Pinturas y Colores
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Pinturas y Colores
MATERIALES
1
Objectivos del Capítulo 3
Estudiar la clasificación de los
materiales basado en los arreglos
atómicos y iónicos.
2
Contenido
3.1 Orden de corto alcance Vs. orden de
largo alcance.
3.2 Materiales amorfos, principios y
tecnología de aplicación
3.3 Redes, celdas unitarias, bases y
estructuras cristalinas
3.4 Tranformaciones alotrópicas o polimorfas
3.5 Puntos, direcciones y planos en la celda
unitaria.
3.6 Sitios intersticiales.
3.7 Estructuras cristalinas de los materiales
iónicos.
3.8 Estructuras covalentes
3
Seccion 3.1
Orden de corto alcance Vs. Orden
de largo alcance
SRO – Un material tiene orden de corto alcance si el
arreglo espacial de los átomos solo se extiende a su
vecindad .
LRO – El arreglo átomico espacial abarca escalas de
longitud mayores a 100 nm, formando un patron regular
y repetitivo.
Condensado de Bose-Einstein (BEC) – Predijeron la
existencia de este estado de la materia, donde un grupo
de átomos enfriados a temperaturas muy bajas (justo
arriba de 0 K, mediante láseres y trampas magnéticas,
tiene el mismo estado cuántico fundamental. Uno de sus
usos podría ser láseres atómicos
4
Figura 3.1 Niveles de
ordenamiento átomico
en los materiales:
(a)Los gases
monoátomicos inertes
no tienen
ordenamiento regular
de átomos. (b y c)
algunos materiales
que incluyen vapor de
agua, nitrogeno
gaseoso, silicio
amorfo y vidrios de
silicato, tienen orden
de corto alcance. (d)
Metales,aleaciones y
muchas cerámicas, así
como polímeros,
tienen ordenamiento
regular de átomos o
iones que se extiende
a través del material.
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5
Figura 3.2 Tetraedro
básico de Si-O en el
vidrio de silicio.
6
Figura 3.3 Arreglo
tetraédrico de los
enlaces C-H en el
polietileno.
7
Figura 3.4 (a) Fotografía de un
monocristal de silicio. (b)
Micrografía de un acero
inoxidable policristalino, donde
se ven los granos y los límites de
grano (Cortesia de los Dr. M. Hua,
Dr. I. Garcia, y Dr. A.J. Deardo.)
8
Figura 3.5 Pantalla de cristal líquido, estos materiales
son amorfos en un estado y sufren cristalización
localizada como respuesta a un campo eléctrico externo
se usan mucho en las pantallas de cristal líquido (LCD).
(Cortesia de Nick Koudis/PhotoDisc/Getty Images.)
9
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Sección 3.2
Materiales amorfos: Principios y
aplicaciones tecnológicas
Materiales amorfos
Vidrios
Vitroceramicas
11
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Figura 3.9 (b) Esquema del proceso de formado por soplado y
estirado para fabricar una botella de dos litros de PET
(tereftalato de polietileno) a partir de una pre forma. El
esfuerzo inducido en la cristalización causa la formación de
cristales pequeños que contribuyen a reforzar el resto de la
matriz amorfa.
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14
Figura 3.11 Los
catorce tipos de
redes de Bravais,
agrupados en
siete sistemas
cristalinos. En las
figuras 3.12 y 3.16
se muestra la
celda unitaria real
para un sistema
hexagonal.
15
Tabla 3.1 Características de los siete sistemas cristalinos
16
Figura 3.12
Definición de
los parámetros
de la red y su
aplicación en
los sistemas
cristalinos
cúbico,
ortorrómbico y
hexagonal.
17
Figura 3.13 (a)
Ilustración de la
distribución de los
átomos en caras y
vértices. (b) Los
modelos de celdas
unitarias cúbica
simple (SC), cúbica
centrada en el
cuerpo (BCC), y
cúbica centrada en
las caras (FCC)
asumiendo que hay
un solo átomo por
punto de red.
18
Ejemplo 3.1 Determinación de la cantidad de puntos
de red en sistemas cristalinos cúbicos
Calcule los puntos red por celda en los sistemas cristalinos
cúbicos. Si solo hay un átomo en cada punto de red, calcule la
cantidad de átomos por celda unitaria.
