Jonction Verticale 2

UNIVERSITÉ CHEIKH ANTA DIOP DE DAKAR
*************************
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
***************
DÉPARTEMENT DE CHIMIE
*************
MÉMOIRE DE DIPLOME D’ETUDES APPROFONDIES (DEA)
EN CHIMIE PHYSIQUE APPLQUEE A L’ENERGIE

Présenté par
Monsieur Allé DIOUM
Sujet :
« ETUDE du REGIME TRANSITOIRE OBTENU PAR VARIATION DU POINT

DE FONCTIONNEMENT D’UNE PHOTOPILE POLYCRISTALLINE A
JONCTION VERTICALE SOUS ECLAIREMENT MULTISPECTRAL
CONSTANT
Soutenu publiquement le 30 Novembre 2005 devant la commission d’examen
Jury :
Président : BEYE Aboubaker.s Professeur titulaire FST/UCAD

Examinateurs : ADJ Mamadou Maître de ESP/UCAD
conférences
NDIAYE Serigne.A Professeur titulaire FST/UCAD
BA Bassirou Maître de FST/UCAD
conférences
SISSOKO Grégoire Professeur titulaire FST/UCAD
Titre
REGIME TRANSITOIRE OBTENU PAR

VARIATION DU POINT DE FONCTIONNEMENT
D’UNE PHOTOPILE A JONCTION VERTICALE
AU SILICIUM POLYCRISTALLIN EN 3 D
SOUS ECLAIREMENT
MULTISPECTRAL
CONSTANT
1
Mémoire de DEA présenté par Allé DIOUM - LSCES/ FST-UCAD (Sénégal)
Dédicaces
DEDICACES
Ce travail est dédié :
 A Feu Aboubakar GUEYE :

Mon cher cousin et ami, dont le souvenir vivace est pour toujours gravé dans nos cœurs, je
te fais cette dédicace en priant que tu la reçoives au paradis.
En nous quittant, à la fleur de l’âge, où tous les rêves nous étaient permis, tu as laissé en
nous beaucoup de douleur, mais aussi beaucoup de motifs de nous surpasser afin de
mériter du modèle que tu as toujours été pour nous, tes congénères de la Famille et de nos
écoles respectives.
 A Feu Alassane DIALLO, notre frère et ami qui nous a quitté subitement, au début de
la même année de son affectation à Kaffrine en 2005 comme professeur de Sciences
Physiques. Saches mon frère que tu seras toujours parmi nous. Que le bon Dieu t’accueille
dans son paradis, espérant que ce mémoire te parvienne.
 A mon Père Elhaj Ndiaga DIOUM et ma Mère Aminata GUEYE qui m’ont beaucoup
soutenu. Vous êtes des parents exemplaires parce que, compréhensifs, tolérants,
disponibles et patients et vous avez le sen de l’écoute.
 A ma femme Aissatou GUEYE et sa mère Dié Aissatou DIONGUE, qui m’ont
toujours fait confiance en me supportant dans toutes les épreuves de la vie.
 A mon Oncle Monsieur Moustapha GUEYE et sa famille à la sicap liberté 1, qui
m’ont accueilli dans leur maison pendant toutes ces années d’études supérieures. Ce
travail vous revient mon oncle ainsi que toute ta famille.
 A mon grand frère Monsieur Ousmane SALL et sa femme Fatou MBEGUERE pour
leur soutient. Je ne saurais vous remercier pour tout ce que vous avez fait pour moi. Je
vous suis très reconnaissant.
 A mes frères et sœurs Kassé DIOUM, Nahass DIOUM, Ndongo DIOUM, Mahanta
DIOUM,Tapha DIOUM Gora DIOUM, Mbargou Dioum, Bineta DIOUM, Ndèye Awa
DIOUM, Maimouna DIOUM, Malick SECK, Pathé SECK, Modou DIOUM je vous
porte tous dans mon cœur.
 A Madame Bousso TALL et toute la famille TALL à Ouakam.
 A Mes oncles Abdourahmane SECK, Moustapha Soda GUEYE, Momar DIAGNE et
leur famille. Merci pour tous les conseils et le soutient que vous m’avez apporté.
 A mon père Bara DIOUM et toute sa famille à Louga
 A mon oncle Fallou GUEYE, sa femme Adji GUEYE ainsi que leurs enfants Pathé,
Marième, et Ndèye Baty.
 A ma tante Ngane GUEYE et famille au cap des biches.
 A tous mes amis Moussa Guèye, Mor SALL, Massamba SALL, Babacar NDIAYE,
Cheikh NDAO, René NDIAYE, Bitty SALL, Diariétou GUEYE, Amsatou DIAO, Mbaye
THIAM, Mama DIOL, Papa Ibra FALL, Amar saloum FALL, Awa BOUSSO, Ndiolé
NGOM et tout le groupe GNP.
 A Monsieur Mamadou IBRDIACK à la SENELEC.
 A mes camarades de l’A.E.A de Chimie Physique de la promotion 2005.
 A tous les membres de la DAHRA MADJIMOUA NOREYNI de l’UCAD.
 Mention spéciale à Serigne Khadim GAYDEL LO ainsi que toute sa famille à Thiès.
Ainsi que toutes les personnes qui ont cru à moi, je vous dis merci.
A tous ce qui ont cru en moi, je dis Merci ! Dieure dieuf Serigne TOUBA
Cheikh Saliou MBACKE Ak
Serigne Khadim Gaydel LO
Yalla na gnoufi yag té wer !
2
Remerciements
REMERCIEMENTS
Je remercie tout d’abord le bon DIEU ALLAH SOUHANAHOU WATALAH qui m’a donné
la force et le courage de surmonter toutes les difficultés pour venir à bout de ce travail, son
serviteur, notre référence pour toujours CHEIKH AHMADOU BAMBA KHADIMOU
RASSOUL.
Un très grand remerciement est réservé à :
Monsieur Momar Marième DIENG, Professeur de classe exceptionnelle à la Faculté des

Sciences et Techniques de l’université Cheikh Anta Diop de Dakar, à qui je réserve mes
remerciements les plus sincères Merci de m’avoir m’inscrire dans votre A.E.A de Chimie
Physique appliquée à l’énergie. Je ne cesserai de vous remercier car j’ai beaucoup appris en
vous, rigueur et persévérance, ce qui m’a permis d’éviter certaines de vos rafales. Merci
beaucoup encore une fois Monsieur le professeur, Que le bon Dieu vous bénisse en
t’accordant une santé de fer!
Monsieur Mansour KANE, Professeur titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques de

l’université Cheikh Anta Diop de Dakar, qui a bien voulu m’accepter dans son laboratoire qui
a fait le bonheur de plusieurs étudiants et étudiantes.Un très grand merci vous est réservé
Monsieur le Professeur. Que le bon Dieu vous accorde une longue vie et santé de fer !
Monsieur Aboubaker Sadikh BEYE, Professeur titulaire à la Faculté des Sciences et

Techniques de l’université Cheikh Anta Diop de Dakar qui a bien voulu présider la
soutenance de ce mémoire, c’est déjà tout. A un moment donné, j’ai failli abandonner les
études universitaires depuis la 2ème année. C’est vous qui m’avez apporté votre soutient dans
une situation très difficile d’angoisse et d’inquiétude en agissant comme un frère. Sachez
Monsieur le professeur que je n’ai pas attendu ce moment pour vous remercier, vous avez ma
très grande considération. Merci encore une fois Professeur, Que le bon DIEU vous accorde
longue vie pleine bonheur, de bonne santé et de paix dans ta famille. (Yala moy fay)
Monsieur Mamadou ADJ, Maître de conférences à l’Ecole Polytechnique de Dakar, Je suis

vraiment ravi de vous compter par les membres de mon jury. C’est une occasion pour moi de
vous remercier pour tout ce que vous faites pour les étudiants en particuliers ceux du
laboratoire d’énergie solaire de l’université Cheikh Anta Diop. Recevez mes remerciements
les plus profonds.
Monsieur Serigne Amadou NDIAYE, Professeur Titulaire Professeur titulaire à la Faculté

des Sciences et Techniques de l’université Cheikh Anta Diop de Dakar, je profite de cette
occasion pour vous présenter mes sentiments de gratitude les plus sincères. Je crois que, vous
remercier serait vraiment pour moi une perte de temps pour moi, car je ne saurai le faire assez.
Votre disponibilité, votre sens de l’écoute ainsi que générosité font de vous une personne
exemplaire. Merci pour tout Professeur ; Que Khadim Rassoul vous accorde sa grâce !
Monsieur Bassirou BA, Maître de conférences à la Faculté des Sciences et Techniques de

l’université Cheikh Anta Diop de Dakar, je vous remercie très sincèrement d’avoir bien voulu
participer à ce jury. Si aujourd’hui nous avons eu le courage de nous lancer dans la recherche,
c’est grâce à des personnes comme vous qui nous servent de référence. Merci encore une fois
Monsieur BA.
3
Remerciements
Monsieur Grégoire SISSOKO, Professeur titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques

de l’université Cheikh Anta Diop de Dakar, dans une famille on ne peut pas remercier le Père
qui vous a élevé. Ce qu’on peut faire c’est juste de prier le bon DIEU pour qu’il vous accorde
longue vie, santé de fer….
Je réserve des remerciements aussi à tous les camarades du laboratoire en particulier au

