para el
JFET. Cuando el canal tipo n se forma, tenemos una unión
p-n entre el substrato tipo p y el canal tipo n. Una zona de
agotamiento se forma y aumenta a medida que Vd se hace
más y más positivo. Esto es porque el canal tipo n
se vuelve positivo (más cerca del drenaje que de la
fuente) respecto al substrato tipo p, que está conectado
directamente a la terminal negativa Vdd. Esta zona de
agotamiento aumenta la resistencia del canal y eventualmente
conduce a parar el crecimiento de id.

Los símbolos electrónicos para el MOSFET

con canal n (substrato tipo p) y para el MOSFET con canal tipo p
(substrato tipo n) se muestran en la Figura 15 (a) y (b)
respectivamente.

Figura 15