SOLUCION
En la celda unitaria SC : puntos de red / celda unitaria = (8
vértices)1/8 = 1
En BCC : puntos de red / celda unitaria
= (8 vértices)1/8 + (1 centro)(1) = 2
En FCC : Puntos de red / celda unitaria
= (8 vértices)1/8 + (6 caras)(1/2) = 4
Como se supone que solamente hay un átomo en cada punto
de red, la cantidad de átomos por celda unitaria sería 1, 2, y
4,para las celdas unitarias cúbica simple, cúbica centrada en el
cuerpo y cúbica centrada en las caras, respectivamente.
19
Ejemplo 3.2
Determinación de la relación entre el radio
atómico y los parámetros de red.
20
Ejemplo 3.2 SOLUCION
De la figura 3.14, vemos que los átomos se tocan a lo
largo de la arista del cubo en las estructuras SC.
a0 2r
En BCC , Los átomos se tocan a lo largo de la diagonal del
cuerpo, que tiene una longitud a03, hay 4 radios
4r
a0
3
En FCC , Los átomos se tocan a lo largo de la diagonal
de la cara del cubo, su longitud es a02 y hay 4 radios
4r
a0
2
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Ejemplo 3.3: Cálculo del factor de empaquetamiento
Calcular el factor de empaquetamiento de una celda FCC
SOLUCION
Hay 4 puntos de red por celda, si hay un átomo por punto de red,
también hay 4 átomos por celda. El volumen es 4πr3/3 y el
volumen de la celda unitaria es :
3
a 4 3
(4 atoms/cel. )( r )
0
Factor empaquet. 3
a0
3
23
Ejemplo 3.4
Determine la densidad del hierro BCC
El hierro BCC , tiene un parámetro de red de 0.2866 nm.
SOLUCION
Atoms/cel = 2, a0 = 0.2866 nm = 2.866 10-8 cm
masa a. = 55.847 g/mol
Volumen = (2.866 10-8 cm)3 = 23.54 10-24 cm3/cell
3
Avogadro NA = 6.02
a10
0 23 atoms/mol
25
Tabla 3.2 Propiedades de la estructura Cristalina de algunos
metales
26
Sección 3.4
Transformaciones alotrópicas o
polimorfas
Alotrópicas – Los elementos que tienen mas de una
estructura cristalina se llaman alotrópicos. Este término
suele reservarse para los elementos puros, donde el
efecto de la presión o la temperatura hace que cambie la
estructura.
Poliformismo – Se emplea el mismo concepto pero para
materiales compuestos.
27
Figura 3.17 Los sensores de oxígeno
gaseoso que se usan en automóviles y
otras aplicaciones se basan en
composiciones de zirconia estabilizada.
(Cortesía de Bosch © Robert Bosch GmbH.)
28
Ejemplo 3.5
Cálculo de cambios de Volumen en
polimorfos de zirconia
Calcular el cambio de volumen porcentual cuando la
zirconia pasa de una estructura tetragonal a una
estructura monoclinica.[9] la constante de red para
estructuras unitarias monoclinicas son: a = 5.156, b =
5.191, y c = 5.304 Å, respectivamente. El ángulo β de la
celda monoclinica es 98.9º. Para la celda tetragonal las
constantes de red son: a = 5.094 y c = 5.304 Å,
respectivamente. [10] durante la transformación se
expande o se contrae la zirconia? Cuales son los efectos
de esta transformación sobre las propiedades mecánicas
de la cerámica de la zirconia?
29
Ejemplo 3.5 SOLUCION
El volumen de una celda unitaria tetragonal
V = a2c = (5.094)2 (5.304) = 134.33 Å3.
30
Ejemplo 3.6 Diseño de un sensor para
medir el cambio de volumen
Para estudiar el comportamiento del hierro a temperaturas
elevadas, nos gustaria diseñar un instrumento que pueda
detectar , con exactitud del 1%, el cambio de volumen de un
cubo de hierro de 1-cm3 cuando se calienta pasando por su
temperatura de transformación polimórfica. A 911oC, el
hierro es BCC, con un parámetro de red de 0.2863 nm. A
913oC, el hierro es FCC, con un parámetro de red de 0.3591
nm. Determine la exactitud que se requiere en el
instrumento medidor.