Docteur Fabé Idrisse BARRO, Docteur Seghane MBOJI, Docteur Amadou DIAO,
Docteur NZONZOLO, Baba FLEUR, Moustapha DEME pour ne citer que ceux-là.
4
Sommaire
SOMMAIRE
NOMENCLATURE__________________________________________________________6
LISTE DES FIGURES________________________________________________________8
INTRODUCTION GENERALE_________________________________________________9
CHAPITRE I : ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE____________________________________11
I-1 Introduction ___________________________________________________________ 12
I-2 Techniques de caractérisation d’une photopile au silicium polycristallin____________12
I-3 Techniques de modélisation d’une photopile en trois dimensions__________________ 12
I-3-1 Hypothèses de départ _______________________________________________14
I-3-2La densité de porteurs de charge minoritaires ____________________________15
I-3-3 Les conditions aux limites_____________________________________________15
I-3-4 les équations transcendantes__________________________________________16
I-3-5 Les conditions de court circuit_________________________________________16
I-3-6 L’expression des Z kj (z)_______________________________________________16
I-3-7 Conclusion ________________________________________________________17
I-4 Techniques de détermination des paramètres phénoménologiques d’une photopile en
régime dynamique transitoire_________________________________________________17
I-4-1 La densité de l’excès de porteurs de charge minoritaires_____________________17
I-4-2 Les conditions aux limites_____________________________________________18
I-4-3 La phototension _____________________________________________________18
I-4-4 Conclusion________________________________________________________19
CHAPITRE II : REGIME TRANSITOIRE _______________________________________21
II-1 Introduction______________________________________________________22
II-2-Dispositif expérimentale et principe de fonctionnement____________________22
II-2-1Dispositif expérimental______________________________________22
II-1-2 Principe de fonctionnement __________________________________23
II-3-Etude de la densité de porteurs minoritaires en excès dans la base de la
photopile ___________________________________________________________23
II-3-1-Equation de continuité_____________________________________ 24
II-3-2 Résolution de l’équation de continuité en régime statique __________25
II-3-2-2 La densité de l’excès de porteurs minoritaires de charge en régime
statique_______________________________________________________26
II-3-3Résolution de l’équation de continuité _________________________ 26
II-3-3-1 Résolution de la partie spatiale _______________________28
II-3-3-1-1Détermination des équations transcendantes _____28
II-3-3-1-2 Détermination des coefficients A kjm et B kjm
_______32
II-3-3-2 Résolution de la fonction temporelle ___________________32
II-3-3-2-1- Calcul de l’expression des T kjm (0) ____________33
II-3-3-2-2- Calcul de l’expression de la densité___________34
II-4 Etude de la phototension de la photopile _______________________________36
II-5 Conclusion ______________________________________________________37
Conclusion Générale________________________________________________________39
ANNEXES MATHEMATIQUES_______________________________________________ 40
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES_________________________________________ 53
5
Nomenclature
NOMENCLATURE
Symbole
X Abscisse dans le grain à la profondeur z en cm
Y Ordonnée dans le grain à la profondeur z en cm
Z Profondeur dans la base en cm
δ kjm (x, y, z , t ) Densité des porteurs minoritaires en excès dans la base de la photopile en cm-3
Gi ( z ) Taux de génération des porteurs de charge en cm3.s
ai , bi Coefficients dans l’expression du taux de génération respectivement en
atomes/cm3 et cm-1
D Coefficient de diffusion des porteurs de charge dans la base de la photopile en
cm2/s
x 0 ,y 0 ,z 0 Les dimensions du grain en cm
L Longueur de diffusion des porteurs minoritaires de charge dans la base de
la photopile en cm
K kj Constante dans l’expression de la densité des porteurs minoritaires de charge
SF Vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires à la jonction en cm/s
SH Vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires à la surface incidente en
cm/s
SB Vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires à la face arrière par rapport à
l’éclairement en cm/s
Sb Vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires à la face arrière en cm/s
Sg Vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires aux joints de grain (sur les
faces latérales) en cm/s
NB Taux de dopage de la base en atomes d’impureté en atomes/cm-3
ni Concentration intrinsèque des porteurs dans la base en atomes/cm-3
kB Constante de Boltzmann en J/ ºK
T Température en K (kelvin)
Fa , Fb Points de fonctionnement de la photopile
T Variable temporelle en seconde (s)
x,y,z Variables spatiales en cm
Ra , Rb Résistances variables en Ω
nkjm ( x, y, z , t ) Densité des porteurs de charge à l’instant t et à la position (x,y,z) dans la base
nkj ( x, y, z ) Densité des porteurs de charge à l’état final stationnaire et à la position (x,y,z)
dans la base
δ kjm (x, y, z , t ) Excès de porteurs de charge minoritaires par rapport à l’état final à l’instant t
τ kjm Durée de vie des porteurs minoritaires de charge dans la base de la photopile en
seconde (s)
Fkjm ( x, y, z ) Fonction spatiale de la densité de porteurs de δα (x, y, z , t )
Z kjm ( z ) Fonction suivant la profondeur z dans la base en régime transitoire
Z kj ( z ) Fonction suivant la profondeur z dans la base en régime stationnaire
Tkjm (t ) Fonction temporelle de la densité de porteurs de charge δα (x, y, z , t )
K Constante réelle
ωm Solution de l’équation transcendante (valeur propre)
ck , c j Valeurs propres des fonctions cos(c k x) et cos(c j y) de Fkjm ( x, y, z ) données par les
équations transcendantes en cm-1
6
Nomenclature
Akjm , Bkjm Coefficients des fonctions Z kjm ( z )
Akj , Bkj Coefficients des fonctions Z kj ( z )

γ kjm Rapport des constantes A kjm sur B kjm en régime transitoire
γ kj Rapport des constantes A kj sur B kj en régime statique
akjm , bkjm Regroupement de termes dans les expressions de A kjm et B kjm
akj , bkj Regroupement de termes dans les expressions de A kj et B kj
τ Constante de temps de décroissance en seconde (s)
I jkm , J jkm Termes dans l’expression de Tkjm (0 )
,K kjm , Q kjm ,
Mk , Nj
V kjm (t) Tension transitoire à l’instant t en volts (v)
VT Tension thermique en J/C
7
Liste des figures
LISTE DES FIGURES

Figure 1: Photopile à jonction verticale au silicium polycristallin_____________________10
Figure I-1: Une tranche quadratique de silicium polycristallin________________________12
Figure I-2: Modèle colonnaire de silicium polycristallin de forme cylindrique___________13
Figure I-3: Schéma d'un grain colonnaire en 3D d'une photopile au silicium polycristallin__15
Figure I-4: Caractéristique courant-tension d'une photopile__________________________17
Figure II-1: Dispositif expérimental____________________________________________22
Figure II-2: Signal carré fourni par le générateur__________________________________23
Figure II-3: Caractéristique I-V de la photopile___________________________________23
Figure II-4: Grain isolé de la photopile à jonction verticale au silicium polycristallin______24
Figure II-4 : Résolution graphique de l'équation transcendante_______________________29
Figure II-5 : Résolution graphique de l'équation transcendant________________________30
Figure II-6 : Détermination des valeurs propre____________________________________31
Figure II-7 : Densité des porteurs en excès en fonction du temps______________________34
Figure II-8 : Densité de porteurs charge minoritaires en fonction du plan (x,y)___________35
Figure II-9 : Densité de porteurs charge minoritaires en fonction de z et de x____________36
8
Introduction Générale
INTRODUCTION GENERALE
Au moment où nos pays sous développés et même en voies de développement souffrent

énormément d’un manque criard en énergies (renouvelables et durables), des études
intéressantes se font sentir de plus en plus dans la filière photovoltaïque de l’énergie solaire.
L’énergie solaire est un type d’énergie lumineuse qui représente une immense réserve
disponible. Elle constitue la plus importante parmi diverses ressources énergétiques
appliquées. La terre reçoit annuellement une énergie d’environ cinq mille quatre cent quanta
(5400 Q avec 1Q=1021 J).
Actuellement, les réserves terrestres d’énergie fossiles (charbon, gaz naturel, pétrole…) sont
estimées à moins de vingt quanta (20 Q) soit environ deux semaines d’énergie solaire [1].
L’utilisation de l’énergie solaire requiert d’un système de stockage d’énergie et des receveurs
ou collecteurs de grandes surfaces. C’est dans ce sens que les cellules photovoltaïques ont été
confectionnées.
Dans le but d’améliorer ce système de stockage, d’importantes études sont menées dans le
cadre de l’énergie solaire malgré les coûts élevés de fabrication des cellules solaires connues
sous le nom de photopiles. Ces études consistent à optimiser les rendements de conversion et
à améliorer les procédés de fabrication en vue d’amoindrir les coûts de production.
En réalité, une cellule photovoltaïque ou photopile est une structure qui assure la
transformation directe de l’énergie solaire en énergie électrique.
Il s’agit en fait d’une diode à grande surface constituée de semiconducteurs dont le matériau
de base est dans la plupart du temps le silicium qui représente environ 28% de l’écorce
terrestre. Pour obtenir la photopile, un ensemble de processus chimiques et mécaniques est
appliqué au substrat (plaquette obtenue par tirage Czochralsk [2]). Ces processus chimiques et
mécaniques consistent d’abord à une élimination des restes de coupe subit par les plaquettes
de silicium qui sont ensuite dopées dans une four par diffusion avec des atomes étrangers
pentavalents comme le phosphore en vue d’obtenir une jonction p-n. Cependant, tous ces
traitements subis par le matériau n’ont aucun effet sur le rendement de la photopile.
Le silicium se présente sous différentes formes telles que : monocristalline, polycristalline et
amorphe. Mais notre étude se limitera à la forme polycristalline.
Les photopiles au silicium polycristallin sont utilisées dans un large domaine d’applications.
C’est pourquoi des techniques de caractérisation se définissant selon la nature de l’excitation
et la détection de la réponse des photopiles, ont été menées par plusieurs auteurs. On distingue
ainsi deux grandes techniques de caractérisation:
 Techniques de caractérisation en régime statique
 Techniques de caractérisation en régime dynamique
Ces techniques de caractérisation en régimes stationnaire et transitoire nous permettent de
trouver un ensemble de paramètres parmi lesquels on peut citer le coefficient de diffusion D
(lié au phénomène de dopage), la longueur de diffusion L des porteurs de charge (la distance
moyenne parcourue par les porteurs de charges avant de subir un phénomène de
recombinaison ), les vitesses de recombinaison à la jonction (S F ), à la surface incidente (S H ),
aux joints de grains(S b ,S g ) et la durée de vie τ.
9
Introduction Générale
La figure (1) ci-dessous représente le modèle colonnaire de la photopile à jonction verticale à

laquelle nous nous intéressons.
Figure 1: Photopile à jonction verticale au silicium polycristallin
Ainsi dans la suite de notre travail nous allons consacrer au :
-Premier chapitre à l’étude bibliographique
-Second chapitre à l’étude du régime transitoire de la photopile à jonction verticale au

silicium polycristallin sous éclairement multispectral contant.
10
Chapitre I : Etude Bibliographique
CHAPITRE I
ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE
11
I-1 Introduction :
Dans ce chapitre, nous allons passer en revu quelques techniques qui ont été utilisées pour une
modélisation de photopiles monofaciale et bifaciale au silicium polycristallin à deux ou trois
dimensions en régime dynamique transitoire. Cette étude sera faite suivant trois points
essentiels :
 Techniques de caractérisation d’une photopile au silicium polycristallin
 Techniques de modélisation d’une photopile à trois dimensions
 Techniques de détermination des paramètres phénoménologiques d’une photopile en
régime dynamique transitoire.
I-2 Techniques de caractérisation d’une photopile au silicium polycristallin

Le silicium polycristallin est obtenu après un refroidissement très lent d’une grande masse de
silicium à l’état pur en fusion. A la température de fusion environ 1450°C, le silicium est dopé
comme dans les sémiconducteurs par des atomes étrangers pentavalents tels que le
phosphore(par exemple PH 3 à l’état gazeux) par diffusion dans un four à diffusion. Après
recristallisation, on observe des dislocations liées au dopage, donnent naissance aux joints de
grain [7].
Au niveau des joints de grain se passent des phénomènes de recombinaison qui influent sur
les porteurs de charges photogénérés et sur rendement de la photopile.
Ainsi des tranches quadratiques de 200 à 450 micromètres d’épaisseur sont constituées pour la
fabrication des photopiles polycristallines.
Figure I-1: Une tranche quadratique de silicium polycristallin
C’est à partir de ces tranches de silicium polycristallin que les photopiles à jonction
horizontale et verticale ont été conçues, faisant l’objet de plusieurs études de modélisation à
deux et trois dimensions.
12
I-3 Techniques de modélisation d’une photopile en trois dimensions.

