Materiales 4

UNIDAD 4
MOVIMIENTO ATÓMICO
DIFUSION
Universidad de Atacama – Departamento de Metalurgia

Movimiento de los átomos en los materiales: Difusión
Difusión: mecanismo por el cual la materia se transporta a través de

la materia
Gases
Difusión Líquidos
Sólidos

Difusión en sólidos
El fenómeno de difusión se puede demostrar mediante el par difusor

formado por la unión de dos metales puestos en contacto (Cu-Ni).

Interdifusión. Cuando un material se difunde en otro.
- Se aprecian los cambios de concentración con el tiempo.
- Existe una transferencia neta de átomos de regiones de mayor
concentración a menor

Autodifusión
En los materiales puros, los

átomos se mueven o saltan de
una posición a otra en la red
(se detecta mediante
trazadores radioactivos).
La autodifusión ocurre de
manera continua en todos los
materiales
No se aprecia su efecto sobre

el comportamiento del material

Mecanismos de difusión
Difusión: migración paso a paso de átomos de determinadas

posiciones del reticulado a otras posiciones
 Para que ocurra el movimiento de los átomos son necesarias

dos condiciones:
a) Debe existir un espacio libre adyacente y
b) El átomo debe poseer energía suficiente para romper los
enlaces químicos y causar una distorsión en el reticulado
cristalino

Mecanismos de difusión:
(A) Difusión por vacancia

o por sustitución de
átomos
(B) Difusión intersticial
(C) Difusión intersticial
desajustada
(D) Difusión por
intercambio y anillo.

Energía de activación para la difusión:

Difusión intersticial

Energía de activación para la difusión:
 Un átomo que se difunde debe moverse entre los átomos

circundantes para ocupar su nueva posición.
 El átomo debe atravesar una barrera de energía potencial que

requiere una energía de activación Q. El calor proporciona al átomo la
energía para vencer esta barrera.
 Normalmente se necesita menos energía para forzar un átomo

intersticial a que pase entre los átomos circundantes; en
consecuencia, la energía de activación es menor en la difusión
intersticial que en la difusión por vacancias

La energía de activación y el mecanismo de difusión:
La energía de activación es usualmente menor en átomos que

difunden a través de estructuras cristalinas abiertas, en
comparación con átomos que difunden en estructuras
cristalinas compactas.
La energía de activación es menor para la difusión de átomos

en los materiales que tienen bajas temperaturas de fusión
La energía de activación es menor para átomos sustitucionales

pequeños comparados con átomos de mayor tamaño.

Difusión en estado estacionario

Ecuación de flujo (Primera ley de Fick)
La velocidad a la cual los átomos se difunden en un material se mide

por la densidad de flujo (J), la cual se define como el número de
átomos que pasa a través de un plano de área unitaria por unidad de
tiempo.

Empíricamente se ha encontrado que D varía exponencialmente con
la temperatura
Q
D  D 0 exp
RT
Donde:
Q : energía de activación (cal/mol)
R : constante del gas ideal (1.987 cal/mol • K)
T : temperatura absoluta (K).
Do : constante para un sistema de difusión dado.

Tipo de mecanismo de difusión; intersticial (C en
Fe) o sustitucional (Cu el Al)
Temperatura
D
Estructura cristalina del disolvente; C en Fe BCC
o FCC (factor de empaquetamiento 0,68 o 0,74)
Tipo de defectos cristalinos (bordes de grano,

vacancias)
Concentración de las especies que difunden

Coeficiente de
difusión D en
función de la inversa
de la temperatura
de diversos metales

Ejercicio: La purificación del gas hidrógeno se realiza por difusión a través de
una lamina de paladio. Calcular el número de kilogramos de hidrógeno que
pasa en una hora a través de una lamina de 0,25 m2 de área y 6 mm de
espesor a 600 ºC. Suponer un coeficiente de difusión de 1,7 x 10-8 m2/s, que
las concentraciones de hidrógeno son de 2,0 y 0,4 kg de hidrógeno por metro
cúbico de paladio y que se ha alcanzado el estado estacionario.

Difusión en estado no estacionario
En muchos fenómenos estudiados, la difusión ocurre en régimen transitorio.

En este caso, tanto el flujo como la concentración varían con el tiempo
2ª ley de Fick
Aplicaciones industriales de los procesos de difusión

Los gráficos muestran gradientes de C
en barras de acero 1022 carburizados
a 918 ºC en un gas con 20% de CO

En los procesos donde se cumple que:
 El contenido de carbono en la superficie del acero sea constante
 El coeficiente de difusión para una temperatura dada no varíe con la
concentración
 El contenido de carbono de la placa antes del proceso sea
homogénea
CS : concentración superficial del elemento
del gas que difunde en la superficie
La solución será:
Co : concentración inicial uniforme del
Cs  Cx, t   x  elemento en el sólido

 erf   Cx : concentración del elemento a la
Cs  Co 2 Dt 
  distancia x de la superficie en el tiempo t
x : distancia desde la superficie
D : coeficiente de difusión
t : tiempo

Difusión en defectos cristalinos
A través de vacancias o intersticios
Dislocaciones
Difusión
Bordes de grano
Superficies libres
• El movimiento de átomos por los defectos cristalinos es mucho

más rápida que por el volumen
• En algunos casos, la contribución del flujo de átomos a través de
los defectos cristalinos es insignificante (la sección transversal de
las áreas es muy pequeña comparada con el interior del material)

Difusión en borde de grano
Ocurre a una velocidad mayor que la difusión a través del volumen
Como la difusividad a lo largo del borde de grano es mucho mayor que en

volumen, el difundente penetra mucho más profundamente por el borde que
por cualquier otra región. Se genera entonces un gradiente de concentración
en la dirección perpendicular al borde por lo que el material comienza a
filtrarse hacia el interior de los cristales adyacentes.