SOLUCION
El volumen de una celda unitaria del hierro BCC antes de
transformarlo es:
3
VBCC = a0 = (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3
31
Ejemplo 3.6 SOLUCION (Continuación)
El volumen de una celda unitaria de hierro FCC :
VFCC = 3 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3
a0
Pero este es el volumen que ocupa 4 átomos de hierro en
FCC, en consecuencia se deben comparar 2 celdas BCC,
con un volumen de 2(0.023467) = 0.046934 nm3, con
cada celda FCC, El cambio porcentual de volumen
durante la transformación es:
(0.046307 - 0.046934)
Cambio de volumen 100 1.34%
0.046934
El cubo de hierro de 1-cm3 se contrae a 1 - 0.0134
= 0.9866 cm3 despues de la transformación;en
consecuencia, para asegurar una exactitud de 1% el
instrumento debe detectar un cambio de:
ΔV = (0.01)(0.0134) = 0.000134 cm3
32
Sección 3.5:Puntos, direcciones y
planos en la celda unitaria.
Indices de Miller - Es la notación abreviada para
describir las direcciones y planos metalográficos. Las
direcciones se denotan con corchetes [ ] y los planos con
paréntesis ( ). Los números negativos se representan con
una barra encima del número.
Direcciones de una forma o familia – Grupo de
direcciones equivalentes forman familias, se usa los
paréntesis especiales.
Distancia de repetición. – Es la distancia entre puntos de
la red a lo largo de la dirección.
Densidad lineal – Es la cantidad de puntos de la red por
unidad de longitud, a lo largo de la dirección.
Fracción de empaquetamiento – Es la fracción realmente
ocupada por átomos.
33
Figura 3.18 Coordenadas de puntos
seleccionados en la celda unitaria. El
número indica la distancia al origen,
en términos de parámetros de red.
34
Ejemplo 3.7 Determinación de Indices de
Miller de direcciones
Determine los índices de Miller en las direcciones A,
B, y C en la figura 3.19.
35
Ejemplo 3.7 SOLUCION
Dirección A
1. Los puntos son 1, 0, 0, y 0, 0, 0
2. 1, 0, 0, -0, 0, 0 = 1, 0, 0
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que
reducir
4. [100]
Dirección B
1. Los puntos son 1, 1, 1 y 0, 0, 0
2. 1, 1, 1, -0, 0, 0 = 1, 1, 1
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que
reducir
4. [111]
Dirección C
1. Los puntos son 0, 0, 1 y 1/2, 1, 0
2. 0, 0, 1 -1/2, 1, 0 = -1/2, -1, 1
3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2
4. [ 1 22]
36
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37
Tabla 3.3 Direcciones de la familia 110 en sistemas cúbicos
38
Figura 3.21
Determinación
de la distancia
de repetición,
densidad lineal
y fracción de
empaquetamien
to para una
dirección [110]
en el cobre FCC.
39
Ejemplo 3.8, Determinación de los Indices
de Miller de planos
40
Ejemplo 3.8 SOLUCION
Plano A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2.1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1
3. No hay fracciones que eliminar
4. (111)
Plano B
1. El plano nunca cruza el plano z por lo que x = 1, y = 2, y
z=
2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0
3. Eliminar fracciones:
1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0
4. (210)
Plano C
1. Se debe cambiar origen, por que el plano pasa 0, 0, 0.
Mover en dirección y, entonces, x = , y = -1, and z =
2.1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0
3. No hay fracciones que eliminar.
4. (0 1 0)
41
Tabla 3.4 Planos de la familia {110} en los sistemas cúbicos
42
Ejemplo 3.9 Cálculo de la densidad planar
y la fracción de empaquetamiento
43
Ejemplo 3.9 SOLUCION
44
Ejemplo 3.10 trazado de dirección y plano
Figura 3.24
Construcción
de a (a)una
dirección y (b)
un plano
dentro de una
celda unitaria
(para el
ejemplo 3.10)
45
Example 3.10 SOLUCION
a. Como sabemos que hay que moverse en la dirección
negativa, ubiquemos el origen en 0, +1, 0. La “cola” de
la dirección estará en el nuevo origen. Se determina un
segundo punto de la dirección avanzando +1 en la
dirección x, -2 en la dirección y, y +1 en la dirección z
(Figura 3.24(a)].
b. Para dibujar el [plano,
2 10] se determinan primero los
recíprocos de los índices para obtener las intercepciones:
x = 1/-2 = -1/2 y = 1/1 = 1 z = 1/0 =
Como el cruce en x esta en una dirección negativa y se
desea trazar el plano dentro de la celda unitaria, se
cambia el origen +1 en la dirección x hasta 1, 0, 0.