Quasi Three-Dimensional Simulation for Thin Film Polycrystalline Silicon
Solar Cells [9]
Dans cet article les auteurs ont proposé une méthode de modélisation d’une photopile au
silicium polycristallin en 3D qu’ils intitulent « quasi three-dimensional simulation ».
Ils assimilent leur modèle colonnaire à un grain de forme cylindrique auquel, ils lient un
système de coordonnées cylindriques (coordonnées polaires prises à la base).
Figure I-2: Modèle colonnaire de silicium polycristallin de forme cylindrique

L’objectif visé est d’optimiser le rendement de la photopile au silicium polycristallin. Par ce
modèle, ils parviennent à expliquer les effets de certains paramètres phénoménologiques de la
photopile en particulier, les vitesses de recombinaison aux joints de grain, (sur la face latérale
du grain cylindrique), S pg et aux surfaces S ps ; la longueur de diffusion des porteurs
minoritaires L n, pour citer que celles-là.
Tableau 1 : Quelques valeurs des paramètres trouvés
Paramètres Valeur
Vitesse de recombinaison sur les surfaces : Sps 103 cm/s
Vitesse de recombinaison aux joints de grain: Spg 102 ~ 105 cm/s
Longueur de diffusion des porteurs de charge minoritaire: Ln 5 ~ 500 µm
Taille de grain 10 µm
Epaisseur: d 5, 10, 20 µm
13
Puisque le système de coordonnées polaires est appliqué à la base de la photopile, une seule
condition aux joints de grain est obtenue car la vitesse de recombinaison à ce niveau est
indépendante de l’angle polaire, d’où la prise compte du rayon vecteur et de la profondeur
suivant l’axe de révolution du cylindre.
La photopile de type (n+ p p+) est éclairée sur la face avant revêtue d’une couche
antiréfléchissante et perpendiculairement à la jonction qui est parallèle aux deux faces
avant et arrière.
Une analyse détaillée sur les effets de la vitesse de recombinaison aux joints de grain (S pg ) et
de la longueur de diffusion (L) des porteurs minoritaires a été faite par les auteurs.
Les résultats obtenus ont montré :
 Une relation entre les effets électriques de la photopile et la vitesse de
recombinaison aux joints de grain ;
 La densité de courant de court circuit, la phototension en circuit ouvert ainsi
qu’une diminution du rendement de la photopile sont obtenues pour une valeur de
S pg >103 cm/s.
3D modelling of a reverse cell made with improved multicrystalline silicon

wafers [10]
Dans cet article l’auteur présente un modèle de photopile qui est différent du modèle
classique. Il assimile son modèle à un grain parallélépipédique au silicium multicrystallin
auquel il affecte un système de coordonnées cartésiennes à trois dimensions.
Son objectif était de déterminer l’influence de certains paramètres tels que : l’épaisseur de la
base, la taille de grain, la longueur de diffusion des porteurs de charges minoritaires, les
vitesses de recombinaisons aux faces avant et arrière de la photopile et aux joints de grain sur
les propriétés photovoltaïques.
Une étude comparative des résultats obtenus pour des photopiles conventionnelle et non
conventionnelle au silicium monocrystallin a été faite.
14
I-3-1 Hypothèses de départ :

L’auteur pose les hypothèses suivantes :
♦ Les grains sont de formes parallélépipédiques et ont des propriétés électriques
telles que : leur niveau de dopage, la mobilité des porteurs minoritaires, leur durée de vie et
leur longueur de diffusion sont homogènes.
♦ Les joints de grains sont perpendiculaires à la jonction, la vitesse de
recombinaison S gb aux joints de grain est constante et indépendante du mode d’éclairement
(les conditions aux limites des équations de continuité sont linéaires).
♦ Dans l’émetteur surdopé, les recombinaisons aux joints de grain sont négligées
ainsi que dans la zone de charge d’espace. les contributions en photocourant dans ces deux
régions seront déterminées par le modèle classique unidimensionnel.
♦ Les résistances de contact sur le matériel de base sont négligées et la
résistance en série est prise en compte.
♦ L’amélioration des plaquettes de silicium a été faite par hydrogénation.
♦ La face avant est couverte d’une couche antiréfléchissante et les réflexions
internes sur les faces avant et arrière sont négligées.
♦ L’épaisseur et le niveau de dopage dans l’émetteur sont respectivement 0,2 µm
et 5×1019 cm-3 et pour le niveau de dopage de la base de 5×1015 cm-3.
Figure I-3: Schéma d'un grain colonnaire en 3D d'une photopile au silicium

polycristallin
15
I-3-2 La densité de porteurs de charge minoritaires :

L’équation de continuité en trois dimensions de la distribution de l’excès de porteurs de
charge lorsque la base est éclairée est :
 ∂ 2 ∆n ∂ 2 ∆n ∂ 2 ∆n  ∆n
Dn  2 + + 2 
= α (λ ) Fph (λ ) exp(− αz ) +
 ∂x ∂y 2
∂z  τ (I-1)
La solution générale d’une telle équation est prise sous la forme :

∆n(x, y, z ) = ∑∑ Z kj ( z )cos(ck x )cos(c j y )
k j
(I-2)
Les coefficients c k et c j sont les valeurs propres obtenues grâce aux conditions limites sur les
gx g
joints de grain pour x = ± et y = ± y .
2 2
I-3-3 Les conditions aux limites

 ∂∆n   gx 
2 Dn   =  S ∆n ± , y, z 
 ∂x  x = ± g x / 2
gb
 2  (I-3)
 ∂∆n   g 
2 Dn   =  S gb ∆n x,± y , z 
 ∂y  y = ± g y / 2  2  (I-4)
Ces relations se traduisent par les équations suivantes.
I-3-4 les équations transcendantes

c g  S
ck tan k x  = gb
 2  2 Dn
(I-5)
c g  S
c j tan j y  = gb
 2  2 Dn (I-6)
I-3-5 Les conditions de court circuit

Les conditions de court circuit sont données par les conditions aux limites à la face avant
(z=0) et à l’extrémité de la zone de charge d’espace (z=w b ) avec une vitesse de recombinaison
S F à la face avant définie par :
 ∂∆n  SF
 ∂z  = 2 D
z =0 n (I-7)
16
∆n(x, y, wb ) = 0 Cela signifie une absence de stockage de charge à la jonction.
I-3-6 L’expression des Z kj (z)

Les fonctions cos (c k x) et cos (c j y) sont des fonctions orthogonales.
Les Z kj (z) qui figurent dans l’expression de ∆n peuvent s’exprimer comme suit :
  z   z  
Z kj = Akj akj cosh  + bkj sinh   − exp(− α z )
 L  L   (I-8)
 kj   kj 
Avec :
c g  c g 
sin  k x  sin  j y 
L 16α (λ )Fph (λ )
2
 2   2  (I-9)
Akj = 2 × kj
×
α L −1 2
kjDn [ ]
[ck g x + sin (ck g x )] c j g y + sin (c j g y )
 S L  w 
 α Lkj + F kj  sinh  b  + exp(− α wb )
 
 Dn   Lkj 
akj =
w  S L w  (I-10)
cosh b  + F kj sinh  b 
L  Dn  
 kj   Lkj 
bkj =
S F Lkj
(a kj − 1) − α Lkj
Dn (I-11)
(
Lkj = L−n 2 + ck2 + c 2j )−1 / 2 (I-12)
I-3-7 Conclusion :
L’auteur tire de cette étude les conclusions suivantes sur :
i. La structure de la photopile : la base doit être assez fine avec une valeur inférieure à
100µm et la face avant doit avoir une faible passivité. La recombinaison à la face
arrière n’est pas importante.
ii. La nature polycristalline du matériau : les dimensions du grain doivent être
supérieures à 200µm. La vitesse recombinaison aux joints de grain n’est pas aussi
importante que celle de la face arrière.
iii. L’ensemble de la nature et la structure du matériau : la longueur de diffusion doit être
supérieure à 200µm.
17
I-4 Techniques de détermination des paramètres phénoménologiques

d’une photopile en régime dynamique transitoire.
Bulk and surfaces parameters determination in high efficiency Si solar cells
[11]
Dans cet article, les auteurs font une étude en régime transitoire par variation du point de
fonctionnement d’une photopile au silicium sous éclairement multispectral constant. Le but de
son étude est de déterminer les paramètres de la photopile comme la durée de vie des porteurs
minoritaires de charge τ, les vitesses de recombinaison à la jonction S j et à la face arrière S B .
La figure suivante représente la caractéristique courant-tension permettant d’obtenir les
points de fonctionnement P et F.
Figure I-4: Caractéristique courant-tension d'une photopile
I-4-1 La densité de l’excès de porteurs de charge minoritaires

L’équation de continuité en régime transitoire au point de fonctionnement P de la densité de
l’excès de porteurs de charge minoritaires δ ( x, t ) de la photopile est :
∂ 2δ ( x, t ) δ ( x, t ) ∂δ (x, t )
D − + g (x ) =
∂x 2
τ ∂t (I-13)
Où on a respectivement D et τ le coefficient de diffusion et la durée de vie des porteurs
minoritaires. La génération des porteurs photocrés g(x) est sous la forme :
m
g ( x ) = ∑ Am e − Bm x
1 (I-14)
18
A m et B m étant des paramètres dépendants du mode d’éclairement utilisé.
I-4-2 Les conditions aux limites

Les conditions aux limites nous permettant d’obtenir les vitesses de recombinaison à la
jonction et à la face arrière sont :
A la face arrière:
∂δ ( x, t )
δ (H , t )
SB
x=H =−
∂x D (I-15)
A la jonction :
∂δ ( x, t ) Sj
x =0 = δ (0, t )
∂x D (I-16)
La densité de l’excès de porteurs minoritaires trouvée est sous la forme :

 x  x 
δ ( x, t < 0) = δΦ ch  − F1sh 
L    L   (I-17)
Avec :
ni2   VF   V 
δΦ = exp  − exp p 
nB   VT   VT  (I-18)
Où on a : n i : la densité de porteurs intrinsèques et N B : la densité des atomes de dopage.
1  H  SB  H 
sh  + ch 
L L D L
F1 =
1  H  SB  H 
ch  + sh  (I-19)
L L D L
I-4-3 La phototension :
Après quelques approximations, l’auteur a trouvé l’expression de la phototension suivante:
 t 
V (t ) = q0 VT Fc (ωn )exp − 
 τc  (I-20)
avec :
  V − Vp  
q0 = exp F  − 1
  VT   (I-21)
AnTn (0 )
Fc (ωn ) = ∑
n δΦ (I-22)
19
1 1
= + ωn2 où τ c est la constante de temps
τc τ (I-23)
décroissante
La transformation de fourrier et la normalisation ont permis d’avoir les termes A n et T n (0).
Pour n=0 et t>τ oc , il devient facile d’obtenir expérimentalement la phototension transitoire.
A t=0 l’équation:
V (0 )
Fc (ω0 ) =
q0VT (I-24)
Puisque D, H et τ sont connues, il calcule les fonctions de calibration F c (ω 0 ) pour différentes
valeurs de S J
V (0)
Fco =
q0VT (I-25)
 ω H  ω D (S J + S B ) ω H   1
tan n  = n 2 avec nπ ≤  n  ≤  n + π
 D  ωn D − S J S B  D   2 (I-26)
C’est l’équation transcendante qui permet d’obtenir les différentes valeurs de ω n .
Selon l’auteur, les faibles valeurs des vitesses de recombinaison se traduisent par le fait que le
point de fonctionnement peut être choisi même en circuit ouvert et en n’importe quel point de
la caractéristique courant-tension.
I-4-4 Conclusion:
L’étude bibliographique que nous venons de faire montre que la plupart des auteurs ont étudié
la photopile au silicium polycristallin sous éclairement multispectral constant. Pour
déterminer les paramètres phénoménologiques de la photopile en régime transitoire, ils
mettent la photopile dans des conditions idéales de circuit ouvert ou de court circuit.
Les photopiles utilisées ont des jonctions horizontales et les modes d’éclairement sont pour la
plupart perpendiculaires aux surfaces avant et arrière.
A la différence de ces études antérieures faites sur les photopiles monofaciale, bifaciale à
jonction horizontale à une, deux et même trois dimensions en régimes statique et transitoire,
notre étude portera sur une nouvelle forme de photopile.
Les caractéristiques de la photopile sont les suivantes :
La jonction est verticale.
On éclaire parle haut, parallèlement à la jonction.
20
Tous les phénomènes de recombinaison seront pris en compte dans le cas de

notre étude.
Toutes les conditions réelles de fonctionnement en régime transitoire par
variation du point de fonctionnement (ici aucun point de fonctionnement n’est privilégié)
seront aussi considérées.
Leur branchement se fait en série.
21
Chapitre II : Etude du Régime Transitoire de la photopile à Jonction Verticale
CHAPITRE II
REGIME TRANSITOIRE
OBTENU PAR VARIATION DU POINT De
FONCTIONNEMENT d’une PHOTOPILE A JONCTION
VERTICALE AU SILICIUM POLYCRISTALLIN
SOUS ECLAIREMENT MULTISPECTRAL
CONSTANT
22
II-1 Introduction
Dans ce chapitre, nous ferons une étude à trois dimensions du régime dynamique transitoire
obtenu par variation du point de fonctionnement (VPF)[Figures (II-1-2-3)] d’une photopile au
silicium polycristallin à jonction verticale, sous éclairement multispectral constant donnée par
la figure (II-4).
Le point de fonctionnement est donné par la caractéristique courant-tension [Figure (II-2-3)]
obtenue en éclairant la photopile en régime stationnaire. Ainsi, on assiste à une modification
de la densité de porteurs de charges minoritaires due aux effets de diffusion et de
recombinaison aux joints de grain et à la jonction qui passe d’un point de fonctionnement à un
autre.
Ainsi le régime transitoire qui fera l’objet de notre étude n’est rien d’autre que l’état entre ces
deux régimes stationnaires et obtenu expérimentalement.
II-2-Dispositif expérimentale et principe de fonctionnement.
II-2-1Dispositif expérimental :
La figure (II-1) représente le schéma du dispositif expérimental utilisé pour l’obtention du
régime transitoire par variation du point de fonctionnement de la photopile à jonction
verticale.
Figure II-1: Dispositif expérimental
Ce dispositif comprend :
→ Un générateur de signaux carrés (BRI8500),
→ Un transitor mosfet (T) de type RFP50N06 piloté par le générateur,
→ Deux résistances variables R a et R b ,
→ Une photopile au silicium polycristallin à jonction verticale,
→ Un oscilloscope numérique,
→ Un micro-ordinateur,
→ Une source lumineuse multispectrale (lampes de 100 Watts).
23
II-1-2 Principe de fonctionnement :