Difusión y el procesamiento de los materiales:
Los procesos a base de difusión son muy importantes cuando

se utilizan o procesan materiales a temperaturas elevadas.
• Crecimiento de grano
• Soldadura por difusión
• Sinterización

Crecimiento de grano
El crecimiento de grano ocurrirá cuando los átomos se

difundan a través del borde de grano de un grano a otro

Soldadura por difusión: método para unir materiales
Pasos en la soldadura por difusión (a) unión del material a soldar (b)
aplicación de presión para deformar la superficie (c) difusión en
bordes de grano (d) la eliminación de huecos requiere difusión
volumétrica.

Sinterización: es un tratamiento a alta temperatura, que hace que
pequeñas partículas se unan y se reduzca el volumen del espacio de los
poros entre ellas (componentes cerámicos, metalurgia de polvos,
materiales compuestos)
Los átomos difunden

hacia los puntos de
contacto, creando
puentes y reduciendo
el tamaño de los
poros.

Ejercicios:
1) Una forma de fabricar transistores, dispositivos que amplifican las

señales eléctricas, es la de difundir átomos como impurezas en un
material semiconductor como el silicio. Supóngase una oblea de silicio de
0,1 cm. de espesor, que contienen originalmente un átomo de fósforo por
cada 10.000.000 de átomos de Si, es tratada de manera de aumentar a
400 átomos de P por cada 10.000.000 de átomos de Si en la superficie.
Calcular el gradiente de concentración
a) En porcentaje atómico por centímetro
b) En átomos/cm3 - cm
El parámetro de red del silicio es 5.4307 Aº y su estructura es cúbica de

diamante con 8 átomos equivalentes.

Ejercicio
a) Determinar el tiempo necesario para alcanzar una concentración de

0,3% de carbono a 4 mm de la superficie de una aleación hierro-
carbono que inicialmente contenía 0,1% C. La concentración en la
superficie se mantiene a 0,9 %C y la probeta se calienta a 1000 ºC
b) El nitrógeno difunde en hierro puro a 675 ºC. Si la concentración

superficial se mantiene a 0,2% N en peso ¿cuál será la concentración
a 2 mm de la superficie después de 25 h?
c) Los coeficientes de difusión del cobre en el aluminio a 500 y a 600 ºC

son 4,8 x 10-14 y 5,3 x 10-13 m2/s, respectivamente. Determinar el
tiempo aproximado necesario para conseguir, a 500 ºC, la misma
difusión del Cu en Al en un punto determinado, que un tratamiento de
10 h a 600 ºC

2) La superficie de un acero con 0,1% de C va a ser endurecida por
carburización. En la carburización el acero se coloca en una atmósfera
que proporciona un máximo de 1,2% de C a la superficie del acero a
temperatura elevada. Entonces el carbono se difunde en la superficie del
acero. Para obtener propiedades optimas, el acero debe contener 0,45%
de C a una profundidad de 0,2 cm. por debajo de la superficie ¿Cuánto
tiempo llevará la carburización si el coeficiente de difusión es de 2*10-7
cm2/s?
3) Se encuentra que se necesitan 10 h para provocar que el carbono se

difunda 0,1 cm desde la superficie de un engrane de acero a 800ºC.
¿Cuánto tiempo se necesita para lograr la misma penetración del
carbono a 900ºC? La energía de activación para la difusión de átomos
de carbono en el hierro FCC es de 32900 cal/mol.

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Difusión: mecanismo por el cual la materia se transporta a través de

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El fenómeno de difusión se puede demostrar mediante el par difusor

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En los materiales puros, los

No se aprecia su efecto sobre

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(A) Difusión por vacancia

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 Un átomo que se difunde debe moverse entre los átomos

 El átomo debe atravesar una barrera de energía potencial que

 Normalmente se necesita menos energía para forzar un átomo

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La energía de activación es usualmente menor en átomos que

La energía de activación es menor para la difusión de átomos

La energía de activación es menor para átomos sustitucionales

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La velocidad a la cual los átomos se difunden en un material se mide

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Tipo de defectos cristalinos (bordes de grano,

Concentración de las especies que difunden

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En muchos fenómenos estudiados, la difusión ocurre en régimen transitorio.

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Cs  Cx, t   x  elemento en el sólido

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A través de vacancias o intersticios

• El movimiento de átomos por los defectos cristalinos es mucho

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Ocurre a una velocidad mayor que la difusión a través del volumen

Como la difusividad a lo largo del borde de grano es mucho mayor que en

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Los procesos a base de difusión son muy importantes cuando

• Soldadura por difusión

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El crecimiento de grano ocurrirá cuando los átomos se

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Los átomos difunden

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1) Una forma de fabricar transistores, dispositivos que amplifican las

a) En porcentaje atómico por centímetro

El parámetro de red del silicio es 5.4307 Aº y su estructura es cúbica de

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a) Determinar el tiempo necesario para alcanzar una concentración de

b) El nitrógeno difunde en hierro puro a 675 ºC. Si la concentración