Entonces se puede ubicar la intercección con x en - 1/2 y
con y en +1. El plano será paralelo al eje Z [Figura
3.24(b)].
46
Figura 3.25 Indices de Miller-
Bravais en celdas unitarias
HCP usando un sistema
coordenado de 4 ejes. Los
planos identificados con A y
B y las direcciones
identificadas con C y D son
del ejemplo 3.11.
47
Figura 3.26 Direcciones comunes en la celda unitaria HCP
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48
Ejemplo 3.11 Determinación de los Indices
de Miller-Bravais para planos y direcciones
49
Ejemplo 3.11 SOLUCION
Plano A
1. a1 = a2 = a3 = , c = 1
2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (0001)
Plano B
1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (1121)
Dirección C
1. Dos puntos son 0, 0, 1 y 1, 0, 0.
2. 0, 0, 1, -1, 0, 0 = -1, 0, 1
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que
reducir.
4. [1 01] ó [2113]
50
Example 3.11 SOLUCION (Continuación)
Dirección D
1. Dos puntos son 0, 1, 0 y 1, 0, 0.
2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0
3. No fracciones que eliminar ni enteros quereducir
4. [ 1 10] ó [ 1 100]
51
Tabla 3.5 Planos y direcciones compactas
52
Figura 3.27 La
secuencia de
apilamientoABABAB
de planos
compactos produce
la estructura HCP.
53
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54
Sección 3.6 Sitios Intersticiales
55
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56
Ejemplo 3.12 Cálculo de sitios octaédricos
1 1 1 1
,0,0 ,1,0 ,0,1 ,1,1
2 2 2 2
1 1 1 1
0, ,0 1, ,0 1, ,1 0, ,1
2 2 2 2
1 1 1 1
0,0, 1,0, 1,1, 0,1,
2 2 2 2
57
Ejemplo 3.12 Continuación
58
59
Ejemplo 3.13 Diseño de una pared
absorbente de radiación
Se desea producir una pared absorvente de radiación
formada por 10000 esferas de Pb, cada una de 3 cm de
diámetro, en arreglo FCC. Se decide que habra mejor
absorción si se llenan con esferas mas pequeñas los sitios
intersticiales. Diseñe el tamaño de las esferas de Pb mas
pequeñas y determine cuántas se necesitan.
60
Ejemplo 3.13 SOLUCION
Para este diseño, podemos introducir esferas pequeñas de
Pb que quepan exactamente en todos los sitios
intersticiales octaédricos. Primero calculamos el diámetro
de los sitios octaédrico entre las esferas de 3 cm de
diámetro:
Longitud AB = 2R + 2r =4R/ 2
r = 2 2 R-R = (2 2 -1)R
r/R = 0.414
61
Sección 3.7
Estructuras cristalinas de los
materiales iónicos
Se deben tener en cuenta los siguientes factores para
comprender las estructuras cristalinas de los sólidos con
enlaces iónicos:
Radios iónicos
Neutralidad eléctrica
Conexión entre poliedros de anion
Visualización de estructuras cristalinas en
computadoras.
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Learning™
63
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64
Ejemplo 3.14 Relación de radios del KCl
SOLUCION
a. De tablas, rK+ = 0.133 nm y rCl- = 0.181 nm, entonces:
rK+/ rCl- = 0.133/0.181 = 0.735
Como 0.732 < 0.735 < 1.000, El número de coordinación
de cada clase de ion es 8 y la estructura del CsCl es la mas
probable.
65
Ejemplo 3.14 continuación de la SOLUCION
3 3
3
0.725
(0.363)
66
Ejemplo 3.15 Ilustración de una estructura
cristalina y cálculo de su densidad
67
Ejemplo 3.15 SOLUCION
Las masas atómicas son 24.312 y 16 g/mol para el
magnesio y oxígeno respectivamente. Los iones se tocan
a lo largo de la arista del cubo, entonces:
a0 = 2 rMg+2 + 2rO-2 = 2(0.066) + 2(0.132)
= 0.396 nm = 3.96 10-8 cm
68
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69
Ejemplo 3.16 Cálculo de la densidad
teórica del GaAs
70
3.16 SOLUCION (Continuación)
Cada mol de As (6.023 1023 atoms) tiene una masa de
74.9 g.