Les figures (II-2) et (II-3) présentent respectivement la forme du signal produit par le
générateur et la caractéristique courant-tension de la photopile sous éclairement multispectral
constant.
Figure II-2: Signal carré fourni par

le générateur Figure II-3: Caractéristique I-V de la photopile
→ A l’instant t<0 (figure II-2), le transitor mosfet T est maintenu ouvert et la photopile est
chargée par la résistance R a seule (sous éclairement multispectral constant) ce qui permet
d’avoir le premier point de fonctionnement F b en régime statique(figure II-3).
→ A l’instant t=0 (figure II-2) commence la fermeture du mosfet T et après un temps très bref
environ 600 à 800 ns le mosfet est totalement fermé, la résistance R a est en parallèle avec
R b +Rds on .Rds on désigne la résistance à l’état passant de la jonction“drain (D)-source(S)”du
transitor mosfet T. Pour une tension de polarisation de gate (G) suffisant (entre 8-12V), la
valeur de Rcs on est très faible (moins d’un Ohm) et peut être négligée devant celle de R b (10Ω
à 4,7kΩ). Ainsi on se trouve au point de fonctionnement F b en régime statique (figure II-3).
Le régime dynamique transitoire est alors obtenu entre ces deux points de fonctionnement en
régime statique (régime stationnaire) F a et F b .La tension aux bornes de la photopile est
obtenue grâce à l’oscilloscope numérique (Tektronics) et enregistrée par le micro-ordinateur
qui permet de faire son traitement et son analyse.
II-3-Etude de la densité de porteurs minoritaires en excès dans la base de la

photopile :
La photopile au Le silicium polycristallin composé de plusieurs grains de forme et de taille
diverses (figure1). On peut considérer un modèle colonnaire de forme parallélépipédique
comme l’indique la figure (II-4) pour simplifier son étude.
24
Figure II-4: Grain isolé de la photopile à jonction verticale au silicium polycristallin sous
clairement multispectral constant
La photopile que nous étudions est composée :

→ d’un émetteur dopé (n),
→ d’une base dopée (p) d’épaisseur plus importante que celle de l’émetteur,
→ d’un interface émetteur-base qui constitue la jonction verticale ou encore zone de charge
d’espace (ZCE) .Il y a un champ électrique très intense qui y règne pour assurer la séparation
des paires électron-trou qui arrive à la jonction.
Ainsi, nous considérons le modèle tridimensionnel en coordonnées cartésiennes pour
déterminer la densité de porteurs de charges minoritaires.
II-3-1-Equation de continuité
La photopile est soumise à un éclairement multispectral constant, l’équation générale de
continuité des porteurs de charges peut s’écrire :
∂ρ  
+ ∇J t + Rα + Gα = 0
∂t (II-1)
Avec :
  
J t = J c + J d la somme totale des courants de
(II-2)
conduction et de diffusion.
Ce qui donne d’après la 1ère loi de Fick :
  
J t = J d = − D × e × ∇n (II-3)
D est coefficient de diffusion des porteurs
n
Rα = est le taux de recombinaison des porteurs.
τ (II-4)
τ est durée de vie des porteurs minoritaires en excès dans la photopile (la base)
25
Gα ( z ) = ∑ ai e − bi z est le taux de génération de porteurs de charges qui dépend du mode

i
d’éclairement.
Soient : nkj = n( x, y, z , t ) la distribution des porteurs minoritaires de charge dans la base à un
instant t donné et pour une position (x, y, z) , nkj ( x, y, z ) la distribution des porteurs
minoritaires de charge à l’état final stationnaire F b (Figure II-3) et δ kj ( x, y, z , t ) l’excès des
porteurs de charge minoritaires à l’instant t par rapport à l’état final.
nkj ( x, y, z , t ) = nkj ( x, y, z ) + δ kj ( x, y, z , t ) (II-5)
Cette distribution des porteurs minoritaires de charge nkj ( x, y, z , t )
 ∂ 2 n ( x, y, z , t ) ∂ 2 nkj ( x, y, z , t ) ∂ 2 nkj ( x, y, z , t )  nkj ( x, y, z , t ) ∂n ( x, y, z , t )
D ×  kj 2 + + − + Gi ( z ) = kj
 ∂x ∂y 2
∂z 2
 τ ∂t
(II-6)
Aux états stationnaires F a et F b ,
∂nkj
=0 (II-7)
∂t
Alors l’équation ( II-6) devient :
 ∂ 2 nkj ( x, y, z ) ∂ 2 nkj ( x, y, z ) ∂ 2 nkj ( x, y, z )  nkj ( x, y, z )
D× + + − + Gi ( z ) = 0 (II-8)
 ∂x 2 ∂y 2 ∂z 2  τ
Puisque l’éclairement est maintenu constant, alors le niveau d’injection n’est pas modifié par
rapport au temps. Ainsi en faisant la différence membre à membre des équations de continuité
précédentes en régime stationnaire (II-6) et (II-8) on obtient l’équation de continuité relative à
l’excès de porteurs minoritaires de charge suivante :
 ∂ 2δ ( x, y, z , t ) ∂ 2δ kjm ( x, y, z , t ) ∂ 2δ kjm ( x, y, z , t )  δ kjm ( x, y, z , t ) ∂δ kjm ( x, y, z , t )

D ×  kjm 2 + + − =
 ∂x ∂y 2 ∂z 2  τ ∂t
(II-9)
La résolution d’une telle équation suppose au préalable la résolution de l’équation de

continuité en régime statique.
NB : les indices (k, j) sont affectés aux paramètres en régime statique tandis que pour le
régime transitoire on a (k, j, m).
II-2-2 Résolution de l’équation de continuité en régime statique :

Pour un état stationnaire donné, l’équation de continuité relative à l’excès de porteurs de
charge minoritaires correspond à celle obtenue à l’instant t = 0
nkj ( x, y, z ) = δ kj ( x, y, z ,0) (II-10)
Gi ( z ) = ∑ ai e − bi z (i=1..3) (II-11)
i
26
Tableau 2 : Les valeurs ai et bi sont des valeurs tabulées à partir de la modélisation du

spectre d’absorption de la photopile pour AM = 1,5.
a1 =6.13⋅1020 cm-3 a2 =0.54⋅1020 cm-3 a3 =0.0991⋅1020 cm-3
b1 =6630 cm-1 b2 =1000 cm-1 b3 =130 cm-1
L2 = D × τ (II-12)
D’où en remplaçant (II-10) et (II-11) dans (II-9) on a :
∂ 2δ kjm ( x, y, z ,0) ∂ 2δ kjm ( x, y, z ,0) ∂ 2δ kjm ( x, y, z ,0) δ kjm ( x, y, z ,0) ∑a ei

− bi z
(II-13)
+ + − = i
∂x 2
∂y 2
∂z 2 2
L D
La solution générale de cette équation est sous la forme :

δ kj ( x, y, z ,0) = ∑∑ Z kj ( z ) cos(ck x) cos(c j y ) + K i Gi ( z )
k j (II-14)
Z kj (z) est une fonction de z en régime statique
Les c k et les c j les valeurs propres des fonctions cos(c k x) et cos(c j y) données par les équations
transcendantes.
En utilisant les expressions (II-13) et (II-14) on a :
L2
Ki =
(
D ⋅ 1 − bi2 L2 ) (II-15)
(Calcul voir annexes mathématiques)
II-2-2-2 La densité de l’excès de porteurs minoritaires de charge en régime

statique:
En introduisant les expressions de K i (II-15), G i (z) (II-11) et celle de (II-14) dans (II-13) (voir
annexes mathématiques), on a la densité de l’excès de porteurs minoritaires de charge en
régime stationnaire de la photopile sous la forme:
δ kj ( x, y, z ,0) = ∑∑ Z kj (z )cos(ck x) cos(c j y ) +

L2
× ∑ ai e − bi z
k j (
D. 1 − bi L
2 2
i ) (II-16)
II-2-3 Résolution de l’équation de continuité en régime transitoire :

Pour résoudre l’équation de continuité en régime transitoire, on utilise d’une part les solutions
en variables séparées selon Sturm Liouville (II-17) et d’autre part les conditions aux limites.
→ Résolution en variables séparées :
D’après Sturm Liouville on a :
δ kjm ( x, y, z , t ) = Fkjm ( x, y, z ) × Tkjm (t ) (II-17)
 Fkjm ( x, y, z ) est la fonction spatiale de l ' excès de porteurs δ kjm ( x, y, z , t )


 Tkjm (t ) est la fonction temporelle de l ' excès de porteurs δ kjm ( x, y, z , t )
27
En introduisant (II-27) dans (II-11) on a :

 F '' ( x, y, z )   Tkjm
'
(t )  1
D ×  kjm = + =k (II-18)
 F ( x, y, z )   T (t )  τ
 kjm   kjm 
Avec k une constante réelle :
k = −ωm2 avec ωm > 0 (II-19)
NB : les indices m sont utilisés pour différencier les paramètres du régime transitoire qui
dépendent de ω m de ceux du régime statique.
Ainsi on obtient les deux équations différentielles suivantes en introduisant l’expression de k:
ωm2
''
Fkjm ( x, y , z ) + × Fkjm ( x, y, z ) = 0 (II-20)
D
Et aussi :
'
Tkjm (t ) 1
+ =k (II-21)
Tkjm (t ) τ
Ou encore
'
Tkjm (t ) 1
= −(ωm2 + ) (II-22)
Tkjm (t ) τ
→ Les conditions aux limites aux surfaces des grains et de la jonction :
 Suivant l’axe (ox) :
x
Pour x = ± 0 : les plans perpendiculaires à la surface de la jonction.
2
∂δ kjm ( x, y, z , t ) x0
D x0 = ± S g × δ kjm ( ± , y, z , t ) (II-23)
∂x x =±
2
2
S g est la vitesse de recombinaison aux joints de grain.
 Suivant l’axe (oy) les surfaces avant et arrière de la photopile :
y
Pour y = − 0 , la surface de la jonction.
2
∂δ ( x, y, z , t ) y0
D kjm y0 = + S F × δ kjm ( x,− , z, t ) (II-24)
∂x y =−
2
2
S F est la vitesse de recombinaison à la surface de la jonction.
y
Pour y = + 0 : la surface du grain parallèle en face arrière de la photopile.
2
∂δ ( x, y, z , t ) y0
D kjm y0 = − S b × δ kjm ( x,+ , z, t ) (II-25)
∂x y = +
2
2
S b est la vitesse de recombinaison sur la face arrière de la photopile.
 Suivant (oz) :
Pour z = 0 : la surface d’incidence perpendiculaire au plan de la jonction.
∂δ kjm ( x, y, z , t )
D z = 0 = + S H × δ kjm ( x, y ,0, t ) (II-26)
∂x
S H constitue la vitesse de recombinaison sur la surface d’incidence de la photopile en contact
direct avec les rayons lumineux de la source d’éclairement.
Pour z = z0 : la surface opposée de la surface d’incidente.
28
∂δ kjm ( x, y, z , t )
D z = z 0 = − S B × δ kjm ( x, y , z0 , t ) (II-27)
∂x
S B représente la vitesse de recombinaison de surface parallèle à celle incidente.
II-2-3-1 Résolution de la partie spatiale de δ kjm ( x, y, z, t )

La fonction spatiale de la densité de l’excès de porteurs minoritaires de charge est obtenue en
résolvant l’équation différentielle suivante :
ωm2
''
Fkjm ( x, y , z ) + Fkjm ( x, y, z ) = 0 (II-28)
D
La solution générale de cette équation est prise sous la forme :
Fkjm ( x, y, z ) = ∑∑ Z kjm ( z ) × cos(ck x) cos(c j y )
k j (II-29)
En introduisant l’équation (II-29) dans (II-28) (voir annexes mathématiques) on obtient :
∂ 2 Z kjm ( z ) 1
− 2 Z kjm ( z ) = 0 (II-30)
∂z 2
Lkjm
Avec
1 ωm2
= ck
2
+ c 2
j − (II-31)
L2kjm D
C’est une équation différentielle du second degré sans second membre en Z kj m (z), dont la
solution générale est de la forme :
 z   
Z kjm ( z ) = Akjm cosh  + Bkjm sinh  z  (II-32)
L  L 
 kjm   kjm 
L’expression générale de la fonction Z kjm (z) est obtenue après détermination des coefficients
c k et c j qui figurent dans l’expression de L kjm et les expressions de A kjm et B kjm par les
équations transcendantes résultantes des conditions aux limites.
II-2-3-1-1 Détermination des équations transcendantes :

D’après les conditions aux limites posées précédemment de (II-33) à (II-39) on a :
 A la Jonction :
y
Pour y = − 0
2
∂δ ( x, y, z , t ) y0
D kjm y0 = + S F × δ kjm ( x,− , z, t ) (II-33)
∂x y =−
2
2
Le calcul de cette expression nous mène à l’équation transcendante suivante
c y  S
tan j 0  = F (II-34)
 2  Dcj
Les c j sont des valeurs propres obtenir graphiquement.
S F la vitesse de recombinaison à la jonction de la photopile
29
La figure (II-4) représente une résolution graphique de l’équation transcendante (II-34).
Figure II-4 : Résolution graphique de l'équation transcendante (II-34), les courbes 1 et 2 représentent
respectivement le premier membre et le second membre de l'équation
(D=26 cm2/s ; L=0,02 cm ; S g =3.103 cm/s)
Les points d’intersection des courbes 1 et 2 donne les différentes valeurs des C j .
 Aux joints de grain de la photopile :
y
-Pour y = + 0 : sur la surface arrière
2
∂δ ( x, y, z , t ) y0
D kjm y0 = − S b × δ kjm ( x,+ , z, t ) (II-35)
∂x y = +
2
2
 y 
On suppose que δ kjm  x,+ 0 , z , t  = 0 pour éviter de confondre la vitesse de recombinaison S F
 2 
à celle de S b .
x
-Pour x = ± 0 : sur les surfaces parallèles à la surface de la jonction
2
∂δ ( x, y, z , t ) x0
D kjm x0 = ± S g × δ kjm ( ± , y, z , t ) (II-36)
∂x x =±
2
2
x0 x
Cette équation (II-36) traduit une double condition en x = − et x = + 0 qui donne une
2 2
nouvelle équation transcendante permettant d’obtenir graphiquement les valeurs propres c k .
c x  S
tan k 0  = g (II-37)
 2  D ck
30
Avec comme paramètres x 0 la demie largeur du grain.

Le graphe ci-contre donne une résolution graphique de l’équation transcendante (II-37)
Figure II-5 : Résolution graphique de l'équation transcendante (II-37), les courbes 1 et 2 représentent
respectivement le premier membre et le second membre de l'équation
(D=26 cm2/s ; L=0,02 cm ; S g =3.103 cm/s)
Les points de rencontre des courbes 1 et 2 donnent les valeurs des C k de l’équation
transcendante (II-37).
 Suivant (oz) (la direction de l’éclairement) :
-Pour z = 0 : sur la surface d’incidence de la photopile :
∂δ ( x, y, z , t )
D kjm z = 0 = + S H × δ kjm ( x, y ,0, t ) (II-38)
∂x
L’introduction de l’expression de la densité de porteurs dans cette relation nous donne :
Akjm D
= = γ kjm (II-39)
Bkjm Lkjm S H
Le coefficient γ kjm a été introduit pour servir de couplage entre le court circuit ou le circuit
ouvert.
Avec :
D
Lkjm = (II-40)
D ck2 − D c 2j − ωm2
Ainsi donc en introduisant cette expression (II-40) dans (II-39) on a l’équation transcendante
suivante:
31
Akjm D
γ kjm = = × D ck2 + D c 2j − ωm2 (II-41)
Bkjm SH
Pour z = z0 : sur la surface opposée à la surface d’incidence on a :
∂δ ( x, y, z , t )
D kjm z = z 0 = − S B × δ kjm ( x, y , z0 , t ) (II-42)
∂x
En remplaçant la densité par son expression et en combinant avec l’équation précédente on
trouve :
 z0  D × D ck2 + D c 2j − ωm2 × ( S H + S B )
tanh   =− (II-43)
L  D × ( D ck2 + D c 2j − ωm2 ) + S H × S B
 kjm 
La figure (II-6) illustre la résolution graphique de l’équation transcendante (II-43).
Figure II-6 : Détermination des valeurs propres, les courbes 1 et 2 représentent

respectivement le premier membre et le second membre de
l'équation transcendante (II-43)
(D=26 cm2/s; L=0,02 cm ; SH=3.103 cm/s ; SB=3.103 cm/s )
Les valeurs propres l’équation transcendante (II-43) sont données par les points d’intersection
des deux courbes 1 et 2 de la figure (II-6).
Tableau 3 : Quelques solutions de l’équation transcendante (II-43) (D=26 cm2/s ; L=0,02 cm;
S H =3.103 cm/s S B =3.103 cm/s )
ω0 ω1 ω2 ω3 ω4
3268 3686 4617 5844 7219
3281 3697 4626 5852 7226
32
II-3-3-1-2 Détermination des coefficients A kjm et B kjm

La normalisation des fonctions Z kjm (z) permet de trouver leurs coefficients A kjm et B kjm .
2
Z ( z) = 1 (II-44)
kjm
Le calcul de l’équation (II-) donne :

−1 / 2
 1 1 1 L   2 z    (II-45)
Akjm =  2 + 2 × 2 + kjm × cosh 0  − 1 
 
 akjm γ kjm bkjm 2γ kjm   Lkjm   
et
−1 / 2

 γ kjm
2
1 γ × Lkjm   2z   
Bkj =  2 + 2 + kjm × cosh 0  − 1  (II-46)
L 
 a
 kjm
bkjm 2   kjm   

Avec :
−1 / 2 −1 / 2
  2z     2z  
 Lkjm × sinh  0    Lkjm × sinh  0  
  Lkjm  z0    Lkjm  z0 
akjm =  +  (II-47) bkjm =  −  (II-48)
4 2 4 2
   
   
   
En introduisant soit (II-45), soit (II-46) dans l’équation (II-29) on aboutit à l’expression
générale de la fonction spatiale de la densité de porteurs minoritaires de charge.
 −1 / 2

Lkj   2 z0        
 1
Fkjm (x, y, z ) = ∑∑  2 + 2 × 2 +
1 1
× ch  − 1  × ch z  + 1 sh z  × cos(ck x ) cos(c j y )
γ kjm bkmj 2γ kjm   Lkjm       
k j  akjm
    Lkjm  γ kjm  Lkjm  
(II-49)
II-3-3-2 Résolution de la fonction temporelle de δ kjm ( x, y, z, t ) :

Après avoir obtenu l’expression de la fonction spatiale de la densité de porteurs de charge
minoritaires, on peut maintenant déterminer l’expression de la fonction temporelle qui est une
fonction très importante en régime transitoire.
L’équation différentielle relative à la fonction temporelle :
'
Tkjm (t ) 1
= −(ωm2 + ) (II-50)
Tkjm (t ) τ
En intégrant on a :
'
t Tkjm (t ) t 1
∫T
0 (t )
kjm
× dt = ∫ − (ωm2 + ) × dt
0 τ
(II-51)
D’où :
  1 
Tkjm (t ) = Tkjm (0) × exp −  ωm2 +  × t  (II-52)
  τ 
Avec :
33
1 1
= + ωm2 (II-53)
τ kjm τ kj
L2
Il faut bien faire la différence entre τ kjm et τ =
qui est la durée de vie des porteurs de
D
charge minoritaires respectivement pour le régime transitoire et la constante de temps de
décroissance.
II-3-3-2-1- Calcul de l’expression des T kjm (0) :

L’expression de T kj m (0) est une intégrale qui dépend des variables spatiales et de t. Elle est
définie de la manière suivante :
x0 y 0
+ +
2 2 Z0
Tkjm (0 ) = ∫ ∫ ∫ F (x, y, z ) × δ (x, y, z,0) × dx × dy × dz
kjm kj (II-54)
x0 y 0 0
− +
2 2
Avec :
δ kj ( x, y, z ,0) est la densité de porteurs minoritaires de charge en régime statique donnée par
l’équation (II-)
En introduisant (II-) dans (II-), on obtient :
Tkjm (0) = ∑∑ I kjm + J kjm + K kjm + Qkjm + Rkjm + S kjm (II-55)
k j
Avec :
z   z   z  z 
Lkjm sinh  0  cosh 0  − Lkj sinh  0  cosh 0 
L  L  L  L 
= Akj Akjm Lkj Lkjm M k N j ×  kj   kjm   kjm   kj 
I kjm
(
Lkjm − Lkj
2 2
) (II-57)
 z  z   z  z 
Lkjm sinh  0  sinh  0  − Lkj cosh 0  cosh 0 
L  L  L  L 
= Akj Akjm Lkj Lkjm M k N j ×  kjm   kj   kjm   kj 
J kjm
(
γ kjm Lkjm − Lkj
2 2
) (II-58)
z   z   z  z 
Lkjm cosh  0  cosh  0  − Lkj sinh  0  sinh  0  − Lkjm
L  L  L  L 
K kjm
(
γ kj Lkjm − Lkj
2 2
) (II-59)
 z  z   z  z 
Lkjm sinh  0  cosh 0  − Lkj cosh 0  sinh  0 
L  L  L  L 
Qkjm
(
γ kj γ kjm Lkjm − Lkj
2 2
) (II-60)
  ck x0   c j y0  
 4 sin   sin 
 
 
2
 K a A Lkjm  2   2     z   z  
= ∑  i i 2 kjm ⋅ ⋅ bi Lkjm +  bi Lkjm sinh  0  − cosh 0   exp(− bi z0 )  
Rkjm
(
i = 0  γ kjm bi Lkjm − 1
2
) ck c j  

L 
 kjm 
 L 
 kjm    
 
(II-61)
34
  ck x0   c j y0  
 4 sin   sin 
 
  
2
 K i ai Akjm Lkjm  2   2     z0   z0   
= ∑ 2 2 ⋅ ⋅ − bi Lkjm cosh   + sinh    exp(− bi z0 )  + bi Lkjm 
S kjm
(
i = 0  bi Lkjm − 1) ck c j 
   