Entonces en 4 atomos de As se tiene:
(4 * 74.9/6.023 1023) g. Estos átomos ocupan un
volumen de (5.65 10-8)3 cm3.
71
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72
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74
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Figura 3.37 Estructura del corindon de alúmina alfa (α-AI203).
75
Sección 3.8 Estructuras covalentes
76
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Figura 3.38 (a) Tetraedro y (b) Celda unitaria cúbica del
diamante (DC) . Se produce esta estructura abierta por
los requerimientos del enlace covalente.
77
Ejemplo 3.17 Determinación del factor de
empaquetamiento para el silicio cúbico
tipo diamante.
Determine su factor de empaquetamiento.
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Figura 3.39
Determinación de la
relación entre el
parámetro de red y el
radio atómico en una
celda cúbica de
diamante. (para el
ejemplo 3.17).
78
Ejemplo 3.17 SOLUCION
3a 0 8r
4
(8 atoms/cel. )( r 3 )
Factor Enpaquetam iento 3
a03
4
(8)( r 3 )
3
(8r / 3 ) 3
0.34
Comparado con el valor de tablas es el mismo valor.
79
Ejemplo 3.18 Cálculo del radio y la
densidad del silicio
La constante de red del silicio es 5.43 Å . Cual será el radio y
la densidad del silicio?. La masa atómica del silicio es 28.1
gm/mol.
SOLUCION
Tenemos que a = 5.43 Å, remplazando en la ecuación
tenemos que el radio del silicio es R = 1.176 Å .
3a0 8r
Si hay 8 átomos por cada celda unitaria entonces la densidad:
81
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82
Ejemplo 3.19 Cálculo de la cantidad de átomos de
carbono e hidrógeno en el polietileno cristalino.
84
Figura 3.43 Interacciones
(a) Destructiva y
(b)Constructiva entre Rx y
el material cristalino. El
refuerzo, o interacción
constructiva, sucede en
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85
Figura 3.44 Fotografía de un
difractómetro de Rx. (Cortesia
de H&M Analytical Services.)
86
Figura 3.45 (a) Diagrama
de un difractómetro donde
se observan la muestra en
polvo y los haces incidente
y difractado. (b) Figura de
difracción obtenida con una
muestra de polvo en oro.
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87
Ejemplo 3.20 Análisis de la difracción de Rx.
88
Ejemplo 3.20 SOLUCION
89
Ejemplo 3.20 SOLUCION (Continuación)
Para calcular la distancia entre planos se puede usar
cualquiera de los valores de 2θ de los picos y luego el
parámetro de la red.Si escogemos el pico 8:
2θ = 59.42 o θ = 29.71
0.7107
d 400 0.71699 Å
2 sin 2 sin( 29.71)
a 0 d 400 h k l
2 2 2
(0.71699)( 4) 2.868 Å
Este es el parámetro de red del hierro BCC
90
Figura 3.46 Fotografía de un
microscopio electrónico de
transmisión (TEM) usado para el
análisis de la microestructura de
materiales. (Cortesia de JEOL
USA, Inc.)
91
Figura 3.47 Micrografía electrónica de transmisión de
una muestra de aleación de Al. La figura de difracción
de la derecha muestra manchas luminosas grandes que
representan la difracción de los principales granos de la
matriz de aluminio, las manchas más pequeñas se
originan en cristales de nanoescala de otro compuesto
que esta presente en esa aleación. (Cortesía del Dr.
JÖrg M.K. Wiezorek, University of Pittsburgh.)
92
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Figura 3.48 Determine los índices de Miller, para las
direcciones mostradas
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Figura 3.49
Determine los
índices para las
direcciones en la
celda unitaria.
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Figura 3.50 Determine los índices para los planos en la
celda unitaria cúbica.
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Figura 3.51 Determine los índices para los planos de la celda
unitaria cúbica.
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Figura 3.52
Determine los
índices para las
direcciones en la red
hexagonal, usando
el sistema de 3 y 4
dígitos.
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100
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Figura 3.56 Si se usaron Rx longitud de onda de = 0.15418nm
Determine:La estructura cristalina,parámetro, los índices de los
planos que produce cada pico.
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Figura 3.57 Si se usaron Rx de = 0.07107 nm, determine:
Estructura cristalina, los indices de los planos y el parámetro del metal.
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