 Lkjm 
  
 Lkjm    
 
(II-62)
x0 sin (ck x0 )
Mk = + (II-63)
2 2 ck
y sin (c j y0 )
Nj = 0 + (II-64)
2 2 cj
II-2-3-2-2- Calcul de l’expression de la densité δ kjm ( x, y, z, t ) :

On aboutit finalement à l’expression suivante de la densité des porteurs minoritaires de charge
en faisant le produit des fonctions temporelle et spatiale.
1 1 1
   1  
δ kjm (x, y, z , t ) = ∑∑∑  Fkjm (x, y, z ) ⋅ Tkjm (0) ⋅ exp −  ωm2 +  ⋅ t   (II-65)
k =0 j =0 m=0    τ  
La figure(II-7) est la représentation graphique de l’évolution de l’excès de la densité de
porteurs de charges à la jonction en fonction du temps lorsque la photopile est éclairée pour
différents modes de fonctionnement définis par ωm .
Figure II-7 Densité des porteurs en excès en fonction du temps

35
(D=26 cm2/s; L=0,02 cm ; SH=3.103 cm/s ; SB=3.103 cm/s ; τ=10-5s)
Il y a une forte décroissance de la densité de porteurs de charges en fonction du temps jusqu’à

une valeur égale à 3,5.10-5s au-delà de laquelle, elle devient constante.
La figure (II-8) ci-dessous montre la répartition des porteurs de charge dans le plan de la
surface d’incidence (x,y) pour z=0.
Figure II-8 : Densité de porteurs charge minoritaires en fonction du plan (x,y)

(D=26 cm2/s; L=0,02 cm ; SH=3.103 cm/s ; SB=3.103 cm/s ; τ=10-5s)
On note une diminution des porteurs de charges, de la surface incidente z=0 jusqu’à un niveau
de pénétration z=z 0 . Lorsque la surface incidente est excitée, on a une forte concentration des
porteurs de charges. Cette densité des porteurs décroît considérablement pour atteindre une
valeur très faible au coin de la base.
La figure (II-9) ci-dessous représente la densité de l’excès de porteurs de charges en fonction

de la profondeur de la base de la photopile.
36
Figure II-9 : Densité de porteurs charge minoritaires en fonction de z et de x

(D=26 cm2/s; L=0,02cm ; SH=3.103 cm/s ; SB=3.103 cm/s ; τ=10-5s)
L’excès de porteurs minoritaires de charge diminue fortement pour atteindre une valeur faible
suivant la pénétration de la lumière incidente.
II-3 Etude de la phototension de la photopile :
La phototension V kjm (t) de la photopile, est obtenue par la relation de Boltzmann :
    V (t )  
, z , t  = n(0,0,0 ) ⋅ exp kjm  − 1
y0
δ kjm  x,− (II-66)
 2    VT  
Il vient :
 +
x0
 δ kjm ( x, y, z , t )  
Vkjm (t ) = VT ⋅ ln 1 + ∫ x 2 ∫
z0
  dx dz 
 n(0,0,0,0) 
− 0
(II-67)
  y = − y0
0
2
2
Cette équation donne :
37
  t 
Vkjm (t ) = VT ⋅ ln 1 + q0 ⋅ Fc (ω0 ) ⋅ exp − 
  τ  (II-68)
 kj 0 
 t 
→ Si t ≤ τ kj 0 alors on a q0 ⋅ Fc (ω0 ) ⋅ exp −  >> 1
 τ 
 kjm 
D’où on a :
 t 
Vkjm (t ) = VT ⋅ − + ln (q0 ⋅ Fc (ω0 )) (II-69)
 τ kjm 
 t 
→ t ≥ τ kj 0 alors on a q0 ⋅ Fc (ω0 ) ⋅ exp −  << 1
 τ 
 kjm 
Dans ce cas on peut faire un développement limité qui nous permet d’obtenir :
  t 
Vkjm (t ) = VT ⋅  q0 ⋅ Fc (ω0 ) ⋅ exp −  (II-70)
  τ 
  kjm  
C’est une fonction de décroissance exponentielle.
on a :
  t 
Vkjm (t ) = VT ⋅ ln 1 + q0 ⋅ Fc (ω0 ) ⋅ exp − 
 τ 
(II-71)
  kj 0 
Avec :
∆ T (0 )
Fc (ω0 ) = 0 kjm (II-72)
∆
est la fonction de calibration en tension réduite.
k ⋅T
VT = B (II-73)
q
II-4 Conclusion :
Dans cette partie, nous avons fait l’étude de la densité de porteurs en régime transitoire sous
éclairement multispectral constant d’une photopile à jonction verticale au silicium
polycristallin. Il découle de cette étude que le gradient des porteurs de charges photocrés
diminue considérablement à partir de la surface incidente, jusqu’à atteindre une faible valeur.
La densité de porteurs charges est influencée par les paramètres de recombinaison tels que les
vitesses de recombinaison sur les surfaces du grain et de la jonction, longueur de diffusion,
taille de grain….c’est aussi pour la phototension transitoire qui est une fonction décroissante
exponentielle.
38
Conclusion Générale
Conclusion Générale
Nous avons fait dans ce travail une étude en modélisation du régime transitoire par variation
du point de fonctionnement d’une photopile à jonction verticale au silicium polycristallin sous
éclairement multispectral constant. A partir des calculs à trois dimensions, on a tracé les
courbes de la densité des excès de porteurs minoritaires de charge en fonction du temps et de
la profondeur de la base de la photopile. L’analyse de ces courbes a montré l’effet des
paramètres de recombinaison tels que les vitesses de recombinaison, de la longueur de
diffusion, de la taille de grain…sur l’excès de porteurs de charges qui diminue en fonction du
temps. Cette modification de la densité des porteurs minoritaires de charge a affecté la
phototension transitoire obtenue après quelques approximations.
Ainsi, il découle de cette étude que les résultats obtenus soient en bon accord avec l’étude
bibliographique faite dans le premier chapitre.
En réalité, l’originalité de notre étude réside dans la forme de photopile utilisée.
En perspectives, on peut:
 Faire une étude expérimentale du régime transitoire de la photopile à jonction
verticale.
 Faire une étude comparative des paramètres trouvés entre les photopiles à jonction
horizontale et verticale.
 Etudier le régime transitoire de la photopile à jonction verticale sous double
éclairement multispectral constant.
 Voir l’effet du champ magnétique sur les paramètres de recombinaison de la
photopile.
 Faire le modèle équivalent de la photopile à jonction verticale.
L’exploitation des ces expressions fastidieuses trouvées dans nos calculs a été faite au
moyen d’outils informatiques tels que le mathcad et le mathlab.
39
Annexes Mathématiques
ANNEXES MATHEMATIQUES
40
ANNEXES MATHEMATIQUES
III-1 Calcul du coefficient K :

On a l’équation de continuité suivante :
∂ 2δα ( x, y, z ,0) ∂ 2δα ( x, y, z ,0) ∂ 2δα ( x, y, z ,0) δα ( x, y, z ,0) ∑a e i

− bi z
(III-1)
+ + − = i
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2 L2α D
Sa solution générale est :

δ α ( x, y, z ,0) = ∑∑ Z kj ( z ) cos(ck x) cos(c j y ) + KGα ( z ) (III-2)
k j
∂ 2δ α ( x, y, z ,0)
= −∑∑ c k2 Z kj ( z ) cos(ck x) cos(c j y ) (III-3)
∂x 2 k j
∂ 2δα ( x, y, z ,0)
= −∑∑ c 2j Z kj ( z ) cos(ck x) cos(c j y ) (III-4)
∂y 2 k j
∂ 2δα ( x, y, z ,0) ∂ 2 Z kj ( z )
∂z 2
= ∑∑
k j ∂z 2
cos(ck x) cos(c j y ) + K ∑ bα2 ai e − bi z
i
(III-5)
Les équations (12), (14), (16) et (18) dans l’équation (11) donnent :
 ∂ 2 Z kj ( z )  2 1   K 1
∑∑  −  ck + c 2j − 2  Z kj ( z ) × cos(c j x) cos(ck y ) =  2 − Kb i2 −  × Gα ( z ) (III-6)
j  ∂z 
2
k  Lα   Lα D
En utilisant l’orthogonalité des vecteurs et en multipliant cette expression par :
∫∫ cos(c x) cos(c y )dxdy
m n
(III-7)
On a :
 ∂ 2 Z kj ( z )  2 2 1  
∑∑  −  ck + c j − 2  × Z kj ( z )∫ cos(ck x) cos(cm x)dx ∫ cos(c j y ) cos(cn y )dy
j  ∂z 
2
k  Lα 
(III-8)
K 1
=  2 − Kbi2 −  × Gα ( z ) ∫∫ cos(cm x) cos(cn y )dxdy
 Lα D
Or on sait que :
 sin(ck − cm ) x sin(ck + cm )
 2(c − c ) + 2(c + c ) pour (ck ≠ cm )
 k m k m
∫ cos(ck x) cos(cm x)dx =  (III-9)

 x sin( 2c x)
 + k
pour (ck = cm )
 2 4ck
Dans notre cas présent nous avons :
∫ cos(ck x) cos(cm x)dxdy = 0 pour tout (ck ≠ cm )
Ainsi on a par application de ces conditions (19) et (21) dans (20) :
K 1
 2 − Kbi2 −  × Gα ( z ) ∫∫ cos(cm x) cos(cn y )dxdy = 0 (III-10)
 Lα D
41
L2kj
K kj =
(
Dkj 1 − bi2 L2kj ) (III-11)
III-2 Calcul de l’expression de la fonction spatiale de δα ( x, y, z, t ) :

On a l’équation différentielle suivante :
ωα2
Fα ( x, y, z ) +
''
Fα ( x, y, z ) = 0 (III-12)
D
avec
1 ωα2
= − (III-13)
Lα2 D
La solution générale d’une telle équation est prise sous la forme :

Fα ( x, y, z ) = ∑∑ Z kj ( z )× cos(ck x) cos(c j y ) (III-14)
k j
∂Fα ( x, y, z )
= −∑∑ ck Z kj ( z ) sin(ck x) cos(c j y )
∂x k j
(III-15)
∂ 2 Fα ( x, y, z )
= −∑∑ c 2k Z kj ( z ) cos(ck x) cos(c j y ) (III-16)
∂x 2
k j
∂Fα ( x, y, z )
= −∑∑ c j Z kj ( z ) sin(ck x) cos(c j y )
∂y k j
(III-17)
∂ 2 Fα ( x, y, z )
= −∑∑ c 2j Z kj ( z ) cos(ck x) cos(c j y ) (III-18)
∂y 2
k j
∂Fα ( x, y, z ) ∂Z ( z )
= ∑∑ kj cos(ck x) cos(c j y ) (III-19)
∂z k j ∂z
∂ 2 Fα ( x, y, z ) ∂ 2 Z kj ( z )
∂z 2
= ∑∑
k j ∂z 2
cos(ck x) cos(c j y ) (III-20)
En remplaçant ces expressions dans l’équation (32) on a :
 ∂ 2 Z kj ( z ) ωα2 
∑∑ j 

∂z 2
− ( c 2
k
+ c 2
j −
D
) Z kj ( z )  cos(ck x) cos(c j y ) = 0

(III-21)
k 
En multipliant cette équation par : ∫∫ cos(cm x) cos(cn y )dxdy et en posant :
1 ωα2
= ck
2
+ c 2
j − (III-22)
L2kj D
 ∂ 2 Z kj ( z ) 1  + x0 y
+ 0
∑∑j 

∂z 2
−
L2
Z kj ( z ) ∫− x0
 2
20
cos( c k x ) cos( c m x ) dx ∫−
y0 cos(c j y ) cos(cn y ) dy = 0
2
(III-23)
k  kj 2
Si k=m et j=n on a :
 ∂ 2 Z mn ( z ) 1  + x20 2 y
+ 0
∑∑ 
∂z 2
− 2 Z mn ( z )∫ x0 cos (cm x)dx ∫ y20 cos 2 (cn y )dy = 0 (III-24)
m n  Lmn  −2 −
2
42
Or on a :
x0
+
x0
+  x sin( 2cm ) x  2 x0 sin( 2cm x0 )
∫ x
− 0
2
2
cos 2 (cm x)dx =  +
2 4cm  − x0
 = +
2 2cm
= M n = cons tan t (III-25)
2
c x 
+
y0
2 sin  n 0 
y
+ 0  y sin(2cn y )  2 y  2  = N =C (III-26)
∫ y
− 0
2
2
cos 2 (cn y )dy =  +
2

4cn  − y 0
= 0+
2 cn
n st
Puisque le produit des deux constants est différent de zéro alors :

∂ 2 Zmn (z) 1
− 2 Zmn (z) = 0 (III-27)
∂z 2
L mn
III-3 Calcul des équations transcendantes :

Pour déterminer ces équations transcendantes on traduit les conditions limites (34) à (39).
x0
-Pour x = ±
2
∂δ α ( x, y, z , t ) x0
D = ± S g × δ α (± , y, z , t ) (III-28)
∂x
x
x =± 0 2
2
∂Fα ( x, y, z ) x0
D = ± S g × Fα ( x = ± , y, z ) (III-29)
∂x
x
x=± 0 2
2
Il vient :
Sg
tan(ck X 0 ) = (III-30)
D ck
-Pour y=0
 y 
Puis qu’on a supposé que δ α  x,+ 0 , z , t  pour éviter de faire confondre les vitesses de
 2 
recombinaison S F et S b aux surfaces de la jonction et de la surface arrière de la photopile car
on aura la même équation transcendante avec les Cj.
y
-Pour y = − 0
2
∂δ ( x, y, z , t ) y0
D α y0 = − S F × δ α ( x,− , z, t ) (III-31)
∂x y =−
2
2
∂Fα ( x, y, z )
D y = y0 = − SαF × Fα ( x, y0 , z )
∂x (III-32)
SF
ck sin(c j y0 ) = cos(c j y0 ) (III-33)
D
y0 S
tan(c j )= F (III-34)
2 Dcj
43
-Pour z=0
∂Z kj ( z ) SH
∑∑ k j ∂z
cos(ck x) cos(c j y ) = ∑∑ Z kj (0) cos(ck x) cos(c j y)
D k j
(III-35)
 Akj 
∑∑  L sh(0) +
Bkj S
[
ch(0) cos(ck x) cos(c j y ) = H ∑∑ Akj ch(0) + Bkj sh(0) cos(ck x) cos(c j y ) ]
k j  kj Lkj  D k j
(III-36)
Or on a:
 Bkj SH  A S  
∑∑ cos(c x) cos(c y) L k j − Akj  × ch(0) +  kj − H Bkj  × sh(0) = 0
   (III-37)
k j  kj D   Lkj D  
Akj D
= = γα (III-38)
Bkj Lkj S H
D
Lkj = (III-39)
D ck2 − D c 2j − ωα2
Alors :
Akj D
γα = = × D ck2 + D c 2j − ωα2 (III-40)
Bkj SαH
-Pour z=z 0
∂δ ( x, y, z , t )
D α z = z0 = − S B × δ α ( x, y , z 0 , t )
∂x (III-41)
∂Fα ( x, y, z )
D z = z0 = − S B × Fα ( x, y, z0 ) (III-42)
∂x
 Akj z  B  z  S  z   z 
∑∑  L sh 0  + kj ch 0  cos(ck x) cos(c j y ) = − B ∑∑  Akj ch 0  + Bkj sh 0  cos(ck x) cos(c j y )
L  L L    L 
k j  kj  kj  kj  kj  D k j   Lkj   kj 
(III-43)
En multipliant cette expression par : ∫∫ cos(cm x) cos(cn y )dxdy et faisant les mêmes calculs
que précédemment, on obtient :
SB
1+
z  SH
tan 0  = −
L  D ⋅ D cα2 + D cα2 − ωα2
(III-44)
 kj  SB
⋅
D
+
D D ck + D c 2j − ωα2
2 SH
 z0  D × D cα2 + D cα2 − ωα2 × ( S H + S B )

tan   =− (III-45)
  D × ( D ck2 + D c 2j − ωα2 ) + S H × S B
 Lkj 
44
III-4 Calcul des coefficients A kj et B kj des Z kj (z) :

Les fonctions Z kj (z) sont prises sous la forme :
  z  1  z 
Z kj ( z ) = Akj × ch  + sh  (III-46)
   
  Lkj  γ α  Lkj 
Elles sont normées d’où on a :
2
Z kj ( z ) = 1 (III-47)
2
  z  1  z 
ch  + sh  dz = 1
z0
∫ (III-48)
2
A
  Lkj  γ α  Lkj 
kj
0
 z 0  z  1  z  1  z   z  (III-49)
A2kj × ∫ ch 2   + 2 × sh 2   + × ch  × sh dz = 1
 0 L  γ L  γ L   L 
 kj  α  kj  α  kj   kj 
En tenant compte des formules suivantes :
x sh(ax) × ch(ax) (III-50)

∫ ch (ax)dx = 2 +
2
2a
sh(ax) × ch(ax) x (III-51)

∫ sh (ax)dx = −
2
2a 2
sh 2 (ax) (III-52)
∫ ch(ax) × sh(ax)dx = 2a
 z  1  2z  1 (III-53)
sh 2  0  = ch 0  −
L  2  L  2
 kj   kj 
On obtient :
    z  
z0
  z   z  
z0
 2 z  
z0
z
 sh  × ch 
      ch  × sh    sh    

 L  kj  + z  + 1 ×   kj 
L L  kj  − z  + 2 ×   Lkj    = 1
L
Akj2 ×   
kj

  2  2 γ α2   2  2 γα   2   
          
 L    L     Lkj   
  kj  0   kj  0   0 
(III-54)
45
  z  z    z  z    2  z  
 sh 0  × ch 0    ch 0  × sh 0    sh  0   
        
Akj2 ×   
Lkj  Lkj  + z0  + 1 ×   Lkj   Lkj  − z0  + 2 ×   Lkj    = 1 (III-55)
  
  2  2 γα2
 2  2  γ α   2  
          
 L    L     Lkj   
  kj     kj    
En remplaçant dans (60) on a :
  z  z    z  z   
 sh 0  × ch 0    ch 0  × sh 0   
  Lkj  L  z  
 kj  + 0  + 1 ×   Lkj 
L  z
 kj  − 0  + 1 ×  1 ch 2 z0  − 1   = 1
Akj2 ×    
  2  2  γ α2   2  2  γ α  2  Lkj  2  
      
 L    L   
  kj     kj   
(III-56)
En posant :
−1 / 2 −1 / 2
 z  z    z  z  
 sh 0  × ch 0    sh 0  × ch 0  
  Lkj   Lkj  z0    Lkj   Lkj  z0 
akj =  +  (III-57) bkj =  −  (III-58)
 2  2  2  2
       
 L    L  
  kj     kj  
On a :
−1 / 2
 1 1 1 L   2 z   
Akj =  2 + 2 × 2 + kj × ch 0  − 1 
 
 akj γ α bkj 2γ α   Lkj    (III-59)
Or :
Akj
Bkj =
γα
(III-60)
−1 / 2
 γ 2 1 γ × Lkj   2 z0   
Bkj =  α2 + 2 + α × ch −1
  
 akj bkj 2   Lkj    (III-61)
Les équations (64) et (60) nous donnent l’expression des Z kj (z)
46
−1 / 2
 1 1 1 L   2 z      z  1  z 
Z kj ( z ) =  2 + 2 × 2 + kj × ch 0  − 1  × ch  + sh 
    Lkj  γ α  Lkj 
 akj γ α bkj 2γ α   Lkj    (III-62)
A partir de là on trouve la fonction spatiale de la densité des porteurs de charge suivante :
 −1 / 2

Lkj   2 z0       1  z 
sh  × cos(ck x ) cos(c j y )
 1 
Fαkj ( x, y, z ) = ∑∑  2 + 2 × 2 +
1 1  − 1  × ch z
× ch +
j  a kj γ α bkj 2γ α   Lkj    
  Lkj
 γ

 L 
 kj  
 
k α
(III-63)
III-4 Calcul de l’expression des T kjm (0) :

On a l’équation différentielle de la fonction temporelle qui s’écrit:
Tm' (t ) 1
= −(ωm2 + ) (III-64)
Tm (t ) τ
t Tm' (t ) t 1 (III-65)
∫0 Tm (t ) × dt = ∫0 − (ωm + τ ) × dt
2
  1  (III-67)
Tm (t ) = Tm (0) × exp −  ωm2 +  × t 
  τ 
Avec
1 1 (III-68)
= + ωm2
τ kjm τ
L’expression de Tkjm (0 ) est prise sous la forme :
x0 y 0
+ +
2 2 Z0
Tkjm (0 ) = ∫ ∫ ∫ F (x, y, z ) × δ (x, y, z,0) × dx × dy × dz
kjm kj (III-69)
x y 0
− 0 + 0
2 2
x0 y0
+ +
∫ ∫ ∫ {Z (z )× cos(c x )cos(c y )× [Z (z )cos(c x )cos(c y ) + K × Gα ( z )]}× dx × dy × dz

2 2 z0
Tkjm (0) = kjm k j kj k j i
x0 y0 0
− −
2 2
(III-70)
x y
+ 0 + 0 Z kj (z )× Z kj (z )× cos (ck x ) cos (c j y )
2 2

2 2 z0
 
Tkjm (0) = ∫ ∫ ∫   −bi z  
× dx × dy × dz
x0 y0 0 +  Z kjm ( z ) cos(ck x ) cos(c j y )× K i × ∑ ai e 
− −
2 2   i 
(III-71)
47
Z kj ( z )× Z kjm ( z ) dz
x0 y0
+ +
z0
∫ cos (ck x ) dx ∫ cos (c j y ) dy

2 2 x0 y0
Tkjm (0) =
+ +
∫+∑
2 2 z0
dz ∫ cos(ck x ) dx ∫ cos(c j y )
2 2 dy
∫ K × Z (z )e
−bi z
x y 0 i kj
− 0 − 0
2 2 i 0 x0 y0
− −
2 2
(III-72)
En calculant chaque intégrale on a :
Tkjm (0) = ∑∑ I kjm + J kjm + K kjm + Qkjm + Rkjm + S kjm (III-73)

k j
z   z   z  z 
Lkjm sinh  0  cosh 0  − Lkj sinh  0  cosh 0 
L  L  L  L 
I kjm
Lkjm − Lkj
2 2
( ) (III-74)
 z  z   z  z 
Lkjm sinh  0  sinh  0  − Lkj cosh 0  cosh 0 
L  L  L   
= Akj Akjm Lkj Lkjm M k N j ×  kjm   kj   kjm   Lkj 
J kjm
γ kjm L2kjm − L2kj ( ) (III-75)
z   z   z  z 
Lkjm cosh 0  cosh 0  − Lkj sinh  0  sinh  0  − Lkjm
L  L  L  L 
K kjm
γ kj Lkjm − Lkj
2 2
( ) (III-76)
 z  z   z  z 
Lkjm sinh  0  cosh 0  − Lkj cosh 0  sinh  0 
L  L  L  L 
Qkjm
γ kj γ kjm Lkjm − Lkj
2 2
( ) (III-77)
  ck x0   c j y0  
 4 sin   sin 
 
  
2
 K i ai Akjm Lkjm  2   2     z0   z0  
Rkjm = ∑  ⋅ 
⋅ bi Lkjm + bi Lkjm sinh   − cosh    exp(− bi z0 )  
(
i = 0  γ kjm bi Lkjm − 1
2 2
) ck c j  

L 
 kjm 
 L 
 kjm    
 
(III-78)
 c x  c y  
2 K a A L
4 sin  k 0  sin  j 0    
  2   2    z   z  
S kjm = ∑  i 2 i 2 kjm kjm ⋅ ⋅ −  bi Lkjm cosh 0  + sinh  0   exp(− bi z0 )  + bi Lkjm 
(
i = 0  bi Lkjm − 1 ) ck c j     
 Lkjm 
  
 Lkjm    
 
(III-79)
x0 sin (ck x0 )
Mk = + (III-80)
2 2c
y0 sin (c j y0 )
k
Nj = + (III-81)
2 2 cj
48
III-5 Calcul de la phototension :

La phototension transitoire est obtenue par la relation de Boltzmann :
    V (t )  
δ kjm  x,− 0 , z , t  = n(0,0,0) ⋅ exp kjm  − 1
y
(III-82)
 2    VT  
Il vient :
 x
+ 0 z0  δ kjm ( x, y, z , t )  
Vkjm (t ) = VT ⋅ ln 1 + ∫ x02 ∫   dx dz 
 n(0,0,0) 
−
(III-83)
  y = − y0
0
2
2
  δ kjm ( x, y,0, t ) δ kj ( x, y, z )  
 dx dz 
x
+ 0 z0
Vkjm (t ) = VT ⋅ ln 1 + ∫ 2
∫  ⋅ (III-84)

x
− 0 0  δ ( x, y , z ) n(0,0,0)   y = − y 0
2  kj
2
En posant :
δ (0,0,0 )  ∆V 
q0 = kj = exp  −1
nkj (0,0,0 )
(III-85)
 T 
V
x0
+
δ kjm (x, y, z , t ) dx dz
z0
∆0 = ∫ 2
x0 ∫ y0 (III-86)
− 0 y =−
2 2
 c y  c x  
 cos j 0  sin  k 0   

∆ 0 = ∑∑ 2 ⋅ Akjm Lkjm ⋅  2   2  ⋅ sinh  z0  + 1  cosh z0  − 1 
 L   
(III-87)
j  ck  L  γ 
k  kjm  kjm   kjm   
 
x0
+
∆ = n(0,0,0 ) = ∫ δ kj (x, y, z , t ) dx dz
z0
−
2
2
x0 ∫0 y =−
y0
2
(III-88)
 sin (ck x0 )  z  1     
∆ = ∑ ∑  Akj Lkj ⋅ ⋅ sinh  0  +  cosh z0  − 1  − ∑ K i ai ⋅ [exp(− bi z0 ) − 1] (III-
ck  L  γ   L  
k j 
  kj  kj   kj    i bi 89)
 ∆  t 
Vkjm (t ) = VT ⋅ ln1 + q0 ⋅ 0 ⋅ Tkjm (0 ) ⋅ exp −  (III-90)
 ∆  τ 
  kjm  
Avec :
k ⋅T
VT = B (III-91)
q
1 1
= ωm2 +
τ kjm τ (III-92)
∆ 0Tkjm (0 )
En posant aussi Fc (ω0 ) = qui est la fonction de calibrage.
∆
On a finalement :
  t 
Vkjm (t ) = VT ⋅ ln1 + q0 ⋅ Fc (ω0 ) ⋅ exp −  (III-93)
  τ 
  kjm 
Posons les conditions suivantes :
49
 t 
→ Si t ≤ τ kj 0 alors on a q0 ⋅ Fc (ω0 ) ⋅ exp −  >> 1
 τ 
 kjm 
D’où on a :
 t 
Vkjm (t ) = VT ⋅ − + ln (q0 ⋅ Fc (ω0 )) (III-94)
 τ kjm 
 t 
→ t ≥ τ kj 0 alors on a q0 ⋅ Fc (ω0 ) ⋅ exp −  << 1
 τ 
 kjm 
Dans ce cas on peut faire un développement limité qui nous permet d’obtenir :
  t 
Vkjm (t ) = VT ⋅  q0 ⋅ Fc (ω0 ) ⋅ exp −   une (III-95)
  τ 
  kjm  
décroissance exponentielle
.
50
Références bibliographiques
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES
[1] J.R.BOLTON
Solar energy (20) 1931-1978
[2] Alain RICAUD

Photopiles solaires, presses polytechniques et universitaires romandes, 1997.
[3] E . NANEMA
Thèse de 3ème cycle, Université Cheikh Anta Diop, Dakar, Sénégal, 1996.
[4] I . F . BARRO
Thèse de 3ème cycle, Université Cheikh Anta Diop, Dakar, Sénégal, 2003.
[5] J. W. ORTON / P. BLOOD

The electrical charaterization of semiconductors: measurement of minority carrier properties,
Academic press, 1990
[6] G. SISSOKO, I. F. BARRO, E. NAMEMA, F. ZOUGMORE

J. Sci . vol. 1. Nº1, 2001, pp. 76-80.
[7] F. SEITZ
Phys.Rev. 79, 723 1950
[8] D. R. CLARKE
J. Appl. Phys. 49, 2407, 1978
[9] Y. ISHIKAWA, Y. YAMAMOTO, T. HATAYAMA, Y. URAOKO and T. FUYUKI

Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
Presented at 28th IEEE PVSV, 15-22 Sep., 2000, Anchorage, USA.
[10] J. DUGAS
Solar Energy Materials and Solar Cells , 32, 1994, pp.71-88
[11] Y. L. B. BOCANDE, A. CORREA, I. GAYE, M. L. SOW and G. SISSOKO

Renewable Energy, vol.5, Part III, pp. 1698-1700, 1994.
51
[12] B. BA, M. KANE, A. FICKOU and G. SISSOKO

Solar Energy Materials and solar Cells, 31, 1993, pp.33-49
52
« ETUDE DU REGIME TRANSITOIRE OBTENU PAR VARIATION

DU POINT DE FONCTIONNEMENT D’UNE PHOTOPILE
POLYCRISTALLINE A JONCTION VERTICALE SOUS
ECLAIREMENT MULTISPECTRAL CONSTANT »
Allé DIOUM
Mémoire de diplôme d’études approfondies :

D.E.A de Chimie Physique appliquée à l’énergie
Option : Chimie Physique

Soutenu publiquement le 30 Novembre 2005 devant la commission d’examen
Jury :
Président : BEYE Aboubaker.S Professeur titulaire FST/UCAD

Examinateurs : ADJ Mamadou Maître de conférences ESP/UCAD
NDIAYE Serigne.A. Professeur titulaire FST/UCAD
BA Bassirou Maître de conférences FST/UCAD
SISSOKO Grégoire Professeur titulaire FST/UCAD
Résumé :
Une étude bibliographique est produite sur le régime transitoire obtenu selon le modèle
à trois dimensions d’une photopile au silicium polycristallin.
Le régime transitoire obtenu par variation du point de fonctionnement c'est-à-dire entre
deux états stationnaires a été étudié sous éclairement multispectral constant. Ceci
pour une nouvelle forme de photopile au silicium polycristallin à jonction verticale.
L’étude de l’excès de la densité de porteurs de charge minoritaires en régime
transitoire a permis de déterminer la phototension transitoire.
L’effet de certains paramètres de la photopile à jonction verticale comme les vitesses
de recombinaison, la taille de grain sur le régime transitoire est présenté.
Mots clés : Photopile à jonction verticale –-Phototension –régime transitoire – vitesse

53
de Mémoire de DEA–présenté
recombinaison longueurparde
Allé DIOUM– durée
diffusion - de vieLSCES/
– taille FST-UCAD
de grain. (Sénégal)
54

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UNIVERSITÉ CHEIKH ANTA DIOP DE DAKAR

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES

MÉMOIRE DE DIPLOME D’ETUDES APPROFONDIES (DEA)

EN CHIMIE PHYSIQUE APPLQUEE A L’ENERGIE

Monsieur Allé DIOUM

« ETUDE du REGIME TRANSITOIRE OBTENU PAR VARIATION DU POINT

Soutenu publiquement le 30 Novembre 2005 devant la commission d’examen

Président : BEYE Aboubaker.s Professeur titulaire FST/UCAD

REGIME TRANSITOIRE OBTENU PAR

 A Feu Aboubakar GUEYE :

Monsieur Momar Marième DIENG, Professeur de classe exceptionnelle à la Faculté des

Monsieur Mansour KANE, Professeur titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques de

Monsieur Aboubaker Sadikh BEYE, Professeur titulaire à la Faculté des Sciences et

Monsieur Mamadou ADJ, Maître de conférences à l’Ecole Polytechnique de Dakar, Je suis

Monsieur Serigne Amadou NDIAYE, Professeur Titulaire Professeur titulaire à la Faculté

Monsieur Bassirou BA, Maître de conférences à la Faculté des Sciences et Techniques de

Monsieur Grégoire SISSOKO, Professeur titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques

Je réserve des remerciements aussi à tous les camarades du laboratoire en particulier au

Akjm , Bkjm Coefficients des fonctions Z kjm ( z )

Akj , Bkj Coefficients des fonctions Z kj ( z )

LISTE DES FIGURES

Au moment où nos pays sous développés et même en voies de développement souffrent

La figure (1) ci-dessous représente le modèle colonnaire de la photopile à jonction verticale à

Figure 1: Photopile à jonction verticale au silicium polycristallin

Ainsi dans la suite de notre travail nous allons consacrer au :

-Premier chapitre à l’étude bibliographique

-Second chapitre à l’étude du régime transitoire de la photopile à jonction verticale au

I-2 Techniques de caractérisation d’une photopile au silicium polycristallin

Figure I-1: Une tranche quadratique de silicium polycristallin

I-3 Techniques de modélisation d’une photopile en trois dimensions.

Figure I-2: Modèle colonnaire de silicium polycristallin de forme cylindrique

3D modelling of a reverse cell made with improved multicrystalline silicon

I-3-1 Hypothèses de départ :

Figure I-3: Schéma d'un grain colonnaire en 3D d'une photopile au silicium

I-3-2 La densité de porteurs de charge minoritaires :

La solution générale d’une telle équation est prise sous la forme :

I-3-3 Les conditions aux limites

Ces relations se traduisent par les équations suivantes.

I-3-4 les équations transcendantes

I-3-5 Les conditions de court circuit

∆n(x, y, wb ) = 0 Cela signifie une absence de stockage de charge à la jonction.

I-3-6 L’expression des Z kj (z)

I-4 Techniques de détermination des paramètres phénoménologiques

Figure I-4: Caractéristique courant-tension d'une photopile

I-4-1 La densité de l’excès de porteurs de charge minoritaires

A m et B m étant des paramètres dépendants du mode d’éclairement utilisé.

I-4-2 Les conditions aux limites

La densité de l’excès de porteurs minoritaires trouvée est sous la forme :

Où on a : n i : la densité de porteurs intrinsèques et N B : la densité des atomes de dopage.

Tous les phénomènes de recombinaison seront pris en compte dans le cas de

II-2-Dispositif expérimentale et principe de fonctionnement.

Figure II-1: Dispositif expérimental

II-1-2 Principe de fonctionnement :

Figure II-2: Signal carré fourni par

II-3-Etude de la densité de porteurs minoritaires en excès dans la base de la

La photopile que nous étudions est composée :

Gα ( z ) = ∑ ai e − bi z est le taux de génération de porteurs de charges qui dépend du mode

 ∂ 2δ ( x, y, z , t ) ∂ 2δ kjm ( x, y, z , t ) ∂ 2δ kjm ( x, y, z , t )  δ kjm ( x, y, z , t ) ∂δ kjm ( x, y, z , t )

La résolution d’une telle équation suppose au préalable la résolution de l’équation de